光学装置、曝光装置以及物品制造方法

技术领域

本发明涉及光学装置、曝光装置以及物品制造方法。

背景技术

由于附着在光学部件上的化学物质或其他杂质会给包括光学部件的装置或设备的功能及性能带来影响，所以，需要用于抑制化学物质或杂质向光学部件附着的对策。例如，对于将原版的图形向基板转印的曝光装置，在通过来自光源的光(曝光光线)照射原版的照明光学系统或准确地投影原版的图形的投影光学系统中，使用了透镜或反光镜等光学部件。在这样的曝光装置中，随着曝光光线的短波长化，存在着在该曝光光线所透过或者所照射的光学部件上产生暗锈的问题。成为光学部件的暗锈形成原因的物质是有机化合物或硫酸铵(NH

针对这样的课题，在对曝光装置内的温度、湿度、尘埃进行控制的环境腔中设置杂质除去过滤器，进行针对环境腔的环境中所存在的碱性气体、硫酸气体、有机化合气体等物质的除去。另外，对环境腔内所使用的部件类实施清洗等处理，润滑剂等也选定的是脱气体量少的类型。

另外，在日本特开2001－028331号公报中提出了以下技术：将构成曝光装置的光学部件收容在镜筒中，将该镜筒设为密闭空间，利用清洁度比环境腔内的空气高的空气对镜筒内进行清洗。进而，在日本特开2006－245401号公报中也提出了以下技术：通过针对暴露在环境腔中的光学部件(的表面)以及其附近的空间，以不会卷入周边的污染物质的规定流速来喷吹清洁度高的空气，从而防止杂质向光学部件附着。

发明内容

发明所要解决的课题

在日本特开2006－245401号公报中，针对暴露在环境腔内的光学部件以及其附近的空间喷吹清洁度高的空气，并且由整流板抑制气流的紊乱，从而防止杂质向光学部件附着。日本特开2006－245401号公报所公开的技术对于半导体用的曝光装置等处理尺寸比较小的基板的装置而言是有效的。

但是，LCD或OLED等平板显示器用的曝光装置由于所处理的基板的尺寸大，所以，喷吹清洁度高的空气的光学部件以及其附近的空间也变大。因此，在平板显示器用的曝光装置中，为了形成与半导体用的曝光装置同样的气流，需要的是半导体用的曝光装置中所需的流量的大约100倍的流量。

为了将此实现，需要用于供给大流量的清洁度高的空气的空调设备，因而，导致成本的增加，并且必须要在装置内确保配置整流板的空间或用于布置空气吹出口及导管的空间。但是，由于在平板显示器用的曝光装置中设置有用于修正高精细化或各种光学性能的多个光学部件，所以，特别是工作台(物体面或成像面)与最近接工作台的光学部件的间隔变狭。因而，难以确保配置整流板的空间或用于布置空气吹出口及导管的空间，并不现实。

本发明提供有利于抑制污染物质向光学部件附着的光学装置。

用于解决课题的方案

作为本发明的一方面的光学装置，其特征在于，该光学装置具有：镜筒，该镜筒形成有使光通过的开口；光学部件，该光学部件包括具有比上述开口的面积大的面积的表面，上述光学部件以上述表面面向上述开口的方式被收容于上述镜筒；以及喷吹部，该喷吹部配置成包围上述开口，相对于上述表面喷吹具有比上述镜筒的外部的气体的清洁度高的清洁度的气体。

作为本发明的另一方面的光学装置，该光学装置具有：镜筒，该镜筒形成有使光通过的开口；光学部件，该光学部件包括具有比上述开口的面积大的面积的表面，上述光学部件以上述表面面向上述开口的方式被收容于上述镜筒；以及遮蔽部，该遮蔽部设于上述镜筒，其特征在于，上述遮蔽部设置成使具有比上述镜筒的外部的气体的清洁度高的清洁度的气体经过上述遮蔽部与上述光学部件之间的空间而流向上述开口。

作为本发明的再一方面的一种曝光装置，该曝光装置经由掩模对基板进行曝光，其特征在于，该曝光装置具有：保持并移动上述掩模的工作台；以及将上述掩模的图形向上述基板投影的投影光学系统，上述投影光学系统包括：镜筒，该镜筒形成有使从上述掩模射出并向上述投影光学系统入射的光通过的开口；光学部件，该光学部件包括具有比上述开口的面积大的面积的表面，上述光学部件以上述表面面向上述开口的方式被收容于上述镜筒；以及喷吹部，该喷吹部配置成包围上述开口，相对于上述表面喷吹具有比上述镜筒的外部的气体的清洁度高的清洁度的气体。

