离子注入机台的温控能力检测方法及装置

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种离子注入机台的温控能力检测方法及装置。

背景技术

在集成电路生产的过程中，离子注入过程中的晶圆温度是一个比较重要的参数，其直接影响到光阻的气体污染和晶圆内部的晶格变化。在晶圆温度过高时，会使得表面光阻产生鼓包，甚至使得鼓包破裂，导致被光阻覆盖不能被注入的区域被注入，导致产品良率低并使得晶圆报废，因此检测离子注入机台的温度控制能力对于离子注入来说具有重要的意义。

现有技术中，离子注入机台检测晶圆在静电吸盘上注入时的温度是用温度试纸测试，具体是在裸晶圆表面不同位置处贴上温度试纸，再用铜箔或者铝箔将试纸盖住，将此晶圆按照正常产品的参数配方进行注入，最后撕开覆盖试纸的铜箔或者铝箔，根据温度试纸颜色变化就可以判断晶圆上试纸所在点在离子注入所经历的温度，从而得到机台的温控能力。

然而申请人发现，现有技术的温控能力检测方法需要人为地把晶圆从晶圆传送盒里取出来将温度试纸贴上，不仅步骤繁琐也容易污染晶圆，并且只能检测试纸覆盖区域，而使晶圆的其他区域缺乏检测，致使最终得到的离子注入机台温控能力检测结果不准确。

发明内容

本申请提供一种离子注入机台的温控能力检测方法及装置，可以将测试晶圆插入裸晶圆末尾，并对整个晶圆传送盒进行离子注入，最终通过测试晶圆的缺陷扫描得到离子注入机台温控能力，极大提升了机台的温控能力检测效率以及准确性。

本申请提供一种离子注入机台的温控能力检测方法，包括：

将第一预设数量的测试晶圆进行热氧化处理并涂抹光刻胶；

在包含第二预设数量的裸晶圆的传送盒当中，将所述第一预设数量的测试晶圆传送至末尾；

获取晶圆产品在离子注入过程中总热量最大的配方参数，并基于所述配方参数对所述传送盒中的所有晶圆进行离子注入处理；

对处理后的测试晶圆进行缺陷扫描，以根据扫描结果确定当前离子注入机台的温控能力是否合格。

可选的，所述将第一预设数量的测试晶圆进行热氧化处理并涂抹光刻胶，包括：

将第一预设数量的测试晶圆进行热氧化处理，以使所述测试晶圆上覆盖氧化膜；

在所述氧化膜表面通过旋转法或浸泡法均匀涂抹光刻胶。

可选的，所述获取晶圆产品在离子注入过程中总热量最大的配方参数，包括：

获取所述晶圆产品在预设时间段内进行离子注入过程中温度变化量最大的波束功率和处理时长参数；

将所述波束功率和处理时长参数作为所述配方参数。

可选的，所述根据扫描结果确定所述离子注入机台的温控能力是否合格，包括：

获取扫描结果中所述测试晶圆的光阻鼓包数量以及鼓包面积；

若所述光阻鼓包数量以及鼓包面积均小于预设值则确认所述离子注入机台的温控能力合格。

可选的，在对处理后的测试晶圆进行缺陷扫描之后，所述方法还包括：

通过湿法刻蚀对所述测试晶圆进行去除氧化膜以及光刻胶处理。

可选的，在对所述传送盒中的所有晶圆进行离子注入处理之前，所述方法还包括：

减小所述离子注入机台中静电吸盘的导热介质厚度。

可选的，在对所述传送盒中的所有晶圆进行离子注入处理之前，所述方法还包括：

提高所述离子注入机台中制冷件的温度。

本申请还提供一种离子注入机台的温控能力检测装置，包括：

预处理模块，用于将第一预设数量的测试晶圆进行热氧化处理并涂抹光刻胶；

传送模块，用于在包含第二预设数量的裸晶圆的传送盒当中，将所述第一预设数量的测试晶圆传送至末尾；

离子注入模块，用于获取晶圆产品在离子注入过程中总热量最大的配方参数，并基于所述配方参数对所述传送盒中的所有晶圆进行离子注入处理；

扫描模块，用于对处理后的测试晶圆进行缺陷扫描，以根据扫描结果确定当前离子注入机台的温控能力是否合格。

本申请还提供一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括存储器和处理器，所述存储器中存储有计算机程序，所述处理器通过调用所述存储器中存储的所述计算机程序，执行本申请提供的任一项所述离子注入机台的温控能力检测方法中的步骤。

