石英结构件湿法腐蚀过程中的掩膜制备处理方法及装置

技术领域

本发明涉及石英器件制备领域，具体涉及一种石英结构件湿法腐蚀过程中的掩膜制备处理方法及装置。另外，还涉及一种电子设备及处理器可读存储介质。

背景技术

石英湿法腐蚀是将石英放入化学腐蚀液中进行腐蚀，在腐蚀的过程中，化学腐蚀液与石英的接触表面发生化学反应从而实现去除掉石英表面的部分或全部材料，最后形成特定结构，其具有腐蚀速率快、各向异性差、选择比高、成本低等特点，因此经常用于微机械结构制造的加工方法。掩膜层的制备对最终形成的石英结构件的结构至关重要，由于石英湿法腐蚀的各向异性，需要在为加工石英结构件制备腐蚀掩膜时，对掩膜层进行平行方向上的补偿，从而确保腐蚀后的结构件达到设计值。然而，由于目前大部分切型的石英结构件，按照现有平行方向上的补偿方法，对掩膜层进行平行方向上的补偿，会导致腐蚀后的石英结构件在固定的角度上形成缺角，此缺角会影响石英结构件的对称性，从而影响石英结构件的性能。

发明内容

为此，本发明提供一种石英结构件湿法腐蚀过程中的掩膜制备处理方法及装置，以解决现有技术中存在的石英结构件湿法腐蚀过程中的掩膜制备处理方案局限性较高，导致掩膜层制备处理精度和效率较差的缺陷。

第一方面，本发明提供一种石英结构件湿法腐蚀过程中的掩膜制备处理方法，包括：

获取在基于原始掩膜层对石英结构件进行湿法腐蚀过程中形成的腐蚀角特征参数；其中，所述原始掩膜层与所述石英结构件相对应；

基于所述腐蚀角特征参数，确定所述原始掩膜层对应的补偿区域；

基于所述原始掩膜层对应的补偿区域，在制备过程中对所述原始掩膜层进行补偿处理，获得目标掩膜层。

进一步的，在获取在基于原始掩膜层对石英结构件进行湿法腐蚀过程中形成的腐蚀角特征参数之前，还包括：预先构建所述石英结构件的腐蚀角特征参数与所述原始掩膜层对应的补偿区域之间的对应关系；其中，所述腐蚀角特征参数包括腐蚀角位置和腐蚀角大小，所述补偿区域包括补偿区域位置和补偿区域面积；

所述基于所述腐蚀角特征参数，确定所述原始掩膜层对应的补偿区域，具体包括：将所述腐蚀角位置和腐蚀角大小分别与预先构建的所述对应关系进行匹配，以得到所述原始掩膜层对应的补偿区域目标位置和补偿区域目标面积，基于所述补偿区域目标位置和补偿区域目标面积，确定所述原始掩膜层对应的补偿区域。

进一步的，所述基于所述原始掩膜层对应的补偿区域，在制备过程中对所述原始掩膜层进行补偿处理，获得目标掩膜层，具体包括：在制备过程中，基于所述原始掩膜层对应的补偿区域目标位置及补偿区域目标面积，对所述原始掩膜层进行补偿处理，获得补偿之后的目标掩膜层。

进一步的，所述基于所述原始掩膜层对应的补偿区域目标位置及补偿区域目标面积，对所述原始掩膜层进行补偿处理，获得补偿之后的目标掩膜层，具体包括：

根据所述原始掩膜层对应的补偿区域目标位置及补偿区域目标面积，对所述原始掩膜层进行直线补偿处理，获得补偿之后的目标掩膜层，以使的所述目标掩膜层有效覆盖石英结构件。

进一步的，所述基于所述原始掩膜层对应的补偿区域目标位置及补偿区域目标面积，对所述原始掩膜层进行补偿处理，获得补偿之后的目标掩膜层，具体还包括：

根据所述原始掩膜层对应的补偿区域目标位置及补偿区域目标面积，对所述原始掩膜层进行曲线补偿处理，获得补偿之后的目标掩膜层，以使的所述目标掩膜层有效覆盖石英结构件。

进一步的，所述获取在基于原始掩膜层对石英结构件进行湿法腐蚀过程中形成的腐蚀角特征参数，具体包括：

在基于原始掩膜层对石英结构件进行湿法腐蚀过程中，确定所述石英结构件对应的空间坐标系；基于所述空间坐标系中所述石英结构件对应的腐蚀角的位置坐标，确定所述石英结构件进行湿法腐蚀过程中形成的腐蚀角位置和腐蚀角大小。

