体声波滤波器

本申请要求于2021年10月19日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0139581号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的全部公开内容出于所有目的通过引用包含于此。

技术领域

本公开涉及一种体声波滤波器。

背景技术

作为移动通信市场的关键元件的射频(RF)体声波滤波器是基于应用微机电系统(MEMS)技术的压电元件的薄膜制造的。

随着通信市场的发展，对这种装置的性能改善需求日益变得更加严格，因此，对具有非常低水平的二次谐波和互调失真(IMD)以及非常低的插入损耗和陡坡的截止特性的体声波滤波器的需求已经增加。

上述信息仅作为背景信息呈现，以帮助理解本公开。上述记载不应被解释为这些内容属于本公开的现有技术。

发明内容

提供本发明内容以简化的形式介绍所选择的构思，并在以下具体实施方式中进一步描述这些构思。本发明内容既不意在明确所要求保护的主题的关键特征或必要特征，也不意在用作帮助确定所要求保护的主题的范围。

在一个总体方面，一种体声波滤波器包括连接到串联臂的多个串联谐振器以及连接到并联臂的多个并联谐振器，所述并联臂连接到所述串联臂，其中，所述多个串联谐振器中的至少两个串联谐振器并联设置在所述串联臂上，并且其中，并联设置的两个串联谐振器均包括：基板；下电极，设置在所述基板上；压电层，覆盖所述下电极的至少一部分；以及上电极，覆盖所述压电层的至少一部分，其中，当从上方观察其中所述下电极、所述压电层和所述上电极全部被布置成彼此叠置的有效区时，所述有效区的质心和限定所述有效区的高宽比的矩形的中心彼此匹配，并且当从上方观察所述有效区时，所述有效区具有相对于穿过限定所述高宽比的所述矩形的中心的至少一个轴对称的多边形的形状。

限定所述高宽比的所述矩形可以是所述高宽比的值最大的矩形。

所述多边形可以是N边形，N≥4，并且N是偶数。

所述有效区的所述高宽比可具有5或更小的值。

成对的串联谐振器的有效区可具有相同的高宽比。

所述有效区的所述高宽比的值可在5到10的范围内。

所述有效区的所述高宽比可具有10或更大的值。

所述两个串联谐振器还可包括与所述基板一起形成腔的膜层。

所述两个串联谐振器还可包括设置为围绕所述腔的蚀刻停止部。

所述两个串联谐振器还可包括设置在所述蚀刻停止部外部的牺牲层。

所述两个串联谐振器还可包括插入层，所述插入层至少部分地设置在所述下电极和所述压电层之间。

所述两个串联谐振器还可包括钝化层，所述钝化层被设置为使所述下电极和所述上电极中的每个的一部分暴露。

所述两个串联谐振器还可包括金属垫，所述金属垫与所述下电极和所述上电极的从所述钝化层暴露的部分接触。

在另一总体方面，一种体声波滤波器包括连接到串联臂的多个串联谐振器以及连接到并联臂的多个并联谐振器，所述并联臂连接到所述串联臂，其中，所述多个串联谐振器中的至少两个串联谐振器并联设置并且彼此间隔开，其中，并联设置的两个串联谐振器均包括：基板；下电极，设置在所述基板上；压电层，覆盖所述下电极的至少一部分；以及上电极，覆盖所述压电层的至少一部分，其中，当从上方观察其中所述下电极、所述压电层和所述上电极全部被布置成彼此叠置的有效区时，所述有效区的质心和限定所述有效区的高宽比的矩形的中心彼此匹配，并且当从上方观察所述有效区时，所述有效区具有相对于穿过限定所述高宽比的所述矩形的中心的至少一个轴对称的多边形的形状。

在另一总体方面，一种体声波滤波器包括：多个串联谐振器，连接到串联臂；以及多个并联谐振器，连接到并联臂，所述并联臂连接到所述串联臂，其中，所述多个串联谐振器中的至少两个串联谐振器并联设置，并且其中，并联设置的两个串联谐振器均包括体声波谐振器，当从上方观察时，所述体声波谐振器具有轴对称多边形形状的有效区，并且当绘制包含所述轴对称多边形的最小的矩形时，所述矩形的最长边是h，所述矩形的最短边是b，并且高宽比是h/b。