本申请还提供一种存储介质，其特征在于，所述存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序适于处理器进行加载，以执行本申请提供的任一项所述离子注入机台的温控能力检测方法中的步骤。

本申请提供的离子注入机台的温控能力检测方法，可以将第一预设数量的测试晶圆进行热氧化处理并涂抹光刻胶，在包含第二预设数量的裸晶圆的传送盒当中，将所述第一预设数量的测试晶圆传送至末尾，获取晶圆产品在离子注入过程中总热量最大的配方参数，并基于所述配方参数对所述传送盒中的所有晶圆进行离子注入处理，对处理后的测试晶圆进行缺陷扫描，以根据扫描结果确定当前离子注入机台的温控能力是否合格。本申请通过将测试晶圆插入裸晶圆末尾，并对整个晶圆传送盒进行离子注入，最终通过测试晶圆的缺陷扫描得到离子注入机台温控能力，极大提升了机台的温控能力检测效率以及准确性。

附图说明

为了更清楚地说明本申请中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本申请实施例提供的离子注入机台的温控能力检测方法的一种流程示意图；

图2是本申请实施例提供的离子注入机台的温控能力检测方法的另一种流程示意图；

图3是本申请实施例提供的离子注入机台的缺陷扫描结果示意图；

图4是本申请实施例提供的离子注入机台的缺陷扫描结果统计示意图；

图5是本申请实施例提供的离子注入机台的温控能力检测装置的一种结构示意图；

图6是本申请实施例提供的电子设备的一种结构示意图。

具体实施方式

这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本申请的一些方面相一致的装置和方法的例子。

需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素，此外，本申请不同实施例中具有同样命名的部件、特征、要素可能具有相同含义，也可能具有不同含义，其具体含义需以其在该具体实施例中的解释或者进一步结合该具体实施例中上下文进行确定。

应该理解的是，虽然本申请实施例中的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，其可以以其他的顺序执行。而且，图中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，其执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其他步骤或者其他步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。

需要说明的是，在本文中，采用了诸如101、102等步骤代号，其目的是为了更清楚简要地表述相应内容，不构成顺序上的实质性限制，本领域技术人员在具体实施时，可能会先执行102后执行101等，但这些均应在本申请的保护范围之内。

在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。

本申请实施例提供一种离子注入机台的温控能力检测方法，该离子注入机台的温控能力检测方法的执行主体可以是本申请实施例提供的离子注入机台的温控能力检测装置，或者集成了该离子注入机台的温控能力检测装置的服务器，其中该离子注入机台的温控能力检测装置可以采用硬件或者软件的方式实现。

如图1所示，图1是本申请实施例提供的离子注入机台的温控能力检测方法的第一流程示意图，该离子注入机台的温控能力检测方法的具体流程可以如下：

101、将第一预设数量的测试晶圆进行热氧化处理并涂抹光刻胶。

其中，晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。上述晶圆可以为某一批次生产出的全部晶圆，数量为第一预设数量，比如为5片。

在一实施例中，需要先在测试晶圆上形成一层氧化膜，具体的，在晶圆上形成薄膜的氧化工艺方式有通过热进行的热氧化(Thermal Oxidation)，等离子体增强化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition， PECVD)和电化学阳极氧化等等。其中，本实施例所使用的方法是热氧化法，比如在800~1200°C的高温下形成一层薄而均匀的硅氧化膜，该氧化膜的厚度可以为100A。

进一步的，在上述氧化膜的基础上涂抹光刻胶也即光阻，该光刻胶是一种在特定光源照射下发生局部溶解度变化的光敏材料，在集成电路制造中主要用于光刻环节。进行光刻时，在硅片上涂抹光刻胶，掩膜上印有预先设计好的电路图案，光线透过掩膜照射光刻胶，经显影液作用后光刻胶会在晶圆上形成与掩模版一致的图形，再经蚀刻将掩模版上的图案转移到晶圆上。

102、在包含第二预设数量的裸晶圆的传送盒当中，将第一预设数量的测试晶圆传送至末尾。

在一实施例中，上述第二预设数量可以为20片，上述裸晶圆为未经过加工的晶圆，也即未进行热氧化以及涂抹光刻胶的晶圆。具体可以将步骤101中处理后的5片测试晶圆传至FOUP（Front Opening Unified Pod，晶圆传送盒）的最后，其中，FOUP是半导体制程中被使用来保护、运送、并储存晶圆的一种容器，其内部可以容纳25片的300mm晶圆，而其主要的组成元件为一个能容纳25片晶圆的前开式容器并有一个前开式的门框专司容器的开闭，是一种专属于12吋(300mm)晶圆厂内的自动化传送系统重要的传载容器。

