一种显示面板、其制作方法及显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板、其制作方法及显示装置。

背景技术

有源矩阵有机发光二极管(Active-matrix organic light-emitting diode，AMOLED)显示面板由于具有可弯曲、折叠等优点，而广泛应用于手机、可穿戴设备等领域。

由于显示面板中像素与驱动芯片的距离不同，距离驱动芯片较远的像素的压降一般大于距离芯片较近的像素的压降，从而导致显示面板的亮度均一性较差。如何提高显示面板效果成为急需解决的技术问题。

发明内容

本发明提供了一种显示面板、其制作方法及显示装置，用于提高显示均一性。

第一方面，本发明实施例提供了一种显示面板，包括：

衬底基板，阵列排布在所述衬底基板上的多个发光子像素，在各发光子像素处开设有第一开口的像素界定结构，以及位于所述像素界定结构和各发光子像素背离所述衬底基板的一侧的复合阴极结构；

其中，沿各发光子像素的出光方向，所述复合阴极结构包括依次设置的主电极层和辅助电极层，其中，所述辅助电极层在各发光子像素处开设有第二开口，所述第一开口在所述衬底基板上的正投影完全落入所述第二开口在所述衬底基板上的正投影的区域范围内。

在一种可能的实现方式中，所述辅助电极层的厚度大于所述主电极层的厚度。

在一种可能的实现方式中，沿背离所述衬底基板的方向，所述辅助电极层沿平行于所述衬底基板所在平面的横截面积呈减小趋势。

在一种可能的实现方式中，所述辅助电极层沿相应厚度方向的截面形状为梯形、弧形、矩形中的任一种。

在一种可能的实现方式中，所述辅助电极层的材料为反射率大于90％的金属导电材料。

在一种可能的实现方式中，所述辅助电极层为由银纳米粒子团聚而成。

在一种可能的实现方式中，所述辅助电极层的材料为透明导电材料。

在一种可能的实现方式中，所述透明导电材料包括MoO

在一种可能的实现方式中，还包括位于所述主电极层靠近所述衬底基板一侧的有机公共层，所述有机公共层包括与所述辅助电极层在所述衬底基板的正投影交叠的第一部分，以及除所述第一部分之外的第二部分，所述第一部分的致密度大于所述第二部分的致密度。

第二方面，本发明实施例提供了一种显示装置，包括：

如上面任一项所述的显示面板。

第三方面，本发明实施例提供了一种显示面板的制作方法，包括：

采用构图工艺在衬底基板上形成像素界定结构的第一开口；

在第一开口内形成多个发光子像素；

在所述多个发光子像素和所述像素界定结构背离所述衬底基板的一侧形成主电极层；

采用喷墨打印工艺和热退火工艺，在所述主电极层背离所述衬底基板的一侧形成辅助电极层的图案，其中，所述辅助电极层在各发光子像素处开设有第二开口，所述第一开口在所述衬底基板上的正投影完全落入所述第二开口在所述衬底基板上的正投影的区域范围内；

形成包括所述主电极层和所述辅助电极层的复合阴极结构。

在一种可能的实现方式中，所述采用喷墨打印工艺和热退火工艺，在所述主电极层背离所述衬底基板的一侧形成辅助电极层的图案，包括：

采用喷墨打印工艺，在所述主电极层背离所述衬底基板的一侧形成辅处理体；

采用热退火工艺，在图案化UV光的条件下对所述辅处理体进行热退火，反射率大于90％的金属导电材料对应的纳米粒子发生团聚，形成辅助电极层的图案。

在一种可能的实现方式中，在所述采用喷墨打印工艺，在所述主电极层背离所述衬底基板的一侧形成辅处理体之后，所述方法还包括：

采用热退火工艺，在图案化UV光的条件下对所述辅处理体进行热退火，透明导电材料的纳米粒子发生团聚，形成辅助电极层的图案。

在一种可能的实现方式中，在所述热退火工艺中，加热温度范围为100℃-200℃，加热时长范围为0.2min-2min，UV光的强度范围为50mw/cm

在一种可能的实现方式中，在采用所述热退火工艺之前，所述方法还包括：

采用预热退火对所述辅处理体进行处理，处理时长的范围为0.5min-3min。

本发明的有益效果如下：

本发明实施例提供了一种显示面板、其制作方法及显示装置，其中，显示面板包括衬底基板，阵列排布在衬底基板上的多个发光子像素，在各发光子像素处开设有第一开口的像素界定结构，以及位于像素界定结构和各发光子像素背离衬底基板一侧的复合阴极结构；其中，沿各发光子像素的出光方向，该复合阴极结构包括依次设置的主电极层和辅助电极层，辅助电极层在各发光子像素处开设有第二开口，且第一开口在衬底基板上的正投影完全落入第二开口在衬底基板上的正投影的区域范围内。如此一来，通过辅助电极层的增设，提高了整个复合阴极结构的导电率。此外，辅助电极层可以在一定程度上增加复合阴极结构的反射率，从而提高了出光效率，避免了压降所致的亮度不均，提高了显示均一性。

