混合型有机发光二极管显示模组、制作方法及显示面板

技术领域

本发明涉及显示技术领域。更具体地，涉及一种混合型有机发光二极管显示模组、制作方法及显示面板。

背景技术

Hybrid OLED(混合型有机发光二极管)产品采用玻璃(Glass)基板作为基底，进行封装层(TFE)薄膜封装，玻璃基底可以保证产品显示区的平整度，TFE封装使产品相比硬屏更轻薄。在Hybrid OLED产品生产中，为确保产品轻薄，在Glass大板工艺完成后，会进行减薄(Slimming)工艺对Glass进行减薄，再对减薄后的Glass进行切割，得到最终产品大小的显示模组，切割后的产品为防止边缘裂纹，通常需进行研磨工艺对切割边进行研磨确保切割边平滑，生产工艺负责，且Glass玻璃基底切割易产尘，不利于洁净间生产环境，切割后的显示面板产品的玻璃抗弯强度较差。

近年，为防止显示面板切割产尘对洁净间生产环境的影响，并进一步节省工艺，提高切割效率，降低成本，并提升Hybrid OLED产品的玻璃抗弯强度，显示行业内尝试将SLE(Selective Laser-induced Etching，选择性激光刻蚀)技术引进Hybrid OLED产品生产过程中。但目前的SLE工艺中，在进行切割时都存在一定的问题，会存在工艺过程中酸液腐蚀产品的问题，而为了防止Glass完全断裂造成酸液腐蚀产品的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种混合型有机发光二极管显示模组、制作方法及显示面板，以解决现有技术存在的问题中的至少一个。

为达到上述目的，本发明采用下述技术方案：

本发明第一方面提供一种混合型有机发光二极管显示模组的制作方法，所述方法包括：

在第一衬底上形成第二衬底，所述第一衬底的材料不同于所述第二衬底；

在所述第二衬底上形成多个有机发光二极管显示模组，相邻的所述显示模组间具有切割区；

利用第一激光切割工艺对切割区位置处的膜层进行切割，漏出所述第二衬底远离所述第一衬底一侧的表面；

在所述显示模组远离第一衬底一侧形成第一保护层，利用激光剥离工艺对预设区域的所述第一衬底进行失效处理；

利用第二激光切割工艺对第一衬底进行减薄；

对经激光剥离工艺和第二激光切割工艺确定的失效的第一衬底进行剥离。

在一个可选的实施例中，在所述利用第一激光切割工艺对切割区位置处的膜层进行切割，漏出所述第二衬底远离所述第一衬底一侧的表面之前，所述方法还包括：

在所述第一保护层远离所述第一衬底一侧形成第二保护层，所述第二保护层覆盖全部的所述显示模组远离所述第一衬底一侧表面；

所述利用第一激光切割工艺对切割区位置处的膜层进行切割，漏出所述第二衬底远离所述第一衬底一侧的表面进一步包括利用第一激光切割工艺对切割区位置处的显示模组的膜层和所述第二保护层进行切割；