当从上方观察时，所述轴对称多边形形状的有效区可具有彼此垂直的两条对称线。

所述体声波谐振器可包括：基板；下电极，设置在所述基板上；压电层，覆盖所述下电极的至少一部分；以及上电极，覆盖所述压电层的至少一部分，其中，所述下电极、所述压电层和所述上电极全部被布置成在所述有效区中彼此叠置。

所述有效区的质心和所述矩形的中心可彼此匹配。

所述高宽比可大于5且小于10。

所述高宽比可大于或等于10。

所述多个串联谐振器中的并联设置的所述至少两个串联谐振器可包括连接到所述串联臂的起点的至少一对串联谐振器和/或连接到所述串联臂的终点的至少一对串联谐振器。

所述多个串联谐振器中的成对并联设置的所述两个串联谐振器可以以反并联结构彼此连接。

根据以下具体实施方式和附图，其它特征和方面将是易于理解的。

附图说明

图1是示出根据本公开中的一个或更多个示例实施例的体声波滤波器的电路图。

图2是示出具有设置在图1的部分A和B中的反并联结构的体声波谐振器的示意性平面图。

图3是示出轴对称多边形的高宽比和质心的示意图。

图4是示出测量质心的方法的示意图。

图5是示出四边形的质心的表。

图6是沿图2的线I-I'截取的截面图。

图7是沿图2的线II-II'截取的截面图。

图8是示出根据现有技术的在有效区中具有非对称结构的体声波谐振器的温度变化的示意图。

图9是示出根据本公开中的示例实施例的设置在体声波滤波器中的体声波谐振器的温度变化的示意图，该体声波谐振器具有在反并联结构中采用的轴对称结构。

图10是示出根据现有技术的在有效区中具有非对称结构的体声波谐振器和根据本公开中的示例实施例的设置在体声波滤波器中的具有在反并联结构中采用的轴对称结构的体声波谐振器中的每个的陷波特性(fs)的示意图。

图11是示出具有设置在图1的部分A和B中的反并联结构的体声波谐振器的变型示例实施例的示意性平面图。

图12是示出具有设置在图1的部分A和B中的反并联结构的体声波谐振器的变型示例实施例的示意性平面图。

在所有的附图和具体实施方式中，相同的附图标记指示相同的要素。附图可不按照比例绘制，并且为了清楚、说明和便利起见，可夸大附图中的要素的相对尺寸、比例和描绘。

具体实施方式

在下文中，虽然将参照附图详细描述本公开中的示例实施例，但是应注意，示例不限于此。

提供以下具体实施方式以帮助读者获得对在此描述的方法、设备和/或系统的全面理解。然而，在理解本公开之后，在此所描述的方法、设备和/或系统的各种改变、变型及等同方案将是易于理解的。例如，在此描述的操作的顺序仅仅是示例，并且不限于在此阐述的顺序，而是除了必须按照特定顺序发生的操作之外，可做出在理解本公开之后将是易于理解的改变。此外，为了提高清楚性和简洁性，可省略本领域中熟知的功能和结构的描述。

在此描述的特征可以以不同的形式实施，并且将不被解释为局限于在此描述的示例。更确切地说，已经提供在此描述的示例，仅仅为了示出在理解本公开之后将是易于理解的实现在此描述的方法、设备和/或系统的许多可行方式中的一些可行方式。

在此，应注意，关于示例或实施例的术语“可”的使用(例如，关于示例或实施例可包括或实现什么)意味着存在包括或实现这样的特征的至少一个示例或实施例，并不限于所有示例或实施例包括或实现这样的特征。

在整个说明书中，当诸如层、区域或基板的要素被描述为“在”另一要素“上”、“连接到”另一要素或“结合到”另一要素时，该要素可直接“在”另一要素“上”、直接“连接到”另一要素或直接“结合到”另一要素，或者可存在介于它们之间的一个或更多个其它要素。相比之下，当要素被描述为“直接在”另一要素“上”、“直接连接到”另一要素或“直接结合到”另一要素时，不存在介于它们之间的其它要素。如在此使用的，要素的“部分”可包括整个要素，或者少于整个要素(整个要素的一部分)。

如在此使用的，术语“和/或”包括相关联的所列项目中的任意一个或者任意两个或更多个的任意组合；同样地，“……中的至少一个”包括相关联的所列项目中的任意一个或者任何两个或更多个的任意组合。

