显示面板及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种显示面板及其制造方法。

背景技术

显示面板可以用于例如电视机、各种音频/视频系统、计算机监视器装置、导航终端装置、便携式终端装置等多种领域。多种类型的显示面板能够使用不同类型的显示单元将图像输出到外部。例如，显示单元可以是液晶显示器（LCD）、发光二极管（LED）、有机发光二极管（OLED）、有源矩阵OLED（AMOLED）等。

随着显示技术的蓬勃发展，目前市场对于显示面板的要求也在逐步提高，特别是对小型化、低功耗、低成本及高影像品质等方面的要求越来越高。现有技术的显示面板的制造方法，通常先在基板上形成非晶硅或多晶硅层，然后在准分子激光晶化（ELA）处理后的非晶硅或多晶硅层上刻蚀出有源区，在有源区中形成源极、漏极、栅极沟道区等器件结构，并于器件结构上形成至少一层导电互连层等结构，从而形成完整的显示面板。由于器件结构形成于可能存在较多缺陷的非晶硅或多晶硅层中，容易对显示面板的成像质量和良品率造成影响。

发明内容

本发明的目的在于提供一种显示面板及其制造方法，改善显示面板的成像质量，提高显示面板的良品率，满足对于显示面板高性能的需求。

基于以上考虑，本发明的一个方面提供一种显示面板的制造方法，包括：提供单晶晶圆；提供基板；将所述单晶晶圆的第一面与基板键合或贴合，将所述单晶晶圆从第二面减薄，在所述单晶晶圆减薄后的第二面上至少形成一层导电互连层。

优选的，先将所述单晶晶圆切割成多个单晶单元，再将所述多个单晶单元的第一面与基板键合或贴合。

优选的，所述单晶晶圆包括晶圆衬底和设置于第一面上的外延层，先在所述外延层中形成部分器件结构，再将所述单晶晶圆的第一面与基板键合或贴合。

优选的，所述单晶晶圆包括晶圆衬底和设置于第一面上的外延层，先将所述单晶晶圆的第一面与基板键合或贴合，再从减薄后的第二面在所述外延层中形成部分器件结构。

优选的，所述部分器件结构包括源极，漏极，栅极沟道区及器件隔离区。

优选的，所述外延层的厚度为3-5μm。

优选的，先在所述基板上形成面板衬底，再将所述单晶晶圆的第一面与基板键合或贴合。

优选的，在所述单晶晶圆减薄后的第二面上至少形成一层导电互连层之后，将所述基板去除。

优选的，所述面板衬底的材质为聚酰亚胺或氟化聚酰亚胺。

优选的，所述面板衬底的厚度为50-100μm。

优选的，先在所述单晶晶圆的第一面和所述基板上分别形成氧化层，再将所述单晶晶圆的第一面与基板键合。

优选的，所述氧化层的材质为二氧化硅。

优选的，所述氧化层的厚度分别为0.5-2μm。

优选的，所述氧化层通过等离子体增强化学气相沉积工艺形成。

优选的，所述导电互连层的材质为金属或导电金属化合物。

优选的，所述导电互连层的厚度为1-2μm。

优选的，所述基板的材质为玻璃。

本发明的另一方面提供一种显示面板，包括：基板和/或面板衬底；单晶晶圆，所述单晶晶圆的第一面与所述基板和/或面板衬底键合或贴合，所述单晶晶圆的第二面上设置有至少一层导电互连层。

优选的，所述单晶晶圆的第一面上设置有外延层，所述外延层中设置有部分器件结构。

优选的，所述部分器件结构包括源极，漏极，栅极沟道区及器件隔离区。

优选的，所述外延层的厚度为3-5μm。

优选的，所述面板衬底的材质为聚酰亚胺或氟化聚酰亚胺。

优选的，所述面板衬底的厚度为50-100μm。

优选的，所述单晶晶圆的第一面与所述基板和/或面板衬底上分别设置有用于键合的氧化层。

优选的，所述氧化层的材质为二氧化硅。

优选的，所述氧化层的厚度分别为0.5-2μm。

优选的，所述导电互连层的材质为金属或导电金属化合物。

优选的，所述导电互连层的厚度为1-2μm。

优选的，所述基板的材质为玻璃。

与现有技术相比，本发明的显示面板及其制造方法，采用单晶晶圆代替现有技术中的非晶硅或多晶硅层，减少了器件结构缺陷，改善了显示面板的成像质量，提高了显示面板的良品率，满足了对于显示面板高性能的需求。