所述在所述显示模组远离第一衬底一侧形成第一保护层，利用激光剥离工艺对预设区域的所述第一衬底进行失效处理进一步包括：

在所述第二保护层远离所述第一衬底一侧形成第一保护层，所述第一保护层遮挡全部的所述显示模组以及遮挡所述第二衬底漏出的远离所述第一衬底一侧的表面；

以所述第一保护层为基底，利用激光剥离工艺对预设区域的所述第一衬底进行失效处理。

在一个可选的实施例中，所述预设区域的所述第一衬底包括：围绕显示模组的显示区的非显示区对应位置处的第一衬底和/或显示区中的孔区对应位置处的第一衬底。

在一个可选的实施例中，所述利用第二激光切割工艺对第一衬底进行减薄包括：

限定所述预设区域对应于所述第一衬底的边界位置，以所述边界位置确定所述第二激光切割工艺的切割位置；

对所述边界位置处的第一衬底进行改质，改质深度小于所述第一衬底在层叠方向上的厚度；

从所述第一衬底远离所述第一保护层一侧的表面向所述第一保护层的方向进行第一衬底的减薄工艺，所述第一衬底的减薄厚度大于等于所述第一衬底的厚度和所述改质深度的差值。

在一个可选的实施例中，所述对经激光剥离工艺和第二激光切割工艺确定的失效的第一衬底进行剥离进一步包括：

基于激光剥离工艺确定所述第一衬底的待剥离的预设区域；

基于第二激光切割工艺确定所述预设区域对应于所述第一衬底的边界位置；

将所述边界位置所界定的预设区域内的第一衬底进行移除。

在一个可选的实施例中，在所述第二衬底上形成多个有机发光二极管显示模组，进一步包括：

在所述第二衬底上形成驱动电路层，所述驱动电路层包括位于显示区的薄膜驱动晶体管晶体管、位于非显示区的绑定端子，以及位于所述绑定端子远离显示模组的显示区一侧的测试端子；

在对应于所述显示区的驱动电路层上形成发光器件层；以及

在所述发光器件层上形成柔性封装层，其中所述柔性封装层包括依次层叠设置的第一无机材料层、有机材料层以及第二无机材料层。

在一个可选的实施例中，所述方法还包括：

移除第一保护层和第二保护层；

以剥离后的第一衬底为基底，利用测试端子对所述有机发光二极管显示模组进行电路测试；

将测试通过的有机发光二极管显示模组的测试端子进行切割；

在有机发光二极管显示模组远离所述第一衬底一侧的表面上形成滤光层。

在一个可选的实施例中，所述剥离后的第一衬底设置于非显示区中的测试端子远离所述显示区一侧的边界和所述显示区靠近所述非显示区的边界之间的位置处，

在有机发光二极管显示模组远离所述第一衬底一侧的表面上形成滤光层之后，所述方法还包括：对形成有滤光层的有机发光二极管显示模组进行绑定，所述绑定端子被弯折至所述第一衬底远离所述有机发光二极管显示模组一侧。

在一个可选的实施例中，第一衬底为刚性衬底，第二衬底为柔性衬底。

在一个可选的实施例中，第一激光切割工艺为二氧化碳激光切割工艺，第二激光切割工艺为红外激光切割工艺，减薄工艺为选择性激光刻蚀工艺。

本发明第二方面提供了一种混合型有机发光二极管显示模组，包括利用本发明第二方面的所述制作方法制作的显示模组。

本发明第三方面提供了一种显示面板，所述显示面板包括利用本发明第一方面的制作方法制作的显示模组。

本发明的有益效果如下：

本发明实施例的制作方法，在第一衬底上形成了不同于第一衬底的材料的第二衬底，在第一激光切割工艺以及第二激光切割工艺的工艺过程中，利用第二衬底对激光切割工艺中的膜层进行保护，避免对第一衬底进行减薄时对第一衬底靠近第二衬底的膜层被过刻，从而对显示模组进行保护，提高产品良率。

附图说明

下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明。

图1示出相关技术在玻璃基板上形成多个有机发光二极管显示模组的结构示意图；

图2示出本发明一个实施例的混合型有机发光二极管显示模组的工艺流程图；

图3示出本发明实施例的在第一衬底上形成第二衬底的层结构示意图；

图4示出本发明实施例的在第二衬底上形成多个有机发光二极管显示模组的俯视结构示意图；

图5示出本发明实施例的在第二衬底上形成多个有机发光二极管显示模组的层叠结构示意图；

图6示出本发明实施例的有机发光二极管显示模组的层结构示意图；

图7示出本发明实施例的步骤S5形成的具有第二保护层的层结构示意图；

图8示出本发明实施例的对相邻的有机发光二极管显示模组的切割区进行切割的工艺示意图；

图9示出步骤S9形成第一保护层以及对预设区域的所述第一衬底进行失效处理的工艺示意图；

图10示出步骤S11对第一衬底进行减薄的工艺示意图；

图11示出利用绑定工艺对显示模组进行绑定的工艺示意图。

具体实施方式

为了更清楚地说明本发明，下面结合实施例和附图对本发明做进一步的说明。附图中相似的部件以相同的附图标记进行表示。本领域技术人员应当理解，下面所具体描述的内容是说明性的而非限制性的，不应以此限制本发明的保护范围。