作为本发明的再一方面的曝光装置，该曝光装置经由掩模对基板进行曝光，其特征在于，该曝光装置具有：保持并移动上述掩模的工作台；以及将上述掩模的图形向上述基板投影的投影光学系统，上述投影光学系统包括：镜筒，该镜筒形成有使从上述掩模射出并向上述投影光学系统入射的光通过的开口；光学部件，该光学部件包括具有比上述开口的面积大的面积的表面，上述光学部件以上述表面面向上述开口的方式被收容于上述镜筒；以及遮蔽部，该遮蔽部设于上述镜筒，上述遮蔽部设置成使具有比上述镜筒的外部的气体的清洁度高的清洁度的气体经过上述遮蔽部与上述光学部件之间的空间而流向上述开口。

作为本发明的再一方面的物品制造方法，其特征在于，该物品制造方法具有：使用上述的曝光装置对基板进行曝光的工序；对进行过曝光的上述基板进行显影的工序；以及从进行过显影的上述基板制造物品的工序。

本发明的其他目的或其他方面将在以下通过参照附图说明的实施方式而变得明了。

发明的效果

根据本发明，可提供例如有利于抑制污染物质向光学部件附着的光学装置。

附图说明

图1是示出作为发明的一个方面的曝光装置的构成的概略图。

图2A至图2C是用于说明第1实施方式中的曝光装置的构成的图。

图3是用于说明第2实施方式中的曝光装置的构成的图。

图4A以及图4B是用于说明第3实施方式中的曝光装置的构成的图。

图5是用于说明第4实施方式中的曝光装置的构成的图。

图6A以及图6B是用于说明第5实施方式中的曝光装置的构成的图。

图7是用于说明第6实施方式中的曝光装置的构成的图。

图8是用于说明第7实施方式中的曝光装置的构成的图。

具体实施方式

以下，参照附图来详细说明实施方式。另外，以下的实施方式并不限定权利要求书所涉及的发明。实施方式中记载了多个特征，但这多个特征并不全都被限定成为发明的必要特征，另外，多个特征也可以进行任意组合。进而，在附图中，对相同或者同样的构成标注相同的附图标记，省略重复的说明。

图1是示出作为本发明的一方面的曝光装置100的构成的概略图。曝光装置100是经由原版(掩模)对基板(玻璃板)进行曝光并向基板转印原版的图形的光刻装置。曝光装置100被用于平板显示器、液晶显示元件、半导体元件、MEMS等的制造，特别适合作为平板显示器曝光装置。

曝光装置100具有照明光学系统101、保持并移动掩模102的掩模工作台103、投影光学系统104、保持并移动基板105的基板工作台106、镜筒107以及腔110。另外，曝光装置100具有腔用的第1供气部111、腔用的第1排气部112、投影光学系统用的第2供气部108、投影光学系统用的第2排气部109以及控制部130。

照明光学系统101通过来自光源的光(曝光光线)114对掩模102进行照明。投影光学系统104将形成于掩模102的图形向基板105投影。投影光学系统104包括用于使掩模102的图形准确地投影到基板105上所需的透镜、反光镜等多个光学部件，具有利用了这些光学部件的各种光学性能的修正功能。

腔110收容曝光装置100的各部分，适当地维持包括装置内的气体(空气)的清洁度、温度、湿度等的装置内环境。第1供气部111向腔110的内部供给通过化学过滤器将成为光学部件的暗锈形成原因的化学物质除去(过滤)了的具有高清洁度的气体，例如清洁干燥空气。另外，从第1供气部111向腔110的内部供给的气体是为了维持曝光装置100的光学性能而被调整成适当的温度以及湿度且通过除尘过滤器除去了尘埃的气体。第1排气部112将包括从第1供气部111供给来的气体在内的腔110的内部的气体向腔110的外部排出(排气)。

