显示器结构及其制造方法

技术领域

本发明有关于一种显示器结构及其制造方法。

背景技术

随着电流驱动的功能增加，显示器结构中的元件配置变得复杂，故面内的走线亦趋于复杂，进而产生空间不足的问题。此外，因现时用以制造走线的基板为软板，因此存在基板涨缩问题，基板平整性也因此较难控制，进而导致导通孔搭接不良以及电镀偏移的问题。如何提出一种可以解决上述问题的显示器结构及其制造方法，是目前业界亟欲投入研发资源解决的问题之一。

发明内容

有鉴于此，本发明的一目的在于提出一种可有解决上述问题的显示器结构及其制造方法。

为了达到上述目的，依据本发明的一实施方式，一种显示器结构包含第一基板、第二基板、第一凸块、发光单元、连通柱、第二凸块以及第三凸块。第二基板设置于第一基板上。第一凸块设置于第二基板的顶面上。发光单元设置于第一凸块上。连通柱填充贯穿第一基板以及第二基板的通孔。第二凸块设置于第二基板的顶面上并连接连通柱。第二凸块的厚度大于第一凸块的厚度。第三凸块设置于第一基板的底面上并连接连通柱。

于本发明的一或多个实施方式中，显示器结构进一步包含第一种子层以及第二种子层。第一种子层位于第一凸块与第二基板之间以及第二凸块与第二基板之间。第二种子层位于连通柱与通孔之间以及第三凸块与第一基板之间。

于本发明的一或多个实施方式中，第二凸块的厚度与第一凸块的厚度的厚度差大于0.5微米。

于本发明的一或多个实施方式中，第三凸块的宽度大于第二凸块的宽度。

于本发明的一或多个实施方式中，第三凸块的宽度大于17微米。

于本发明的一或多个实施方式中，以俯视观之，第二凸块位于第一凸块的周围。

于本发明的一或多个实施方式中，第二凸块的厚度大于第一凸块的厚度以及发光单元的厚度的总和。

于本发明的一或多个实施方式中，显示器结构进一步包含主动元件，且主动元件位于第二基板中。

于本发明的一或多个实施方式中，主动元件藉由接触件连接第一凸块。

于本发明的一或多个实施方式中，主动元件为薄膜晶体管。

为了达到上述目的，依据本发明的一实施方式，一种显示器结构的制造方法包含：提供玻璃基板、第一基板以及第二基板，其中第一基板位于玻璃基板上，第二基板位于第一基板上；形成第一光阻层于第二基板上方，其中第一光阻层具有数个镂空部；填充第一导电材料于第一光阻层的镂空部中；去除第一光阻层并回蚀第一导电材料以形成图案化的第一导电材料；去除玻璃基板；藉由蚀刻形成通孔穿过第一导电材料、第一基板以及第二基板；形成第二光阻层于第二基板的顶面以及第三光阻层于第一基板的底面，其中第二光阻层以及第三光阻层各具有镂空部，第二光阻层的镂空部以及第三光阻层的镂空部分别连接通孔的两端，且第二光阻层的镂空部的高度大于第一导电材料的厚度；填充第二导电材料于第二光阻层的镂空部、通孔以及第三光阻层的镂空部中，其中第二导电材料于通孔中形成连通柱，且第二导电材料与第一导电材料相同；去除第二光阻层以及第三光阻层以形成图案化的第二导电材料；回蚀图案化的第一导电材料以及图案化的第二导电材料以形成第一凸块、第二凸块以及第三凸块；以及将发光单元设置于第一凸块上，且第二凸块的厚度大于第一凸块的厚度。

于本发明的一或多个实施方式中，显示器结构的制造方法进一步包含形成第一种子层于第二基板上，且形成第一种子层于第二基板上的步骤执行于形成第一光阻层于第二基板上方的步骤之前。

于本发明的一或多个实施方式中，第一种子层位于第一凸块与第二基板之间以及第二凸块与第二基板之间。

于本发明的一或多个实施方式中，显示器结构的制造方法进一步包含形成第二种子层于通孔的内表面以及第一基板的底面，且形成第二种子层于通孔的内表面以及第一基板的底面的步骤执行于填充第二导电材料于第二光阻层的镂空部、通孔以及第三光阻层的镂空部中的步骤之前。