SLE(选择性激光刻蚀)技术是采用IR laser(红外激光)工艺对Glass(玻璃)基板特定位置(如显示面板与显示面板间的切割道、显示区孔区的切割道等)及深度进行改质，然后进行减薄(Slimming)工艺。被IR laser改质的Glass基板部位耐酸性减弱，在减薄工艺(Slimming)进行酸腐蚀的过程中，被IR laser改质的Glass基板减薄速度更快，因此随着减薄工艺的进行，显示面板(Panel)也自然被分开。因此，SLE工艺不再需要Slimming后专门的切割设备、研磨设备，故而能提高切割效率，降低成本，防止Glass切割产尘，并提升产品的玻璃抗弯强度。

但目前的SLE工艺，在进行如图1所示的有机发光二极管显示模组30与有机发光二极管显示模组30间的切割工艺以及图1未示出的显示区AA区的孔结构(AA Hole)的切割区QA处理时，都存在一定的工艺问题。首先是AA Hole孔区切割道(图1中未示出)，因SLE工艺的减薄过程中，如果将AA Hole切割道位置的玻璃基板(Glass)10完全断裂，则酸液会腐蚀产品，而为了防止玻璃基板10完全断裂造成酸液腐蚀产品的问题，SLE工艺选择保留极薄(～30μm)厚度的玻璃基板10，也就是说，SLE工艺下后的孔区对应位置处还保留有一定厚度的玻璃基板10，并非完全的通孔结构，该微米厚度的工艺要求精度高，在SLE工艺后，仍需对显示孔区的切割道进行切割和研磨，并不能节省工艺效率，并且，在进行有机发光二极管显示模组30与有机发光二极管显示模组30之间的切割区QA的切割时，为了防止切割工艺过程中对产品的酸腐蚀问题，IR laser改质玻璃基板10的位置被限定在如图6所示的非显示区NA的柔性封装层33的边缘位置DLI，避免对有机发光二极管显示模组30的膜层进行腐蚀，因此，对工艺精度要求较高，极易损伤有机发光二极管显示模组30。

有鉴于此，本发明提出一种混合型有机发光二极管显示模组的制作方法，如图2所示，所述方法包括：

S1、在第一衬底10上形成第二衬底20，所述第一衬底10的材料不同于所述第二衬底20，形成图3所示的工艺结构示意图；

S3、在所述第二衬底20上形成多个有机发光二极管显示模组30，相邻的所述有机发光二极管显示模组30间具有切割区QA，形成图4-图6所示的工艺结构示意图；

S7、利用第一激光切割工艺对切割区QA位置处的膜层进行切割，漏出所述第二衬底20远离所述第一衬底10一侧的表面，例如图8所示的工艺制程示意图；

S9、在所述有机发光二极管显示模组30远离第一衬底10一侧形成第一保护层40，利用激光剥离工艺对预设区域的第一衬底10进行失效处理，例如图9所示的工艺制程示意图；

S11、利用第二激光切割工艺对第一衬底10进行减薄，例如图10所示的工艺制程示意图；

S13、对经激光剥离工艺和第二激光切割工艺确定的失效的第一衬底10进行剥离，例如图10所示的工艺制程示意图。

本发明实施例的制作方法，在第一衬底10上形成了不同于第一衬底10的材料的第二衬底20，在第一激光切割工艺以及第二激光切割工艺的工艺过程中，利用第二衬底20对激光切割工艺中的膜层进行保护，避免对第一衬底10进行减薄时对第一衬底10靠近第二衬底20的膜层被过刻，从而对显示模组进行保护，提高产品良率。

