交叠结构的电容库创建方法、电容获取方法、设备及介质

技术领域

本申请涉及集成电路技术领域，具体涉及一种交叠结构的电容库创建方法、电容获取方法、设备及介质。

背景技术

随着互连线尺寸的缩小和芯片工作频率的提高，寄生效应，特别是寄生电容对于集成电路性能的影响越来越显著。因此，寄生电容的计算一直是EDA(Electronic designautomation)等领域的重要问题。

目前使用的寄生电容获取方法主要有两种：场求解器和模式匹配。相比于场求解器，模式匹配的提取方法速度更快，资源占用更少，且能够以合理的精度处理全芯片，对于超大规模集成电路（VLSI）的设计来说尤为重要。模式匹配具体来说，首先枚举数百万个样本几何图形（即导体结构对应的几何图形）并由场求解器求解每个几何图形的电容来创建预先表征的电容库（又称模式库），然后将互连布局划分为小的几何图形，最后通过模式匹配算法将输入几何图形与电容库进行比较，并使用相应的公式计算电容值。其中，电容库是基于查找表的形式进行创建，故又称为电容查找表，其主要包括采样参数和对应的采样电容值两部分。

但现有的电容库在创建时，对于交叠结构，通常采用各个导体的宽度、以及各个导体之间的距离作为采样参数，各个导体之间的距离取值范围的计算与各个导体的宽度有关，无法直接使用这些参数进行建表，也会影响基于模式匹配算法从电容库查找寄生电容时影响提取效率和准确率。

发明内容

针对上述技术问题，本申请提供一种交叠结构的电容库创建方法，能对交叠结构的导体进行更加完整的创建电容库，从而能提高寄生电容的提取的效率和准确率。

为解决上述技术问题，本申请提供一种交叠结构的电容库创建方法，包括如下步骤：确定与交叠结构对应的采样参数，所述采样参数用于指示所述交叠结构的结构信息，所述采样参数至少包括独立参数，所述独立参数的取值范围与其他采样参数的取值相互独立；基于所述采样参数，获取所述交叠结构的至少一个采样模式；创建所述电容库中所述至少一个采样模式对应的采样电容值。

在一实施方式中，所述独立参数至少包括所述交叠结构中的第二导体相对于第一导体的偏移系数。

在一实施方式中，确定与交叠结构对应的采样参数的步骤，包括：至少确定位于第一金属层上的所述第一导体和位于所述第二金属层上的所述第二导体；至少确定所述第一导体的第一宽度、所述第二导体的第二宽度，以及所述第二导体相对于所述第一导体的偏移系数为所述采样参数，其中，所述偏移系数由所述第一导体的第一宽度、所述第二导体的第二宽度、所述第一导体的第一中心位置、所述第二导体的第二中心位置确定。

在一实施方式中，所述偏移系数为归一化系数，其中r=2*s/(w1 + w2)，r为所述归一化系数，s为所述第一导体与所述第二导体的中心沿水平方向的偏移位移，w1为所述第一导体的第一宽度，w2为所述第二导体的第二宽度。

在一实施方式中，基于所述采样参数，获取所述交叠结构的至少一个采样模式，包括：基于所述采样参数中的所述第一导体的第一宽度，获取与所述第一宽度对应的至少一个第一采样图形；基于所述采样参数中的所述第二导体的第二宽度，获取与所述第二宽度对应的至少一个第二采样图形；基于所述采样参数中的偏移系数，获取与所述偏移系数对应的至少一个偏移系数采样值；基于所述至少一个第一采样图形、所述至少一个第二采样图形以及至少一个偏移系数采样值，获取所述交叠结构对应的至少一个采样模式。

在一实施方式中，基于所述采样参数中的所述第一导体的第一宽度，获取与所述第一宽度对应的至少一个第一采样图形，包括：基于最小第一宽度以及多个预设第一倍数，获取与所述第一宽度对应的多个第一采样图形；和/或基于所述采样参数中的所述第二导体的第二宽度，获取与所述第二宽度对应的至少一个第二采样图形，包括：基于最小第二宽度以及多个预设第二倍数，获取与所述第二宽度对应的多个第二采样图形；和/或基于所述采样参数中的偏移系数，获取与所述偏移系数对应的至少一个偏移系数采样值，包括：基于所述采样参数中的偏移系数的取值范围，获取与所述偏移系数对应的多个偏移系数采样值。