附图说明

通过参照附图阅读以下所作的对非限制性实施例的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显。

图1-图8为根据本发明一个实施例的显示面板制造方法的过程示意图；

图9-图16为根据本发明另一实施例的显示面板制造方法的过程示意图；

图17为本发明的显示面板制造方法的流程图。

在图中，贯穿不同的示图，相同或类似的附图标记表示相同或相似的装置（模块）或步骤。

具体实施方式

为解决上述现有技术中的问题，本发明提供一种显示面板及其制造方法，该方法包括：提供单晶晶圆；提供基板；将所述单晶晶圆的第一面与基板键合或贴合，将所述单晶晶圆从第二面减薄，在所述单晶晶圆减薄后的第二面上至少形成一层导电互连层。本发明的显示面板及其制造方法，采用单晶晶圆代替现有技术中的非晶硅或多晶硅层，减少了器件结构缺陷，改善了显示面板的成像质量，提高了显示面板的良品率，满足了对于显示面板高性能的需求。

在以下优选的实施例的具体描述中，将参考构成本发明一部分的所附的附图。所附的附图通过示例的方式示出了能够实现本发明的特定的实施例。示例的实施例并不旨在穷尽根据本发明的所有实施例。可以理解，在不偏离本发明的范围的前提下，可以利用其他实施例，也可以进行结构性或者逻辑性的修改。因此，以下的具体描述并非限制性的，且本发明的范围由所附的权利要求所限定。

如图17所示，本发明提供一种显示面板及其制造方法，该方法包括：提供单晶晶圆；提供基板；将所述单晶晶圆的第一面与基板键合或贴合，将所述单晶晶圆从第二面减薄，在所述单晶晶圆减薄后的第二面上至少形成一层导电互连层。

下面结合具体实施例对本发明的显示面板制造方法进行详细阐述。

实施例一

图1-图8为根据本发明一个实施例的显示面板制造方法的过程示意图。

参见图1，提供单晶晶圆，优选的，所述单晶晶圆包括晶圆衬底100和设置于第一面上的外延层101，所述外延层101的厚度可以为3-5μm。在外延层101中形成部分器件结构102，所述部分器件结构102例如包括源极，漏极，栅极沟道区及器件隔离区。

参见图2，对于后续步骤中需要与基板104键合的情况，优选在单晶晶圆的第一面上形成氧化层103，具体的，氧化层103形成于外延层101表面。

参见图3，提供基板104，基板104的材质例如为玻璃。对于具有柔性显示面板需求的情况，可以在基板104上形成由柔性材质例如聚酰亚胺或氟化聚酰亚胺制成的面板衬底105，面板衬底105的厚度可以为50-100μm。

对于后续步骤中需要与单晶晶圆键合的情况，优选在基板104上形成氧化层106。对于本实施例中，基板104上存在面板衬底105的情况，氧化层106形成于面板衬底105表面；对于未示出的其他实施例中，基板104上不存在面板衬底105的情况，氧化层106直接形成于基板104表面。

参见图4，将所述单晶晶圆的第一面与基板104键合或贴合。对于键合的情况，单晶晶圆上的氧化层103与基板104上的氧化层106提供较好的结合力。优选的，所述氧化层103、106的材质为二氧化硅，厚度分别为0.5-2μm，可以通过等离子体增强化学气相沉积工艺形成。对于贴合的情况，无需形成氧化层103、106，单晶晶圆与基板104通过粘合剂等粘性材料即可提供较好的结合力。

为解决单晶晶圆的翘曲变形以及形状尺寸匹配等问题，优选的，先将所述单晶晶圆切割成多个单晶单元，每个单晶单元的形状尺寸与最终所需的显示面板的形状尺寸一致，再将所述多个单晶单元的第一面与基板104键合或贴合，形成如图4所示的结构。

参见图5，图6，将所述单晶晶圆从第二面减薄，优选停止于外延层101上，在减薄后的第二面上至少形成一层导电互连层107，所述导电互连层107的材质优选为金属或导电金属化合物，厚度为1-2μm，外延层101中的部分器件结构102通过硅通孔108连接导电互连层107。

参见图7，对于仅需要柔性的面板衬底105，不需要基板104的情况，可以在形成导电互连层107之后，将基板104减薄并去除，然后沿切割线（图中点划线）切割形成如图8所示的单个显示面板结构。

如图8所示，本发明的另一方面提供一种显示面板，该显示面板包括：面板衬底105（在图8所示的本实施例中，仅包括面板衬底105；在未示出的其他实施例中，可能存在仅包括基板104或者同时包括面板衬底105和基板104的情况）。优选的，所述面板衬底105的材质为聚酰亚胺或氟化聚酰亚胺，厚度为50-100μm，基板104的材质为玻璃。

本发明的显示面板还包括：单晶晶圆，所述单晶晶圆的第一面与所述基板104和/或面板衬底105键合或贴合，所述单晶晶圆的第二面上设置有至少一层导电互连层107。优选的，所述导电互连层107的材质为金属或导电金属化合物，厚度为1-2μm。

其中，所述单晶晶圆的第一面上设置有外延层101，所述外延层101的厚度优选为3-5μm。所述外延层101中设置有部分器件结构102，所述部分器件结构102包括源极，漏极，栅极沟道区及器件隔离区。外延层101中的部分器件结构102通过硅通孔108连接导电互连层107。

