一种显示面板及显示装置

【技术领域】

本申请涉及显示技术领域，其特别涉及一种显示面板及显示装置。

【背景技术】

有机电致发光二极管(Organic Electroluminescence Display，OLED)显示面板基于其高亮度、高效率、宽视角、自主发光等优良特性，得到了广泛应用。

目前，OLED显示面板多采用顶发光模式，为更大限度将发光元件所发出的光线提取出去，提高面板的出光效率，面板内通常会设有光提取层。其中，光提起层中设置有简单的透镜结构作为光提取结构，光提取结构通过对光的折射作用来提升出光率。

为了实现光提取结构，采用高折射率层与低折射率层相结合的方式，其中，高折射率层设置在低折射率层朝向显示面板出光面的一侧。高折射率层为整面连续结构，外界环境光照射至高折射率层后的反射率增加，又由于高折射率层的面积大，导致显示面板整体对外界环境光的反射增加。

【申请内容】

有鉴于此，本申请实施例提供了一种显示面板及显示装置，以解决以上问题。

第一方面，本申请实施例提供一种显示面板，包括：

衬底基板；

光提取层，设置在所述衬底基板一侧；所述光提取层包括多个光提取结构及外围结构，所述外围结构围绕所述光提取结构且所述外围结构的折射率小于所述光提取结构的折射率；

其中，所述光提取结构包括第一部分和第二部分，所述第二部分位于所述第一部分远离所述衬底基板的一侧，且所述第二部分在所述衬底基板上的正投影面积大于所述第一部分在所述衬底基板上的正投影面积；所述第一部分包括倾斜的第一侧壁，所述第二部分包括倾斜的第二侧壁；

由所述第一侧壁靠近所述衬底基板的一端指向远离所述衬底基板的一端的方向上，所述第一侧壁向远离第一轴的方向延伸；由所述第二侧壁靠近所述衬底基板的一端指向远离所述衬底基板的一端的方向上，所述第二侧壁向靠近所述第一轴的方向延伸；所述第一轴垂直于所述衬底基板且经过所述光提取结构在所述衬底基板上正投影的中心。

第二方面，本申请实施例提供一种显示装置，包括如第一方面提供的显示面板。

由于光提取结构中第一部分的第一侧壁向远离第一轴的方向倾斜，则入射至第一侧壁的大角度光会变为角度相对较小的光。而经过第一侧壁后角度变得相对较小的光中仍然会存在角度较大的光，该些角度较大的光及在传播过程中经过光提取结构中第二部分的第二侧壁时发生折射，形成角度更小的光。则本申请实施例所提供的显示面板中的光提取结构可以将更多的大角度光转换为小角度光，具有更好的光提取效果，进而可以提升显示面板的发光亮度。

外围结构围绕光提取结构且相邻光提取结构之间无连接，即本申请实施例提供的光提取结构为孤岛结构。由于光提取结构的折射率较高，将其设置为孤岛结构，则相邻光提取结构之间不包括折射率较高的结构，可以减小折射率较高的膜层对显示面板外界的光线的反射，提高显示面板的分辨率及显示效果。