进一步的，所述基于所述空间坐标系中所述石英结构件对应的腐蚀角的位置坐标，确定所述石英结构件进行湿法腐蚀过程中形成的腐蚀角位置和腐蚀角大小，具体包括：

获取所述空间坐标系中所述石英结构件对应的腐蚀角的横坐标数据和纵坐标数据；基于所述横坐标数据和纵坐标数据，定位所述石英结构件进行湿法腐蚀过程中形成的腐蚀角位置，并对所述横坐标数据和纵坐标数据进行运算，得到所述石英结构件进行湿法腐蚀过程中形成的腐蚀角大小。

第二方面，本发明还提供一种石英结构件湿法腐蚀过程中的掩膜制备处理装置，包括：

腐蚀角数据获取单元，用于获取在基于原始掩膜层对石英结构件进行湿法腐蚀过程中形成的腐蚀角特征参数；其中，所述原始掩膜层与所述石英结构件相对应；

补偿区域确定单元，用于基于所述腐蚀角特征参数，确定所述原始掩膜层对应的补偿区域；

补偿处理单元，用于基于所述原始掩膜层对应的补偿区域，在制备过程中对所述原始掩膜层进行补偿处理，获得目标掩膜层。

进一步的，在获取在基于原始掩膜层对石英结构件进行湿法腐蚀过程中形成的腐蚀角特征参数之前，还包括：关联关系构建单元，用于预先构建所述石英结构件的腐蚀角特征参数与所述原始掩膜层对应的补偿区域之间的对应关系；其中，所述腐蚀角特征参数包括腐蚀角位置和腐蚀角大小，所述补偿区域包括补偿区域位置和补偿区域面积；

所述补偿区域确定单元，具体用于：将所述腐蚀角位置和腐蚀角大小分别与预先构建的所述对应关系进行匹配，以得到所述原始掩膜层对应的补偿区域目标位置和补偿区域目标面积，基于所述补偿区域目标位置和补偿区域目标面积，确定所述原始掩膜层对应的补偿区域。

进一步的，所述基于所述原始掩膜层对应的补偿区域，在制备过程中对所述原始掩膜层进行补偿处理，获得目标掩膜层，具体包括：在制备过程中，基于所述原始掩膜层对应的补偿区域目标位置及补偿区域目标面积，对所述原始掩膜层进行补偿处理，获得补偿之后的目标掩膜层。

进一步的，所述补偿处理单元，具体用于：

根据所述原始掩膜层对应的补偿区域目标位置及补偿区域目标面积，对所述原始掩膜层进行直线补偿处理，获得补偿之后的目标掩膜层，以使的所述目标掩膜层有效覆盖石英结构件。

进一步的，所述补偿处理单元，具体还用于：

根据所述原始掩膜层对应的补偿区域目标位置及补偿区域目标面积，对所述原始掩膜层进行曲线补偿处理，获得补偿之后的目标掩膜层，以使的所述目标掩膜层有效覆盖石英结构件。

进一步的，所述腐蚀角数据获取单元，具体用于：

在基于原始掩膜层对石英结构件进行湿法腐蚀过程中，确定所述石英结构件对应的空间坐标系；基于所述空间坐标系中所述石英结构件对应的腐蚀角的位置坐标，确定所述石英结构件进行湿法腐蚀过程中形成的腐蚀角位置和腐蚀角大小。

进一步的，所述基于所述空间坐标系中所述石英结构件对应的腐蚀角的位置坐标，确定所述石英结构件进行湿法腐蚀过程中形成的腐蚀角位置和腐蚀角大小，具体包括：

获取所述空间坐标系中所述石英结构件对应的腐蚀角的横坐标数据和纵坐标数据；基于所述横坐标数据和纵坐标数据，定位所述石英结构件进行湿法腐蚀过程中形成的腐蚀角位置，并对所述横坐标数据和纵坐标数据进行运算，得到所述石英结构件进行湿法腐蚀过程中形成的腐蚀角大小。

