一种高散热型半导体器件结构

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种高散热型半导体器件结构。

背景技术

MOS管一般又叫场效应管，与二极管和三极管不同，二极管只能通过正向电流，反向截止，不能控制，三极管通俗讲就是小电流放大成受控的大电流，MOS管是小电压控制电流的。MOS管的输入电阻极大，兆欧级的，易驱动，但是价格比三极管要高，一般适用于需要小电压控制大电流的情况，电磁炉里一般就是用的20A或者25A的场效应管。

目前绝缘MOS管产品基本采用同型材，即管脚与散热片厚度是一样的，半导体封装内部使用的引线框架采用同型材，厚度仅能与管脚厚度一样0.5mm，散热效果一般，如图1所示，为后续半导体封装提供难度。

因此，有必要提供一种新的高散热型半导体器件结构解决上述技术问题。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种散热效率高、为更大电压、更高功率的半导体封装提供封装可行性的高散热型半导体器件结构。

为解决上述技术问题，本发明提供的高散热型半导体器件结构包括：

胶体，所述胶体包括第一胶体和第二胶体，所述第一胶体设置在所述第二胶体的顶侧，所述第一胶体的厚度小于所述第二胶体，所述第一胶体和所述第二胶体为一体式结构；

引线框架，所述引线框架包括散热片和管脚，所述散热片和管脚采用不同厚度设计，所述散热片位于所述胶体内，所述管脚的顶端延伸至所述第二胶体内并与所述撒热片相连接，所述散热片的厚度为1.3mm；

外接铝制散热片，所述外接铝制散热片通过螺丝安装在所述胶体上。

优选的，所述第二胶体上设置有胶体倒角，所述胶体倒角为45°。

优选的，所述胶体上开设有胶体圆孔，所述胶体圆孔的直径为3.18mm。

优选的，所述管脚包括上脚和下脚，所述下脚位于所述上脚的底侧，所述上脚与所述下脚为一体结构，所述上脚的宽度为1.3mm，所述下脚的宽度为0.8mm。

优选的，所述胶体圆孔采用塑封成型，塑封成型过程本体会衍生2个顶针孔洞贯通第一胶体至内部框架，导致内部金属材裸露。所述胶体点胶填充设备目的为利用硅胶填充孔洞，设备包括平台，所述平台的底侧安装有多个支腿，所述平台的顶侧固定安装有支柱，所述支柱的顶侧固定安装有第一气缸，所述第一气缸为横向设置，所述第一气缸的输出轴上连接有第二气缸，所述第二气缸为纵向设置，所述第二气缸的输出轴上安装有可横向移动点胶设备，所述平台的顶侧设置有放置台。

优选的，所述可横向移动点胶设备包括固定座，所述固定座与所述第二气缸的输出轴固定连接，所述固定座的顶部固定安装有电机，所述电机的输出轴固定安装有丝杆，所述丝杆上螺纹套接有移动座，所述固定座上开设有条形孔，所述条形孔内固定安装有支杆，所述移动座的底侧贯穿所述条形孔并与所述支杆滑动套接，所述移动座的底侧设置有点胶器，所述点胶器的底侧安装有可更换式点胶头。

优选的，所述固定座的顶侧固定安装有多个转动支撑装置，所述转动支撑装置包括支撑板，所述支撑板上安装有轴承，所述轴承的内圈与所述丝杆固定套接。

优选的，所述移动座上套接有点胶器，所述点胶器利用气压控制对硅胶进行挤胶填充。

优选的，所述固定座的顶侧安装有气压控制器，所述气压控制器的出气口连接有软管，所述软管与所述点胶器相连接。

优选的，所述固定座的一侧设置有固定环，所述固定环与所述气压控制器相套接。

与相关技术相比较，本发明提供的高散热型半导体器件结构具有如下有益效果：

本发明提供一种高散热型半导体器件结构，采用新型的异性材设计引线框架，使基岛框架散热片厚度增加至1.3mm厚度大大增加了绝缘型的MOS管内部散热效果，塑封过程产生的顶针孔洞也利用点胶填充装置进行全覆盖填充，为更大电压、更高功率的半导体封装提供封装可行性。

附图说明

图1为现有的MOS管结构示意图；

图2为本发明提供的高散热型半导体器件结构的一种较佳实施例的结构示意图；

图3为图2所示的侧面的结构示意图；

图4为高散热型半导体器件结构与外接铝制散热片的组合结构示意图；

图5为图4的侧视结构示意图；

图6为图3所示的外接铝制散热片的结构示意图；

图7为第二实施例的结构示意图的结构示意图；

图8为图4所示的可横向移动点胶设备的结构示意图；

图9为图4所示的转动支撑装置的结构示意图。

图中标号：1、第一胶体，2、第二胶体，3、散热片，4、管脚，5、胶体倒角，6、胶体圆孔，7、平台，8、支腿，9、支柱，10、第一气缸，11、第二气缸，12、可横向移动点胶设备，13、放置台，14、固定座，15、电机，16、丝杆，17、条形孔，18、支杆，19、移动座，20、转动支撑装置，21、点胶器，22、点胶头，23、针筒，24、气管口，25、软管，26、空压接头，27、气压控制器，28、气压过滤滤芯，29、固定环，30、支撑板，31、轴承，32、外接铝制散热片，33、螺丝。