附图说明

图1为相关技术中OLED显示面板像素驱动的特性曲线图；

图2本发明实施例提供的一种显示面板的其中一种俯视结构示意图；

图3为沿图2中MM所示方向的其中一种剖面结构示意图；

图4为沿图2中MM所示方向的其中一种剖面结构示意图；

图5为沿图2中MM所示方向的其中一种剖面结构示意图；

图6为本发明实施例提供的一种显示装置的其中一种结构示意图；

图7为本发明实施例提供的一种显示面板的制作方法的方法流程图；

图8为图7中步骤S104的其中一种方法流程图；

图9为热退火工艺前有机公共层的SEM图；

图10为热退火工艺后有机公共层的SEM图；

图11为UV光照射时间对辅助电极层的温度影响；

图12为UV光照射时间对周边子像素的温度影响；

图13为辅助电极层制备前后复合阴极结构的横向导电率。

附图标记说明：

10-衬底基板；20-发光子像素；30-第一开口；40-像素界定结构；50-复合阴极结构；51-主电极层；52-辅助电极层；53-第二开口；60-辅发光层；70-薄膜封装层；80-有机公共层；100-显示面板。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。并且在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

除非另外定义，本发明使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明中使用的“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。

需要注意的是，附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本发明内容。并且自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。

在相关技术中，OLED显示面板中距离驱动芯片较远的像素的压降，一般大于距离驱动芯片较远的像素的压降。结合图1所示OLED显示面板像素驱动的特征曲线图可知，距离驱动芯片较远的像素的驱动晶体管的源漏极之间的电压差Vds，小于距离驱动芯片较近的像素的驱动晶体管的源漏极之间的电压差Vds，从而导致距离驱动芯片较远的像素的电流Ids，小于距离驱动芯片较近的像素的电流Ids，进而导致显示面板出现亮度均一性异常的问题。

鉴于此，本发明实施例提供了一种显示面板、其制作方法及显示装置，用于提高显示均一性。

结合图2和图3所示，其中，图2为本发明实施例提供的一种显示面板的其中一种俯视结构示意图，图3为沿图2中MM所示方向的其中一种剖面结构示意图。仍结合图2和图3所示，本发明实施例提供的显示面板包括：

衬底基板10，阵列排布在所述衬底基板10上的多个发光子像素20，在各发光子像素20处开设有第一开口30的像素界定结构40，以及位于所述像素界定结构40和各发光子像素20背离所述衬底基板10的一侧的复合阴极结构50；

其中，沿各发光子像素20的出光方向，所述复合阴极结构50包括依次设置的主电极层51和辅助电极层52，其中，所述辅助电极层52在各发光子像素20处开设有第二开口53，所述第一开口30在所述衬底基板10上的正投影完全落入所述第二开口53在所述衬底基板10上的正投影的区域范围内。

在具体实施过程中，衬底基板10可以是柔性基板，还可以是刚性基板，在此不做限定。显示面板还包括阵列排布在衬底基板10上的多个发光子像素20，其中，多个发光子像素20可以是包括多种颜色的子像素。在图2所示的示例性实施例中，可以是由三种颜色的发光子像素20组成发光像素，该发光像素可以是包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。在其中一种示例性实施例中，可以是由四种颜色的发光子像素20组成发光像素，该发光像素可以是包括红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素。图2和图3仅示意出了显示面板中部分发光子像素20的排布情况，并不意味着显示面板只能这样排布。当然，对于发光子像素20的个数以及排布方式可以根据实际应用需要来设置，在此不做限定。