【附图说明】

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1为本申请实施例提供的一种显示面板的示意图；

图2为本申请实施例所提供的一种显示面板中光提取结构的效果示意图；

图3为本申请实施例提供的一种显示面板的示意图；

图4为本申请实施例提供的一种显示面板的示意图；

图5为本申请实施例提供的一种显示面板的示意图；

图6为本申请实施例提供的一种显示面板的示意图；

图7为本申请实施例提供的一种显示面板的示意图；

图8为本申请实施例提供的一种显示面板的示意图；

图9为本申请实施例提供的一种显示面板的示意图；

图10为本申请实施例提供的一种显示面板的示意图；

图11为本申请实施例提供的一种显示面板中的光提取结构的示意图；

图12为本申请实施例提供的一种显示面板中光提取结构的示意图；

图13为本申请实施例提供的一种显示面板中光提取结构的示意图；

图14为本申请实施例提供的一种显示面板中光提取结构的示意图；

图15为本申请实施例提供的一种显示面板中光提取结构的示意图；

图16为本申请实施例提供的一种显示面板中光提取结构的示意图；

图17为本申请实施例提供的一种显示面板中光提取结构的示意图；

图18为本申请实施例提供的一种显示面板中光提取结构的示意图；

图19为本申请实施例提供的一种显示面板中光提取结构的示意图；

图20为本申请实施例提供的一种显示面板中光提取结构的示意图；

图21为本申请实施例提供的一种显示面板的示意图；

图22为图21沿M1-M2方向的剖面示意图；

图23为本申请实施例提供的一种显示面板的示意图；

图24为图23沿N1-N2方向的剖面示意图；

图25为本申请实施例提供的一种显示面板的示意图；

图26为本申请实施例提供的一种显示面板的示意图；

图27为本申请实施例提供的一种显示装置的示意图。

【具体实施方式】

为了更好的理解本申请的技术方案，下面结合附图对本申请实施例进行详细描述。

应当明确，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。

在本申请实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本申请。在本申请实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其他含义。

应当理解，本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。

本说明书的描述中，需要理解的是，本申请权利要求及实施例所描述的“基本上”、“近似”、“大约”、“约”、“大致”“大体上”等词语，是指在合理的工艺操作范围内或者公差范围内，可以大体上认同的，而不是一个精确值。

应当理解，尽管在本申请实施例中可能采用术语第一、第二、第三等来描述侧壁等，但这些侧壁等不应限于这些术语。这些术语仅用来将侧壁等彼此区分开。例如，在不脱离本申请实施例范围的情况下，第一侧壁也可以被称为第二侧壁，类似地，第二侧壁也可以被称为第一侧壁。

本案申请人通过细致深入研究，对于现有技术中所存在的问题，而提供了一种解决方案。

图1为本申请实施例提供的一种显示面板的示意图。

如图1所示，本申请实施例提供的显示面板001包括衬底基板01和光提取层02，光提取层02设置在衬底基板01的一侧。具体地，光提取层02设置在衬底基板01朝向显示面板001的出光面一侧。

光提取层02包括多个光提取结构21及外围结构22，并且外围结构22围绕光提取结构21。外围结构22的折射率小于光提取结构21的折射率，则光提取结构21与围绕它的外围结构22之间的交界面为光密介质与光疏介质之间的交界面。

在本实施例中，如图1所示，光提取结构21包括第一部分211和第二部分212，第二部分212位于第一部分211远离衬底基板01的一侧且所述第二部分212在所述衬底基板01上的正投影面积大于第一部分211在衬底基板01上的正投影面积。第一部分211和第二部分212为光提取结构21中的不同部分，且第二部分212位于第一部分211远离衬底基板01的一侧且覆盖第一部分211。

第一部分211包括倾斜的第一侧壁2110，第一部分211中与靠近其的外围结构22接触且倾斜的表面可以视为第一部分211的第一侧壁2110。由第一侧壁2110靠近衬底基板01的一端指向远离衬底基板01的一端的方向上，第一侧壁2110向远离第一轴Z1的方向延伸，第一轴Z1垂直于衬底基板01且经过光提取结构21在衬底基板01上正投影的中心。则第一部分211中被第一侧壁2110所围绕的部分为宽度渐变且上宽下窄的结构，其中，上、下的位置关系可以参考光提取层02与衬底基板01的位置关系，光提取层02在衬底基板01之上且衬底基板01在光提取层02之下。

第二部分212包括倾斜的第二侧壁2120，第二部分212中与靠近其的外围结构22接触且倾斜的表面可以视为第二部分212的第二侧壁2120。由第二侧壁2120靠近衬底基板01的一端指向远离衬底基板01的一端的方向上，第二侧壁2120向靠近第一轴Z1的方向延伸。则第二部分212中被第二侧壁2120所围绕的部分为宽度渐变且上窄下宽的结构。

本申请实施例提供的显示面板001所包括的光提取结构21中，靠近衬底基板01的第一部分211的至少部分侧壁向远离第一轴Z1的方向倾斜且远离衬底基板01的第二部分212的至少部分侧壁向靠近第一轴Z1的方向倾斜。

