移相器及电子设备

本公开属于通信技术领域，具体涉及一种移相器及电子设备。

随着信息时代迅速发展，具备高集成、小型化、多功能以及低成本的无线终端逐渐成为通信技术的发展趋势。在通信和雷达应用中，移相器是必不可少的关键组件。传统的移相器主要包括铁氧体移相器和半导体移相器，其中铁氧体移相器有较大的功率容量，且插入损耗比较小、但工艺复杂、制造成本昂贵、体积庞大等因素限制了其大规模应用；半导体移相器体积小，工作速度快，但功率容量比较小，功耗较大，工艺难度高。

现有技术的微机电系统(Micro-Electro-Mechanical System，MEMS)移相器相比于传统移相器在插损、功耗、体积与成本等方面均具有明显优势，在无线电通讯和微波技术等领域应用受到了广泛关注。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种移相器及电子设备。

第一方面，本公开实施例提供一种移相器，其包括：

第一介质基板；

第一馈电结构、第二馈电结构和移相结构，均设置在所述第一介质基板上；其中，

所述移相结构包括：

第一信号电极和位于所述第一信号电极延伸方向的至少一侧的第一参考电极；

第一绝缘层，设置在所述信号电极和所述参考电极所在层背离所述第一介质基板的一侧，且所述第一绝缘层覆盖所述参考电极和所述第一信号电极；

至少一个相控单元，设置在所述第一绝缘层背离所述第一介质基板的一侧；所述相控单元包括至少一个膜桥；所述膜桥的桥面与所述第一绝缘层之间具有间隙，且所述膜桥的桥面与所述第一信号电极和所述第一参考电极在所述第一介质基板上的正投影存在交叠；

所述第一馈电结构包括第二信号电极；所述第二馈电结构包括第三信号电极；所述第二信号电极和所述第三信号电极分别连接在所述信号电极的第一端和第二端；

所述移相器还包括至少一条第一偏置信号线；所述第一偏置信号线连接所述第二信号电极或者所述第三信号电极。

其中，所述第二信号电极包括第一主体部和与第一主体部连接的第一馈电端口；所述第一馈电端口与所述第一信号电极的第一端连接，所述第一馈电端口靠近所述第一信号电极位置的线宽不大于远离所述第一信号电极位置的线宽；

所述第三信号电极包括第二主体部和与第二主体部连接的第二馈电端口；所述第二馈电端口与所述第一信号电极的第二端连接，所述第二馈电端口靠近所述第一信号电极位置的线宽不大于远离所述第一信号电极位置的线宽。

其中，所述第一馈电端口包括相连接第一子结构和第二子结构；所述第一子结构连接第一主体部，所述第二子结构电连接所述第一信号电极的第一端；所述第二子结构的线段小于所述第一子结构任一位置的线段；所述第一子结构的线宽由所述第一主体部指向所述第一信号电极方向上逐渐减小；

所述第二馈电端口包括相连接第三子结构和第四子结构；所述第三子结构连接第二主体部，所述第四子结构电连接所述第一信号电极的第二端；所述第四子结构的线段小于所述第三子结构任一位置的线段；所述第三子结构的线宽由所述第二主体部指向所述第一信号电极方向上逐渐减小。

其中，所述第一偏置信号线连接所述第一主体部或者第二主体部。

其中，所述第一馈电结构还包括位于所述第二信号电极延伸方向的至少 一侧的第二参考电极；所述第二馈电结构还包括位于所述第三信号电极延伸方向的至少一侧的第三参考电极。

其中，当所述第一偏置信号线连接所述第二信号电极时，第二参考电极包括断开设置的第一电极段和第二电极段，以及将所述第一电极段和第二电极段连接的第一桥接段；所述第一偏置信号线在所述第一介质基板上的正投影，穿过所述第一电极段和所述第二电极段在所述第一介质基板上的正投影之间，且所述第一偏置信号线与所述第一桥接段绝缘设置；

当所述第一偏置信号线连接所述第三信号电极时，第三参考电极包括断开设置的第三电极段和第四电极段，以及将所述第三电极段和第四电极段连接的第二桥接段；所述第一偏置信号线在所述第一介质基板上的正投影，穿过所述第三电极段和所述第四电极段在所述第一介质基板上的正投影之间，且所述第一偏置信号线与所述第二桥接段绝缘设置。

