一种改善频率温漂特性的振荡器电路结构

技术领域

本发明涉及振荡器领域，特别涉及一种改善频率温漂特性的振荡器电路结构。

背景技术

振荡器可以将直流电能转为具有一定频率的交流电能，用于产生通信系统中的射频以及微波信号源。其输出特性中一项重要指标为频率的稳定性。温度特性的变化是导致其产生频率漂移的重要影响因素(评价指标：Hz/℃)。电容三端式振荡器(Colpitts振荡器)是实现振荡器的一种常见结构，如图1所示，为传统colpitts振荡器结构的原理图，包括晶体管Q，所述晶体管Q的集电极C连接偏置电压Vcc，基极B与发射极E通过电容C

如图2所示，在传统colpitts振荡器结构的电感L与晶体管Q的基极B之间引入电容C

反馈系数

振荡频率：

振荡频率的稳定性相对较好；

但是，图2这种类型结构要求C

因此，为进一步改善振荡器的性能，应抑制其频率的温漂现象，电路结构的改善抑制结电容温度变化对输出频率的影响具有重要意义。

发明内容

本发明目的是：提供一种改善频率温漂特性的振荡器电路结构，进一步改善振荡器的性能，抑制其频率的温漂现象的同时，降低成本。

本发明的技术方案是：

一种改善频率温漂特性的振荡器电路结构，包括晶体管Q，所述晶体管Q的集电极C连接偏置电压Vcc，基极B与发射极E通过电容C

优选的，所述晶体管Q的发射极E连接有耦合电容Cc，耦合电容Cc另一端作为振荡器信号输出端。

优选的，所述补偿电容C

优选的，所述电容C

优选的，所述电感L两端并联有可调电容C

本发明的优点是：

1.本发明通过增加补偿电容C

2.本发明直接通过补偿电容CCO抑制BC结电容温漂特性与间接通过C1、C

附图说明

下面结合附图及实施例对本发明作进一步描述：

图1为传统的colpitts振荡器结构的原理图；

图2为引入电容C

图3为本发明改善频率温漂特性的振荡器电路结构原理图；

图4为本发明振荡器电路包含寄生结电容在内的等效图；

图5为本发明改善的西勒振荡结构原理图。

具体实施方式

如图3所示，本发明的改善频率温漂特性的振荡器电路结构，除了如图2所示的包括晶体管Q，所述晶体管Q的集电极C连接偏置电压Vcc，基极B与发射极E通过电容C

如图4所示，为本发明振荡器电路包含寄生结电容在内的的等效图。c

在此新结构中，振荡频率f

因为BC结电容温漂的影响按照密勒效应，等效到BE端的电容约为主通路的增益大小倍数，对振荡器整体回路造成进一步影响，因此，直接通过C

上述方案虽然是针对clapp振荡器结构提出，对于西勒Seiler振荡器结构同样适用，如图5所示，西勒Seiler振荡器的电感L两端并联有可调电容C

上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人能够了解本发明的内容并据以实施，并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明主要技术方案的精神实质所做的修饰，都应涵盖在本发明的保护范围之内。