基于前述论述，基于本发明实施例的制作方法，即使在进行孔区的激光切割工艺时，无需在孔区位置处保留第一衬底10，将孔区的第一衬底10可进行完全剥离，因此，可减少相关技术的工艺制程的切割和研磨，节省显示模组的工艺效率。

现结合具体示例对本发明实施例的制作方法进行说明：

S1、在第一衬底10上形成第二衬底20，所述第一衬底10的材料不同于所述第二衬底20，从而形成如图3所示的层结构示意图。

在一个可选的实施例，第一衬底10为刚性衬底，第二衬底20为柔性衬底，第二衬底20的粘附性优于第一衬底10，第二衬底20的弯折性能由于第一衬底10的弯折性能，例如第一衬底10为玻璃基板，第二衬底20为聚酰亚胺，本发明实施例将聚酰亚胺作为第二衬底20，通过该设置，利用第二衬底20具有较好的柔性，能够实现柔性弯折，并且，利用第二衬底20的粘附性优势，能够将后续工艺中的预设区域的第一衬底10进行剥离，提高产品良率。

S3、在所述第二衬底20上形成多个有机发光二极管显示模组30，相邻的所述有机发光二极管显示模组30间具有切割区QA，从而形成图4、图5以及图6所示的结构示意图；

如图4所示，在俯视方向上，第二衬底20在第一衬底10的正投影覆盖多个有机发光二极管显示模组30在第一衬底10的正投影，即，有机发光二极管显示模组30的制作过程中，在第二衬底20的表面上可形成多个有机发光二极管显示模组30，提高工艺制作效率，相邻的有机发光二极管显示模组30之间具有间隔，避免制程中损伤有机发光二极管显示模组30，形成的有机发光二极管显示模组30的层结构如图5所示。

在一个可选的实施例，步骤S3“在所述第二衬底20上形成多个有机发光二极管显示模组30”，进一步包括：

在所述第二衬底20上形成驱动电路层31，所述驱动电路层31包括位于显示区AA的薄膜驱动晶体管晶体管(图中未示出)、位于非显示区NA的绑定端子311，以及位于所述绑定端子311远离有机发光二极管显示模组30的显示区AA一侧的测试端子312；

在对应于所述显示区AA的驱动电路层31上形成发光器件层32；以及

在所述发光器件层32上形成柔性封装层33，其中所述柔性封装层33包括依次层叠设置的第一无机材料层331、有机材料层332以及第二无机材料层323，从而形成如图6所示的具有柔性封装结构的有机发光二极管显示模组30。

本发明实施例中，柔性封装层33为多层材料的柔性封装结构，如图6所示，有机材料层332的边界落在第一无机材料层331在第一衬底10的正投影中，第一无机材料层331的边界落在第二无机材料层323在第一衬底10的正投影中，也就是说，第一无机材料层331和第二无机材料层323将有机材料层332界定在显示区AA，第一无机材料层331和第二无机材料层323延伸至非显示区NA进一步避免非显示区NA的水汽进入。

基于前述论述，相关技术的混合型有机发光二极管显示模组仅具有第一衬底10的结构，因此，当对相邻的有机发光二极管显示模组30之间的切割区QA进行切割时，为了防止切割工艺过程中对产品的酸腐蚀问题，IR laser改质玻璃基板10的位置被限定在非显示区NA的柔性封装层33的边缘位置DLI，避免对有机发光二极管显示模组30的膜层进行腐蚀，但是本发明实施例的第二衬底20设置，本发明实施例的第二激光切割工艺改质的位置可不限定在柔性封装层33的边缘位置DL1处，而是可以向靠近显示区AA一侧进行扩展，在第二衬底20的保护作用下，即使第二激光切割工艺的切割位置出现误差，也不会对柔性封装层33造成损伤，从而提高混合型有机发光二极管显示模组的产品良率，解决了工艺过程中的酸腐蚀问题。