其中，当所述第一偏置信号线连接所述第二信号电极，第二参考电极包括断开设置的第一电极段和第二电极段，以及将所述第一电极段和第二电极段连接的第一桥接段时，在所述第一桥接段和所述第一偏置信号线所在层之间填充有第二绝缘层；

当所述第一偏置信号线连接所述第三信号电极，第三参考电极包括断开设置的第三电极段和第四电极段，以及将所述第三电极段和第四电极段连接的第二桥接段时，在所述第二桥阶段和所述第一偏置信号线所在层之间填充有第三绝缘层。

其中，所述当所述第一偏置信号线连接所述第二信号电极，第二参考电极包括断开设置的第一电极段和第二电极段，以及将所述第一电极段和第二电极段连接的第一桥接段时，所述第一桥接段包括多个间隔设置的第一子桥接段，任一所述第一子阶段电连接所述第一电极段和所述第二电极段；

当所述第一偏置信号线连接所述第三信号电极，第三参考电极包括断开设置的第三电极段和第四电极段，以及将所述第三电极段和第四电极段连接的第二桥接段时，所述第二桥接段包括多个间隔设置的第二子桥接段，任一 所述第二子阶段电连接所述第三电极段和所述第四电极段。

其中，所述第一偏置信号线在所述第一介质基板上的正投影，与所述第二参考电极和所述第三参考电极在所述第一介质基板上的正投影均无重叠。

其中，在所述第二信号电极延伸方向的两侧均设置有所述第二参考电极；和/或，在所述第三信号电极延伸方向的两侧均设置有第三参考电极。

其中，所述第一偏置线包括蜿蜒线。

其中，所述相控单元的数量为多个，且至少部分所述相控单元中的膜桥的数量不同。

其中，还包括至少一条第二偏置信号线，一个所述相控单元中的所述膜桥电连接一条所述第二偏置信号线。

其中，所述第一信号电极、第二信号电极和所述第三信号电极均与所述第一偏置信号线同层设置，且采用相同材料。

其中，在所述第一信号电极延伸方向的两侧均设置有第一参考电极。

第二方面，本公开实施例提供一种天线，其包括上述任一所述的移相器。

图1示例性的移相器的结构示意图。

图2为图1的移相器中的移相结构的示意图。

图3为图2的A-A＇的截面图。

图4为本公开实施例的移相器的结构示意图。

图5为本公开实施例的移相器的第一馈电结构的示意图。

图6为第一偏置信号线与第一信号电极连接的等效电路图。

图7为第一偏置信号线与第二信号电极连接的等效电路图。

图8为本公开实施例的第一偏置信号线与第一馈电结构的一种连接示意图。

图9为本公开实施例的第一偏置信号线与第一馈电结构的另一种连接示意图。

图10为图9的B-B＇的截面图。

图11为本公开实施例的第一偏置信号与第一馈电结构的再一种连接示意图。

图12为本公开实施例的第一偏置信号线与第一馈电结构的再一种连接示意图。

图13为图12的C-C＇的截面图。

图14为本公开实施例的第一偏置信号线与第一馈电结构的再一种连接示意图。

图15本公开实施例的移相器的移相结构的示意图。

为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

需要说明的是，在本发明中，两结构“同层设置”是指二者是由同一个材料层形成的，故它们在层叠关系上处于相同层中，但并不代表它们与基底间的距离相等，也不代表它们与基底间的其它层结构完全相同。

以下将参照附图更详细地描述本发明。在各个附图中，相同的元件采用类似的附图标记来表示。为了清楚起见，附图中的各个部分没有按比例绘制。此外，在图中可能未示出某些公知的部分。

第一方面，图1示例性的移相器的结构示意图；图2为图1的移相器中的移相结构1的示意图；图3为图2的A-A＇的截面图；如图1-3所示，该移相器包括第一介质基板100，设置在第一介质基板100上的第一馈电结构2、第二馈电结构3和移相结构1。其中，当第一馈电结构2和第二馈电结构3中一者用作射频信号的馈入端时，另一端则用作射频信号的馈出端，也即第一馈电结构2和第二馈电结构3用作射频信号的馈入端口还是馈出端口是相对而言的。为便于表述，在本公开实施例中将第一馈电结构2用作射频信号的馈入端，第二馈电结构3用过射频信号的馈出端。