第三方面，本发明还提供一种电子设备，包括：存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，处理器执行所述计算机程序时实现如上述任意一项所述的石英结构件湿法腐蚀过程中的掩膜制备处理方法的步骤。

第四方面，本发明还提供一种处理器可读存储介质，所述处理器可读存储介质上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现如上述任意一项所述的石英结构件湿法腐蚀过程中的掩膜制备处理方法的步骤。

本发明提供的石英结构件湿法腐蚀过程中的掩膜制备处理方法，通过获取在基于原始掩膜层对石英结构件进行湿法腐蚀过程中形成的腐蚀角特征参数，基于所述腐蚀角特征参数确定所述原始掩膜层对应的补偿区域，并基于原始掩膜层对应的补偿区域，在制备过程中对所述原始掩膜层进行补偿处理，获得目标掩膜层，其能够快速对原始掩膜层进行精准补偿，从而有效避免了腐蚀后的石英结构件出现缺角。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获取其他的附图。

图1是本发明实施例提供的石英结构件湿法腐蚀过程中的掩膜制备处理方法的流程示意图；

图2是本发明实施例提供的空间坐标系的相对位置的示意图；

图3是本发明实施例提供的基于现有补偿方法下得到的掩膜层进行湿法腐蚀得到的实际石英结构件的示意图之一；

图4是本发明实施例提供的基于现有补偿方法下得到的掩膜层进行湿法腐蚀得到的实际石英结构件的示意图之二；

图5是本发明实施例提供的直线补偿方法下的示意图；

图6是本发明实施例提供的连续直线补偿方法下的示意图；

图7是本发明实施例提供的曲线补偿方法下的示意图；

图8是本发明实施例提供的石英结构件湿法腐蚀过程中的掩膜制备处理装置的结构示意图；

图9是本发明实施例提供的电子设备的实体结构示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获取的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明的是，本申请的说明书和上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的用户，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

下面基于本发明所述的石英结构件湿法腐蚀过程中的掩膜制备处理方法，对其实施例进行详细描述。如图1所示，为本发明实施例提供的石英结构件湿法腐蚀过程中的掩膜制备处理方法的流程示意图，具体过程包括以下步骤：

步骤101：获取在基于原始掩膜层对石英结构件进行湿法腐蚀过程中形成的腐蚀角特征参数；其中，所述原始掩膜层与所述石英结构件相对应。

在基于原始掩膜层对石英结构件进行湿法腐蚀过程中，可首先构建如图2所示的所述石英结构件对应的空间坐标系，该空间坐标系的相对位置在此不做具体限定，基于所述空间坐标系可确定所述石英结构件对应的腐蚀角的位置坐标，进而根据所述确定位置坐标所述石英结构件进行湿法腐蚀过程中形成的腐蚀角位置和腐蚀角大小。所述图2中的设计图对应原始设计的石英结构件。所述图3中存在缺角的实际图对应基于图4所示的掩膜层303进行湿法腐蚀之后得到的存在第一缺角301和第二缺角302的实际石英结构件。

例如，获取所述空间坐标系中所述石英结构件对应的腐蚀角的横坐标数据和纵坐标数据等，基于所述横坐标数据和纵坐标数据，定位所述石英结构件进行湿法腐蚀过程中形成的腐蚀角位置，并对所述横坐标数据和纵坐标数据进行相应的运算处理，得到所述石英结构件进行湿法腐蚀过程中形成的腐蚀角大小。其中，所述原始掩膜层，也称掩膜版组件，该原始掩膜层与所述石英结构件的形状和尺寸相对应，且所述原始掩膜层在形状和尺寸上大于所述石英结构件的形状和尺寸，所述原始掩膜层用于对所述石英结构件进行保护，避免在湿法腐蚀过程中被腐蚀。