于本发明的一或多个实施方式中，形成第二种子层于通孔的内表面以及第一基板的底面的步骤执行于形成第二光阻层于第二基板的顶面以及第二光阻层于第一基板的底面的步骤之前。

于本发明的一或多个实施方式中，第二种子层位于连通柱与通孔之间以及第三凸块与第一基板之间。

于本发明的一或多个实施方式中，去除玻璃基板的步骤执行于去除第一光阻层并回蚀第一导电材料以形成图案化的第一导电材料的步骤之后。

于本发明的一或多个实施方式中，第三凸块的宽度大于第二凸块的宽度。

于本发明的一或多个实施方式中，填充第一导电材料于第一光阻层的镂空部中的步骤以及填充第二导电材料于第二光阻层的镂空部、通孔以及第三光阻层的镂空部中的步骤利用电镀制程。

于本发明的一或多个实施方式中，藉由蚀刻形成通孔穿过第一导电材料、第一基板以及第二基板的步骤利用激光钻孔制程。

于本发明的一或多个实施方式中，第二凸块的厚度与第一凸块的厚度的厚度差大于0.5微米。

于本发明的一或多个实施方式中，以俯视观之，第二凸块位于第一凸块的周围。

于本发明的一或多个实施方式中，第二凸块的厚度大于第一凸块的厚度以及发光单元的厚度的总和。

综上所述，在本发明的显示器结构及其制造方法中，由于显示器结构经过正反两面的两次电镀，例如第二凸块经过两次电镀(第一次电镀于玻璃基板上方，第二次电镀不具有玻璃基板)，可以满足因正面所需分辨率高而需要高黄光对位精准度的需求，并可以解决位于正面(第二基板的顶面)的第二凸块的厚度不足还有通孔搭接的问题。在本发明的显示器结构及其制造方法中，由于第二凸块的厚度与第一凸块的厚度有高度差，且第二凸块设置于第一凸块的周围，因此可以增加发光单元转置区的挺性，进而提升发光单元的转置精准度。在本发明的显示器结构及其制造方法中，由于第二凸块的厚度至少大于第一凸块的厚度以及发光单元的厚度的总和，因此第二凸块之间可以作为发光单元的聚光堤(bank)，以提升发光单元的发光效能。