在其他实施例中，上述测试晶圆的位置也可以在FOUP中灵活调整，比如将上述5片测试晶圆分别放置在FOUP的第5、10、15、20和25的位置处，这样就可以在后续缺陷扫描时获取FOUP不同的位置区间所对应的温控能力。上述测试晶圆的位置也可以根据实际需求调整为FOUP中的其他位置，本申请对此不作进一步限定。

103、获取晶圆产品在离子注入过程中总热量最大的配方参数，并基于配方参数对传送盒中的所有晶圆进行离子注入处理。

其中，离子注入是一种利用高能离子直接轰击基板(substrate)，以在基板中沉积化学物质(chemicalspecies)的制程。在半导体制程中，离子注入机主要应用于掺杂制程(dopingprocess)，以改变目标材质的导电性(conductivity)的类型与水平(level)。集成电路(integratedcircuit，IC)基板及其薄膜结构中的精确掺杂分布(dopingprofile)对于确保集成电路性能相当重要。为了达到想要的掺杂分布状态，会使用不同的剂量(dose)与不同的能量(energylevel)来进行一种或多种离子物质的注入。

在本申请实施例中，由于需要测试离子注入机台的温控性能，因此可以选用最极端情况来进行检测，也即可以使用晶圆产品在历史的离子注入过程中所产生总热量最大的配方参数(recipe)来对FOUP中的测试晶圆以及裸晶圆进行离子注入，比如将整盒wafer通过派货系统派到需要进行缺陷扫描的离子注入机台进行处理。其中，上述离子注入的配方参数包括了离子种类、离子剂量、能量的失见格(specification)以及波束功率和处理时长等参数。

104、对处理后的测试晶圆进行缺陷扫描，以根据扫描结果确定当前离子注入机台的温控能力是否合格。

在一实施例中，离子注入完成后，便可以用量测机台对最后5片wafer进行defectscan（缺陷扫描），便可以根据defect结果判断该离子注入机台E-chuck的cooling test是否通过以及温控能力是否合格。

具体的，通过本申请实施例提供的温控能力检测方法，当离子注入机台E-chuck的温控能力稍下降时，会检测到wafer表面光阻会出现鼓包或少部分鼓包爆裂的现象，鼓包区域产品会有异常，从而判定最终的温控能力不合格。另外，wafer边缘的光阻更容易出现鼓包或鼓包破裂的现象，常规cooling test只能检测试纸所在区域，但是本申请提供的方法却能整面检测到。且随着热量的累积，一盒wafer中越在最后process的wafer process时温度越高，常规cooling test方法只用一片wafer测试，无法检测这种温度越来越高的情况，但是本专利方法可以完全模拟产品process的真实情况，能检测到这种温度越来越高的情况。

由上所述，本申请实施例提出的离子注入机台的温控能力检测方法可以将第一预设数量的测试晶圆进行热氧化处理并涂抹光刻胶，在包含第二预设数量的裸晶圆的传送盒当中，将所述第一预设数量的测试晶圆传送至末尾，获取晶圆产品在离子注入过程中总热量最大的配方参数，并基于所述配方参数对所述传送盒中的所有晶圆进行离子注入处理，对处理后的测试晶圆进行缺陷扫描，以根据扫描结果确定当前离子注入机台的温控能力是否合格。本申请通过将测试晶圆插入裸晶圆末尾，并对整个晶圆传送盒进行离子注入，最终通过测试晶圆的缺陷扫描得到离子注入机台温控能力，极大提升了机台的温控能力检测效率以及准确性。

根据前面实施例所描述的方法，以下将作进一步详细说明。

请参阅图2，图2是本申请实施例提供的离子注入机台的温控能力检测方法的第二种流程示意图。所述方法包括：

201、将第一预设数量的测试晶圆进行热氧化处理，以使测试晶圆上覆盖氧化膜。

202、在氧化膜表面通过旋转法或浸泡法均匀涂抹光刻胶。

在一实施例中，涂抹光刻胶时可以通过旋转法或浸泡法进行涂抹，比如首先把光刻胶通过滴胶头堆积在硅片的中心，然后旋转使得光刻胶铺开，再以高速旋转甩掉多余的光刻胶。在高速旋转的过程中，光刻胶中的溶剂会挥发一部分。