除此之外，还可通过基于原始掩膜层对石英结构件进行湿法腐蚀过程的预先处理过程进行腐蚀角特征参数的标定，以直接获得通过预先处理过程确定的在基于原始掩膜层对石英结构件进行湿法腐蚀过程中形成的腐蚀角特征参数，比如用户通过客户端将在预先处理过程中标定的腐蚀角特征参数直接进行输入。

步骤102：基于所述腐蚀角特征参数，确定所述原始掩膜层对应的补偿区域。

在本发明实施例中，获取在基于原始掩膜层对石英结构件进行湿法腐蚀过程中形成的腐蚀角特征参数之前，还包括：预先构建所述石英结构件的腐蚀角特征参数与所述原始掩膜层对应的补偿区域之间的对应关系。其中，所述腐蚀角特征参数包括但不限于腐蚀角位置和腐蚀角大小，所述补偿区域包括但不限于补偿区域位置和补偿区域面积。除此之外，所述腐蚀角特征参数还可包括石英结构件的片源切型、片源厚度以及腐蚀液类型，在此不做具体限定。也就是，在本发明实施例中，可在石英结构件形成缺角的地方，通过对片源切型、片源厚度、腐蚀液类型、缺角位置、大小进行分析，得出一种补偿方法，对掩膜层对应的掩膜图形进行补偿，从而得到与设计图一致的实际图，该实际图对应生产需要的石英结构件。所述补偿方法可以为如图5所示的直线补偿，也可为如图6所示的连续直线补偿，还可为如图7所示的曲线补偿。所述石英结构件为三维结构件，其可以为各种切型(比如Z0切型)。所述石英结构件片源可以为各种厚度。其中，图5中的304即为通过直线补偿处理之后得到的目标掩膜层，基于该目标掩膜层对石英结构件进行湿法腐蚀得到的实际图与原始的设计图一致，不存在缺角。图6中的305即为通过连续直线补偿处理之后得到的目标掩膜层，基于该目标掩膜层对石英结构件进行湿法腐蚀得到的实际图与原始的设计图一致，不存在缺角。图7中的306即为通过曲线补偿处理之后得到的目标掩膜层，基于该目标掩膜层对石英结构件进行湿法腐蚀得到的实际图与原始的设计图也一致，不存在缺角。

所述基于所述腐蚀角特征参数，确定所述原始掩膜层对应的补偿区域，具体包括：将所述腐蚀角位置和腐蚀角大小分别与预先构建的所述对应关系进行匹配，根据匹配结果得到所述原始掩膜层对应的补偿区域目标位置和补偿区域目标面积，基于所述补偿区域目标位置和补偿区域目标面积，确定所述原始掩膜层对应的补偿区域。

步骤103：基于所述原始掩膜层对应的补偿区域，在制备过程中对所述原始掩膜层进行补偿处理，获得目标掩膜层。

在本发明实施例的掩膜层制备过程中，需要根据所述原始掩膜层对应的补偿区域目标位置及补偿区域目标面积，调用预设的制备设备对所述原始掩膜层进行补偿处理，进而获得补偿之后的目标掩膜层。

具体的，如图5和6所示，可根据所述原始掩膜层对应的补偿区域目标位置及补偿区域目标面积，对所述原始掩膜层进行直线补偿处理，获得补偿之后的目标掩膜层，以使的所述目标掩膜层有效覆盖石英结构件。除此之外，如图7所示，还可根据所述原始掩膜层对应的补偿区域目标位置及补偿区域目标面积，对所述原始掩膜层进行曲线补偿处理，获得补偿之后的目标掩膜层，以使的所述目标掩膜层有效覆盖石英结构件。如图3所示，Z0切得石英结构件，按照平行方向上的补偿方法，腐蚀后会在-x方向与+y和-y方向的交界处形成缺角，即左图+x方向上无缺角，右图-x方向上存在缺角。补偿图与腐蚀后的实际图关系如图4所示。其中，补偿图对应现有技术补偿之后的掩膜层，实际图对应基于现有技术补偿之后的掩膜层进行湿法腐蚀之后得到的石英结构件。