以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。

附图说明

图1绘示根据本发明的一实施方式的显示器结构的制造方法的流程图。

图2绘示根据本发明的一实施方式的接续图1的显示器结构的制造方法的流程图。

图3绘示根据本发明的一实施方式的制造显示器结构的中间阶段的示意图。

图4绘示根据本发明的一实施方式的制造显示器结构的中间阶段的示意图。

图5绘示根据本发明的一实施方式的制造显示器结构的中间阶段的示意图。

图6绘示根据本发明的一实施方式的制造显示器结构的中间阶段的示意图。

图7绘示根据本发明的一实施方式的制造显示器结构的中间阶段的示意图。

图8绘示根据本发明的一实施方式的制造显示器结构的中间阶段的示意图。

图9绘示根据本发明的一实施方式的制造显示器结构的中间阶段的示意图。

图10绘示根据本发明的一实施方式的制造显示器结构的中间阶段的示意图。

图11绘示根据本发明的一实施方式的制造显示器结构的中间阶段的示意图。

图12绘示根据本发明的一实施方式的制造显示器结构的中间阶段的示意图。

图13绘示根据本发明的一实施方式的制造显示器结构的中间阶段的示意图。

图14绘示根据本发明的一实施方式的制造显示器结构的中间阶段的示意图。

图15绘示根据本发明的一实施方式的制造显示器结构的中间阶段的示意图。

图16绘示根据本发明的一实施方式的制造显示器结构的中间阶段的示意图。

图17绘示根据本发明的另一实施方式的显示器结构的俯视图。

图18绘示根据本发明的再一实施方式的显示器结构的示意图。

其中，附图标记：

100,100A,100B:显示器结构

B1:第一凸块

B2:第二凸块

B3:第三凸块

CE:处理元件

CH:通道层

CM1:第一导电材料

CM2:第二导电材料

CT:接触件

CV:连通柱

D:漏极

G:栅极

GI:栅极绝缘层

GS:玻璃基板

H

ILD:层间介电质层

LU:发光单元

M:方法

O1,O2,O3:镂空部

PR1:第一光阻层

PR2:第二光阻层

PR3:第三光阻层

PV:钝化层

S:源极

S1:第一基板

S1b:底面

S2:第二基板

S2t:顶面

S101,S102,S103,S104,S105,S106,S107,S108,S109,S110,S111:步骤

SL1:第一种子层

SL2:第二种子层

T:主动元件

T

V:通孔

Vsi:内表面

W

X,Y,Z:方向

具体实施方式

下面结合附图对本发明的结构原理和工作原理作具体的描述：

以下将以图式发明本发明的数个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本发明。也就是说，在本发明部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化图式起见，一些现有惯用的结构与元件在图式中将以简单示意的方式绘示之。在所有图式中相同的标号将用于表示相同或相似的元件。

在图式中，为了清楚起见，放大了层、膜、面板、区域等的厚度。在整个说明书中，相同的图式标记表示相同的元件。应当理解，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一元件「上」或「连接到」另一元件时，其可以直接在另一元件上或与另一元件连接，或者中间元件可以也存在。相反，当元件被称为「直接在另一元件上」或「直接连接到」另一元件时，不存在中间元件。如本文所使用的，「连接」可以指物理及/或电性连接。再者，「电性连接」或「耦合」可为二元件间存在其它元件。

应当理解，尽管术语「第一」、「第二」、「第三」等在本文中可以用于描述各种元件、部件、区域、层及/或部分，但是这些元件、部件、区域、及/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一个元件、部件、区域、层或部分区分开。因此，下面讨论的「第一元件」、「部件」、「区域」、「层」或「部分」可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分而不脱离本文的教导。

这里使用的术语仅仅是为了描述特定实施例的目的，而不是限制性的。如本文所使用的，除非内容清楚地指示，否则单数形式「一」、「一个」和「该」旨在包括复数形式，包括「至少一个」。「或」表示「及/或」。如本文所使用的，术语「及/或」包括一个或多个相关所列项目的任何和所有组合。还应当理解，当在本说明书中使用时，术语「包含」及/或「包括」指定所述特征、区域、整体、步骤、操作、元件的存在及/或部件，但不排除一个或多个其它特征、区域整体、步骤、操作、元件、部件及/或其组合的存在或添加。

此外，诸如「下」或「底部」和「上」或「顶部」的相对术语可在本文中用于描述一个元件与另一元件的关系，如图所示。应当理解，相对术语旨在包括除了图中所示的方位之外的装置的不同方位。例如，如果一个图式中的装置翻转，则被描述为在其他元件的「下」侧的元件将被定向在其他元件的「上」侧。因此，示例性术语「下」可以包括「下」和「上」的取向，取决于图式的特定取向。类似地，如果一个图式中的装置翻转，则被描述为在其它元件「下方」或「下方」的元件将被定向为在其它元件「上方」。因此，示例性术语「下面」或「下面」可以包括上方和下方的取向。

本文使用的「约」、「近似」、或「实质上」包括所述值和在本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内的平均值，考虑到所讨论的测量和与测量相关的误差的特定数量(即，测量系统的限制)。例如，「约」可以表示在所述值的一个或多个标准偏差内，或±30％、±20％、±10％、±5％内。再者，本文使用的「约」、「近似」或「实质上」可依光学性质、蚀刻性质或其它性质，来选择较可接受的偏差范围或标准偏差，而可不用一个标准偏差适用全部性质。

除非另有定义，本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。将进一步理解的是，诸如在通常使用的字典中定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关技术和本发明的上下文中的含义一致的含义，并且将不被解释为理想化的或过度正式的意义，除非本文中明确地这样定义。