图2为本申请实施例所提供的一种显示面板中光提取结构的效果示意图。

请结合图1与图2，由于光提取结构21中第一部分211的第一侧壁2110向远离第一轴Z1的方向倾斜，则当大角度光照射到光提取结构21的第一侧壁2110时，入射角度大于等于临界角的大角度光L1的光量较多，该些大角度光L1在第一侧壁2110处发生反射后变为角度更小的光L1’；入射角度小于临界角的大角度光L2入射至外围结构22时发生折射，该些大角度光L2也变为角度更小的光L2’。

在第一侧壁2110处经反射形成的光L1’及经折射后形成的光L2’中仍然会存在角度较大的光，该些角度较大的光L1’及L2’在传播过程中经过光提取结构21中第二部分212的第二侧壁2120时发生折射，形成角度更小的光。则本申请实施例所提供的显示面板001中的光提取结构21可以将更多的大角度光转换为小角度光，具有更好的光提取效果，进而可以提升显示面板001的发光亮度。

需要说明的是，第一部分211的第一侧壁2110向远离第一轴Z1的方向倾斜，第一侧壁2110远离衬底基板01一端到第一轴Z1的距离大于第一侧壁2110靠近衬底基板01一端到第一轴Z1的距离。第二部分212的第二侧壁2120向第一轴Z1的方向倾斜，第二侧壁2120远离衬底基板01一端到第一轴Z1的距离小于第二侧壁2120靠近衬底基板01一端到第一轴Z1的距离。

此外，外围结构22围绕光提取结构21且相邻光提取结构21之间无连接，即本申请实施例提供的光提取结构21为孤岛结构。由于光提取结构21的折射率较高，将其设置为孤岛结构，则相邻光提取结构21之间不包括折射率较高的结构，可以减小折射率较高的膜层对显示面板001外界的光线的反射，提高显示面板的分辨率及显示效果。

图3为本申请实施例提供的一种显示面板的示意图。

可选的，如图3所示，光提取结构21也可以是整面设置的结构，各个光提取结构之间通过连接结构20组成整面设置，其中，连接结构20的材料可以与第二部分212的材料相同。

由于光提取结构21由正投影面积不同的第一部分211和第二部分212构成，则光提取结构21外围的外围结构22可以包括围绕第一部分211的部分221和围绕第二部分212的部分222。其中，外围结构22所包括的部分221与部分222可以为材料相同且一体制备的结构，也可以为材料不同且分层制备的结构。

图4为本申请实施例提供的一种显示面板的示意图。

如图4所示，本申请实施例所提供的显示面板001还包括发光器件层03，发光器件层03位于光提取层02与衬底基板01之间，即光提取层02可以设置在发光器件层03远离衬底基板01的一侧。发光器件层03包括多个发光器件30且光提取结构21在衬底基板01上的正投影与发光器件30在衬底基板01上的正投影交叠，则光提取结构21可以对与其交叠的发光器件30所发射的光进行提取。

正投影交叠的发光器件30与光提取结构21中，第二部分212在衬底基板01上的正投影面积大于发光器件30在衬底基板01上的正投影面积，以使光提取结构21中面积更大的第二部分212可以完全覆盖发光器件30，从而使光提取结构21能够尽可能多的提取发光器件30所发射的光线，则更多的光线可以从发光器件30对应的正视角方向出射。

其中，发光器件30可以为有机发光二极管(OLED)，也可以为微型发光二极管(Micro-LED)、次毫米发光二极管(Mini-LED)中的至少一者。

此外，正投影交叠的发光器件30与光提取结构21中，第一部分211在衬底基板01上的正投影面积大于等于发光器件30在衬底基板01上的正投影面积，以保证发光器件30所发射的光线尽可能多地到达光提取结构21。

在本申请的一些实施例中，如图4所示，第二侧壁2120在衬底基板01上的正投影与发光器件30在衬底基板01上的正投影无交叠，可以理解为，在正投影交叠的光提取结构21与发光器件30中，第二侧壁2120在衬底基板01上的正投影位于发光器件30在衬底基板01上的正投影的外围。则避免第二侧壁2120改变可以从发光器件30正视角下出射的小角度光线的光路，保证发光器件30正视角下的出光量。