在一实施方式中，所述偏移系数的取值范围的为[-1,1]。

在一实施方式中，基于所述采样参数中的偏移系数的取值范围，获取与所述偏移系数对应的多个偏移系数采样值的步骤，包括：采用0点附近选点密集，±1处选点稀疏的策略，获取与所述偏移系数对应的多个偏移系数采样值。

在一实施方式中，基于所述至少一个第一采样图形、至少一个第二采样图形以及至少一个偏移系数采样值，获取所述交叠结构对应的至少一个采样模式，包括：对多个第一采样图形、多个第二采样图形以及多个偏移系数采样值进行组合，获取多个采样模式。

在一实施方式中，确定与交叠结构对应的采样参数，包括：获取用于确定所述交叠结构中第一金属层上的第三导体与所述第一导体之间的位置关系的第一参数、和/或第二金属层上的第四导体与所述第二导体之间的位置关系的第二参数。

本申请还提供一种交叠结构的电容获取方法，所述电容获取方法包括：确定目标交叠结构的目标参数，所述目标参数用于指示所述目标交叠结构的结构信息，所述目标参数至少包括目标独立参数，所述目标独立参数的取值范围与其他目标参数的取值相互独立；基于所述目标交叠结构的目标参数，从电容库中确定与所述目标交叠结构匹配的采样模式，根据所述匹配的采样模式确定所述目标交叠结构的电容。

在一实施方式中，根据所述匹配的采样模式确定所述目标交叠结构的电容的步骤，包括：从所述电容库中查询匹配的采样模式对应的采样电容值，并将所述采样电容值确定为所述目标交叠结构的电容值。

在一实施方式中，所述交叠结构的电容获取方法还包括：若所述目标参数与所述电容库中的任一采样模式均不匹配，则采用插值算法基于所述电容库，获取所述目标交叠结构之间的电容值。

本申请还提供一种电子设备，所述电子设备包括存储器和处理器，所述处理器用于在执行所述存储器中的计算机程序时，能实现上述的方法。

本申请还提供一种存储介质，所述存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时，能实现上述的方法。

本申请的交叠结构的电容库创建方法、交叠结构的电容获取方法、设备及介质采用包括独立参数的采样参数，因此能保证独立参数的独立性，从而能创建更加完整的电容库，且提高电容获取的效率和准确率。

附图说明

图1是根据本申请一实施例示出的电容库创建方法的流程示意图。

图2是根据本申请第一实施例示出的第一金属层和第二金属层的剖面结构示意图。

图3是根据本申请一实施例示出的在第一导体与第二导体的中心沿水平方向的偏移位移最小和最大时的第一金属层和第二金属层的剖面结构示意图。

图4是根据本申请第二实施例示出的第一金属层和第二金属层的剖面结构示意图。

图5是根据本申请第三实施例示出的第一金属层和第二金属层的剖面结构示意图。

图6是根据本申请第四实施例示出的第一金属层和第二金属层的剖面结构示意图。

图7是根据本申请一实施例示出的交叠结构的电容获取方法的流程示意图。

具体实施方式

以下由特定的具体实施例说明本申请的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本申请的其他优点及功效。

在下述描述中，参考附图，附图描述了本申请的若干实施例。应当理解，还可使用其他实施例，并且可以在不背离本申请的精神和范围的情况下进行机械组成、结构、电气以及操作上的改变。下面的详细描述不应该被认为是限制性的，并且本申请的实施例的范围仅由公布的专利的权利要求书所限定。这里使用的术语仅是为了描述特定实施例，而并非旨在限制本申请。

虽然在一些实例中术语第一、第二等在本文中用来描述各种元件，但是这些元件不应当被这些术语限制。这些术语仅用来将一个元件与另一个元件进行区分。

再者，如同在本文中所使用的，单数形式“一”、“一个”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文中有相反的指示。应当进一步理解，术语“包含”、“包括”表明存在所述的特征、步骤、操作、元件、组件、项目、种类、和/或组，但不排除一个或多个其他特征、步骤、操作、元件、组件、项目、种类、和/或组的存在、出现或添加。此处使用的术语“或”和“和/或”被解释为包括性的，或意味着任一个或任何组合。因此，“A、B或C”或者“A、B和/或C”意味着“以下任一个：A；B；C；A和B；A和C；B和C；A、B和C”。仅当元件、功能、步骤或操作的组合在某些方式下内在地互相排斥时，才会出现该定义的例外。