该移相器中移相结构1包括第一信号电极11、第一参考电极12、第一绝缘层6、至少一个相控单元10(图2中以相控单元10的数量为多个为例)、至少一条第一偏置信号线4和至少一条第二偏置信号线5。

具体的，第一信号电极11设置在第一介质基板100上，在第一信号电极11延伸方向的至少一侧设置有第一参考电极12，在本公开实施例中以第一信号电极11延伸方向的两侧均设置有第一参考电极12，以及移相结构1中包括两个第一参考电极12，此时第一信号电极11和两个第一参考电极12构成共面波导(CPW)传输线。第一绝缘层6设置在第一参考电极12和信号电极背离第一介质基板100的一侧，且第一绝缘层6覆盖在信号电极和第一参考电极12上。多个相控单元10设置在第一绝缘层6背离第一基板一侧。每个相控单元10具有一个或多个膜桥13，每个膜桥13均跨接在两个第一参考电极12之间，即电极膜包括支撑部和桥面，支撑部的一端连接桥面，支撑部分的另一端固定在覆盖在第一参考电极12上的第一绝缘层6，以将膜桥13的桥面悬置于第一信号电极11上，即使膜桥13的桥面与第一信号电极11有一定间隙，且膜桥13在第一基板上的正投影，与第一信号电极11在第一介质基板100上的正投影至少部分重叠，从而若通过第一偏置信号线4向第一信号电极11输入第一直流偏置电压和通过第二偏置信号线5向膜桥 13第二直流偏置电压，膜桥13可以与第一信号电极11形成电容。而膜桥13的桥面部分具有一定弹性，向膜桥13输入第二直流偏置电压，能够驱动膜桥13的桥面部分在垂直于第一信号电极11的方向上活动，即向膜桥13输入第二直流偏置电压，能够改变膜桥13的桥面部分与第一信号电极11之间的间距，从而能够改变膜桥13的桥面部分与第一信号电极11形成的电容的电容量。而不同的相控单元10中包括的膜桥13的数量不同，同一相控单元10的膜桥13均通过第二偏置信号线5连接控制单元200的一个输出口，以接收控制单元200输出的第二直流偏置电压。不同的相控单元10中的一定数量的膜桥13和信号电极在被施加直流偏置电压后，产生的分布电容的大小不同，因此对应调整的相移量是不同，也即每一个相控单元10则对应调整一个相移量(图1中同一填充图案的膜桥13表示为属于同一相控单元10)，故可以相移量调整时，根据要调整的相移量的大小控制相应的相位调整单元施加电压。

发明人发现，通常第一偏置信号线4与第一信号电极11直接电连接，以为第一信号电极11提供第一直流偏置电压。第一偏置信号线4的材料采用高阻的ITO，且信号线线宽较窄，电阻相对较高，根据电路分流原理会导致一部分射频信号经过第一偏置信号线4耦合至第一参考电极12上，从而造成较高的插入损耗。

图4为本公开实施例的移相器的结构示意图；如图4所示，在本公开实施例的移相器中，第一馈电结构2至少包括第二信号电极21，第二馈电结构3至少包括第二信号电极21。第一偏置信号线4电连接第二信号电极21或者第三信号电极31。可以理解的是，第二信号电极21和第三信号电极31的线宽大于第一信号电极11的线宽，也即单位长度下，第二信号电极21/第三信号电极31的电阻小于第一信号电极11的电阻，故可以显著的降低第一信号电极11的信号传输的损耗。

在一些示例中，第一馈电结构2和第二馈电结构3均可以采用CPW传输线，也即第一馈电结构2不仅包括第二信号电极21，而且还包括位于第二信号电极21延伸方向的至少一侧的第二参考电极22，在本公开实施例中 以第二信号电极21延伸的两侧均设置第二参考电极22为例。同理，第二馈电结构3不仅包括第三信号电极31，而且还包括位于第三信号电极31延伸方向至少一侧的第三参考电极32，本公开实施例中以第三信号电极31延伸方向的两侧均设置有第三参考电极32为例。