第2供气部108以及第2排气部109设于投影光学系统104，适当地维持包括镜筒107的内部的气体(空气)的清洁度、温度、湿度等的镜筒内环境。第2供气部108向镜筒107的内部供给由化学过滤器除去(过滤)了成为光学部件的暗锈形成原因的化学物质的具有高清洁度的气体，例如清洁干燥空气。另外，从第2供气部108向镜筒107的内部供给的气体是与从第1供气部111向腔110的内部供给的气体同样地被调整成适当的温度以及湿度且由除尘过滤器除去了尘埃的气体。另外，第2供气部108也可以替代由化学过滤器除去了化学物质的气体而是将氮、氦、氩等纯度高的非活性气体供给到镜筒107的内部。第2排气部109将包括从第2供气部108供给来的气体在内的镜筒107的内部的气体向镜筒107的外部排出(排气)。

在镜筒107的内部(投影光学系统空间)收容有构成投影光学系统104的多个光学部件，因而要求维持成比腔110的内部高的清洁度。因此，第2供气部108将具有比从第1供气部111向腔110的内部供给的气体的清洁度高的清洁度的气体供给到镜筒107的内部。进而，第2供气部108以及第2排气部109在控制部130的控制下，以相对于腔110的内部将镜筒107的内部维持成正压的方式，向镜筒107的内部供给气体，从镜筒107的内部排出气体。由此，可抑制(防止)腔110的内部的气体、即镜筒107的外部的气体流入镜筒107的内部。

控制部130由包括CPU或存储器等的信息处理装置(计算机)构成，根据存储于存储部的程序来控制曝光装置100的各部分。控制部130例如控制经由掩模102对基板105曝光而向基板105转印掩模102的图形的处理(曝光)。

<第1实施方式>

图2A、图2B以及图2C是用于说明第1实施方式中的曝光装置100的构成的图。图2A中放大示出了图1所示的掩模工作台103以及投影光学系统104的附近。如图2A所示那样，在镜筒107中，形成用于使从掩模102射出而向投影光学系统104入射的光(曝光光线)114通过的开口202，在开口202的附近，设有构成投影光学系统104的光学部件201。光学部件201包括具有比开口202的面积大的面积的表面201A(构成投影光学系统104的光学部件之中最外侧的光学部件的最外表面)，以表面201A面对开口202的方式被收容于镜筒107。光学部件201在本实施方式中为非球面玻璃，但不限定于此，可包括各种光学部件。

在此，在腔110的内部(镜筒107的外部)，相比镜筒107的内部，流动着低清洁度的气体205。低清洁度的气体205通过光114而发生化学反应，它们经由开口202而流入镜筒107的内部，通过附着在光学部件201(的表面201A)上，在光学部件201上会产生暗锈。

于是，在本实施方式中，通过向光学部件201详细的是光学部件201的表面201A喷吹具有高清洁度的气体，抑制(防止)腔110的内部的具有低清洁度的气体205接触光学部件201。由此，可抑制因化学反应产生的杂质附着于光学部件201，可降低在光学部件201上产生暗锈。

具体来讲，在本实施方式中，如图2A所示那样，在镜筒107上设有对光学部件201的表面201A喷吹气体204的喷吹部203。喷吹部203被保持(固定)于镜筒107，将由化学过滤器除去(过滤)了化学物质的高清洁度的气体204向光学部件201的表面201A喷吹。气体204具有相比腔110的内部的气体的清洁度进而是镜筒107的内部的气体的清洁度更高的清洁度。另外，喷吹部203也可以将氮、氦、氩等纯度高的非活性气体作为气体204向光学部件201的表面201A喷吹。来自喷吹部203的气体204如图2A所示那样与光学部件201的表面201A碰撞。与光学部件201的表面201A碰撞了的气体204的一部分沿着表面201A流动，经由第2排气部109而向镜筒107的外部被排出。

这样，在本实施方式中，通过形成沿着光学部件201的表面201A的气体204的流动(气流)，由具有高清洁度的气体204铺满(覆盖)光学部件201的表面201A。因此，可抑制光学部件201的表面201A暴露于腔110的内部的具有低清洁度的气体205，因而能减少在光学部件201产生暗锈的情形。

在图2B中示出了从上方观看镜筒107以及喷吹部203的情况。形成于镜筒107的开口202在本实施方式中具有U字形(圆弧状或月牙状)的开口形状。但是，开口202的开口形状并没有限定，也可以是矩形形状等。另外，喷吹部203配置成包围开口202。由此，能够相对于光学部件201的表面201A的整个区域以具有高清洁度的气体204铺满(喷吹)。