第一实施例

图1是根据本申请第一实施例示出的电容库创建方法的流程示意图。如图1所示，一种电容库创建方法，包括如下步骤：

S10：确定与交叠结构对应的采样参数；

在一实施方式中，采样参数用于指示交叠结构的结构信息，例如采样参数是能使得交叠结构的结构唯一确定的参数。其中，采样参数至少包括独立参数，独立参数的取值范围与其他采样参数的取值相互独立，也就是说，独立参数的取值范围不受其他采样参数的取值的影响。其中，所述交叠结构为集成电路版图中，包括处于不同金属层，且在水平方向上有重叠区域的至少两个导体的结构。如图2、图3、图4、图5、图6为集成电路的剖面图，若两个导体在剖面图的水平方向上有重叠区域，则包括此两个导体的结构为交叠结构。

在一实施方式中，所述独立参数至少包括所述交叠结构中的第二导体相对于第一导体的偏移系数。其中，所述偏移系数可以用于表征第二导体与第一导体的偏离程度，即，第二导体相对于第一导体的偏移系数用于确定第二导体与第一导体的相对位置关系。

在一实施方式中，确定与交叠结构对应的采样参数的步骤，包括：至少确定第一金属层上的第一导体和第二金属层上的第二导体；至少确定第一导体的第一宽度、第二导体的第二宽度，以及第二导体相对于第一导体的偏移系数为采样参数，其中，偏移系数由第一导体的第一宽度、第二导体的第二宽度、第一导体的第一中心位置、第二导体的第二中心位置确定。其中，如图2、图3、图4、图5、图6中，剖面图中的水平方向为宽度方向，导体的宽度即为导体在宽度方向上的长短。其中，所述第一导体的第一宽度、第二导体的第二宽度，以及第二导体相对于第一导体的偏移系数均为独立参数。

在一实施方式中，确定第一金属层上的第一导体和第二金属层上的第二导体是交叠结构可以包括：根据工艺文件获取金属层信息，工艺文件包括按与衬底的距离从低到高，或从高到低排列的多层金属层的信息；按与衬底的距离从低到高的顺序依次遍历，并将当前遍历到的金属层确定为第一金属层，将当前遍历到的金属层以上的每层金属层依次确定为第二金属层，从第一金属层上确定一第一导体，从第二金属层上确定一第二导体，第一金属层与第二金属层具有基于工艺文件中规定的距离。具体地，例如，金属层包括按与衬底的距离从低到高或从高到低排列金属层1、金属层2、金属层3……金属层n，其中，n为正整数。若当前遍历到的金属层为金属层1，则将当前遍历到的金属层1确定为第一金属层，并先将金属层2确定为第二金属层，再将金属层3确定为第二金属层，以此类推，直至将金属层n确定为第二金属层。若当前遍历到的金属层为金属层2，则将金属层2确定为第一金属层，并先将金属层3确定为第二金属层，再将金属层4确定为第二金属层，以此类推，直至将金属层n确定为第二金属层。

在一实施方式中，工艺文件还可以包括各金属层的导体的结构尺寸信息、各金属层中导体的最小宽度、各金属层上的导体之间的最小间距、各金属层周围的介质属性等信息。

具体地，请参考图2，图2是根据本申请第一实施例示出的第一金属层和第二金属层的剖面结构示意图。第一金属层中的第一导体（对应图形1）的宽度为W1，第二金属层中的第二导体（对应图形2）的宽度为W2，且第一导体与第二导体的中心沿水平方向的偏移位移为s。图3是根据本申请一实施例示出的在第一导体与第二导体的中心沿水平方向的偏移位移最小和最大时的第一金属层和第二金属层的剖面结构示意图。如图3中的（a）所示，若第一导体与第二导体是交叠结构，则在第一导体与第二导体的中心沿水平方向的偏移位移最小时，第二导体（对应图形2）位于第一导体（对应图形1）的左侧，且偏移位移s的最小值smin=-(w1+w2)/2。如图3中的（b）所示，若第一导体与第二导体是交叠结构，第一导体与第二导体的中心沿水平方向的偏移位移最大时，第二导体（对应图形2）位于第一导体（对应图形1）的右侧，且偏移位移s的最大值smax =(w1 +w2)/2。因此，若第一导体和第二导体是交叠结构，则第一导体与第二导体的中心沿水平方向的偏移位移的绝对值小于第一导体的宽度与第二导体的宽度之和的一半，即|s|≤(w1 +w2)/2。即可以通过判定|s|≤(w1 +w2)/2是否成立，来确定第一金属层上的第一导体和第二金属层上的第二导体是否是交叠结构。