进一步的，图5为本公开实施例的移相器的第一馈电结构2的示意图；如图5所示，第一馈电结构2可以包括第一主体部211和第一馈电端口212，第一馈电端口212连接在第一主体部211和第一信号电极11的第一端之间。第一馈电端口212靠近第一信号电极11位置的线宽不大于远离第一信号电极11位置的线宽。例如：第一馈电端口212包括相连接的第一子结构212a和第二子结构212b；第一子结构212a连接在第一主体部211和第二子结构212b之间，第二子结构212b连接在第一子结构212a和第一信号电极11的第一端之间。其中，第二子结构212b小于第一子结构212a任一位置的线宽；第一子结构212a由第一主体部211指向第一信号电极11的方向上(图5中所示的A→B方向上)线宽逐渐减小。

其中，第二子结构212b可以为条形结构，且线宽均一。第一子结构212a、第二子结构212b、第一主体部211和第一信号电极11可以为一体结构。也即第二信号电极21和第一信号电极11可以一次构图工艺中制备形成，有助实现移相器的高集成度。更进一步的，第一参考电极12、第二参考电极22均可以与第一信号电极11、第二信号电极21同层设置，且采用相同的材料，也即在形成第一信号电极11和第二信号电极21的同时，还可以形成第一参考电极12和第二参考电极22，以此可以进一步的降低移相器的厚度，且提高移相器的集成度。

图6为第一偏置信号线与第一信号电极连接的等效电路图；图7为第一偏置信号线与第二信号电极连接的等效电路图；如图6和7所示，偏置信号线等效为串联的电阻和电感(Rx和Lx)，移相结构等效为串并联的电阻、电感和电容(R1、Rp、Cp和Lp)当第一偏置信号线4可以与第一主体部211电连接，第一馈电结构2的第一馈电端口212相当于阻抗变换结构，也即，第一子结构212a、第二子结构212b和第二参考电极22构成串并联的电 阻、电容、电感(Ca、Cb、R3、R2、La、Lb、Ra、Rb)。根据电阻并联原理，相对于将第一偏置信号线4连接在第一信号电极11上，将第一偏置信号线4连接在第一主体部211上，可以有效的降低将第一信号电极11的信号传输损耗。而且可以显著的降低第一偏置信号线4对射频信号的分流，降低整个器件工作状态的插入损耗。

同理，第二馈电端口可以包括第一主体部211和第一馈电端口212，第二馈电端口连接在第二主体部和第一信号电极11的第二端之间。第二馈电端口靠近第一信号电极11位置的线宽不大于远离第一信号电极11位置的线宽。例如：第二馈电端口包括相连接的第三子结构和第四子结构；第三子结构连接在第一主体部211和第四子结构之间，第四子结构连接在第三子结构和第一信号电极11的第二端之间。其中，第四子结构小于第三子结构任一位置的线宽；第三子结构由第二主体部指向第一信号电极11的方向上线宽逐渐减小。

其中，第四子结构可以为条形结构，且线宽均一。第三子结构、第四子结构、第一主体部211和第一信号电极11可以为一体结构。也即第三信号电极31和第一信号电极11可以一次构图工艺中制备形成，有助实现移相器的高集成度。更进一步的，第一参考电极12、第三参考电极32均可以与第一信号电极11、第三信号电极31同层设置，且采用相同的材料，也即在形成第一信号电极11和第三信号电极31的同时，还可以形成第一参考电极12和第三参考电极32，以此可以进一步的降低移相器的厚度，且提高移相器的集成度。

当第一偏置信号线4可以与第二主体部电连接，等效电路图与图7所示的等效电路图相同。该第二馈电结构3的第二馈电端口相当于阻抗变换结构，也即，第三子结构、第四子结构和第三参考电极32构成串并联的电阻和电容。根据电阻并联原理，相对于将第一偏置信号线4连接在第一信号电极11上，将第一偏置信号线4连接在第二主体部上，可以有效的降低将第一信号电极11的信号传输损耗。而且可以显著的降低第一偏置信号线4对射频信号的分流，降低整个器件工作状态的插入损耗。