若相对于光学部件201的表面201喷吹气体204，则如图2A所示那样，在喷吹部203的附近，由于相对于周边气体的速度梯度或粘性作用而产生涡流206(气流的紊乱)。一般来讲，存在着速度梯度越大而涡流206就越大的倾向。涡流206具有将周边的空气(在本实施方式中是腔110的内部的气体205)卷入的特性。因此，在涡流206接近腔110的内部的场合，低清洁度的气体205经由开口202被涡流206卷入而使光学部件201的表面201A暴露于气体205的可能性变高。

于是，在本实施方式中，如图2A所示那样，在沿着光学部件201的表面201A的方向，将喷吹部203配置成离开开口202的端部，在喷吹部203与开口202之间设有预先确定的距离207。通过将通过相对于光学部件201的表面201喷吹气体204而产生的涡流206控制在该距离207的范围，可抑制具有低清洁度的气体205的卷入。

涡流206的大小根据从喷吹部203吹出的气体204的流速以及角度或从喷吹部203至光学部件201(的表面201A)的距离等而变化。另外，根据腔110的内部的气体205的污染物质的浓度等，可允许的卷入量也变化。因此，喷吹部203与开口202之间的距离207的最佳值根据各种条件而有所变动。

例如，将相对于光学部件201的表面201A从喷吹部203吹出的气体204的流速设为1m/s，将与沿着光学部件201的表面201A的方向正交的方向上的喷吹部203与表面201A之间的距离设为10mm。在该场合，通过将喷吹部203与开口202之间的距离207设为15mm，将涡流206控制在距离207的范围，可抑制腔110的内部的气体205的卷入。

另一方面，在开口202的端部设有喷吹部203(即，距离207为零)的场合，如图2C所示那样，在通过相对于光学部件201的表面201A喷吹气体204而产生的涡流206中会卷入低清洁度的气体205。被涡流206卷入的气体205一边与从喷吹部203吹出的具有高清洁度的气体204混合，一边沿着光学部件201的表面201A流动。因此，光学部件201的表面201A被暴露于具有低清洁度的气体205，成为光学部件201的暗锈形成原因。

另外，包括开口202(镜筒107)、喷吹部203以及光学部件201的光学装置并不被限定在图2A所示那样的掩模工作台103与投影光学系统104之间，而是可以应用在高清洁度的空间与低清洁度的空间之间(交界)。例如，也可以在投影光学系统104与基板工作台106之间设置包括开口202、喷吹部203以及光学部件201的光学装置。在该场合，开口202使从投影光学系统104射出而向基板105入射的光通过。另外，也可以在照明光学系统101与掩模工作台103之间设置包括开口202、喷吹部203以及光学部件201的光学装置。在该场合，开口202使从照明光学系统101射出而向掩模102入射的光通过。

<第2实施方式>

图3是用于说明第2实施方式中的曝光装置100的构成的图。在图3中放大示出了图1所示的掩模工作台103以及投影光学系统104的附近。在本实施方式中，与第1实施方式相比较，能够进一步降低腔110的内部的具有低清洁度的气体205接触光学部件201(的表面201A)的可能性。

例如，若通过掩模工作台103移动而在腔110的内部的气体205中产生紊乱，则由于该影响，向光学部件201的表面201A喷吹的具有高清洁度的气体204的流动(气流)也变紊乱。由此，光学部件201(的表面201A)暴露在腔110的内部的具有低清洁度的气体205中的可能性变高。另外，在腔110的内部的气体205的污染物质的浓度高的场合，由于在很少的气体205中也包含大量的污染物质，所以，即便光学部件201暴露于相同量的气体205，接触光学部件201的污染物质的量也变多。

于是，在本实施方式中，如图3所示那样，在形成于镜筒107的开口202的附近设有包围部件301。换言之，本实施方式在具有包围部件301这方面与第1实施方式不同。包围部件301是从开口202朝镜筒107的外侧、即从开口202的端部朝与光学部件201相反侧的镜筒107的外部延伸并包围开口202的部件。这样，在第1实施方式中污染物质向光学部件201的附着的抑制不够的场合，可以设置包围部件301。