在一实施方式中，确定第一金属层上的第一导体和第二金属层上的第二导体是交叠结构可以包括：获取第一导体与第二导体的中心沿水平方向的偏移位移；若沿水平方向的偏移位移的绝对值小于或等于第一导体的宽度与第二导体的宽度之和的一半，则确定第一导体和第二导体是交叠结构。在其他实施方式中，也可以通过其他方式例如第一导体、第二导体在宽度方向上的侧边之间的距离等，确定第一导体和第二导体是否是交叠结构。

在一实施方式中，偏移系数为归一化系数，其中r=2*s/(w1 + w2)，r为所述归一化系数，s为所述第一导体与所述第二导体的中心沿水平方向的偏移位移，w1为所述第一导体的第一宽度，w2为所述第二导体的第二宽度。

具体地，由于偏移位移的最小值smin=-(w1+w2)/2，偏移位移的最大值smax =(w1+w2)/2，归一化系数r = 2 * s/(w1 + w2)，因此，在偏移位移最小时，归一化系数最小，且归一化系数的最小值rmin=[2 *-(w1+w2)]/2/(w1 + w2)=-1。在偏移位移最大时，归一化系数最大，且归一化系数的最大值rmax=[2 *(w1+w2)]/2/(w1 + w2)=1。故，若第一导体与第二导体是交叠结构，则归一化系数r的取值范围为[-1，1] 。因此，可以通过归一化系数r获知所述第一导体与所述第二导体的位置关系，而取值范围不会随着其他参数的变化而变化，有利于创建电容库时确定多组采样参数，从而根据多组采样参数确定多个采样模式。

在一实施方式中，独立参数可以包括：第一导体的第一宽度（例如可以是最小第一宽度）、第二导体的第二宽度（例如可以是最小第二宽度）以及偏移系数（例如可以是归一化系数r）。这样采样参数中的偏移系数的取值范围与另外两个采样参数（即第一导体的第一宽度和第二导体的第二宽度）均无关，并且也可以用偏移系数表征导体之间的位置，也就是说，在建立电容库时，至少用这三个采样参数表征导体即一个采样模式的结构，三个采样参数的取值范围相互独立，能使得本申请根据采样参数进行更加完整的创建电容库，且为后续例如利用插值算法根据电容库得到准确的电容值提供了可能，从而能提高电容获取的效率和准确率。

S11：基于采样参数，获取所述交叠结构的至少一个采样模式；

在一实施方式中，基于采样参数，获取交叠结构的至少一个采样模式，包括：基于采样参数中的第一导体的第一宽度，获取与第一宽度对应的至少一个第一采样图形，也称为第一导体的一个采样点；基于采样参数中的第二导体的第二宽度，获取与第二宽度对应的至少一个第二采样图形，也称为第二导体的一个采样点；基于采样参数中的偏移系数，获取与偏移系数对应的至少一个偏移系数采样值，也称为偏移系数的一个采样点；基于至少一个第一采样图形、至少一个第二采样图形以及至少一个偏移系数采样值，获取交叠结构对应的至少一个采样模式。其中，第一导体的一个采样点、第二导体的一个采样点和偏移系数的一个采样点组成一组采样参数，一组采样参数为一个采样模式，一个采样模式用于指示交叠结构的一种采样结构。

在一实施方式中，基于采样参数中的第一导体的第一宽度，获取与第一宽度对应的至少一个第一采样图形，包括：基于最小第一宽度以及多个预设第一倍数，获取与第一宽度对应的多个第一采样图形。

在一实施方式中，基于所述采样参数中的所述第二导体的第二宽度，获取与所述第二宽度对应的至少一个第二采样图形，包括：基于最小第二宽度以及多个预设第二倍数，获取与所述第二宽度对应的多个第二采样图形。

在一实施方式中，基于采样参数中的偏移系数，获取与偏移系数对应的至少一个偏移系数采样值，包括：基于采样参数中的偏移系数的取值范围，获取与偏移系数对应的多个偏移系数采样值。

在一实施方式中，可以通过工艺文件获取第一导体的最小第一宽度、第二导体的最小第二宽度。多个预设的第一倍数、多个预设的第二倍数、多个偏移系数采样值的个数可以为系统预先存储的设定值，根据采样的精度要求进行确定。通常来说，采样图形、偏移系数采样值的个数越多，最后利用插值算法得到的电容值的精度越高，但创建电容库的时间就越长。在一实施方式中，多个预设的第一倍数的个数与多个预设的第二倍数的个数可以相同。