在一实施例中，为控制光刻胶的成本，还可以在最重要的区域使用高端光刻胶如EUV或ArF/ArFi等产品，其余部分则采用技术性能要求相对较低的g/i线、KrF光刻胶，从而降低使用成本。

203、在包含第二预设数量的裸晶圆的传送盒当中，将第一预设数量的测试晶圆传送至末尾。

在一实施例中，第一预设数量可以为5片，第二预设数量可以为20片，具体可以将处理后的5片测试晶圆传至FOUP的最后。由于随着离子注入的过程，机台温度会越来越高，因此将测试晶圆放至末尾可以在后续缺陷检测时得到温度最高时机台的温控表现，测试数据也更具有参考性。

204、获取晶圆产品在预设时间段内进行离子注入过程中温度变化量最大的波束功率和处理时长参数，将波束功率和处理时长参数作为配方参数。

在本申请实施例中，离子注入条件的选取一般按照产品单片wafer注入时所产生总热量最大的recipe作为routine monitor的离子注入recipe。其中，单片wafer注入时所产生总热量的计算公式为：beam power×process time，也即波束功率和处理时长的乘积，本示例使用的IMP recipe可以为As+/60KeV/5.1E15ions/cm-2，其中beam current为15mA，process time为90S，通过计算得到的总热量为 Q=60000*0.015*90= 75600J。

205、基于配方参数对传送盒中的所有晶圆进行离子注入处理。

在一实施例中，在对传送盒中的所有晶圆进行离子注入处理之前，方法还可以包括：减小离子注入机台中静电吸盘的导热介质厚度，和/或，提高离子注入机台中制冷件的温度。具体的，通过减小E-chuck的backside gas（此gas为process时wafer与E-chuck之间热量传递的介质，减小gas会小幅影响wafer散热）和升高E-chuck chiller温度（升高chiller温度会直接大幅度影响E-chuck温控能力，使得wafer process时热量不能及时散走）的方法使得E-chuck温控能力逐步变差，从而可以检测最极端环境下的温控性能。

206、对处理后的测试晶圆进行缺陷扫描，获取扫描结果中测试晶圆的光阻鼓包数量以及鼓包面积。

具体的，在上述离子注入完成后，便可以用量测机台对最后5片wafer进行defectscan（缺陷扫描），从而得到测试晶圆中光阻鼓包数量以及鼓包面积，其检测结果示例请参阅图3。

207、若光阻鼓包数量以及鼓包面积均小于预设值则确认离子注入机台的温控能力合格。

在一实施例中，请参阅图4，图4分别展示了机台温控正常下的扫描结果1、减小E-chuck的backside gas下的扫描结果2以及升高E-chuck chiller温度下的扫描结果3。其中，扫描结果1显示5片测试晶圆的光阻鼓包或爆裂数量均为0，扫描结果2显示5片测试晶圆的光阻鼓包或爆裂数量分别为146、155、191、199、223，扫描结果3显示5片测试晶圆的光阻鼓包或爆裂数量分别为289、366、427、477、605。因此可以确定扫描结果1对应的离子注入机台的温控能力合格，而扫描结果2和扫描结果3对应的离子注入机台的温控能力不合格。

在一实施例中，针对温控能力不合格的离子注入机台，还可以获取该离子注入机台的编号信息，并根据编号信息生成提示消息并进行展示，从而提醒操作人员。具体可以通过检测设备发出警报并通过显示屏显示温控能力不合格的离子注入机台编号。其中，检测设备可以设置有报警指示灯，当通过该报警指示灯报警时，该报警指示灯常亮或者闪烁。

208、通过湿法刻蚀对测试晶圆进行去除氧化膜以及光刻胶处理。

在一实施例中，经过上述缺陷扫描后的测试晶圆便可以进行去除氧化膜以及光刻胶处理，从而可以进行重复利用。比如通过Wet Etch（湿法刻蚀）或Wet Removal（湿法化学剥离）方式进行处理。具体的，湿法刻蚀氧化硅通常采用氢氟酸（HF）为主要化学载体。为了提高选择性，工艺中采用氟化铵缓冲的稀氢氟酸。为了保持 pH 值稳定，可以加入少量的强酸或其他元素。掺杂的氧化硅比纯氧化硅更容易腐蚀。湿法化学剥离主要是为了去除光刻胶和硬掩模（氮化硅）。热磷酸 （H3PO4）是湿法化学剥离去除氮化硅的主要化学液，对于氧化硅有较好的选择比。在进行这类化学剥离工艺前，需要将附在表面的氧化硅用 HF 酸进行预处理，以便将氮化硅均匀地清除掉。