请参考图1以及图2。图1以及图2为根据本发明的一实施方式的显示器结构100的制造方法M的流程图。如图2所示，在本实施方式中，显示器结构100的制造方法M包含了步骤S101、步骤S102、步骤S103、步骤S104、步骤S105、步骤S106、步骤S107、步骤S108、步骤S109、步骤S110以及步骤S111。为了更佳理解步骤S101，请参考图1以及图3。为了更佳理解步骤S102，请参考图1、图4以及图5。为了更佳理解步骤S103，请参考图1以及图6。为了更佳理解步骤S104，请参考图1、图7以及图8。为了更佳理解步骤S105，请参考图1以及图9。为了更佳理解步骤S106，请参考图1以及图10。为了更佳理解步骤S107，请参考图2、图11以及图12。为了更佳理解步骤S108，请参考图2以及图13。为了更佳理解步骤S109，请参考图2以及图14。为了更佳理解步骤S110，请参考图2以及图15。为了更佳理解步骤S111，请参考图2以及图16。

以下详细叙述步骤S101。

在步骤S101中，提供玻璃基板GS、第一基板S1以及第二基板S2。

请参考图3。图3为根据本发明的一实施方式的制造显示器结构100的中间阶段的示意图。在本实施方式中，如图3所示，其提供了玻璃基板GS、第一基板S1以及第二基板S2。如图3所示，第一基板S1设置于玻璃基板GS上。第二基板S2设置于第一基板S1上。在一些实施方式中，玻璃基板GS的硬度大于第一基板S1的硬度，且玻璃基板GS的硬度大于第二基板S2的硬度。在本实施方式中，玻璃基板GS作为硬基板，第一基板S1以及第二基板S2作为软基板。需要说明的是，于此处描述的硬或软的性质为相对的性质，因此软基板与硬基板同样具有基本的支撑功能。

在一些实施方式中，第一基板S1可以是塑胶材料。在一些实施方式中，第一基板S1可以是例如聚酰亚胺(Polyimide；PI)或其他合适的材料。在一些实施方式中，第二基板S2可以是硅基(Silicon-Based)基板。在一些实施方式中，第二基板S2可以包含例如低温多晶硅(Low-temperaturePolysilicon；LTPS)或其他合适的材料。

以下详细叙述步骤S102。

在步骤S102中，形成第一光阻层PR1于第二基板S2上方。

请参考图4以及图5。图4以及图5为根据本发明的一实施方式的制造显示器结构100的中间阶段的示意图。在本实施方式中，如图4所示，第一种子层SL1首先形成于第二基板S2上。第一种子层SL1作为后续制程所需的导电层。接着，如图5所示，第一光阻层PR1形成于第二基板S2的上方。具体来说，第一光阻层PR1形成于第一种子层SL1上。如图5所示，第一光阻层PR1具有数个镂空部O1。

在一些实施方式中，镂空部O1可以藉由黄光制程或其他合适的方法来形成。

以下详细叙述步骤S103。

在步骤S103中，填充第一导电材料CM1于第一光阻层PR1的镂空部O1中。

请参考图6。图6为根据本发明的一实施方式的制造显示器结构100的中间阶段的示意图。在本实施方式中，如图6所示，第一导电材料CM1形成于第一光阻层PR1的镂空部O1中。具体来说，第一导电材料CM1位于第一种子层SL1上。在一些实施方式中，第一导电材料CM1的上表面与第一光阻层PR1的上表面不共平面。