镜筒107的内部如上述那样，由于相对于腔110的内部被维持成正压，所以，通过设置包围部件301，被包围部件301包围的空间由高清洁度的气体204、从第2供气部108供给的气体充满。因此，被包围部件301包围的空间作为高清洁度的镜筒107的内部和低清洁度的腔110的内部的缓冲空间发挥功能。由此，在腔110的内部的气体205紊乱时，可通过被包围部件301包围的空间吸收该影响，故而能够减小污染物质对光学部件201的表面201A的影响。另外，即便在腔110的内部的气体205的污染物质的浓度高的场合，通过设置包围部件301(由其包围的空间)，也能随着接近光学部件201而逐渐降低污染物质的浓度。因此，能够降低接触光学部件201的污染物质的量。

<第3实施方式>

在第1实施方式、第2实施方式中，若使从喷吹部203向光学部件201(的表面201A)喷吹的气体204的量增加，则沿着光学部件201的表面201A流动的气体204的量或流速增加。因此，可抑制腔110的内部的气体205的流动(气流)的紊乱等的影响。但是，由于在喷吹部203的附近产生的涡流206变大，所以卷入腔110的内部的气体205的量会增加。

另一方面，若使从喷吹部203向光学部件201喷吹的气体204的量减少，则在喷吹部203的附近产生的涡流206变小，因而，卷入腔110的内部的气体205的量降低。但是，由于沿着光学部件201的表面201A流动的气体204的量或流速降低，所以，容易受到腔110的内部的气体205的流动的紊乱等的影响。

通过这样的现象可认为，从喷吹部203向光学部件201喷吹的气体204的量的最佳值根据腔110的内部的状况、具体是腔110的内部(开口上的镜筒107的外部)的气体205的流量而有所不同。于是，在本实施方式中，在控制部130中，基于腔110的内部(镜筒107的外部)的气体205的流量，对喷吹部203向光学部件201的表面201A喷吹的气体204的流量进行控制。换言之，控制部130根据腔110的内部的气体205的流量的变化(流动的紊乱)，使喷吹部203向光学部件201的表面201A喷吹的气体204的流量变化。本实施方式在使喷吹部203向光学部件201的表面201A喷吹的气体204的流量变化这方面，与第1实施方式不同。

例如，考虑腔110的内部的气体205的流动的紊乱的影响小、气体205的流量减少的场合。在该场合，喷吹部203向光学部件201的表面201A喷吹的气体204的流量成为对因涡流206导致的卷入进行抑制最佳的值。因此，控制部130使喷吹部203向光学部件201的表面201A喷吹的气体204的流量减少，或者使之为零。

另一方面，考虑腔110的内部的气体205的流动的紊乱的影响大、气体205的流量增加的场合。在该场合，喷吹部203向光学部件201的表面201A喷吹的气体204的流量成为允许因涡流206导致的卷入并降低与光学部件201的表面201A接触的污染物质的量最佳的值。因此，控制部130使喷吹部203向光学部件201的表面201A喷吹的气体204的流量增加。

在此，在腔110的内部的气体205的流动的紊乱的原因是掩模工作台103的移动等的场合，能够掌握气体205的流动的紊乱产生的时机或量。因此，通过根据气体205的流动的紊乱产生的时机或量，使喷吹部203向光学部件201的表面201A喷吹的气体204的流量变化，能够针对气体205的状况始终以最佳的流量进行运用。

图4A以及图4B是用于说明第3实施方式中的曝光装置100的构成的图。图4A示出了掩模工作台103没有移动的状态。如图4A所示那样，由于在形成于镜筒107的开口202的附近不存在掩模工作台103，所以腔110的内部的气体205的流动没有紊乱。因此，使喷吹部203向光学部件201的表面201A喷吹的气体204的流量减少。

图4B示出了掩模工作台103正在移动的状态。如图4B所示那样，若掩模工作台103经过形成于镜筒107的开口202的附近，则在腔110的内部的气体205的流动中产生紊乱。因此，使喷吹部203向光学部件201的表面201A喷吹的气体204的流量增加，使与光学部件201的表面201A接触的污染物质的量降低。另一方面，通过使喷吹部203向光学部件201的表面201A喷吹的气体204的流量增加，涡流206变大，因涡流206导致的气体205的卷入量增加。但是，由于与光学部件201的表面201A接触的污染物质的量降低，所以，作为结果(合计)，相比气体204的流量少的图4A所示的状态，保证了光学部件201的表面201A的清洁度。