由上所述，本申请实施例提出的离子注入机台的温控能力检测方法可以将第一预设数量的测试晶圆进行热氧化处理，以使测试晶圆上覆盖氧化膜，在氧化膜表面通过旋转法或浸泡法均匀涂抹光刻胶，在包含第二预设数量的裸晶圆的传送盒当中，将第一预设数量的测试晶圆传送至末尾，获取晶圆产品在预设时间段内进行离子注入过程中温度变化量最大的波束功率和处理时长参数，将波束功率和处理时长参数作为配方参数，基于配方参数对传送盒中的所有晶圆进行离子注入处理，对处理后的测试晶圆进行缺陷扫描，获取扫描结果中测试晶圆的光阻鼓包数量以及鼓包面积，若光阻鼓包数量以及鼓包面积均小于预设值则确认离子注入机台的温控能力合格，通过湿法刻蚀对测试晶圆进行去除氧化膜以及光刻胶处理。本申请通过将测试晶圆插入裸晶圆末尾，并对整个晶圆传送盒进行离子注入，最终通过测试晶圆的缺陷扫描得到离子注入机台温控能力，极大提升了机台的温控能力检测效率以及准确性。

为了实施以上方法，本申请实施例还提供一种离子注入机台的温控能力检测装置，该离子注入机台的温控能力检测装置具体可以集成在终端设备如手机、平板电脑等设备中。

例如，如图5所示，是本申请实施例提供的离子注入机台的温控能力检测装置的第一种结构示意图。该离子注入机台的温控能力检测装置可以包括：

预处理模块301，用于将第一预设数量的测试晶圆进行热氧化处理并涂抹光刻胶；

传送模块302，用于在包含第二预设数量的裸晶圆的传送盒当中，将所述第一预设数量的测试晶圆传送至末尾；

离子注入模块303，用于获取晶圆产品在离子注入过程中总热量最大的配方参数，并基于所述配方参数对所述传送盒中的所有晶圆进行离子注入处理；

扫描模块304，用于对处理后的测试晶圆进行缺陷扫描，以根据扫描结果确定当前离子注入机台的温控能力是否合格。

由上可知，本申请实施例提出的离子注入机台的温控能力检测装置，可以将第一预设数量的测试晶圆进行热氧化处理并涂抹光刻胶，在包含第二预设数量的裸晶圆的传送盒当中，将所述第一预设数量的测试晶圆传送至末尾，获取晶圆产品在离子注入过程中总热量最大的配方参数，并基于所述配方参数对所述传送盒中的所有晶圆进行离子注入处理，对处理后的测试晶圆进行缺陷扫描，以根据扫描结果确定当前离子注入机台的温控能力是否合格。本申请通过将测试晶圆插入裸晶圆末尾，并对整个晶圆传送盒进行离子注入，最终通过测试晶圆的缺陷扫描得到离子注入机台温控能力，极大提升了机台的温控能力检测效率以及准确性。

上述所有的技术方案，可以采用任意结合形成本申请的可选实施例，在此不再一一赘述。

本领域普通技术人员可以理解，上述实施例的各种方法中的全部或部分步骤可以通过指令来完成，或通过指令控制相关的硬件来完成，该指令可以存储于一计算机可读存储介质中，并由处理器进行加载和执行。

为此，本申请实施例提供一种计算机可读存储介质，其中存储有多条计算机程序，该计算机程序能够被处理器进行加载，以执行本申请实施例所提供的任一种离子注入机台的温控能力检测方法中的步骤。例如，该计算机程序可以执行如下步骤：

将第一预设数量的测试晶圆进行热氧化处理并涂抹光刻胶；

在包含第二预设数量的裸晶圆的传送盒当中，将所述第一预设数量的测试晶圆传送至末尾；

获取晶圆产品在离子注入过程中总热量最大的配方参数，并基于所述配方参数对所述传送盒中的所有晶圆进行离子注入处理；

对处理后的测试晶圆进行缺陷扫描，以根据扫描结果确定当前离子注入机台的温控能力是否合格。

以上各个操作的具体实施可参见前面的实施例，在此不再赘述。

其中，该存储介质可以包括：只读存储器（ROM，Read Only Memory）、随机存取记忆体（RAM，Random Access Memory）、磁盘或光盘等。