尽管在此可使用诸如“第一”、“第二”和“第三”的术语来描述各种构件、组件、区域、层或部分，但是这些构件、组件、区域、层或部分将不受这些术语限制。更确切地说，这些术语仅用来将一个构件、组件、区域、层或部分与另一构件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离示例的教导的情况下，在此描述的示例中所称的第一构件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分也可被称为第二构件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。

为了易于描述，在此可使用诸如“上方”、“上面”、“下方”、“下面”等的空间相对术语来描述如附图中所示的一个要素与另一要素的关系。这样的空间相对术语意在除了包括附图中描绘的方位之外还包括装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为相对于另一要素在“上方”或“上面”的要素于是将相对于所述另一要素在“下方”或“下面”。因此，术语“上方”根据装置的空间方位包括“上方”和“下方”两种方位。装置还可以以其它方式(例如，旋转90度或者处于其它方位)定位，并且将相应地解释在此使用的空间相对术语。

在此使用的术语仅用于描述各种示例，并且将不用于限制本公开。除非上下文另外清楚指出，否则单数形式也意图包括复数形式。术语“包含”、“包括”和“具有”列举存在所陈述的特征、数量、操作、构件、要素和/或它们的组合，但不排除存在或添加一个或更多个其它特征、数量、操作、构件、要素和/或它们的组合。

由于制造技术和/或公差，附图中所示出的形状可能发生变化。因此，在此描述的示例不限于附图中所示的特定形状，而是包括制造期间发生的形状的改变。

在此描述的示例的特征可以以在理解本公开之后将易于理解的各种方式进行组合。此外，虽然在此描述的示例具有多种构造，但在理解本公开之后将易于理解的其它构造是可行的。

本公开的示例实施例提供一种体声波滤波器。

图1是示出根据本公开中的一个或更多个示例实施例的体声波滤波器的电路图。

参照图1，根据本公开中的示例实施例的体声波滤波器10可通过如下方式构造具有特定通带的带通滤波器：将多个体声波谐振器(串联谐振器S1至S5和并联谐振器P1至P5)布置在梯形式的串联臂和并联臂中并且将这些谐振器彼此连接。这种类型的滤波器通常可被称为“梯型滤波器”。

在图1所示的滤波器中，当包括各种频率分量的射频(RF)信号被输入到输入端子In时，可从输出端子Out仅输出期望的频率分量。在图1所示的构造中，五个体声波谐振器S1至S5布置在串联臂中，并且五个体声波谐振器P1至P5布置在并联臂中。另外，根据基于所需规格的滤波器设计，可适当地对串联臂和并联臂的体声波谐振器的数量进行变化。对于并联臂中的体声波谐振器P1至P5，在上电极的膜上形成利用诸如钛(Ti)的材料形成的频率调节膜，并且并联臂的体声波谐振器P1至P5的谐振频率被设置为低于串联臂的体声波谐振器S1至S5的谐振频率。

此外，连接串联臂的体声波谐振器S1至S5中的两个体声波谐振器S1和S2，使得两个体声波谐振器S1和S2的极性相反。该结构在下文中被称为反并联结构。另外，串联臂的体声波谐振器S1至S5中的另外两个体声波谐振器S4和S5也具有反并联结构。

另外，具有反并联结构的体声波谐振器S1、S2和S4、S5可具有轴对称结构。

此外，在下文中，串联臂的体声波谐振器S1至S5被称为串联谐振器，并且并联臂的体声波谐振器P1至P5被称为并联谐振器。也就是说，串联谐振器S1至S5中的两对串联谐振器S1和S2以及S4和S5在串联臂中串联连接，并且每对串联谐振器中的两个谐振器可彼此并联布置。

图2是示出具有设置在图1的部分A和B中的反并联结构的体声波谐振器的示意性平面图。

参照图2，在根据本公开中的示例实施例的体声波谐振器S1和S2中，当从上方观察时，有效区可具有轴对称多边形形状。作为示例，在根据本公开中的示例实施例的体声波谐振器S1和S2中，当从上方观察时，有效区可具有轴对称六边形形状。另外，根据本公开中的示例实施例的体声波谐振器S1和S2可具有轴对称多边形形状，其中，当从上方观察时，有效区具有相同的高宽比(AR)。