此外，显示面板还包括在各发光子像素20处开设有第一开口30的像素界定结构40，以及位于像素界定结构40和各发光子像素20背离衬底基板10的一侧的复合阴极结构50。其中，沿各发光子像素20的出光方向，复合阴极结构50包括依次设置的主电极层51和辅助电极层52。在其中一种示例性实施例中，各发光子像素20在衬底基板10上的正投影可以完全落入主电极层51在衬底基板10上的正投影的区域范围内，且主电极层51可以为一整层结构。而且，辅助电极层52在各发光子像素20处开设有第二开口53，且第一开口30在衬底基板10上的正投影完全落入第二开口53在衬底基板10上的正投影的区域范围内。在实际应用中，通过辅助电极层52和主电极层51可以将各发光子像素20对应的复合阴极结构50串联起来，一方面，由于辅助电极层52在一定程度上增加了复合阴极结构50的整体厚度，从而增加了相应结构的导电率；另一方面，一定厚度的辅助电极层52，降低了像素界定结构40背离衬底基板10一侧的透光率，提高了相应位置的复合阴极结构50的反射率，这样的话，原本在侧视角出光的光线，经过反射折射后，部分从正视角出光，在一定程度上弥补了压降带来的效率降低，从而避免了因压降导致显示面板的光学性能异常，保证了显示效果。

在本发明实施例中，所述辅助电极层52的厚度大于所述主电极层51的厚度。

在具体实施过程中，主电极层51的厚度范围为100nm-200nm，辅助电极层52的厚度范围为500nm-2000nm。

本发明人发现，根据金属的方阻公式：R＝ρ/d，ρ表示阴极的电阻率，d表示阴极的厚度，可以通过增加阴极的厚度来降低其电阻，提高相应的导电率。然而，一旦阴极厚度增加，透光率随之降低，这样的话，达到常规器件相同的亮度则需要更大的电压，从而导致功耗上升。此外，阴极厚度增加，在一定程度上会增加正视角和侧视角的光程差，导致色偏不良。如何兼顾阴极透光率以及导电率对显示效果的提高极为重要。为此，在发明实施例中，通过在主电极层51上增设厚度较大的辅助电极层52，一方面提高了复合阴极结构50的导电率，另一方面由于辅助电极层52设置在像素界定结构40除第一开口30之外的位置，增加了复合阴极结构50的反射率，本来在侧视角出光的光线，经过反射折射后，部分从正视角出光，在一定程度上弥补了压降带来的效率降低，从而避免了因压降导致显示面板的光学性能异常，保证了显示效果。此外，辅助电极层52的线宽范围可以是2μm-10μm，相应的方阻可以是小于2.0Ω/□，从而改善了显示面板因压降所致的显示异常现象。

在本发明实施例中，辅助电极层52可以有多种结构设置。在其中一种示例性实施例中，仍结合图3所示，沿背离所述衬底基板10的方向，所述辅助电极层52沿平行于所述衬底基板10所在平面的横截面积呈减小趋势。当然，还可以根据实际应用需要来设置辅助电极层52，在此不仅限于此。

在其中一种示例性实施例中，所述辅助电极层52沿相应厚度方向的截面形状为梯形、弧形、矩形中的任一种。在其中一种示例性实施例中，图4为沿图2中MM所示方向的其中一种剖面结构示意图。仍结合图4所示，辅助电极层52沿相应厚度方向的截面形状呈弧形。当然，还可以根据实际应用需要来设置辅助电极层52沿相应厚度方向的截面形状，在此不做限定。

需要说明的是，在主电极层51上设置辅助电极层52后，来自发光子像素20的光线的传输路径可以是如图3和图4中箭头所示的方向。来自发光子像素20的光线经辅助电极层52的反射和折射后，提高了正视角出光率，这样的话，显示面板在使用相同亮度下，降低了本发明实施例中的显示面板的功耗。此外，实际光线传输路径并不仅限于图3和图4所示的情况，在此不做限定。

在本发明实施例中，可以有以下几种示例性实施方式来制备辅助电极层52。在具体实施过程中，所述辅助电极层52的材料为反射率大于90％的金属导电材料。在其中一种示例性实施例中，所述辅助电极层52为由银纳米粒子团聚而成。以银纳米粒子团聚制备辅助电极层52为例，可以采用喷墨打印工艺，将包含有银纳米颗粒的溶液打印在主电极层51背离衬底基板10的一侧，从而形成辅处理体；然后，针对该辅处理体，在图案化紫外线(Ultra Violet，UV)光的条件下进行加热热退火，银纳米颗粒发生团聚，形成如图3或图4的固化的辅助电极层52。此外，包括银纳米颗粒的溶液可以为有机极性溶剂，对蒸镀的有机材料无溶解性，这样的话，包括银纳米颗粒的溶液不会溶解蒸镀相关的发光层，相应地，辅助电极层52制备过程中不会对蒸镀工艺的发光层造成影响，更不会对器件的寿命等器件性能造成影响，从而保证了显示面板的制备效率。

