一种可点亮Micro OLED先导片的制作方法及其产品

技术领域

本发明涉及Micro OLED生产制作领域。

背景技术

Micro OLED行业基于Foundry CMOS Wafer进行后段工艺，为节约成本，各段工艺调试均需要投入先导片进行验证，先导片分为可点亮先导片与结构片，结构片无法点亮，仅能进行结构调试，可点亮先导片除结构调试外，还可满足点灯后项目测试，如IVL、信赖性测试等，目前先导片制作主要有两种方案：

1、Foundry代工：Top2 Layer Metal作为像素引线，通过Tungsten Hole(钨孔)连接阳极，并通过CMP保证阳极制作前基底平整，其工艺较为完善，可实现结构、点灯等全套先导片评价。劣势为需向Foundry支付高昂费用，如有变更需求，涉及工厂间沟通，流程繁琐。

2、面板厂制作共通阳极：各像素通过阳极制作像素引线，工艺简单，但无法实现不同像素切换，先导片可评价项目较少，同时因面板厂无MOCVD及CMP设备，如需制作不同像素引线，现行工艺无法保证不同金属层搭接后的基底平整性。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是实现一种基于面板厂设备进行制作，降低先导片成本工艺方法。

为了实现上述目的，本发明采用的技术方案为：一种可点亮Micro OLED先导片的制作方法，包括以下步骤：

步骤1、在晶圆上沉积金属层M1，之后在金属层M1上沉积绝缘层P1；

步骤2、制作由金属层M1和绝缘层P1构成的金属走线；

步骤3、在晶圆上制作绝缘层P2，所述绝缘层P2覆盖金属走线；

步骤4、自上而下逐渐减薄绝缘层P2，直至露出绝缘层P1；

步骤5、自上而下逐渐减薄绝缘层P2和绝缘层P1，直至露出金属层M1，并且表面无绝缘层P1残留；

步骤6、制作绝缘层P3覆盖绝缘层P2和金属层M1；

步骤7、在绝缘层P3上打孔露出金属层M1；

步骤8、在绝缘层P3和金属层M1上生成金属层M2，并在金属层M2上制作绝缘层P4；

步骤9、重复步骤2-7，利用金属层M2完成先导片底层电路制作，并在像素电极位置对绝缘层上打孔露出金属层M2。

所述步骤1中，所述金属层M1的材质是Al，所述绝缘层P1的材质为SIN或SIO。

所述步骤1中，所述金属层M1和绝缘层P1分别采用PVD、CVD方法沉积制作。

所述步骤2中，采用光刻方式去除多余金属层M1和绝缘层P1，所述金属走线对应连接阳极B像素驱动。

所述步骤3中，所述绝缘层P2与绝缘层P1的材质不同，并且互为蚀刻停止层，所述绝缘层P2用于填平金属间间隙，所述绝缘层P2的厚度是绝缘层P1厚度的两倍以上。

所述步骤4中，采用干法蚀刻方式逐层减薄绝缘层P2，干法蚀刻过程中绝缘层P1为停止层。

所述步骤5中，通过绝缘层P1的厚度推算蚀刻，采用定时蚀刻的方式同时去除相同厚度的绝缘层P2和绝缘层P1，蚀刻过程中选取P1＞＞P2的高选择比蚀刻气体，确保金属表面无绝缘层P1残留。

所述步骤7中，采用光刻方式在绝缘层P3针对金属层M1控制像素位置进行打孔。

所述步骤9的具体步骤：

步骤9-1、制作由金属层M2和绝缘层P4构成的金属走线；

步骤9-2、制作绝缘层P5覆盖由金属层M2和绝缘层P4构成的金属走线，绝缘层P4与绝缘层P5的材质不同，并且互为蚀刻停止层；

步骤9-3、自上而下逐渐减薄绝缘层P5，直至露出绝缘层P4；

步骤9-4、自上而下逐渐减薄绝缘层P5和绝缘层P4，直至露出金属层M2；

步骤9-5、再次制作绝缘层P6覆盖绝缘层P5和金属层M2；

步骤9-6、在像素电极位置的绝缘层P6上打孔露出金属层M2。

一种可点亮Micro OLED先导片的产品，采用可点亮Micro OLED先导片的制作方法制作，所述产品的晶圆上设有绝缘层P2，所述绝缘层P2内嵌入有由金属层M1构成的金属走线，所述绝缘层P2和金属层M1上覆盖有绝缘层P3，所述绝缘层P3上覆盖有绝缘层P5，所述绝缘层P5内嵌入有由金属层M2构成的金属走线，所述绝缘层P3在金属层M1控制像素位置设孔洞，使金属层M2穿过孔洞与金属层M1接触，所述金属层M2和绝缘层P5上覆盖有绝缘层P6，所述绝缘层P6在像素电极位置设有用于露出金属层M2孔洞。