本发明实施例所述的石英结构件湿法腐蚀过程中的掩膜制备处理方法，通过获取在基于原始掩膜层对石英结构件进行湿法腐蚀过程中形成的腐蚀角特征参数，基于所述腐蚀角特征参数确定所述原始掩膜层对应的补偿区域，并基于原始掩膜层对应的补偿区域，在制备过程中对所述原始掩膜层进行补偿处理，获得目标掩膜层，其能够快速对原始掩膜层进行精准补偿，从而有效避免了腐蚀后的石英结构件出现缺角。

与上述提供的一种石英结构件湿法腐蚀过程中的掩膜制备处理方法相对应，本发明还提供一种石英结构件湿法腐蚀过程中的掩膜制备处理装置。由于该装置的实施例相似于上述方法实施例，所以描述得比较简单，相关之处请参见上述方法实施例部分的说明即可，下面描述的石英结构件湿法腐蚀过程中的掩膜制备处理装置的实施例仅是示意性的。请参考图8所示，其为本发明实施例提供的一种石英结构件湿法腐蚀过程中的掩膜制备处理装置的结构示意图。

本发明所述的石英结构件湿法腐蚀过程中的掩膜制备处理装置，具体包括如下部分：

腐蚀角数据获取单元801，用于获取在基于原始掩膜层对石英结构件进行湿法腐蚀过程中形成的腐蚀角特征参数；其中，所述原始掩膜层与所述石英结构件相对应；

补偿区域确定单元802，用于基于所述腐蚀角特征参数，确定所述原始掩膜层对应的补偿区域；

补偿处理单元803，用于基于所述原始掩膜层对应的补偿区域，在制备过程中对所述原始掩膜层进行补偿处理，获得目标掩膜层。

进一步的，在获取在基于原始掩膜层对石英结构件进行湿法腐蚀过程中形成的腐蚀角特征参数之前，还包括：关联关系构建单元，用于预先构建所述石英结构件的腐蚀角特征参数与所述原始掩膜层对应的补偿区域之间的对应关系；其中，所述腐蚀角特征参数包括腐蚀角位置和腐蚀角大小，所述补偿区域包括补偿区域位置和补偿区域面积；

所述补偿区域确定单元，具体用于：将所述腐蚀角位置和腐蚀角大小分别与预先构建的所述对应关系进行匹配，以得到所述原始掩膜层对应的补偿区域目标位置和补偿区域目标面积，基于所述补偿区域目标位置和补偿区域目标面积，确定所述原始掩膜层对应的补偿区域。

进一步的，所述基于所述原始掩膜层对应的补偿区域，在制备过程中对所述原始掩膜层进行补偿处理，获得目标掩膜层，具体包括：在制备过程中，基于所述原始掩膜层对应的补偿区域目标位置及补偿区域目标面积，对所述原始掩膜层进行补偿处理，获得补偿之后的目标掩膜层。

进一步的，所述补偿处理单元，具体用于：

根据所述原始掩膜层对应的补偿区域目标位置及补偿区域目标面积，对所述原始掩膜层进行直线补偿处理，获得补偿之后的目标掩膜层，以使的所述目标掩膜层有效覆盖石英结构件。

进一步的，所述补偿处理单元，具体还用于：

根据所述原始掩膜层对应的补偿区域目标位置及补偿区域目标面积，对所述原始掩膜层进行曲线补偿处理，获得补偿之后的目标掩膜层，以使的所述目标掩膜层有效覆盖石英结构件。

进一步的，所述腐蚀角数据获取单元，具体用于：

在基于原始掩膜层对石英结构件进行湿法腐蚀过程中，确定所述石英结构件对应的空间坐标系；基于所述空间坐标系中所述石英结构件对应的腐蚀角的位置坐标，确定所述石英结构件进行湿法腐蚀过程中形成的腐蚀角位置和腐蚀角大小。

进一步的，所述基于所述空间坐标系中所述石英结构件对应的腐蚀角的位置坐标，确定所述石英结构件进行湿法腐蚀过程中形成的腐蚀角位置和腐蚀角大小，具体包括：

获取所述空间坐标系中所述石英结构件对应的腐蚀角的横坐标数据和纵坐标数据；基于所述横坐标数据和纵坐标数据，定位所述石英结构件进行湿法腐蚀过程中形成的腐蚀角位置，并对所述横坐标数据和纵坐标数据进行运算，得到所述石英结构件进行湿法腐蚀过程中形成的腐蚀角大小。