在其中一种示例性实施例中，所述辅助电极层52的材料为透明导电材料。该透明导电材料的折射率较高，可以为折射率大于1的材料。在具体实施过程中，该透明导电材料包括MoO

此外，本发明人发现在显示面板设置辅助电极层52之后，显示面板的白光效率(WEff)收益可达19％，具体的收益情况如表1所示，其中，“ref”表示参考数据，“Effi”表示效率，“EL poweer@450nit”表示发光子像素在450nit亮度下的发光功耗。

表1

现有复合增强结构(Efficiency Enhancement Structure，EES)技术需要配合高折、低折光学合成，涉及喷墨打印、曝光、显影等工艺。结合表1所示，本发明实施例提供的显示面板相较于现有EES技术来说，仅需通过喷墨打印工艺，加热后，诸如银纳米粒子团聚形成所需特点结构的辅助电极层52，该辅助电极层52可以作为反射层，改善了显示面板正视角的出光率，显示面板的功耗较低，成本较低，具有较为广泛的应用前景。

需要说明的是，本发明实施例中所涉及到的发光子像素20可以包括：有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)、量子点发光二极管(Quantum Dot LightEmitting Diodes，QLED)中的至少一种。在具体实施过程中，本发明实施例中显示面板除了上述提及的膜层之外，以图3所示的显示面板为例，如图5所示，显示面板还包括设置在主电极层51背离衬底基板10一侧且位于第二开口53内的辅发光层60，该辅发光层60在衬底基板10上的正投影完全落入相应子像素在衬底基板10的正投影的区域范围内。这样的话，在各子像素发光的过程中，增加了相应光线的出光效率，提高了显示面板的显示效果。此外，显示面板还包括位于辅助电极层52背离衬底基板10一侧的薄膜封装层(Thin FilmEncapsulation，TFE)70。沿发光子像素20的出光方向，薄膜封装层70包括交叠设置的无机层和有机层，需要说明的是，不论哪种结构的薄膜封装层70，薄膜封装层70最上面的一层均设置为无机层，以起到有效阻隔水氧的作用，提高了显示面板的使用性能。其中，无机层的材料可以为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中的至少一种，有机层的材料可以为适合喷墨打印的有机材料。

在本发明实施例中，仍结合图5所示，所述显示面板还包括位于所述主电极层51靠近所述衬底基板10一侧的有机公共层80，所述有机公共层80包括与所述辅助电极层52在所述衬底基板10的正投影交叠的第一部分，以及除所述第一部分之外的第二部分，所述第一部分的致密度大于所述第二部分的致密度。

仍结合图5所示，显示面板还包括位于主电极层51靠近衬底基板10一侧的有机公共层80，沿各发光子像素20的出光方向，该有机公共层80包括位于发光子像素20和主电极层51之间的空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层，以及位于发光子像素20和衬底基板10之间的空穴注入层、空穴传输层和电子阻挡层，图5中未示意出有机公共层80具体的膜层结构，具体膜层结构参照相关技术中的技术实现。而且，有机公共层80包括与辅助电极层52在衬底基板10的正投影交叠的第一部分，以及除第一部分之外的第二部分。这样的话，降低了有机公共层80横向的导电率，避免了载流子在相邻发光子像素20对应有机公共层80之间的横向迁移率，有效避免了横向串扰的问题，提高了显示效果。

在其中一种示例性实施中，显示面板还包括位于薄膜封装层70背离衬底基板10一侧的偏光片，通过该偏光片不仅可以降低显示面板对外界环境光的反射，提高用户的使用体验，而且还可以避免外界环境光对有机发光材料的影响，保证了有机发光材料的寿命，提高了显示面板的使用性能。此外，显示面板还包括设置在偏光片背离衬底基板10一侧的胶材层和盖板。其中，该胶材层可以是光学胶(Optically Clear Adhensive，OCA)，在保证显示面板透明显示的同时，保证了结构稳定性。通过盖板不仅可以保护显示面板免受损伤，而且还可以通过在盖板上设置具有特定功能的涂层来提高显示装置的使用性能。其中，涂层可以是抗眩光(AG)保护膜层、防指纹(AF)、防紫外线(UV)保护膜层中的一种或几种，在此不做限定。当然，还可以根据实际应用需要来设置其它膜层，可以参照相关技术来实现，在此不做详述。