具体地，若第一金属层上的第一导体的最小第一宽度为wmin1、预设的第一倍数的个数为5，则第一采样图形对应的第一宽度采样值可以为（1，2，5，10，20）*wmin1。若第二金属层上的第二导体的最小第二宽度为wmin2、预设的第二倍数的个数为5，则第二采样图形对应的第二宽度采样值可以为（1，2，5，10，20）*wmin2。

在一实施方式中，由于偏移系数的取值范围为[-1，1]，为了保证插值的精确度，在偏移系数对应的偏移系数采样值的取上，可以采取0附近选点密集，±1处选点稀疏的策略。具体地，例如偏移系数对应的偏移系数采样值可以为{-1，-0.5，-0.2，-0.1，-0.05，0，0.05，0.1，0.2，0.5，1}。

在一实施方式中，基于至少一个第一采样图形、至少一个第二采样图形以及至少一个偏移系数采样值，获取交叠结构对应的至少一个采样模式，包括：对多个第一采样图形、多个第二采样图形以及多个偏移系数采样值进行组合，获取多个采样模式。

具体地，若第一采样图形对应的第一宽度采样值为（1，2，5，10，20） *wmin1，第二采样图形对应的第二宽度采样值为（1，2，5，10，20） *wmin2，偏移系数采样值为{-1，-0.5，-0.2，-0.1，-0.05，0，0.05，0.1，0.2，0.5，1 }，则多个采样模式可以对应（1*wmin1,1*wmin2，-1）、（2*wmin1,2*wmin2，-0.5）、（1*wmin1,1*wmin2，1）等。

S12：创建所述电容库中所述至少一个采样模式对应的采样电容值。

具体地，在一实施方式中，可以通过电容场求解器计算多个采样模式下，第一导体和第二导体对应的多个采样电容值。

具体地，在一实施方式中，创建所述电容库中所述至少一个采样模式对应的采样电容值包括：将多个采样模式与多个采样电容值分别一一对应存储，以创建交叠结构下的电容库。其中，电容库可以是以表格形式进行存储。

本实施例的电容库创建方法采用包括独立参数的采样参数，因此能保证独立参数的独立性，从而能创建更加完整的电容库，且提高电容获取的效率和准确率。具体地，对于交叠结构可以采用归一化系数、第一导体的第一宽度、以及第二导体的第二宽度作为采样参数，能在不增加采样参数的个数的提前下，保证采样参数之间的独立性，进而进一步提高电容获取例如寄生电容获取的效率和准确率。

图4是根据本申请第二实施例示出的第一金属层和第二金属层的剖面结构示意图。如图4中所示，本实施例的第一金属层包括第一导体（对应图形1）、第二导体（对应图形2），其中，第一导体和第二导体是交叠结构。此外本实施例的第一金属层还包括第三导体（对应图形3）。其中，第一导体的宽度为w1、第二导体的宽度为w2、第三导体的宽度为w3、第一导体与第二导体的中心沿水平方向的偏移位移为s，第一导体与第三导体之间的间距为s1。

在一实施例中，若需要创建与第一导体（对应图形1）、第二导体（对应图形2）、第三导体（对应图形3）对应的电容库，第三导体与第一导体位于同一金属层，则还需要增加新的采样参数，以确定第三导体的位置和大小。在一实施方式中，采样参数还可以包括：获取用于确定交叠结构中第一金属层上的第三导体与第一导体之间的位置关系的第一参数。具体地，例如在一实施方式中，第一参数可以包括：第三导体的第三宽度、以及第一导体与第三导体的第一间距。在一实施方式中，第三导体的第三宽度、第一导体与第三导体的第一间距为独立参数。

对应地，除了获取与最小第一宽度对应的多个第一采样图形、与最小第二宽度对应的多个第二采样图形、以及与偏移系数对应的多个偏移系数采样值之外，还获取与最小第三宽度对应的多个第三采样图形（即第三导体的多个第三采样点）、以及与第一最小间距对应的多个第一间距采样值。这样，就能基于多个第一采样图形、多个第二采样图形、多个第三采样图形多个偏移系数采样值以及多个第一间距采样值，获取多个采样模式，以及多个采样电容值，创建交叠结构下的第一导体、第二导体与第三导体的电容库。