在一些实施方式中，第一导电材料CM1可以是金属材料。在一些实施方式中，第一导电材料CM1可以是例如铜或其他合适的导电材料。

在一些实施方式中，第一导电材料CM1可以藉由电镀制程或其他合适的方法来形成。

以下详细叙述步骤S104。

在步骤S104中，去除第一光阻层PR1并回蚀第一导电材料CM1以形成图案化的第一导电材料CM1。

请参考图7以及图8。图7以及图8是根据本发明的一实施方式的制造显示器结构100的中间阶段的示意图。在本实施方式中，如图7所示，第一光阻层PR1自第二基板S2上方被去除。具体来说，第一光阻层PR1自第一种子层SL1上被去除。如图7所示，第一光阻层PR1被去除之后，经第一光阻层PR1图案化的第一导电材料CM1保留在第二基板S2上方。具体来说，第一导电材料CM1保留在第一种子层SL1上。接着，如图8所示，第一导电材料CM1被回蚀，且第一种子层SL1的部位被去除。更详细地说，上述第一种子层SL1被去除的部位是指原本位于图案化的第一光阻层PR1正下方的第一种子层SL1的部位。当第一导电材料CM1被回蚀且第一种子层SL1的部位被去除之后，从而形成最终的图案化的第一导电材料CM1，如图8所示。

在一些实施方式中，第一光阻层PR1以及第一种子层SL1的部位可以藉由蚀刻制程(例如，干蚀刻或湿蚀刻)或其他合适的方法被去除。在一些实施方式中，第一导电材料CM1可以藉由蚀刻制程(例如，干蚀刻或湿蚀刻)或其他合适的方法被回蚀。

在步骤S101至步骤S104中，图案化的第一导电材料CM1在玻璃基板GS存在的情况下形成。由于玻璃基板GS提供了整体结构的挺性，因此第一导电材料CM1可以更精准地形成于目标位置上，从而满足高分辨率的需求。

以下详细叙述步骤S105。

在步骤S105中，去除玻璃基板GS。

请参考图9。图9为根据本发明的一实施方式的制造显示器结构100的中间阶段的示意图。如图9所示，玻璃基板GS被去除，从而暴露了第一基板S1的底面S1b。由于在步骤S104中形成了图案化的第一导电材料CM1，第二基板S2的顶面S2t从而被暴露。

以下详细叙述步骤S106。

在步骤S106中，藉由蚀刻形成通孔V穿过第一导电材料CM1、第一基板S1以及第二基板S2。

请参考图10。图10为根据本发明的一实施方式的制造显示器结构100的中间阶段的示意图。在本实施方式中，如图10所示，通孔V藉由蚀刻形成，且通孔V贯穿第一导电材料CM1、第一基板S1以及第二基板S2。如图10所示，通孔V贯穿第一导电材料CM1、第一基板S1以及第二基板S2而具有内表面Vsi。

在一些实施方式中，通孔V可以利用例如激光钻孔制程或其他合适的方法来形成。

以下详细叙述步骤S107。

在步骤S107中，形成第二光阻层PR2于第二基板S2的顶面S2t以及第三光阻层PR3于第一基板S1的底面S1b。

请参考图11以及图12。图11以及图12为根据本发明的一实施方式的制造显示器结构100的中间阶段的示意图。在本实施方式中，如图11所示，第二种子层SL2首先形成于通孔V的内表面Vsi以及第一基板S1的底面S1b。第二种子层SL2作为后续制程所需的导电层。接着，如图12所示，第二光阻层PR2形成于第二基板S2的顶面S2t上，第三光阻层PR3形成于第一基板S1的底面S1b上。具体来说，第三光阻层PR3形成于第二种子层SL2上。如图12所示，第二光阻层PR2以及第三光阻层PR3各具有数个镂空部O2以及数个镂空部O3。如图12所示，第二光阻层PR2的镂空部O2以及第三光阻层PR3的镂空部O3分别连接通孔V的两端。在一些实施方式中，如图12所示，第二光阻层PR2的镂空部O2的高度H

在一些实施方式中，镂空部O2以及镂空部O3可以藉由黄光制程或其他合适的方法来形成。

以下详细叙述步骤S108。

在步骤S108中，填充第二导电材料CM2于第二光阻层PR2的镂空部O2、通孔V以及第三光阻层PR3的镂空部O3中。

请参考图13。图13为根据本发明的一实施方式的制造显示器结构100的中间阶段的示意图。在本实施方式中，如图13所示，第二导电材料CM2形成于第二光阻层PR2的镂空部O2、通孔V以及第三光阻层PR3的镂空部O3中。具体来说，第二导电材料CM2位于第二种子层SL2上。如图13所示，第二导电材料CM2的填充通孔V的部位形成连通柱CV。如图13所示，第二导电材料CM2填充镂空部O2，使得第二导电材料CM2的位于镂空部O2的部位的高度大于第一导电材料CM1的高度(即图12所示的厚度T