由于该存储介质中所存储的计算机程序，可以执行本申请实施例所提供的任一种离子注入机台的温控能力检测方法中的步骤，因此，可以实现本申请实施例所提供的任一种离子注入机台的温控能力检测方法所能实现的有益效果，详见前面的实施例，在此不再赘述。

本申请实施例还提供一种电子设备，包括存储器和处理器，存储器用于存储计算机程序，处理器用于从存储器中调用并运行计算机程序，使得安装有芯片的设备执行如上各种可能的实施方式中的方法。

例如，上述计算机设备可以是诸如手机、平板电脑、个人计算机、云端计算机等具有相应功能的终端设备。请参阅图6，图6为本申请实施例提供的计算机的结构示意图。

该计算机设备400可以包括存储器401、处理器402等部件。本领域技术人员可以理解，图6中示出的计算机设备结构并不构成对计算机设备的限定，可以包括比图示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者不同的部件布置。

存储器401可用于存储应用程序和数据。存储器401存储的应用程序中包含有可执行代码。应用程序可以组成各种功能模块。处理器402通过运行存储在存储器401的应用程序，从而执行各种功能应用以及数据处理。

处理器402是计算机设备的控制中心，利用各种接口和线路连接整计算机设备的各个部分，通过运行或执行存储在存储器401内的应用程序，以及调用存储在存储器401内的数据，执行计算机设备的各种功能和处理数据，从而对计算机设备进行整体监控。

在本实施例中，计算机设备中的处理器402会按照如下的指令，将一个或一个以上的应用程序的进程对应的可执行代码加载到存储器401中，并由处理器402来运行存储在存储器401中的应用程序，从而执行：

将第一预设数量的测试晶圆进行热氧化处理并涂抹光刻胶；

在包含第二预设数量的裸晶圆的传送盒当中，将所述第一预设数量的测试晶圆传送至末尾；

获取晶圆产品在离子注入过程中总热量最大的配方参数，并基于所述配方参数对所述传送盒中的所有晶圆进行离子注入处理；

对处理后的测试晶圆进行缺陷扫描，以根据扫描结果确定当前离子注入机台的温控能力是否合格。

可以理解，上述场景仅是作为示例，并不构成对于本申请实施例提供的技术方案的应用场景的限定，本申请的技术方案还可应用于其他场景。例如，本领域普通技术人员可知，随着系统架构的演变和新业务场景的出现，本申请实施例提供的技术方案对于类似的技术问题，同样适用。

本申请实施例方法中的步骤可以根据实际需要进行顺序调整、合并和删减。本申请实施例设备中的模块可以根据实际需要进行合并、划分和删减。

在本申请中，对于相同或相似的术语概念、技术方案和/或应用场景描述，一般只在第一次出现时进行详细描述，后面再重复出现时，为了简洁，一般未再重复阐述，在理解本申请技术方案等内容时，对于在后未详细描述的相同或相似的术语概念、技术方案和/或应用场景描述等，可以参考其之前的相关详细描述。

在本申请中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述或记载的部分，可以参见其它实施例的相关描述。

本申请技术方案的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本申请记载的范围。

在上述实施例中，可以全部或部分地通过软件、硬件、固件或者其任意组合来实现。当使用软件实现时，可以全部或部分地以计算机程序产品的形式实现。计算机程序产品包括一个或多个计算机指令。在计算机上加载和执行计算机程序指令时，全部或部分地产生按照本申请实施例的流程或功能。计算机可以是通用计算机、专用计算机、计算机网络，或者其他可编程装置。计算机指令可以存储在计算机可读存储介质中，或者从一个计算机可读存储介质向另一个计算机可读存储介质传输，例如，计算机指令可以从一个网站站点、计算机、服务器或数据中心通过有线（例如同轴电缆、光纤、数字用户线）或无线（例如红外、无线、微波等）方式向另一个网站站点、计算机、服务器或数据中心进行传输。计算机可读存储介质可以是计算机能够存取的任何可用介质或者是包含一个或多个可用介质集成的服务器、数据中心等数据存储设备。可用介质可以是磁性介质，（例如，软盘、存储盘、磁带）、光介质（例如，DVD），或者半导体介质（例如固态存储盘Solid State Disk）等。

以上对本申请实施例所提供的一种离子注入机台的温控能力检测方法及装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。