对应地，若第一金属层上的第一导体的最小第一宽度为wmin1、预设的第一宽度采样值的个数为5，则第一采样图形对应的第一宽度采样值可以为（1，2，5，10，20）*wmin1。若第二金属层上的第二导体的最小第一宽度为wmin2、预设的第二宽度采样值的个数为5，则第二采样图形对应的第二宽度采样值可以为（1，2，5，10，20）*wmin2。若第一金属层上的第三导体的最小第三宽度为wmin2、预设的第三宽度采样值的个数为5，则第三采样图形对应的第三宽度采样值可以为（1，2，5，10，20）*wmin3。若第一导体与第三导体的第一最小间距为S1min、预设的第一间距采样值的个数为5，则第一间距采样值可以为（1，2，5，10，20）*S1min。

其中，多个采样模式为多个第一宽度采样值对应的多个第一采样图形、多个第二宽度采样值对应的多个第二采样图形、多个偏移系数采样值、多个第三宽度采样值对应的第三采样图形、以及第一间距采样值之间的组合。具体地，例如若第一宽度采样值为（1，2，5，10，20）*wmin1，第二宽度采样值为（1，2，5，10，20）*wmin2，偏移系数采样值为{-1，-0.5，-0.2，-0.1，-0.05，0，0.05，0.1，0.2，0.5，1 }，第三宽度采样值可以为（1，2，5，10，20）*wmin3，第一间距采样值为（1，2，5，10，20）*S1min，则多个采样模式可以对应（1*wmin1,1*wmin2，-1，1*wmin3，1* S1min）、（2*wmin1,2*wmin2，-0.5，1*wmin3，1* S1min）、（1*wmin1,1*wmin2，1，1*wmin3，1* S1min）等。

图5是根据本申请第三实施例示出的第一金属层和第二金属层的剖面结构示意图。如图5所示，本实施例的第一金属层包括第一导体（对应图形1）、第二导体（对应图形2），其中，第一导体和第二导体是交叠结构。此外本实施例的第一金属层还包括第四导体（对应图形3）。其中，第一导体的宽度为w1、第二导体的宽度为w2、第四导体的宽度为w4、第一导体与第二导体的中心沿水平方向的偏移位移为s，第二导体与第四导体之间的间距为s2。

在本实施例中，若需要创建与第一导体（对应图形1）、第二导体（对应图形2）、第四导体（对应图形4）对应的电容库，第四导体与第二导体位于同一金属层，则还需要增加新的采样参数，以确定第四导体的位置和大小。在一实施方式中，确定与交叠结构对应的采样参数，包括：获取用于确定交叠结构中第二金属层上的第四导体与第二导体之间的位置关系的第二参数。具体地，第二参数可以包括：第四导体的第四宽度、以及第二导体与第四导体的第二间距。在一实施方式中，第四导体的第四宽度、第二导体与第四导体的第二间距为独立参数。

对应地，可以获取与最小第一宽度对应的多个第一宽度采样值、与最小第二宽度对应的多个第二宽度采样值、以及与归一化系数对应的多个偏移系数采样值，还可以获取与最小第四宽度对应的多个第四宽度采样值确定与最小第四宽度对应的多个第四采样图形（即第四导体的多个第四采样点）、以及与第二最小间距对应的第二间距采样值。这样，就能基于多个采样模式，以及对应的多个采样电容值，创建交叠结构下的第一导体、第二导体与第四导体的电容库。

图6是根据本申请第四实施例示出的第一金属层和第二金属层的剖面结构示意图。如图6中所示，本实施例的第一金属层包括第一导体（对应图形1）、第二导体（对应图形2），其中，第一导体和第二导体是交叠结构。此外本实施例的第一金属层还包括第三导体（对应图形3），第二金属层还包括第四导体（对应图形4）。其中，第一导体的宽度为w1、第二导体的宽度为w2、第三导体的宽度为w3、第一导体与第二导体的中心沿水平方向的偏移位移为s，第一导体与第三导体之间的间距为s1、第四导体的宽度为w4，第一导体与第三导体之间的间距为s2。

在本实施例中，若需要创建交叠结构下的第一导体（对应图形1）、第二导体（对应图形2）与第三导体（对应图形3）、以及第四导体（对应图形4）对应的电容库，则还需要增加新的采样参数，以确定第三导体和第四导体的位置和大小。在一实施方式中，确定与交叠结构对应的采样参数，包括：获取用于确定交叠结构中第一金属层上的第三导体与第一导体之间的位置关系的第一参数、和第二金属层上的第四导体与第二导体之间的位置关系的第二参数。在一实施方式中，第一参数、第二参数均为独立参数。具体地，例如第一参数可以包括第三导体的第三宽度、第一导体与第三导体的第一间距；第二参数可以包括第四导体的第四宽度、以及第二导体与第四导体的第二间距，但本申请不以此为限。