本发明先导片及其制作方法，引入绝缘层填充金属间隙方案，使先导片可基于面板厂设备进行制作，降低先导片成本，同时满足不同像素切换，实现先导片完整评估功能。

附图说明

下面对本发明说明书中每幅附图表达的内容作简要说明：

图1-9依次为可点亮Micro OLED先导片的制作方法流程图。

具体实施方式

下面对照附图，通过对实施例的描述，本发明的具体实施方式如所涉及的各构件的形状、构造、各部分之间的相互位置及连接关系、各部分的作用及工作原理、制造工艺及操作使用方法等，作进一步详细的说明，以帮助本领域技术人员对本发明的发明构思、技术方案有更完整、准确和深入的理解。

可点亮Micro OLED先导片的产品如图9所示，该产品采用可点亮Micro OLED先导片的制作方法制作，产品的底层为晶圆，晶圆上设有绝缘层P2，绝缘层P2内嵌入有由金属层M1构成的金属走线，金属走线的路线根据需要布置，金属走线完全嵌入在绝缘层P2内，绝缘层P2和金属层M1上覆盖有绝缘层P3，绝缘层P3上覆盖有绝缘层P5，绝缘层P5内嵌入有由金属层M2构成的金属走线，该金属走线也根据需要布置，绝缘层P3在金属层M1控制像素位置设孔洞，使金属层M2穿过孔洞与金属层M1接触，金属层M2和绝缘层P5上覆盖有绝缘层P6，绝缘层P6在像素电极位置设有用于露出金属层M2孔洞。

可点亮Micro OLED先导片的制作方法具体包括以下步骤：

步骤1：如图1所示，在Wafer(晶圆)上PVD、CVD方法分别沉积金属层M1，之后在金属层M1上沉积绝缘层P1，金属层M1的材质是Al，绝缘层P1的材质为SIN或SIO，与绝缘层P2不同材质即可，互为后续蚀刻停止层(Etch Stop Layer)；

步骤2：如图2所示，制作由金属层M1和绝缘层P1构成的金属走线，采用光刻方式保留金属走线，去除多余金属层M1和绝缘层P1，此走线对应连接阳极B像素驱动；

步骤3：如图3所示，在晶圆上制作绝缘层P2，绝缘层P2覆盖金属走线，绝缘层P2采用沉积方式制作，并且沉积较厚的绝缘层P2层，绝缘层P2的厚度是绝缘层P1厚度的两倍以上，制作绝缘层P2目的为填平金属间间隙,材质可选择S IO，与绝缘层P1膜质不同即可；

步骤4：如图4所示，自上而下逐渐减薄绝缘层P2，直至露出绝缘层P1；Dry Etch(干法蚀刻)逐层减薄绝缘层P2 Layer Etch(层蚀刻)，Stop Layer(停止层)金属层为P1(如金属线密度较高可识别Meta l信号，P1 Layer可省略)；

步骤5：如图5所示，通过绝缘层P1厚度推算Etch(蚀刻)时间，Etch至金属与P2高度相同，并选取高选择比Etch气体(P1＞＞P2)，操作时，自上而下逐渐减薄绝缘层P2和绝缘层P1，直至露出金属层M1，并且表面无绝缘层P1残留；

步骤6：如图6所示，制作绝缘层P3覆盖绝缘层P2和金属层M1，覆盖金属层M1的走线；

步骤7：如图7所示，在绝缘层P3上进行光刻，通过光刻打孔露出金属层M1，打孔需要针对M1控制像素位置进行；

步骤8：如图8所示，沉积金属层M2及P1钝化层，在绝缘层P3和金属层M1上生成金属层M2，并在金属层M2上制作绝缘层P4；

步骤9、重复步骤2-7，完成先导片底层电路制作，开孔位置分别为对应像素电极位置，后续沉积Anode将过孔位置段差抹平即可；

具体包括以下步骤：

步骤9-1、光刻方式保留金属走线，制作由金属层M2和绝缘层P4构成的金属走线，同样的，此走线对应连接阳极B像素驱动；

步骤9-2、制作绝缘层P5覆盖由金属层M2和绝缘层P4构成的金属走线，目的为填平金属间间隙,绝缘层P5与绝缘层P4材质不同；

步骤9-3、采用干法蚀刻的方式，自上而下逐渐减薄绝缘层P5，直至露出绝缘层P4；

步骤9-4、通过绝缘层P4厚度推算Etch(蚀刻)时间，自上而下逐渐减薄绝缘层P5和绝缘层P4，Etch至金属与绝缘层P5高度相同，露出金属层M2，保证金属表面无绝缘层P4残留；

步骤9-5、再次制作绝缘层P6覆盖绝缘层P5和金属层M2；

步骤9-6、在像素电极位置的绝缘层P6上打孔露出金属层M2，开孔位置分别为对应像素电极位置。

上面结合附图对本发明进行了示例性描述，显然本发明具体实现并不受上述方式的限制，只要采用了本发明的方法构思和技术方案进行的各种非实质性的改进，或未经改进将本发明的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本发明的保护范围之内。