在其中一种示例性实施例中，显示面板还包括位于薄膜封装层70背离衬底基板10一侧的彩色滤光片，此时可以采用一种封装上的彩色滤光片(Color Filter OnEncapsulation，COE)技术，相较于较厚的偏光片来说，保证了显示面板的轻薄化设计。在该示例性实施例中，显示面板还包括设置在彩色滤光片背离衬底基板10一侧的胶材层和盖板。对于胶材层和盖板的设置方式可以参照相关技术中具体实现，在此不做详述。

在其中一种示例性实施例中，显示面板还包括位于薄膜封装层70背离衬底基板10一侧的触控结构(Flexible Multi-Layer On Cell，FMLOC)，相应地，可以在薄膜封装层70上直接制作触控结构的各膜层，相应地，将触控结构设置于膜层结构中，因而无需另外设置触控基板，从而在保证显示面板轻薄化设计的同时，保证了显示面板的触控功能。对于触控结构的具体设置可以参照相关技术中的具体实现，在此不做详述。当然，显示面板除了包括上述提及的膜层结构之外，还可以包括其它膜层结构，可以参照相关技术中的具体实现，在此不做详述。

基于同一发明构思，如图6所示，本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置解决问题的原理与前述显示面板100相似，因此该显示装置的实施可以参见前述显示面板100的实施，重复之处不再赘述。

在具体实施过程中，本发明实施例提供的显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此就不做赘述，也不应作为对本发明的限制。

基于同一发明构思，如图7所示，本发明实施例还提供了一种如上面所述的显示面板的制作方法，该制作方法包括：

S101：采用构图工艺在衬底基板上形成像素界定结构的第一开口；

S102：在第一开口内形成多个发光子像素；

S103：在所述多个发光子像素和所述像素界定结构背离所述衬底基板的一侧形成主电极层；

S104：采用喷墨打印工艺和热退火工艺，在所述主电极层背离所述衬底基板的一侧形成辅助电极层的图案，其中，所述辅助电极层在各发光子像素处开设有第二开口，所述第一开口在所述衬底基板上的正投影完全落入所述第二开口在所述衬底基板上的正投影的区域范围内；

S105：形成包括所述主电极层和所述辅助电极层的复合阴极结构。

在具体实施过程中，步骤S101至步骤S105的具体实现过程如下：

首先，采用构图工艺在衬底基板10上形成像素界定结构40的第一开口30。这里的“构图工艺”主要是利用曝光、显影、刻蚀形成相应膜层的图案。然后，可以在第一开口30内形成多个发光子像素20。在其中一种示例性实施例中，可以是采用真空蒸镀工艺在第一开口30内形成多个发光子像素20。在其中一种示例性实施例中，还可以是采用喷墨打印工艺在第一开口30内形成多个发光子像素20；当然，还可以根据实际应用需要采用所需的工艺在第一开口30内形成多个发光子像素20。在第一开口30内形成多个发光子像素20之后，可以在多个发光子像素20和像素界定结构40背离衬底基板10的一侧形成主电极层51。在其中一种示例性实施例中，可以是采用真空蒸镀工艺在多个发光子像素20和像素界定结构40背离衬底基板10的一侧形成主电极层51。然后，可以采用喷墨打印工艺和热退火工艺，在主电极层51背离衬底基板10的一侧形成辅助电极层52的图案，具体实现过程可以参照下述相关部分的描述，在此不做详述。所形成的辅助电极层52的图案满足在各发光子像素20处开设有第二开口53，且第一开口30在衬底基板10上的正投影完全落入第二开口53在衬底基板10上的正投影的区域范围内，从而形成包括主电极层51和辅助电极层52的复合阴极结构50。如此一来，通过辅助电极层52的增设，提高了整个复合阴极结构50的导电率。此外，辅助电极层52可以在一定程度上增加复合阴极结构50的反射率，从而提高了出光效率，避免了压降所致的亮度不均，提高了显示均一性。

在本发明实施例中，可以采用以下几种示例性实施方式来制备辅助电极层52，但又不仅限于以下几种方式。

在其中一种示例性实施例中，辅助电极层52的材料为反射率大于90％的金属导电材料，如图8所示，步骤S104：采用喷墨打印工艺和热退火工艺，在所述主电极层背离所述衬底基板的一侧形成辅助电极层的图案，包括：