对于键合的情况，所述单晶晶圆的第一面与所述基板和/或面板衬底分别设置有用于键合的氧化层103、106，以提供较好的结合力。所述氧化层103、106的材质为二氧化硅，厚度分别为0.5-2μm。

实施例二

图9-图16为根据本发明另一实施例的显示面板制造方法的过程示意图。

参见图9，提供单晶晶圆，优选的，所述单晶晶圆包括晶圆衬底200和设置于第一面上的外延层201，所述外延层201的厚度可以为3-5μm。

参见图10，对于后续步骤中需要与基板204键合的情况，优选在单晶晶圆的第一面上形成氧化层203，具体的，氧化层203形成于外延层201表面。

参见图11，提供基板204，基板204的材质例如为玻璃。对于具有柔性显示面板需求的情况，可以在基板204上形成由柔性材质例如聚酰亚胺或氟化聚酰亚胺制成的面板衬底205，面板衬底205的厚度可以为50-100μm。

对于后续步骤中需要与单晶晶圆键合的情况，优选在基板204上形成氧化层206。对于本实施例中，基板204上存在面板衬底205的情况，氧化层206形成于面板衬底205表面；对于未示出的其他实施例中，基板204上不存在面板衬底205的情况，氧化层206直接形成于基板204表面。

参见图12，将所述单晶晶圆的第一面与基板204键合或贴合。对于键合的情况，单晶晶圆上的氧化层203与基板204上的氧化层206提供较好的结合力。优选的，所述氧化层203、206的材质为二氧化硅，厚度分别为0.5-2μm，可以通过等离子体增强化学气相沉积工艺形成。对于贴合的情况，无需形成氧化层203、206，单晶晶圆与基板204通过粘合剂等粘性材料即可提供较好的结合力。

为解决单晶晶圆的翘曲变形以及形状尺寸匹配等问题，优选的，先将所述单晶晶圆切割成多个单晶单元，每个单晶单元的形状尺寸与最终所需的显示面板的形状尺寸一致，再将所述多个单晶单元的第一面与基板204键合或贴合，形成如图12所示的结构。

参见图13，将所述单晶晶圆从第二面减薄，优选停止于外延层201上，在外延层201中形成部分器件结构202，所述部分器件结构202例如包括源极，漏极，栅极沟道区及器件隔离区。

参见图14，在减薄后的第二面上至少形成一层导电互连层207，所述导电互连层207的材质优选为金属或导电金属化合物，厚度为1-2μm，外延层201中的部分器件结构202通过接触孔208连接导电互连层207。

参见图15，对于仅需要柔性的面板衬底205，不需要基板204的情况，可以在形成导电互连层207之后，将基板204减薄并去除，然后沿切割线（图中点划线）切割形成如图16所示的单个显示面板结构。

如图16所示，本发明的另一方面提供一种显示面板，该显示面板包括：面板衬底205（在图16所示的本实施例中，仅包括面板衬底205；在未示出的其他实施例中，可能存在仅包括基板204或者同时包括面板衬底205和基板204的情况）。优选的，所述面板衬底205的材质为聚酰亚胺或氟化聚酰亚胺，厚度为50-100μm，基板204的材质为玻璃。

本发明的显示面板还包括：单晶晶圆，所述单晶晶圆的第一面与所述基板204和/或面板衬底205键合或贴合，所述单晶晶圆的第二面上设置有至少一层导电互连层207。优选的，所述导电互连层207的材质为金属或导电金属化合物，厚度为1-2μm。

其中，所述单晶晶圆的第一面上设置有外延层201，所述外延层201的厚度优选为3-5μm。所述外延层201中设置有部分器件结构202，所述部分器件结构202包括源极，漏极，栅极沟道区及器件隔离区。外延层101中的部分器件结构202通过接触孔208连接导电互连层207。

对于键合的情况，所述单晶晶圆的第一面与所述基板和/或面板衬底上分别设置有用于键合的氧化层203、206，以提供较好的结合力。所述氧化层203、206的材质为二氧化硅，厚度分别为0.5-2μm。

综上所示，本发明提供一种显示面板及其制造方法，该方法包括：提供单晶晶圆；提供基板；将所述单晶晶圆的第一面与基板键合或贴合，将所述单晶晶圆从第二面减薄，在所述单晶晶圆减薄后的第二面上至少形成一层导电互连层。本发明的显示面板及其制造方法，采用单晶晶圆代替现有技术中的非晶硅或多晶硅层，减少了器件结构缺陷，改善了显示面板的成像质量，提高了显示面板的良品率，满足了对于显示面板高性能的需求。

对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论如何来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的。此外，明显的，“包括”一词不排除其他元素和步骤，并且措辞“一个”不排除复数。装置权利要求中陈述的多个元件也可以由一个元件来实现。第一，第二等词语用来表示名称，而并不表示任何特定的顺序。