这样，在本实施方式中，根据腔110的内部的气体205的流动的紊乱(流量的变化)的原因即掩模工作台103的移动，控制喷吹部203向光学部件201的表面201A喷吹的气体204的流量。由此，能够以用于抑制光学部件201的暗锈的最佳流量来运用从喷吹部203向光学部件201的表面201A喷吹的气体204的流量。

<第4实施方式>

图5是用于说明第4实施方式中的曝光装置100的构成的图。在本实施方式中，光学部件201如图5所示那样，以在与开口202相反侧形成密闭空间的方式被安装于镜筒107。本实施方式在光学部件201被安装于镜筒107并在镜筒107的内部形成密闭空间这方面，与第1实施方式不同。

喷吹部203与第1实施方式同样，配置成包围形成于镜筒107的开口202，从喷吹部203被喷吹的具有高清洁度的气体204与光学部件201的表面201A碰撞。与光学部件201的表面201A碰撞后的气体204全部都沿着表面201A流动，经由第2排气部109向镜筒107的外部被排出。另外，喷吹部203为了降低因在喷吹部203的附近产生的涡流206所导致的腔110的内部的气体205的卷入，从开口202的端部离开地配置，在喷吹部203与开口202之间设有预先确定的距离207。

<第5实施方式>

在第3实施方式中，说明的是以下例子：在腔110的内部的气体205的流动紊乱而对光学部件201的表面201A有影响的场合，允许因涡流206导致的气体205的卷入，使向表面201A喷吹的气体204的流量增加。

在本实施方式中，使向光学部件201的表面201A喷吹的气体204的流量增加，并且使喷吹部203在沿着表面201A的方向移动，加长从开口202的端部至喷吹部203的距离207。由此，可进一步抑制因涡流206导致的气体205的卷入量。本实施方式在使沿着光学部件201的表面201A的方向上的喷吹部203的位置变化这方面，与第1实施方式不同。

图6A以及图6B是用于说明第5实施方式中的曝光装置100的构成的图。在本实施方式中，如图6A以及图6B所示那样，设有使喷吹部203在沿着光学部件201的表面201A的方向移动的第1移动部140。第1移动部140例如包括促动器或线性马达等，基于腔110的内部(开口上的镜筒107的外部)的气体205的流量，使喷吹部203在沿着光学部件201的表面201A的方向移动。换言之，第1移动部140根据腔110的内部的气体205的流量的变化(流动的紊乱)，使喷吹部203在沿着光学部件201的表面201A的方向移动，以便变更开口202的端部与喷吹部203之间的距离207。

图6A示出了掩模工作台103没有移动的状态。如图6A所示那样，由于在形成于镜筒107的开口202的附近不存在掩模工作台103，所以，腔110的内部的气体205的流动不会变紊乱。因此，使喷吹部203向光学部件201的表面201A喷吹的气体204的流量减少，并且，使喷吹部203在沿着光学部件201的表面201A的方向移动，以便开口202的端部与喷吹部203之间的距离207变短。

图6B示出了掩模工作台103正在移动的状态。如图6B所示那样，若掩模工作台103在形成于镜筒107的开口202的附近经过，则在腔110的内部的气体205的流动中产生紊乱。因此，使喷吹部203向光学部件201的表面201A喷吹的气体204的流量增加，并且，使喷吹部203在沿着光学部件201的表面201A的方向移动，以便开口202的端部与喷吹部203之间的距离207变长。由此，虽然在开口202的附近产生的涡流206变大，但开口202的端部与喷吹部203之间的距离207变长，因而，能够抑制腔110的内部的气体205的卷入量的增加。

另外，在本实施方式中，对控制向光学部件201的表面201A喷吹的气体204的流量并且控制开口202的端部与喷吹部203之间的距离207的场合进行了说明，但并不限定于此。例如，也可以不使向光学部件201的表面201A喷吹的气体204的流量变化，而仅使开口202的端部与喷吹部203之间的距离207变化(即，也可以通过第1移动部140使喷吹部203移动)。