本发明实施例所述的石英结构件湿法腐蚀过程中的掩膜制备处理装置，通过获取在基于原始掩膜层对石英结构件进行湿法腐蚀过程中形成的腐蚀角特征参数，基于所述腐蚀角特征参数确定所述原始掩膜层对应的补偿区域，并基于原始掩膜层对应的补偿区域，在制备过程中对所述原始掩膜层进行补偿处理，获得目标掩膜层，其能够快速对原始掩膜层进行精准补偿，从而有效避免了腐蚀后的石英结构件出现缺角。

与上述提供的石英结构件湿法腐蚀过程中的掩膜制备处理方法相对应，本发明还提供一种电子设备。由于该电子设备的实施例相似于上述方法实施例，所以描述得比较简单，相关之处请参见上述方法实施例部分的说明即可，下面描述的电子设备仅是示意性的。如图9所示，其为本发明实施例公开的一种电子设备的实体结构示意图。该电子设备可以包括：处理器(processor)901、存储器(memory)902和通信总线903，其中，处理器901，存储器902通过通信总线903完成相互间的通信，通过通信接口904与外部进行通信。处理器901可以调用存储器902中的逻辑指令，以执行石英结构件湿法腐蚀过程中的掩膜制备处理方法，该方法包括：获取在基于原始掩膜层对石英结构件进行湿法腐蚀过程中形成的腐蚀角特征参数；其中，所述原始掩膜层与所述石英结构件相对应；基于所述腐蚀角特征参数，确定所述原始掩膜层对应的补偿区域；基于所述原始掩膜层对应的补偿区域，在制备过程中对所述原始掩膜层进行补偿处理，获得目标掩膜层。

此外，上述的存储器902中的逻辑指令可以通过软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：存储芯片、U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM，Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

另一方面，本发明实施例还提供一种计算机程序产品，所述计算机程序产品包括存储在处理器可读存储介质上的计算机程序，所述计算机程序包括程序指令，当所述程序指令被计算机执行时，计算机能够执行上述各方法实施例所提供的石英结构件湿法腐蚀过程中的掩膜制备处理方法。该方法包括：获取在基于原始掩膜层对石英结构件进行湿法腐蚀过程中形成的腐蚀角特征参数；其中，所述原始掩膜层与所述石英结构件相对应；基于所述腐蚀角特征参数，确定所述原始掩膜层对应的补偿区域；基于所述原始掩膜层对应的补偿区域，在制备过程中对所述原始掩膜层进行补偿处理，获得目标掩膜层。

又一方面，本发明实施例还提供一种处理器可读存储介质，所述处理器可读存储介质上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现以执行上述各实施例提供的石英结构件湿法腐蚀过程中的掩膜制备处理方法。该方法包括：获取在基于原始掩膜层对石英结构件进行湿法腐蚀过程中形成的腐蚀角特征参数；其中，所述原始掩膜层与所述石英结构件相对应；基于所述腐蚀角特征参数，确定所述原始掩膜层对应的补偿区域；基于所述原始掩膜层对应的补偿区域，在制备过程中对所述原始掩膜层进行补偿处理，获得目标掩膜层。

所述处理器可读存储介质可以是处理器能够存取的任何可用介质或数据存储设备，包括但不限于磁性存储器(例如软盘、硬盘、磁带、磁光盘(MO)等)、光学存储器(例如CD、DVD、BD、HVD等)、以及半导体存储器(例如ROM、EPROM、EEPROM、非易失性存储器(NANDFLASH)、固态硬盘(SSD))等。

以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，其中所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。本领域普通技术人员在不付出创造性的劳动的情况下，即可以理解并实施。

通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到各实施方式可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件。基于这样的理解，上述技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品可以存储在计算机可读存储介质中，如ROM/RAM、磁碟、光盘等，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行各个实施例或者实施例的某些部分所述的方法。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。