此外，第一侧壁2110在衬底基板01上的正投影与发光器件30在衬底基板01上的正投影无交叠，可以理解为，在正投影交叠的光提取结构21与发光器件30中，第一侧壁2110在衬底基板01上的正投影位于发光器件30在衬底基板01上的正投影的外围。则可以避免第一侧壁2110改变可以从发光器件30正视角下出射的小角度光线的光路，保证发光器件30正视角下的出光量。

本申请实施例所提供的显示面板001中还可以包括像素电路层04，像素电路层04中包括多个像素电路40，像素电路40与发光器件30电连接且可以为发光器件30提供发光驱动电流。

图5为本申请实施例提供的一种显示面板的示意图。

如图5所示，发光器件层03所包括的多个发光器件30中包括第一发光器件30a和第二发光器件30b，对应地，光提取层02所包括的多个光提取结构21中包括第一光提取结构21a和第二光提取结构21b。其中，第一光提取结构21a在衬底基板01上的正投影与第一发光器件30a在衬底基板01上的正投影交叠，且第二光提取结构21b在衬底基板01上的正投影与第二发光器件30b在衬底基板01上的正投影交叠。则第一光提取结构21a用于提取第一发光器件30a所发射的光线，第二光提取结构21b用于提取第二发光器件30b所发射的光线。

第一光提取结构21a在衬底基板01上正投影的边缘与第一发光器件30a在衬底基板01上正投影的边缘之间的距离为d1，第二光提取结构21b在衬底基板01上正投影的边缘与第二发光器件30b在衬底基板01上正投影的边缘之间的距离为d2。也就是，第一光提取结构21a中的第二部分212在衬底基板01上正投影的边缘与第一发光器件30a在衬底基板01上正投影的边缘之间的距离为d1，第二光提取结构21b中的第二部分212在衬底基板01上正投影的边缘与第二发光器件30b在衬底基板01上正投影的边缘之间的距离为d2。

在本申请的一些实施例中，沿垂直于衬底基板01的方向，第一光提取结构21a中第二侧壁2120远离第一部分211的一端与第一部分211远离第二部分212的一端之间的距离为h1，第二光提取结构21b中第二侧壁2120远离第一部分211的一端与第一部分211远离第二部分212的一端之间的距离为h2，可以理解的是，本实施中的距离为垂直于衬底基板01方向上的距离。

其中，d1＞d2，且h1＞h2。即，光提取结构21在平行于衬底基板01的方向上突出于其所交叠的发光器件30越多，则光提取结构21中的第二侧壁2120的顶端在垂直于衬底基板01方向上距离第一部分211越远。

如图5所示，当第一光提取结构21a在平行于衬底基板01的方向上突出于其所交叠的发光器件30较多，发光器件30所发射的大角度光线到达第一光提取结构21a的第一侧壁2110被反射或者折射后向第二部分212传播，该些光线到达第一光提取结构21a的第二部分212的侧壁时所经过的路径在平行于衬底基板01方向上的分量也就越多。通过将第一光提取结构21a的第二侧壁2120的顶端在垂直于衬底基板01的方向上距离第一部分211的底面设置的较远，则在第一光提取结构21a的第一侧壁2110处被反射或者折射后的较多的光线会被第一光提取结构21a的第二侧壁2120所捕获到，否则在第一光提取结构21a的第一侧壁2110处被反射或者折射后的较多的光线会由第二侧壁2120上方射出而不经过第二侧壁2120。

图6为本申请实施例提供的一种显示面板的示意图。

在本申请的一些实施例中，沿垂直于衬底基板01的方向，第一光提取结构21a中第二侧壁2120靠近第一部分211的一端与第一部分211远离第二部分212的一端之间的距离为h1’，第二光提取结构21b中第二侧壁2120靠近第一部分211的一端与第一部分211远离第二部分212的一端之间的距离为h2’。可以理解的，本实施例中的距离为垂直衬底基板01方向上的距离。