在一个具体示例中，如图6所示，驱动电路层31包括位于非显示区NA的绑定端子311，以及位于所述绑定端子311远离有机发光二极管显示模组30的显示区AA一侧的测试端子312，用于后续的测试和绑定。

在一个可选的实施例中，在步骤S7“利用第一激光切割工艺对切割区QA位置处的膜层进行切割，漏出所述第二衬底20远离所述第一衬底10一侧的表面”之前，所述方法还包括：

S5、在所述有机发光二极管显示模组30远离所述第一衬底10一侧形成第二保护层50，所述第二保护层50覆盖全部的所述有机发光二极管显示模组30远离所述第一衬底10一侧表面以及覆盖相邻的所述有机发光二极管显示模组30之间的切割区QA的膜层表面，从而形成图7所示的层结构示意图。本步骤中，在后续激光切割工艺中，利用第二保护层50对有机发光二极管显示模组30进行保护。

S7、利用第一激光切割工艺(CO2 Laser)对切割区QA位置处的膜层进行切割，漏出所述第二衬底20远离所述第一衬底10一侧的表面；

基于前述实施例，在步骤S5形成第二保护层50的基础上，所述步骤S7“利用第一激光切割工艺对切割区QA位置处的膜层进行切割，漏出所述第二衬底20远离所述第一衬底10一侧的表面”进一步包括利用第一激光切割工艺对切割区QA位置处的显示模组的膜层和所述第二保护层50进行切割。

在一个可选的实施例中，第一激光切割工艺为二氧化碳激光切割工艺(CO2Laser)。

示例性的，如图8所示，第一激光切割工艺切割至第二衬底20远离第一衬底10一侧的表面，也就是说，第一激光切割工艺并不将第一衬底10以及并不将第二衬底20进行切割，该设置下，不同于第一激光切割工艺本身即无法切割硬质的第一衬底10，本实施例将第二衬底20同样设置为第一激光切割工艺并不切断，从而在后续的对第一衬底10的减薄工艺时，利用并未切断的第二衬底20对显示模组进行保护。

示例性的，第一激光切割工艺的位置是相邻的有机发光二极管显示模组30之间的膜层，例如，以同一工艺形成多个有机发光二极管显示模组30的同一膜层时，利用第一激光切割工艺对这些膜层进行切割，又例如，整层覆盖的第一保护层40，从而将多个显示模组进行切断。

S9、在所述有机发光二极管显示模组30远离第一衬底10一侧形成第一保护层40，利用激光剥离工艺对预设区域的所述第一衬底10进行失效处理；

基于前述实施例，在步骤S5形成第二保护层50的基础上，所述步骤S9、“在所述有机发光二极管显示模组30远离第一衬底10一侧形成第一保护层40，利用激光剥离工艺对预设区域的所述第一衬底10进行失效处理”进一步包括：

在所述第二保护层50远离所述第一衬底10一侧形成第一保护层40，所述第一保护层40遮挡全部的所述有机发光二极管显示模组30以及遮挡所述第二衬底20漏出的远离所述第一衬底10一侧的表面，示例性的，形成的混合型有机发光二极管显示模组如图9中第一个工艺结构图所示，以所述第一保护层40为基底，利用激光剥离工艺对预设区域的所述第一衬底10进行失效处理。

在一个可选的实施例中，所述预设区域的所述第一衬底10包括：围绕有机发光二极管显示模组30的显示区AA的非显示区NA对应位置处的第一衬底10和/或显示区AA中的孔区对应位置处的第一衬底10。

如图9中第二个工艺制程示意图所示，激光剥离工艺(LLO)对有机发光二极管显示模组30的非显示区NA进行失效处理，通过该设置，能够在后续的剥离工艺中对非显示区NA的第一衬底10进行剥离，从而提高有机发光二极管显示模组30的整体柔性，实现非显示区NA的弯折设置。