在一实施方式中，采样参数除了包括第一导体的最小第一宽度、第二导体的最小第二宽度以及偏移系数外，还可以包括：第三导体的最小第三宽度、第一导体与第三导体的第一最小间距、第四导体的最小第四宽度、以及第二导体与第四导体的第二最小间距。对应地，除了获取与最小第一宽度对应的多个第一宽度采样值、与最小第二宽度对应的多个第二采样图形、以及与偏移系数对应的多个偏移系数采样值之外，还获取与最小第三宽度对应的多个第三采样图形、与第一最小间距对应的第一间距采样值、与最小第四宽度对应的多个第四采样图形、以及与第二最小间距对应的第二间距采样值。这样，就能基于多个采样模式，以及多个采样电容值，创建交叠结构下基于第一导体、第二导体、第三导体、以及第四导体的采样模式的电容库。

本实施例的电容库创建方法可以针对第一金属层包括第一导体、第三导体等，第二金属层包括第二导体、第四导体等的多种交叠结构创建电容库，适应性好，且多种交叠结构下采样参数均能相互独立，从而能进一步提高电容获取的效率和准确率。

图7是根据本申请一实施例示出的交叠结构的电容获取方法的流程示意图。如图7所示，交叠结构的电容获取方法包括如下步骤：

S70：确定目标交叠结构的目标参数。

其中，目标参数用于指示目标交叠结构的结构信息，目标参数至少包括目标独立参数，目标独立参数的取值范围与其他目标参数的取值相互独立。

其中，目标交叠结构中的第一目标金属层上的第一目标导体和第二目标金属层上的第二目标导体为交叠结构。

在一实施方式中，目标参数可以包括第一目标导体的宽度、第二目标导体的宽度、以及第一目标导体与第二目标导体的中心沿水平方向的偏移位移。

S71：基于目标交叠结构的目标参数，从电容库中确定与目标交叠结构匹配的采样模式，根据匹配的采样模式确定目标交叠结构的电容。

其中，电容库可以为根据上述的电容库创建方法创建的。

在一实施方式中，若目标交叠结构中的所有参数值均对应与电容库中的一个采样模式中的所有参数值相同，则判定目标参数与电容库中的一采样模式匹配。具体地，例如目标参数中的第一目标导体的宽度为1*wmin1，第二目标导体的宽度为1*wmin2，第一目标导体与第二目标导体的中心沿水平方向的偏移位移为-1，则目标参数与电容库中的其中一个采样模式对应的（1*wmin1,1*wmin2，-1）匹配，则可以通过查找电容库中采样模式对应的（1*wmin1,1*wmin2，-1）的采样电容值，得到第一目标导体与第二目标导体之间的电容值例如寄生电容值。

在一实施方式中，交叠结构的电容获取方法还包括：若目标参数与电容库中的任一采样模式均不匹配，则采用插值算法基于电容库，获取目标交叠结构中的第一目标导体和第二目标导体之间的电容值例如寄生电容值。

具体地，插值算法可以是线性插值算法，也可以是其他类型的例如最近邻插值法、三维插值算法等。例如，若目标参数中的第一目标导体的宽度为1*wmin1，第二目标导体的宽度为x’，第一目标导体与第二目标导体的中心沿水平方向的偏移位移为-1，则目标参数为（1*wmin1，x’, -1）的第一目标导体的宽度和偏移位移与电容库中的采样模式对应的（1*wmin1,x1，-1）中的两个采样值匹配，且与电容库中的采样模式对应的（1*wmin1,x2，-1）中的两个采样值匹配。这样，可以基于插值算法例如一维线性插值算法获取第一目标导体和第二目标导体之间的电容值。具体地，假设采样模式对应的（1*wmin1, x1，-1）的采样电容值为c1,采样模式对应的（1*wmin1, x2，-1）的采样电容值为c1，如果利用线性插值算法，则第一目标导体与第二目标导体之间的电容值例如寄生电容值c可以通过如下公式计算得到：

在其他实施方式中，若第一目标金属层还包括第三目标导体，则目标参数还包括第三目标导体的宽度，以及第三目标导体与第一目标导体之间的间距。若电容库中存在与目标参数匹配的采样模式，则此匹配的采样模式对应的采样电容值为第一目标导体、第二目标导体以及第三目标导体之间的电容值例如寄生电容值。

本申请的交叠结构的电容获取方法对于交叠结构采用归一化系数、第一导体的最小第一宽度、以及第二导体的最小第二宽度作为采样参数，能保证采样参数之间的独立性，从而能进行更加完整的创建电容库，并在可以采用插值算法基于电容库，获取电容值例如寄生电容值，从而能提高电容获取的效率和准确率。