此外，有效区是指下电极150、压电层160和上电极170(稍后将描述)中的全部彼此叠置的区域。

如图2所示，当从上方观察时，有效区的质心和限定有效区的高宽比的矩形的中心彼此匹配，并且有效区可具有相对于穿过限定高宽比的矩形的中心的至少一个轴对称的多边形的形状。限定有效区的高宽比的矩形可以是高宽比的值最大的矩形。作为示例，有效区的高宽比(AR)可具有5或更小的值。

这里，更详细地描述高宽比以及限定高宽比的矩形的定义。

图3是示出轴对称多边形的高宽比和质心的示意图。

参照图3，多边形中的高宽比被定义为与多边形的三个或更多个顶点接触的矩形的高度h与宽度b的比。

也就是说，高宽比(AR)是h/b(AR＝h/b)。

换句话说，在轴对称多边形的情况下，可绘制与顶点接触的矩形(如图3所示)。此外，如图3所示，与轴对称多边形接触的矩形的中心(x，y)与多边形形状的质心(x'，y')重合。

例如，当绘制包含轴对称多边形的最小矩形时，矩形的最长边是h，矩形的最短边是b(如图3所示)。

图4是示出用于测量质心的方法的示意图，并且图5是示出矩形的质心的表。

参照图4和图5，首先，质心是指在特定截面中相对于正交坐标轴的几何面积矩为0的点。为了找到从正交坐标轴到质心的距离，几何面积矩可除以图形的面积。

如图4所示，对于具有特定形状的截面，可考虑对面积进行微分dA并将其乘以从正交坐标轴到微分区域的质心的距离，然后执行积分，以获得几何面积矩G。

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这里，

此外，如图5所示，轴对称多边形中的矩形的质心是矩形的中心。一起参照图3和图5，可看出轴对称多边形的中心是轴对称多边形的质心，类似于矩形的质心。

这里，对于体声波谐振器100，图6是沿着图2的线I-I'截取的截面图，并且图7是沿着图2的线II-II'截取的截面图。

如图6和图7所示，作为示例，根据本公开中的示例实施例的体声波谐振器S1和S2可包括基板110、牺牲层120、蚀刻停止部130、下电极150、压电层160、上电极170、插入层180、钝化层190和金属垫195。

基板110可以是硅基板。例如，也可使用硅晶圆或绝缘体上硅(SOI)型基板作为基板110。

绝缘层112可形成在基板110的上表面上，并且可将基板110与设置在其上的组件电隔离。另外，在制造工艺期间，绝缘层112用于防止基板110在形成腔C时被蚀刻气体蚀刻。

在这种情况下，绝缘层112可利用二氧化硅(SiO

牺牲层120可形成在绝缘层112上，并且腔C和蚀刻停止部130可设置在牺牲层120的内侧上。在制造期间，可通过去除牺牲层120的一部分来形成腔C。如上所述，当腔C形成在牺牲层120的内侧上时，设置在牺牲层120上的下电极150等可平坦地形成。

蚀刻停止部130沿着腔C的边界设置。蚀刻停止部130用于在腔C形成工艺期间防止蚀刻超出腔区域。

下电极150设置在腔C上。例如，下电极150的一部分设置在腔C上。另外，下电极150可用作输入诸如RF信号的电信号的输入电极和输出诸如RF信号的电信号的输出电极中的任意一个。

下电极150可使用例如导电材料(诸如钼(Mo)或其合金)形成。然而，本公开不限于此，并且下电极150可利用诸如钌(Ru)、钨(W)、铱(Ir)、铂(Pt)、铜(Cu)、钛(Ti)、钽(Ta)、镍(Ni)、铬(Cr)或它们的合金的导电材料形成。

压电层160形成为至少覆盖设置在腔C上的下电极150。此外，压电层160是产生压电效应的部分，压电效应将电能转换为声波形式的机械能，并且压电层160可利用氮化铝(AlN)、氧化锌(ZnO)和锆钛酸铅(PZT)中的一种形成。尤其是，当压电层160利用氮化铝(AlN)形成时，压电层160还可包括稀土金属、过渡金属或碱土金属。例如，稀土金属可包括钪(Sc)、铒(Er)、钇(Y)和镧(La)中的至少一种。此外，作为示例，过渡金属可包括钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钽(Ta)和铌(Nb)中的至少一种。此外，碱土金属可包括镁(Mg)。