在一些实施方式中，第二导电材料CM2可以是金属材料。在一些实施方式中，第二导电材料CM2可以是例如铜或其他合适的导电材料。

在一些实施方式中，第二导电材料CM2可以藉由电镀制程或其他合适的方法来形成。

在一些实施方式中，第二导电材料CM2与第一导电材料CM1相同。具体来说，第二导电材料CM2的材料与第一导电材料CM1的材料相同。

以下详细叙述步骤S109。

在步骤S109中，去除第二光阻层PR2以及第三光阻层PR3以形成图案化的第二导电材料CM2。

请参考图14。图14为根据本发明的一实施方式的制造显示器结构100的中间阶段的示意图。在本实施方式中，如图14所示，第二光阻层PR2自第二基板S2上被去除，且第三光阻层PR3自第一基板S1上方被去除。具体来说，第三光阻层PR3自第二种子层SL2上被去除。如图14所示，第二光阻层PR2以及第三光阻层PR3被去除之后，经第二光阻层PR2以及第三光阻层PR3图案化的第二导电材料CM2保留在第二基板S2以及第一基板S1上方。具体来说，第二导电材料CM2的位于第一基板S1上方的部位以及连通柱CV形成于第二种子层SL2上。

在一些实施方式中，第二光阻层PR2以及第三光阻层PR3可以藉由蚀刻制程(例如，湿蚀刻)或其他合适的方法被去除。

以下详细叙述步骤S110。

在步骤S110中，回蚀图案化的第一导电材料CM1以及图案化的第二导电材料CM2以形成第一凸块B1、第二凸块B2以及第三凸块B3。

请参考图15。图15为根据本发明的一实施方式的制造显示器结构100的中间阶段的示意图。在本实施方式中，如图15所示，图案化的第一导电材料CM1以及图案化的第二导电材料CM2被回蚀。如图15所示，第二种子层SL2的部位被去除。更详细地说，上述第二种子层SL2的部位是指原本位于图案化的第三光阻层PR3正下方的第二种子层SL2的部位。当图案化的第一导电材料CM1以及图案化的第二导电材料CM2被回蚀且第二种子层SL2的部位被去除之后，从而形成第一凸块B1、第二凸块B2以及第三凸块B3，如图15所示。更详细地说，不与连通柱CV连接的第一导电材料CM1的部位形成第一凸块B1，与连通柱CV邻接的第一导电材料CM1的部位以及连接连通柱CV的第二导电材料CM2的部位形成第二凸块B2，连接连通柱CV且位于第一基板S1上方的第二导电材料CM2的部位形成第三凸块B3。

在一些实施方式中，如图15所示，第一凸块B1具有厚度T

在一些实施方式中，第二种子层SL2的部位可以藉由蚀刻制程(例如，干蚀刻)或其他合适的方法被去除。在一些实施方式中，第一导电材料CM1以及第二导电材料CM2可以藉由蚀刻制程(例如，干蚀刻)或其他合适的方法被回蚀。

以下详细叙述步骤S111。

在步骤S111中，将发光单元LU设置于第一凸块B1上。

请参考图16。图16为根据本发明的一实施方式的制造显示器结构100的中间阶段的示意图。在本实施方式中，如图16所示，在执行步骤S110以形成第一凸块B1、第二凸块B2以及第三凸块B3之后，再将发光单元LU设置于第一凸块B1上，从而形成本发明的显示器结构100。在一使用情境中，第一凸块B1作为发光单元LU的转置区，因此制造者可以将在其他产线制造完成的发光单元LU转置到第一凸块B1上。在一些实施方式中，如图16所示，第二凸块B2的厚度T

在一些实施方式中，发光单元LU可以是发光二极管(Light-emittingDiode；LED)。在一些实施方式中，发光单元LU可以是微发光二极管(Micro-LED)。