<第6实施方式>

图7是用于说明第6实施方式中的曝光装置100的构成的图。图7中放大示出了图1所示的掩模工作台103以及投影光学系统104的附近。

在本实施方式中，光学部件201经由框架701、固定部件702以及结构体703而被保持(固定)于镜筒107。框架701、固定部件702以及结构体703构成保持光学部件201的保持部件。另外，在本实施方式中，喷吹部203设于结构体703。进而，在本实施方式中，为了修正(调整)投影光学系统104的光学性能，设有使光学部件201向与沿着表面201A的方向正交的方向移动的移动机构。该移动机构作为使包括框架701、固定部件702以及结构体703的保持部件向与沿着光学部件201的表面201A的方向正交的方向移动的第2移动部150而构成。根据这样的构成，即便使光学部件201在与沿着表面201A的方向正交的方向移动，也能够将表面201A与喷吹部203之间的距离维持恒定。由此，即便在使光学部件201在与沿着表面201A的方向正交的方向移动的场合，也能抑制卷入腔110的内部的低清洁度的气体205。

另外，在本实施方式中，第2移动部150具有使光学部件201和喷吹部203同时移动的构成，但也可以是使光学部件201和喷吹部203分别移动的构成。在该场合，使喷吹部203移动的机构根据光学部件201向与沿着表面201A的方向正交的方向的移动，使喷吹部203移动以便表面201A与喷吹部203之间的距离成为恒定。

<第7实施方式>

图8是用于说明第7实施方式中的曝光装置100的构成的图。在图8中放大示出了图1所示的掩模工作台103以及投影光学系统104的附近。

在本实施方式中，作为具有高清洁度的气体(204)，使用镜筒107的内部的气体804。另外，作为喷吹部(203)，在光学部件201与遮蔽部801之间设有(形成有)孔口部802(空间)。遮蔽部801是设于镜筒107的遮蔽物。

在这样的构成中，通过将镜筒107的内部维持成正压，镜筒107的内部的气体804经过孔口部802，沿着光学部件201的表面201A流动，流向开口202。换言之，镜筒107的内部的气体804从孔口部802向光学部件的表面201A被喷吹。本实施方式在作为具有高清洁度的气体使用镜筒107的内部的气体804这方面、以及作为喷吹部使用孔口部802这方面，与第1实施方式不同。

在此，对光学部件201、开口202和遮蔽部801的关系进行说明。例如，将光学部件201(的表面201A)与遮蔽部801的间隔设为X，将光学部件201(的表面201A)与开口202的间隔设为Y。在该场合，设成光学部件201、开口202和遮蔽部801的关系满足1/100

由此，在经过遮蔽部801与光学部件201之间的孔口部802而流向开口202的气体804中，可获得足以维持光学部件201的表面201A的清洁度的流速。另一方面，若脱离上述的条件，则经过遮蔽部801与光学部件201之间的孔口部802而流向开口202的气体804的流速降低，存在光学部件201的表面201A的清洁度不够的可能性。

这样，在本实施方式中，无需用于喷吹具有高清洁度的气体204的专用的配管或设备，可抑制卷入腔110的内部的低清洁度的气体205，可维持光学部件201的表面201A的清洁度。但是，在本实施方式中，镜筒107的内部的气体804有必要具有高清洁度。

<第8实施方式>

本发明的实施方式中的物品制造方法例如适于制造平板显示器、液晶显示元件、半导体元件、MEMS等物品。该制造方法包括利用上述的曝光装置100对涂敷有感光剂的基板进行曝光的工序和对进行过曝光的感光剂进行显影的工序。另外，将进行过显影的感光剂的图形作为掩模，对基板进行蚀刻工序或离子注入工序等，在基板上形成电路图形。反复进行这些曝光、显影、蚀刻等的工序，在基板上形成由多个层构成的电路图形。在后面的工序中，对形成有电路图形的基板进行切割(加工)、芯片的安装、焊接、检查工序。另外，该制造方法可包括其他周知的工序(氧化、成膜、蒸镀、掺杂、平坦化、光刻胶剥离等)。本实施方式中的物品制造方法相比以往，在物品的性能、品质、生产率以及生产成本中的至少一方面是有利的。

本发明并不被限制于上述实施方式，在不脱离发明的构思及范围的情况下可进行各种变更及变形。因此，随附的权利要求书用于公开发明的范围。