S201：采用喷墨打印工艺，在所述主电极层背离所述衬底基板的一侧形成辅处理体；

S202：采用热退火工艺，在图案化UV光的条件下对所述辅处理体进行热退火，反射率大于90％的金属导电材料对应的纳米粒子发生团聚，形成辅助电极层的图案。

在具体实施过程中，步骤S201至步骤S202的具体实现过程如下：

首先，采用喷墨打印工艺，在主电极层51背离衬底基板10的一侧形成图案化的辅处理体。然后，可以采用热退火工艺，在图案化UV光的条件下对辅处理体进行热退火，这样的话，反射率大于90％的金属导电材料对应的纳米粒子发生团聚，形成固化后的辅助电极层52的图案。如此一来，在实际应用中，可以通过银纳米粒子团聚形成所需图案的辅助电极层52。其中，该金属导电材料可以为银。当然，还可以根据实际应用需要选择反射率大于90％的金属导电材料在此不做限定。以金属导电材料为银为例，如图9所示为热退火工艺前有机公共层的扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope，SEM)图，图10所示为热退火工艺后有机公共层80与辅助电极层52在衬底基板的正投影交叠的第一部分的SEM图。基于图9和图10所示可知，图10中有机公共层80的第一部分的致密度明显有所提高。如此一来，降低了有机公共层80整体的横向导电率，避免了载流子在相邻发光子像素20对应有机公共层80之间的横向迁移率，有效避免了横向串扰的问题，提高了显示效果。

在其中一种示例性实施例中，辅助电极层52的材料为透明导电材料，在步骤S201：采用喷墨打印工艺，在所述主电极层背离所述衬底基板的一侧形成辅处理体之后，所述方法还包括：

采用热退火工艺，在图案化UV光的条件下对所述辅处理体进行热退火，透明导电材料的纳米粒子发生团聚，形成辅助电极层的图案。

在该示例性实施例中，在采用喷墨打印工艺，在主电极层51背离衬底基板10的一侧形成辅处理体之后，可以采用热退火工艺，在图案化UV光的条件下对辅处理体进行热退火，透明导电材料的纳米粒子发生团聚，形成辅助电极层52的图案。其中，透明导电材料包括MoO

此外，本发明人在实际研究中发现，由于UV光照射辅处理体的过程中会产生热量，导致子像素的温度升高，进而影响子像素OLED器件的性能。一般显示面板中辅助电极层52周边子像素的温度应控制在80℃以下。结合图11和图12所示，其中，图11为UV光照射时间对辅助电极层52的温度影响，图12为UV光照射时间对周边子像素的温度影响。仍结合图11和图12可知，在300mw/cm

在具体实施过程中，在所述热退火工艺中，加热温度范围为100℃-200℃，加热时长范围为0.2min-2min，UV光的强度范围为50mw/cm

在本发明实施例中，在采用所述热退火工艺之前，所述方法还包括：

采用预热退火对所述辅处理体进行处理，处理时长的范围为0.5min-3min。

在具体实施过程中，在对辅处理体进行热退火工艺之前，可以采用较高的温度对辅处理体进行预热退火处理，从而保证了纳米粒子在高温下加速运动，减少了缺陷，以使制得的辅助电极层52结构更加致密，提高了显示面板的使用性能。

此外，本发明人通过对辅助电极层52制备前后横向导电率的测试发现，结合图13所示的电流密度和电压曲线，在25℃的测试环境，将150℃和120s的制备条件作用在辅处理体下，有机公共层80的横向导电率降低到原先的10

本发明实施例提供了一种显示面板、其制作方法及显示装置，其中，显示面板包括衬底基板10，阵列排布在衬底基板10上的多个发光子像素20，在各发光子像素20处开设有第一开口30的像素界定结构40，以及位于像素界定结构40和各发光子像素20背离衬底基板10一侧的复合阴极结构50；其中，沿各发光子像素20的出光方向，该复合阴极结构50包括依次设置的主电极层51和辅助电极层52，辅助电极层52在各发光子像素20处开设有第二开口53，且第一开口30在衬底基板10上的正投影完全落入第二开口53在衬底基板10上的正投影的区域范围内。如此一来，通过辅助电极层52的增设，提高了整个复合阴极结构50的导电率。此外，辅助电极层52可以在一定程度上增加复合阴极结构50的反射率，从而提高了出光效率，避免了压降所致的亮度不均，提高了显示均一性。

尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。

显然，本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的精神和范围。这样，倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内，则本申请也意图包含这些改动和变型在内。