其中，d1＞d2，且h1’＞h2’。即，光提取结构21在平行于衬底基板01的方向上突出于其所交叠的发光器件30越多，则光提取结构21中的第二侧壁2120的底端在垂直于衬底基板01方向上距离第一部分211越远。

如图6所示，当第一光提取结构21a在平行于衬底基板01的方向上突出于其所交叠的发光器件30较多，发光器件30所发射的大角度光线到达第一光提取结构21a的第一侧壁2110被反射或者折射后向第二部分212传播，该些光线到达第一光提取结构21a的第二部分212的侧壁时所经过的路径在平行于衬底基板01方向上的分量也就越多。通过将第一光提取结构21a的第二侧壁2120的底端在垂直于衬底基板01的方向上距离第一部分211设置的较远，则在第一光提取结构21a的第一侧壁2110处被反射或者折射后的较多的光线会被第一光提取结构21a的第二侧壁2120所捕获到。

图7为本申请实施例提供的一种显示面板的示意图。

在本申请的一些实施例中，d1＞d2，且h1＞h2、h1’＞h2’。

即，光提取结构21在平行于衬底基板01的方向上突出于其所交叠的发光器件30越多，则光提取结构21中的第二侧壁2120的底端在垂直于衬底基板01方向上距离第一部分211越近且光提取结构21中的第二侧壁2120的顶端在垂直于衬底基板01方向上距离第一部分211越远。则保证了第一发光器件30a发射的尽量多的大角度光线在第一光提取结构21a的第一侧壁2110反射或者折射后还能经过第二侧壁2120。

且，光提取结构21在平行于衬底基板01的方向上突出于其所交叠的发光器件30越多，则光提取结构21中的第二侧壁2120的顶端在垂直于衬底基板01方向上距离第一部分211越远且光提取结构21中的第二侧壁2120的底端在垂直于衬底基板01方向上距离第一部分211越远。则保证了第一发光器件30a发射的尽量多的大角度光线在第一光提取结构21a的第一侧壁2110反射或者折射后还能经过第二侧壁2120；且使得第一光提取结构21a中的第二部分212中倾斜的侧壁不会太长，避免第二部分212在平行于衬底基板01方向上的宽度过大引起显示面板001对外界光线反射率增加的问题。

第一光提取结构21a在衬底基板01上正投影的边缘中的不同点与第一发光器件30a在衬底基板01上正投影的边缘之间的最小距离可以相等，也可以不相等。当第一光提取结构21a在衬底基板01上正投影的边缘中存在与第一发光器件30a在衬底基板01上正投影的边缘之间的最小距离不相等的点时，第一光提取结构21a在衬底基板01上正投影的边缘与第一发光器件30a在衬底基板01上正投影的边缘之间的距离d1是指，第一光提取结构21a在衬底基板01上正投影的边缘中与第一发光器件30a在衬底基板01上正投影的边缘之间等距离最多的那些点所对应的距离，或者是指，第一光提取结构21a在衬底基板01上正投影的边缘中所有点与第一发光器件30a在衬底基板01上正投影的边缘之间距离的平均值。

第二光提取结构21b在衬底基板01上正投影的边缘中的不同点与第二发光器件30b在衬底基板01上正投影的边缘之间的最小距离可以相等，也可以不相等。当第二光提取结构21b在衬底基板01上正投影的边缘中存在与第二发光器件30b在衬底基板01上正投影的边缘之间的最小距离不相等的点时，第二光提取结构21b在衬底基板01上正投影的边缘与第二发光器件30b在衬底基板01上正投影的边缘之间的距离d2是指，第二光提取结构21b在衬底基板01上正投影的边缘中与第二发光器件30b在衬底基板01上正投影的边缘之间等距离最多的那些点所对应的距离，或者是指，第二光提取结构21b在衬底基板01上正投影的边缘中所有点与第二发光器件30b在衬底基板01上正投影的边缘之间距离的平均值。