本申请实施例还提供一种电子设备，包括存储器和处理器，所述处理器用于在执行所述存储器中的计算机程序时，能实现上述的方法。

具体地，上述处理器可以包括中央处理器(CPU)，或者特定集成电路(ApplicationSpecific Integrated Circuit，简称为ASIC)，或者可以被配置成实施本申请实施例的一个或多个集成电路。

其中，存储器可以包括用于数据或指令的大容量存储器。举例来说而非限制，存储器可包括硬盘驱动器(Hard Disk Drive，简称为HDD)、软盘驱动器、固态驱动器(SolidState Drive，简称为SSD)、闪存、光盘、磁光盘、磁带或通用串行总线(Universal SerialBus，简称为USB)驱动器或者两个或更多个以上这些的组合。在合适的情况下，存储器可包括可移除或不可移除(或固定)的介质。在合适的情况下，存储器可在故障图像生成装置的内部或外部。在特定实施例中，存储器是非易失性(Non-Volatile)存储器。在特定实施例中，存储器包括只读存储器(Read-Only Memory，简称为ROM)和随机存取存储器(RandomAccess Memory，简称为RAM)。在合适的情况下，该ROM可以是掩模编程的ROM、可编程ROM(Programmable Read-Only Memory，简称为PROM)、可擦除PROM(Erasable ProgrammableRead-Only Memory，简称为EPROM)、电可擦除PROM(Electrically Erasable ProgrammableRead-Only Memory，简称为EEPROM)、电可改写ROM(Electrically Alterable Read-OnlyMemory，简称为EAROM)或闪存(FLASH)或者两个或更多个以上这些的组合。在合适的情况下，该RAM可以是静态随机存取存储器(Static Random-Access Memory，简称为SRAM)或动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，简称为DRAM)，其中，DRAM可以是快速页模式动态随机存取存储器(Fast Page Mode Dynamic Random Access Memory，简称为FPMDRAM)、扩展数据输出动态随机存取存储器(Extended Date Out Dynamic RandomAccess Memory，简称为EDODRAM)、同步动态随机存取内存(Synchronous Dynamic Random-Access Memory，简称SDRAM)等。

存储器可以用来存储或者缓存需要处理和/或通信使用的各种数据文件，以及处理器所执行的可能的计算机程序指令。

处理器通过读取并执行存储器中存储的计算机程序指令，以实现上述实施例中的任意一种方法。

可选地，上述电子装置还可以包括传输设备以及输入输出设备，其中，该传输设备和上述处理器连接，该输入输出设备和上述处理器连接。

本申请实施例还提供一种智能终端，包括：存储器、处理器，其中，所述存储器上存储有操作程序，所述操作程序被所述处理器执行时实现如上任一所述方法的步骤。

本申请实施例还提供一种计算机可读的存储介质，所述存储介质存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如上任一所述方法的步骤。

在本申请提供的智能终端和计算机可读存储介质的实施例中，可以包含上述任一实施例的全部技术特征，说明书拓展和解释内容与上述方法的各实施例基本相同，在此不做再赘述。

本申请实施例还提供一种计算机程序产品，计算机程序产品包括计算机程序代码，当计算机程序代码在计算机上运行时，使得计算机执行如上各种可能的实施方式中的方法。

本申请的交叠结构的电容库创建方法、电容获取方法、设备及介质对于交叠结构采用归一化系数、第一导体的最小第一宽度、以及第二导体的最小第二宽度作为采样参数，能保证采样参数之间的独立性，从而能进行更加完整的创建电容库，进而提高电容获取的效率和准确率。

上述本申请实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。

本申请实施例方法中的步骤可以根据实际需要进行顺序调整、合并和删减。

本申请实施例设备中的单元可以根据实际需要进行合并、划分和删减。

在本申请中，对于相同或相似的术语概念、技术方案和/或应用场景描述，一般只在第一次出现时进行详细描述，后面再重复出现时，为了简洁，一般未再重复阐述，在理解本申请技术方案等内容时，对于在后未详细描述的相同或相似的术语概念、技术方案和/或应用场景描述等，可以参考其之前的相关详细描述。

在本申请中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述或记载的部分，可以参见其它实施例的相关描述。

本申请技术方案的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本申请记载的范围。

上述实施例仅例示性说明本申请的原理及其功效，而非用于限制本申请。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本申请的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本申请所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本申请的权利要求所涵盖。