具体实施方式

下面结合附图和实施方式对本发明作进一步说明。

第一实施例：

请结合参阅图1-图6，在本发明的第一实施例中，高散热型半导体器件结构包括：

胶体，所述胶体包括第一胶体1和第二胶体2，所述第一胶体1设置在所述第二胶体2的顶侧，所述第一胶体1的厚度小于所述第二胶体2，所述第一胶体1和所述第二胶体2为一体式结构；

引线框架，所述引线框架包括散热片3和管脚4，所述散热片3和管脚4采用不同厚度设计，所述散热片3位于所述胶体内，所述管脚4的顶端延伸至所述第二胶体2内并与所述撒热片3相连接，所述散热片3的厚度为1.3mm；

外接铝制散热片32，所述外接铝制散热片32通过螺丝33安装在所述胶体上。

所述第二胶体2上设置有胶体倒角5，所述胶体倒角5为45°。

所述胶体上开设有胶体圆孔6，所述胶体圆孔6的直径为3.18mm，所述螺丝33贯穿所述胶体圆孔6。

所述管脚4包括上脚和下脚，所述下脚位于所述上脚的底侧，所述上脚与所述下脚为一体结构，所述上脚的宽度为1.3mm，所述下脚的宽度为0.8mm。

与相关技术相比较，本发明提供的高散热型半导体器件结构具有如下有益效果：

本发明提供一种高散热型半导体器件结构，采用新型的异性材设计引线框架，使基岛框架散热片厚度增加至1.3mm厚度大大增加了绝缘型的MOS管内部散热效果，为更大电压、更高功率的半导体封装提供封装可行性。

第二实施例：

基于本申请的第一实施例提供的高散热型半导体器件结构，本申请的第二实施例提出另一种高散热型半导体器件结构。第二实施例仅仅是第一实施例的优选的方式，第二实施例的实施对第一实施例的单独实施不会造成影响。

下面结合附图和实施方式对本发明的第二实施例作进一步说明。

请结合参阅图7-图9，本实施例与第一实施例的区别在于，所述胶体圆孔6使采用塑封成型，塑封成型过程本体会衍生2个顶针孔洞贯通第一胶体至内部框架，导致内部金属材裸露。所述胶体点胶填充设备目的为利用硅胶填充孔洞，所述胶体点胶填充系统包括平台7，所述平台7的底侧安装有多个支腿8，所述平台7的顶侧固定安装有支柱9，所述支柱9的顶侧固定安装有第一气缸10，所述第一气缸10为横向设置，所述第一气缸10的输出轴上连接有第二气缸11，所述第二气缸11为纵向设置，所述第二气缸11的输出轴上安装有可横向移动点胶设备12，所述平台7的顶侧设置有放置台13。

所述可横向移动点胶设备12包括固定座14，所述固定座14与所述第二气缸11的输出轴固定连接，所述固定座14的顶侧固定安装有电机15，所述电机15的输出轴固定安装有丝杆16，所述丝杆16上螺纹套接有移动座19，所述固定座14上开设有条形孔17，所述条形孔17内固定安装有支杆18，所述移动座19的底侧贯穿所述条形孔17并与所述支杆18滑动套接，所述移动座19的底侧设置有点胶器21，所述点胶器21的底侧安装有点胶头22。

所述固定座14的顶侧固定安装有多个转动支撑装置20，所述转动支撑装置20包括支撑板30，所述支撑板30上安装有轴承31，所述轴承31的内圈与所述丝杆16固定套接。

所述移动座19上套接有点胶器21，所述点胶器21利用气压控制对硅胶进行挤胶填充所述点胶头22的顶端与针筒23密封连接。

所述固定座14的顶侧安装有气压控制器，所述气压控制器的出气口连接有软管，所述软管与所述点胶器21相连接。

所述点胶器21上设置有气管口24，所述固定座14的顶侧安装有空压接头26，所述空压接头26的进风口连接有软管25，所述软管25与所述气管口24相连接，所述空压接头26的出风口连接有气压控制器27，所述气压控制器27上安装有气压过滤滤芯28。

所述固定座14的一侧设置有固定环29，所述固定环29与所述气压控制器27相套接。

使用时，启动第一气缸10，第一气缸10带动第二气缸11移动，第二气缸11带动可横向移动点胶设备12移动至对应位置，再启动第二气缸11，第二气缸11的输出轴带动可横向移动点胶设备12高度下降至点胶高度，再启动电机15，电机15的输出轴带动丝杆16转动，丝杆16带动移动座19移动，移动座19带动点胶器21横向移动定位，点胶填充时启动气压控制器27，通过气压的变化对点胶器进行挤胶作业，外部进气进过过滤滤芯28统一进行过滤处理。

以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其它相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。