在此需要说明的是，第一馈电结构2和第二馈电结构3均为CPW传输线，二者结构可以是相同的，只是为了便于区分将第一馈电结构2中的信号电极称之为第二信号电极21，参考电极称之为第二参考电极22；第二馈电结构3中的信号电极称之为第三信号电极31，参考电极称之为第三参考电极32。第一偏置信号线4可以电连接第一主体部211也可以电连接第二主体部，为了便于描述，以下均以第一偏置信号线4电连接第一主体部211为例进行描述。

在一个示例中，图8为本公开实施例的第一偏置信号线4与第一馈电结构2的一种连接示意图；如图8所示，由于第一馈电结构2采用CPW传输线，为避免第一偏置信号线4与第二参考电极22存在交集串扰，故将第一偏置信号线4连接在设置在第二信号电极21远离第一信号电极11的一端，且第一偏置信号线4与第二参考电极22在第一介质基板100上的正投影无重叠。通过该种设置方式可以有效的避免第一偏置信号线4与第二参考电极22在交叠而形成交叠电容，信号耦合引入的掺入损耗。同理，当第一偏置信号线4连接第二主体部时，第一偏置信号线4则设置在第三信号电极31远离第一信号电极11的一侧，且与第三参考电极32在第一介质基板100上的正投影无重叠。

在另一个示例中，图9为本公开实施例的第一偏置信号线4与第一馈电结构2的另一种连接示意图；图10为图9的B-B＇的截面图；如9和10所示，两个第二参考电极22中的一个包括断开设置的第一电极段22a和第二电极段22b，以及将第一电极段22a和第二电极段22b连接的第一桥接段22c，此时第一桥接段22c和第一介质基板100之间形成空气隙，第一偏执信号线则可以穿过第一电极段22a和第二电极段22b之间与第二信号电极21(第一主体部211)连接。此时第一偏置信号线4与第一桥接部之间存在一定的间隙，二者绝缘设置，因此可以实现第一偏置信号线4和第二参考电极22的分离，从而有效的避免射频信号通过第一偏置信号线4耦合至第二参考电极22上的部分，进而可以显著降低移相器的插入损耗。

进一步的，为保证第一电极段22a和第二电极段22b的良好的连通性， 可以将第一桥接段22c设计呈由多个间隔设置的第一子桥接段22c1组成的结构，且任一第一子阶段电连接所述第一电极段22a和所述第二电极段22b。该种情况下，即使一个第一子桥接段22c1发生断路的情况，还是通过其他的第一子桥接段22c1保证第一电极段22a和第二电极段22b的连通性。

同理，若第一偏置信号线4与第三信号电极31(第二主体部)电连接，此时，两个第三参考电极32中的一个可以包括断开设置的第三电极段和第四电极段，以及将第三电极段和第四电极段连接的第二桥接段，此时第二桥接段和第一介质基板100之间形成空气隙，第一偏执信号线则可以穿过第三电极段和第四电极段之间与第三信号电极31(第二主体部)连接。此时第一偏置信号线4与第二桥接部之间存在一定的间隙，二者绝缘设置，因此可以实现第一偏置信号线4和第三参考电极32的分离，从而有效的避免射频信号通过第一偏置信号线4耦合至第三参考电极32上的部分，进而可以显著降低移相器的插入损耗。

进一步的，图11为本公开实施例的第一偏置信号与第一馈电结构的再一种连接示意图；如图11所示，为保证第三电极段和第四电极段的良好的连通性，可以将第二桥接段设计呈由多个间隔设置的第二子桥接段组成的结构，且任一第二子阶段电连接所述第三电极段和所述第四电极段。该种情况下，即使一个第二子桥接段发生断路的情况，还是通过其他的第二子桥接段保证第三电极段和第四电极段的连通性。

在另一个示例中，图12为本公开实施例的第一偏置信号与第一馈电结构的再一种连接示意图；图13为图12的C-C＇的截面图；如图12和13所示，与上一种示例大致相同，区别仅在于，在第一桥接段22c和第一偏置信号线4所在层之间填充高介电层常数或者高绝缘性的第二绝缘层7。例如：第二绝缘层7的材料包括氮化硅、树脂材料(Resin、OC)等。也即将第一桥接段22c和第一偏置信号线4之间的空气隙由第二绝缘层7填充，从而有效的避免射频信号分流串扰导致的串扰损耗增高的问题，有效的提高了器件性能。