接下来将详细说明本发明的另一实施方式的显示器结构100A。

请参考图17。图17为根据本发明的另一实施方式的显示器结构100A的俯视图。在本实施方式中，如图17所示，显示器结构100A的结构配置与显示器结构100的结构配置大致相似，故显示器结构100A的详细结构于此不再赘述。显示器结构100A与显示器结构100的不同之处在于，显示器结构100A的一侧(例如，图16所示的位于第二基板S2上方的一侧)包含数行及数列的第一凸块B1以及第二凸块B2的排列。举例来说，图17中的一列(例如，平行于方向X的一列)可以包含数个第一凸块B1以及第二凸块B2，图17的一行(例如，平行于方向Y的一列)可以包含数个第一凸块B1或第二凸块B2。如图17所示，以俯视观之，上述排列使得第二凸块B2位于第一凸块B1的周围。在一使用情境中，由于第二凸块B2设置于第一凸块B1的周围，且第二凸块B2的厚度T

在一些实施方式中，如图17所示，连接第二凸块B2的连通柱CV是沿着图17中的方向Z延伸。

在一些实施方式中，显示器结构100A包含发光单元LU(未绘示)于第一凸块B1上方。在第二凸块B2位于第一凸块B1的周围的实施方式中，第二凸块B2的厚度T

接下来将详细说明本发明的再一实施方式的显示器结构100B。

请参考图18。图18为根据本发明的再一实施方式的显示器结构100B的示意图。在本实施方式中，如图18所示，显示器结构100B的结构配置与显示器结构100的结构配置大致相似。显示器结构100B与显示器结构100的不同之处在于，显示器结构100B的第二基板S2进一步包含栅极绝缘层GI、层间介电质层ILD以及钝化层PV。除此之外，显示器结构100B进一步包含主动元件T、接触件CT以及处理元件CE。主动元件T位于第二基板S2中并包含源极S、漏极D、栅极G以及通道层CH。栅极G藉由栅极绝缘层GI与通道层CH隔开。源极S以及漏极D连接通道层CH。源极S以及漏极D分别藉由层间介电质层ILD与栅极G隔开。如图18所示，主动元件T藉由接触件CT连接第一凸块B1。具体来说，接触件CT的两端分别连接第一凸块B1以及漏极D。

在一些实施方式中。主动元件T可以是薄膜晶体管(Thin-filmTransistor)。在一些实施方式中，主动元件T可以是例如底栅(bottom-gate)型薄膜晶体管、顶栅(top-gate)型薄膜晶体管或其它合适的薄膜晶体管。在一些实施方式中，通道层CH可以是半导体材料。在一些实施方式中，半导体材料可以是例如非晶硅、多晶硅、氧化物半导体或其它合适的半导体材料。

在一些实施方式中，如图18所示，连通柱CV在第一基板S1以及第二基板S2中是由上至下变窄，但本发明不意欲针对连通柱CV的形状进行限制。

综上所述，藉由执行显示器结构100(显示器结构100A或显示器结构100B)的制造方法M，可以制造出光学性能更佳的显示器结构100(显示器结构100A或显示器结构100B)。

由以上对于本发明的具体实施方式的详述，可以明显地看出，在本发明的显示器结构及其制造方法中，由于显示器结构经过正反两面的两次电镀，例如第二凸块经过两次电镀(第一次电镀于玻璃基板上方，第二次电镀不具有玻璃基板)，可以满足因正面所需分辨率高而需要高黄光对位精准度的需求，并可以解决位于正面(第二基板的顶面)的第二凸块的厚度不足还有通孔搭接的问题。在本发明的显示器结构及其制造方法中，由于第二凸块的厚度与第一凸块的厚度有高度差，且第二凸块设置于第一凸块的周围，因此可以增加发光单元转置区的挺性，进而提升发光单元的转置精准度。在本发明的显示器结构及其制造方法中，由于第二凸块的厚度至少大于第一凸块的厚度以及发光单元的厚度的总和，因此第二凸块之间可以作为发光单元的聚光堤(bank)，以提升发光单元的发光效能。

当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。