一种提高FA0.75MA0.25SnI3钙钛矿薄膜稳定性的方法及其制备的FA0.75MA0.25SnI3钙钛矿薄膜和应用
文献发布时间:2024-04-18 19:58:53
技术领域
本发明涉及钙钛矿太阳能电池技术领域,更具体地,涉及一种提高FA
背景技术
近年来,铅(Pb)基钙钛矿太阳能电池发展势头迅猛,但其可能会带来环境污染问题阻碍了其商业化的发展应用。在此情况下,锡(Sn)基钙钛矿因其环境友好且性能优异从众多钙钛矿材料中脱颖而出,备受人们的关注。目前,FA
虽然钙钛矿太阳能电池具有高能量转换效率,但其稳定性问题一直是限制其商业化的主要原因,目前很多钙钛矿太阳能电池的稳定性不能满足标准稳定性测试的要求。影响稳定性的主要原因是钙钛矿太阳能电池的钙钛矿层为钙钛矿薄膜,而水汽和氧气很容易扩散渗透到钙钛矿薄膜内,导致钙钛矿薄膜迅速降解,稳定性变差,因此,钙钛矿薄膜的稳定性严重影响着钙钛矿太阳能电池的稳定性。现有技术中很多种疏水性材料可以保护钙钛矿薄膜不和水汽接触,如氟化合物具有出色的耐水汽性和耐热性,但并不是所有氟化合物均可用于提高钙钛矿薄膜的稳定性,有些氟化合物会溶解钙钛矿,对钙钛矿薄膜造成损伤,有些氟化合物本身具有绝缘性,将此类氟化合物涂覆在钙钛矿薄膜表面对其进行保护后,不能够用于钙钛矿太阳能电池,更不能够提高其稳定性。
因此,如何提高钙钛矿薄膜的稳定性进而提高钙钛矿太阳能电池的稳定性是亟待解决的关键技术问题。
发明内容
本发明为克服现有钙钛矿薄膜稳定性差导致钙钛矿太阳能电池稳定性差的缺陷和不足,提供一种提高FA
本发明的第二个目的是提供一种FA
本发明的第三个目的是提供一种FA
本发明的第四个目的是提供一种FA
为实现上述目的,本发明提供了如下技术方案:
本发明提供了一种提高FA
本发明在FA
进一步地,所述异丙醇的氟化物层的原料为六氟异丙醇或1,1,1-三氟异丙醇。
本发明提供了一种FA
本发明提供了一种FA
S1.取FA
S2.在步骤S1所述的FA
进一步地,步骤S1中所述FA
进一步地,所述FA
进一步地,步骤S1中所述FA
FA
优选地,步骤S2中所述异丙醇的氟化物为六氟异丙醇。
更进一步地,所述溶剂为二甲基亚砜(DMSO)和/或二甲基甲酰胺(DMF)。
进一步地,步骤S1中所述反溶剂为氯苯、甲苯、乙酸乙酯、乙醚、二氯甲烷、苯甲醚中的一种。
本发明提供了上述方法制备得到的FA
本发明提供了异丙醇的氟化物在提高FA
本发明提供了异丙醇的氟化物在提高FA
本发明提供了FA
进一步地,所述光电领域为钙钛矿太阳能电池、钙钛矿发光器件等领域。
本发明提供了一种FA
进一步地,所述FA
本发明通过用异丙醇的氟化物对FA
进一步地,所述阴极层为金属阴极层,阴极层的材料可以为铜或银。
进一步地,所述空穴传输层的材料为PEDOT:PSS。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:
(1)一种提高FA
(2)含有FA
附图说明
图1为实施例1制备得到的FA
图2为实施例1和对比例1制备得到的FA
图2中a表示实施例1中FA
图3为实施例7和对比例4-5制备得到的FA
具体实施方式
为了更清楚、完整的描述本发明的技术方案,以下通过具体实施例进一步详细说明本发明,应当理解,此处所描述的具体实施例仅用于解释本发明,并不用于限定本发明,可以在本发明权利限定的范围内进行各种改变。
实施例1
一种FA
S1.将70μLFA
其中,FA
S2.在步骤S1所述的FA
实施例2
一种FA
实施例3
一种FA
实施例4
一种FA
实施例5
一种FA
实施例6
一种FA
对比例1
一种FA
对比例2
一种FA
对比例3
一种FA
实施例7
一种FA
S1.清洗ITO阳极基底:依次使用丙酮、乙醇对ITO阳极基底进行擦洗,再依次用丙酮、乙醇和去离子水各超声清洗15min,超声后在120℃的烘箱中烘干;
S2.制备空穴传输层:将孔径为0.45μm的水系过滤器过滤两次后的PEDOT:PSS溶液以3500rpm的转速在已施加阳极修饰层的ITO阳极基底上旋涂45s,在120℃的烘箱中烘干40min得到40nm的空穴传输层PEDOT:PSS;
S3.制备FA
S4.在S3所述的FA
对比例4
一种FA
对比例5
参照实施例7方法,不同之处为在步骤S3中在FA
实验例1扫描电镜测试
1.实验方法
对实施例1制备得到的FA
2.实验结果
测试结果如图1所示,图1为实施例1制备得到的FA
实验例2钙钛矿薄膜的接触角测试
1.实验方法
使用接触角测试仪,对实施例1-6和对比例1-3制备得到的FA
2.实验结果
测试结果如表1所示,由表1可知,经过六氟异丙醇或1,1,1-三氟异丙醇处理后的FA
表1实施例1-6和对比例1-3接触角结果
实验例3FA
1.实验方法
对实施例7和对比例4-5制备得到的FA
2.实验结果
测试结果如图3所示,图3为实施例7和对比例4和对比例5制备得到的FA
综上所述,本发明提供了提高FA
显然,本发明的上述实施例仅是为清楚地说明本发明所作的举例,而并非是对本发明的实施方式的限定。本领域技术人员应当理解,在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明权利要求的保护范围之内。
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