此外，压电层160包括设置在平坦部S中的压电部162和设置在延伸部E中的弯曲部164。

压电部162是直接堆叠在下电极150的上表面上的部分。因此，压电部162介于下电极150和上电极170之间，以连同下电极150和上电极170一起，均是平坦的。

弯曲部164可被限定为从压电部162向外延伸并且位于延伸部E内的区域。

弯曲部164设置在稍后将描述的插入层180上，并且形成为跟随插入层180的形状而上升。因此，压电层160在压电部162和弯曲部164之间的边界处弯曲，并且弯曲部164上升以对应于插入层180的厚度和形状。

弯曲部164可分成倾斜部分164a和延伸部分164b。

倾斜部分164a是指形成为沿着稍后将描述的插入层180的倾斜表面L倾斜的部分。此外，延伸部分164b是指从倾斜部分164a向外延伸的部分。

倾斜部分164a可平行于插入层180的倾斜表面L形成，并且倾斜部分164a的倾斜角可形成为与插入层180的倾斜表面L的倾斜角θ相同。

上电极170形成为至少覆盖设置在腔C上的压电层160。上电极170可用作输入诸如RF信号的电信号的输入电极和输出诸如RF信号的电信号的输出电极中的任意一个。也就是说，当下电极150用作输入电极时，上电极170可用作输出电极，并且当下电极150用作输出电极时，上电极170可用作输入电极。

上电极170可使用例如导电材料(诸如钼(Mo)或其合金)形成。然而，本公开不限于此，并且上电极170可包括钌(Ru)、钨(W)、铱(Ir)、铂(Pt)、铜(Cu)、钛(Ti)、钽(Ta)、镍(Ni)、铬(Cr)或它们的合金。

此外，有效区是指下电极150、压电层160和上电极170全部叠置的区域。

插入层180设置在下电极150和压电层160之间。插入层180可利用诸如二氧化硅(SiO

另外，插入层180的至少一部分设置在压电层160与下电极150之间。作为示例，插入层180可具有环形形状。

钝化层190形成在下电极150的一部分和上电极170的一部分上。此外，钝化层190用于防止上电极170和下电极150被损坏。

此外，可使用包括诸如以下材料中的任意一种的介电层作为钝化层190：氮化硅(Si

金属垫195形成在下电极150和上电极170的未形成钝化层190的部分上。作为示例，金属垫195可利用诸如金(Au)、金-锡(Au-Sn)合金、铜(Cu)、铜-锡(Cu-Sn)合金、铝(Al)或铝合金的材料形成。例如，铝合金可以是铝-锗(Al-Ge)合金。

返回参照图2，根据本公开中的示例实施例的体声波谐振器S1和S2具有轴对称六边形形状，其中，当从上方观察时，体声波谐振器S1和S2的有效区具有相同的高宽比(AR)。因此，改善散热效果以抑制由于功率引起的陷波特性(fs)的移动量，从而降低二次谐波和IMD峰值。

详细地，可通过以反并联结构连接两个谐振器使得它们的极性相反来抵消二次谐波和IMD。也就是说，当压电层160的极性彼此相反时，频率为f0的输入信号原样通过，但是频率为2f0的信号被抵消以被去除。为此，出于降低二次谐波和IMD峰值的目的，通常在体声波滤波器的最后级使用反并联结构。然而，二次谐波和IMD峰值发生在谐振频率处。其原因在于两个谐振器的谐振频率不匹配，因此它们不能彼此抵消，并且出现二次谐波和IMD峰值。谐振器的谐振频率不匹配可能是由谐振周期之间的分散以及由于施加功率时的功率不平衡引起的谐振频率偏移导致的。尤其是，由于当施加功率时不向两个谐振器施加相同的功率，因此在两个谐振器之间发生功率不平衡。由于这个原因，大量功率施加到两个谐振器中的一个谐振器，并且这导致仅一个谐振器的温度快速上升。因此，具有高温的谐振器的频率上升得更多，并且谐振频率处的二次谐波和IMD峰值更大。

然而，根据本公开中的示例实施例的体声波谐振器S1和S2具有轴对称六边形形状，其中，当从上方观察时，体声波谐振器S1和S2的有效区具有相同的高宽比(AR)。因此，改善散热效果以抑制由于功率引起的陷波特性(fs)的移动量，从而降低二次谐波和IMD峰值。