同理，当第一偏置信号线4与第三信号电极31(第二主体部)电连接， 此时，在第二桥接段和第一偏置信号线4所在层之间填充高介电层常数或者高绝缘性的第三绝缘层。例如：第三绝缘层的材料包括氮化硅、树脂材料(Resin、OC)等。也即将第二桥接段和第一偏置信号线4之间的空气隙由第三绝缘层填充，从而有效的避免射频信号分流串扰导致的串扰损耗增高的问题，有效的提高了器件性能。

在一些示例中，图14为本公开实施例的第一偏置信号线4与第一馈电结构2的再一种连接示意图；如图14所示，无论本公开实施例中移相器采用上述任一方式，第一偏置信号线4均可以采用蜿蜒线，也即可以增加第一偏置信号线4的电感值(也即等效电路中的Lx)，以提升对射频信号的阻碍作用，防止射频信号串扰，强度下降。而且将第一偏置信号线4设置成蜿蜒线，增加电感值同时增加了电阻值，有利于进一步提高交直流信号隔离能力。

在一些示例中，本公开实施例中的膜桥13包括桥面和至少一个连接臂。在本公开实施例中，以膜桥13包括两个连接臂为例，为了便于描述将两个连接臂分别称之为第一连接臂和第二连接臂，第一连接臂和第二连接臂分别连接在桥面的两端，且第一连接臂和第二连接臂在第一介质基板100上的正投影分别位于两个第二参考电极22在第一介质基板100上的正投影内。当然，本公开实施例中的膜桥13也可以仅包括第一连接臂和第二连接臂中的一者。

在一些示例中，本公开实施例中的第一信号电极11、第一参考电极12、第一偏置信号线4、第二信号电极21、第二参考电极22、第三信号电极31和第三参考电极32均可以设置在同一层，且采用相同的材料，故可以采用一次构图工艺完成第一信号电极11、第一参考电极12、第一偏置信号线4、第二信号电极21、第二参考电极22、第三信号电极31和第三参考电极32的制备。

在一些示例中，第一参考电极12、第二参考电极22和第三参考电极32均可以采用接地电极，也即三者均可以连接地信号，采用方式结构简单，且便于控制。

在一些示例中，图15本公开实施例的移相器的移相结构的示意图；如图15所示，移相器还包括至少一条第二偏置信号线5，一条第二偏置信号线5连接一个相控单元10中的膜桥13，为该相控单元10的膜桥13提供第二偏置电压。通过给第一偏置信号线4和第二偏置信号线5加载直流偏置电压，实现微波信号的移相。具体的，如图14所示，本公开实施例中均以移相器为四位移相器，且包括移相量为11.25°-22.5°的相控单元10、移相量为22.5°-45°的相控单元10、移相量为45°-90°的相控单元10、移相量为90°-180°的相控单元10的四位相控单元10为例进行说明，四位相控单元10的分别包括1、2、4、8个膜桥13。其中，单个膜桥13与第一信号电极11产生的电容所产生的相移量为11.25°，因此11.25°位对应1个膜桥13，电磁波经过最左侧的两个膜桥13产生的移相量为22.5°；第二个相控单元10包括2个短接的膜桥13，电磁波经过最左侧的两个膜桥13，再经过第二个相控单元10的第一个膜桥13到第二个膜桥13,移相量从22.5°增加至45°，变化量为22.5°；第三个相控单元10包括4个短接的膜桥13，电磁波经过最左侧的两个膜桥13，再经过第二个相控单元10,再经过第三个相控单元10的第一个膜桥13到第四个膜桥13移相量从45°增加至90°，变化量为45°；第四个相控单元10包括8个短接的膜桥13，电磁波经过最左侧的两个膜桥13，再经过第二个相控单元10、第三个相控单元10，再经过第四个相控单元10的第一个膜桥13到第八个膜桥13移相量从90°增加至180°，变化量为90°。

第二方面，本公开实施例提供一种电子设备，其包括上述的移相器。

由于本公开实施例中的电子设备包括上述的移相器，故可以显著的降低第一信号电极11的信号传输的损耗，提高天线的辐射效率。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。