在另一个示例中，激光剥离工艺还可对显示区AA中的孔区进行失效处理，便于后续的剥离工艺中对孔区的第一衬底10进行完全剥离。

本实施例中，激光剥离工艺的失效处理的第一衬底10的厚度即为第一衬底10自身的厚度，也就是说，本实施例能够将所需位置处的衬底进行完全剥离，相对与前述实施例的在孔区保留一定厚度的第一衬底10并在后续工艺对保留厚度的第一衬底10进行切割和研磨的工艺流程，本实施例能够将需剥离区域的第一衬底10进行剥离，从而实现工艺流程上的步骤减少、效率提高，以及无需对孔区的切割和研磨的工艺精度有较高要求，能够有效提高产品良率。

值得说明的是，本发明实施例的预设区域可根据实际应用进行设计，以将需剥离的预设区域的第一衬底进行剥离为设计基础，具有广泛的适用性。

S11、利用第二激光切割工艺对第一衬底10进行减薄，在一个可选的实施例中，第二激光切割工艺为红外激光切割工艺。

在一个可选的实施例中，步骤S11“利用第二激光切割工艺对第一衬底10进行减薄”包括：

S111、限定所述预设区域对应于所述第一衬底10的边界位置，以所述边界位置确定所述第二激光切割工艺的切割位置。

本实施例中，如图10中第一个工艺结构示意图所示，第二激光切割工艺的切割边界位置对应于激光剥离工艺确定的失效的第一衬底10的边界，通过该设置，使得经第二激光切割工艺后，待剥离的第一衬底10能够与无需剥离的第一衬底10进行分离。

S113、对所述边界位置处的第一衬底10进行改质，改质深度小于所述第一衬底10在层叠方向上的厚度。

在一个实施例中，第一衬底10的改质位置在层叠方向上，靠近第二衬底20一侧，如图10的第一个工艺结构示意图所示，通过对红外光的光线能量进行设计，使得第一衬底10靠近第二衬底20的下半部分进行改质，也即，改质位置是沿竖直方向延伸的，即，从第一衬底10的部分厚度位置向第二衬底20的方向延伸的柱状改质结构，柱状改质结构的改质深度是小于第一衬底10的厚度的，也即，第一衬底10远离第二衬底20一侧的部分厚度是不进行改质的，通过该设置，未改质的第一衬底10可通过后续工艺直接进行减薄，从而提高工艺效率，节省工艺制程。

S115、从所述第一衬底10远离所述第一保护层40一侧的表面向所述第一保护层40的方向进行第一衬底10的减薄工艺，所述第一衬底10的减薄厚度大于等于所述第一衬底10的厚度和所述改质深度的差值。

基于前述步骤S111和步骤S113的过程，以第一保护层40为基底进行减薄工艺，减薄工艺的起始位置为第一衬底10远离第一保护层40一侧的表面，终止于步骤S113的改质深度与减薄工艺的交汇位置，也就是说，所述第一衬底10的减薄厚度大于等于所述第一衬底10的厚度和所述改质深度的差值，从而实现了如图10中第二个工艺结构图所示的第一衬底10被整层减薄的工艺结构，减薄后，在预设区域的边界位置处的改质深度同样被减薄，从而形成了在预设区域的边界位置处的通孔结构，通孔结构环绕失效的第一衬底10设计，以便后续对失效的第一衬底10进行剥离。