图8是示出根据现有技术的在有效区中具有非对称结构的体声波谐振器的温度变化的示意图。图9是示出根据本公开中的示例实施例的设置在体声波滤波器中的体声波谐振器的温度变化的示意图，该体声波谐振器具有在反并联结构中采用的轴对称结构。如图8和图9所示，可看出，与现有技术相比，当将相同的功率施加到根据本公开中的示例实施例的体声波谐振器S1和S2时，温度降低了18％。换句话说，可看出，当施加相同的功率时，当如现有技术中的非对称体声波谐振器的温度变化率为100％时，根据本公开中的示例实施例的体声波谐振器S1和S2的温度变化率为82％。因此，可抑制由于功率引起的陷波特性(fs)的移动量，以降低二次谐波和IMD峰值。

图10是示出根据现有技术的在有效区中具有非对称结构的体声波谐振器和根据本公开中的示例实施例的设置在体声波滤波器中的具有在反并联结构中采用的轴对称结构的体声波谐振器中的每个的陷波特性(fs)的示意图。由于根据本公开中的示例实施例的体声波谐振器S1和S2具有5或更小的高宽比(AR)，因此与现有技术相比，可抑制由于功率引起的陷波特性(fs)的移动量(如图10所示)。此外，如果高宽比(AR)增大，则散热路径可增加，并且由于插入损耗(IL)特性的改善，可更多地抑制由于功率引起的陷波特性(fs)的移动量。因此，可降低二次谐波和IMD峰值。

图11是示出具有设置在图1的部分A和B中的反并联结构的体声波谐振器的变型示例实施例的示意性平面图。

参照图11，在根据本公开中的一个或更多个其它示例实施例的体声波谐振器S1和S2中，当从上方观察时，有效区可具有轴对称多边形形状。有效区的轴对称多边形可以是N变形，N≥4，并且N是偶数。作为示例，在根据本公开中的示例实施例的体声波谐振器S1和S2中，当从上方观察时，有效区可具有轴对称六边形形状。另外，根据本公开中的示例实施例的体声波谐振器S1和S2可具有轴对称多边形形状，其中，当从上方观察时，体声波谐振器S1和S2的有效区具有相同的高宽比(AR)。此外，在根据本公开中的示例实施例的体声波谐振器S1和S2中，高宽比(AR)可具有5和10之间的值。

因此，由于体声波谐振器S1和S2具有5至10的高宽比AR，因此可改善插入损耗(IL)性能并且可改善散热特性。因此，可改善由于功率引起的温度升高。另外，当插入损耗(IL)性能得到改善时，可减少体声波谐振器S1和S2消耗的功率损耗，因此，可降低自发热的量。

图12是示出具有设置在图1的部分A和B中的反并联结构的体声波谐振器的变型示例实施例的示意性平面图。

参照图12，在根据本公开中的一个或更多个其它示例实施例的体声波谐振器S1和S2中，当从上方观察时，有效区可具有轴对称多边形形状。作为示例，在根据本公开中的示例实施例的体声波谐振器S1和S2中，当从上方观察时，有效区可具有轴对称六边形形状。另外，根据本公开中的示例实施例的体声波谐振器S1和S2可具有轴对称多边形形状，其中，当从上方观察时，体声波谐振器S1和S2的有效区具有相同的高宽比(AR)。此外，在根据本公开中的示例实施例的体声波谐振器S1和S2中，高宽比(AR)可具有10或更大的值。

因此，即使在寄生噪声(SN)区间中，也可改善二次谐波和IMD特性。此外，可通过抑制由于功率引起的陷波特性(fs)的移动量来降低二次谐波和IMD峰值。

如上面所阐述的，根据本发明，可降低二次谐波峰值。

虽然上面已经示出并且描述了具体示例实施例，但是在理解本公开之后将易于理解的是，在不脱离权利要求及其等同方案的精神和范围的情况下，可在形式和细节上对这些示例做出各种改变。在此描述的示例将仅被认为是描述性含义，而非出于限制的目的。在每个示例中的特征或方面的描述将被认为是可适用于其它示例中的类似特征或方面。如果按照不同的顺序执行描述的技术，和/或如果按照不同的方式组合所描述的系统、架构、装置或电路中的组件，和/或由其它组件或其等同组件来替换或者添加所描述的系统、架构、装置或电路中的组件，则可获得合适的结果。因此，本公开的范围不由具体实施方式限定，而是由权利要求及其等同方案限定，并且在权利要求及其等同方案的范围内的全部变型将被解释为被包括在本公开中。