S13、对经激光剥离工艺和第二激光切割工艺确定的失效的第一衬底10进行剥离。

在一个可选的实施例中，步骤S13“对经激光剥离工艺和第二激光切割工艺确定的失效的第一衬底10进行剥离”，进一步包括：

S131、基于激光剥离工艺确定所述第一衬底10的待剥离的预设区域；

S133、基于第二激光切割工艺确定所述预设区域对应于所述第一衬底10的边界位置；

S135、将所述边界位置所界定的预设区域内的第一衬底10进行移除。

本发明实施例中，在步骤S131中确定了激光剥离工艺确定所述第一衬底10的待剥离的预设区域，预设区域的第一衬底10经过激光剥离工艺后与无需剥离的第一衬底10的粘性不同，在步骤S133中通过第二激光切割工艺对预设区域的第一衬底10的边界位置进行改质，使得预设区域的第一衬底10和无需剥离的第一衬底10实现物理结构上的断开，在步骤S135中对所述边界位置所界定的预设区域内的第一衬底10进行移除，从而实现预设区域的第一衬底10的完全剥离，从而形成图11所示的第一个工艺结构示意图。

经上述步骤，撕除第一保护层40和第二保护层50后即可得到，不再需要减薄后单独进行切割、研磨工艺，有效提高工艺制程效率和避免复杂工艺的带来的产品良率影响。

在一个可选的实施例中，如图11所示，所述方法还包括：

撕除第一保护层40和第二保护层50，经前述步骤后，第一保护层40和第二保护层50已经完成在各个切割工艺中的保护；

以剥离后的第一衬底10为基底，在图11所示的第一个工艺结构示意图的基础上，利用测试端子312对所述有机发光二极管显示模组30进行电路测试；

将测试通过的有机发光二极管显示模组30的测试端子312进行切割，从而形成图11所示的第二个工艺结构示意图；

在有机发光二极管显示模组30远离所述第一衬底10一侧的表面上形成滤光层(图11中未示出)。

本发明实施例的步骤中，如图4所示，测试端子312位于绑定端子311远离显示区AA一侧，在形成滤光层之前，利用测试端子312可测试有机发光二极管显示模组30的电学特性以检出不良的模组产品，防止形成在有机发光二极管显示模组30的滤光层的资材浪费，在利用测试端子312测试完成后会将测试端子312进行切割，进一步降低边框尺寸。

基于前述论述，本实施例可对预设区域的第一衬底10进行剥离，因此，经前述步骤的工艺制程后，硬度较大的第一衬底被剥离后可提高对应位置处的柔性，本发明实施例中，可选的，所述剥离后的第一衬底10设置于非显示区NA中的测试端子312远离所述显示区AA一侧的边界和所述显示区AA靠近所述非显示区NA的边界之间的位置处，即图4所示的非显示区NA位置处，又例如图11所示的显示模组的非显示区NA的边缘位置处。

通过上述设置，位于非显示区NA的绑定端子311以及与绑定端子311连接的连接线形成在柔性更高的第二衬底20上，且该位置处的第一衬底10被剥离，例如图11所示的第二个工艺结构示意图，因此，可通过弯折工艺将测试端子312弯折这第一衬底远离第二衬底20一侧的表面，例如图11所示的第三个工艺结构示意图。

通过上述步骤，能够减小显示产品绑定侧的边框尺寸，从而实现窄边框设计，去除第一衬底的区域可以为显示模组或整机相关材料如电池等提供更大的设计空间，具有广泛的应用前景。

本发明另一个实施例提出一种混合型有机发光二极管显示模组30，包括根据本发明第一个实施例所述的制作方法制作的显示模组。本发明实施例的显示模组较同工艺的制作方法形成的显示模组具有较窄的边界尺寸，实现窄边框设计，且由于制作过程中的工艺步骤较为简单，因此能够提高产品良率。

本发明另一个实施例提出一种显示面板，所述显示面板包括根据本发明第二个实施例所述制作方法制作的显示模组。本发明实施例的显示面板可以为电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件，本实施例对此不做限定。

值得说明的是，本发明实施例的混合型有机发光二极管显示模组的具体结构实施例可参见前述实施例的制作方法中的显示模组得相关实施例，在此不再赘述。

在本发明的描述中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

显然，本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动，这里无法对所有的实施方式予以穷举，属于本发明的技术方案所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之列。