图8为本申请实施例提供的一种显示面板的示意图。

如图8所示，发光器件层03所包括的多个发光器件30中包括第三发光器件30c和第四发光器件30d且第三发光器件30c的发光面积大于第四发光器件30d的发光面积，对应地，光提取层02所包括的多个光提取结构21中包括第三光提取结构21c和第四光提取结构21d。其中，第三光提取结构21c在衬底基板01上的正投影与第三发光器件30c在衬底基板01上的正投影交叠，且第四光提取结构21d在衬底基板01上的正投影与第四发光器件30d在衬底基板01上的正投影交叠。则第三光提取结构21c用于提取第三发光器件30c所发射的光线，第四光提取结构21d用于提取第四发光器件30d所发射的光线。

在一个实施例中，如图8所示，第三光提取结构21c所包括的第一侧壁2110及第二侧壁2120在衬底基板01上的正投影中，第一侧壁2110的正投影中远离第二侧壁2120正投影的一端与第二侧壁2120的正投影中远离第一侧壁2110正投影的一端之间的距离为d3。可以理解为，第三光提取结构21c中包含倾斜的侧壁的部分在衬底基板01上的正投影的宽度为d3。

第四光提取结构21d所包括的第一侧壁2110及第二侧壁2120在衬底基板01上的正投影中，第一侧壁2110的正投影中远离第二侧壁2120正投影的一端与第二侧壁2120的正投影中远离第一侧壁2110正投影的一端之间的距离为d4。可以理解为，第四光提取结构21d中包含倾斜的侧壁的部分在衬底基板01上的正投影的宽度为d4。

其中，d3≤d4。即发光面积越大的发光器件30上方的光提取结构21中，在平行于衬底基板01的方向上，第一侧壁2110远离第二侧壁2120的一端与第二侧壁2120远离第一侧壁2110的一端之间的距离越小。

若发光面积不同的发光器件30上方的光提取结构21采用完全一致的设计，则发光面积小的发光器件30所对应的光提取结构21的光提取效果会大于发光面积大的发光器件30所对应的光提取结构21的光提取效果。这是因为，发光面积小的发光器件30所发射的大角度光会更加集中地被其上方的光提取结构21所捕获并转换为小角度光。

通过将发光面积大的发光器件30对应的光提取结构21中主要实现光提取功能的包含倾斜侧壁的部分设计地更窄一些，则可以更多地捕获到大角度光，也就是提升了光提取结构21对发光面积大的发光器件30所发射光的提取效果，进而均衡不同发光面积的发光器件30所对应的子像素的亮度。

例如，当蓝色发光器件30的发光面积大于绿色发光器件30的发光面积，且绿色发光器件30的发光面积大于红色发光器件30的发光面积时，则在平行于衬底基板01的方向上，蓝色发光器件30对应的光提取结构21的第一侧壁2110远离第二侧壁2120的一端与第二侧壁2120远离第一侧壁2110的一端之间的距离小于绿色发光器件30对应的光提取结构21的第一侧壁2110远离第二侧壁2120的一端与第二侧壁2120远离第一侧壁2110的一端之间的距离，且绿色发光器件30对应的光提取结构21的第一侧壁2110远离第二侧壁2120的一端与第二侧壁2120远离第一侧壁2110的一端之间的距离小于红色发光器件30对应的光提取结构21的第一侧壁2110远离第二侧壁2120的一端与第二侧壁2120远离第一侧壁2110的一端之间的距离。

假设第一侧壁2110在衬底基板01上的正投影远离第二侧壁2120在衬底基板01上的正投影的边缘为第一边缘，第二侧壁2120在衬底基板01上的正投影远离第一侧壁2110在衬底基板01上的正投影的边缘为第二边缘。

则，在第三光提取结构21c的正投影中，第一边缘中的不同点与第二边缘之间的最小距离可以相等，也可以不相等。当第三光提取结构21c的第一边缘中存在与第二边缘之间的最小距离不相等的点时，第一侧壁2110的正投影中远离第二侧壁2120正投影的一端与第二侧壁2120的正投影中远离第一侧壁2110正投影的一端之间的距离为d3是指，第三光提取结构21c的第一边缘中与第二边缘之间等距离最多的那些点所对应的距离，或者是指，第三光提取结构21c的第一边缘中所有点与第二边缘之间距离的平均值。

则，在第四光提取结构21d的正投影中，第一边缘中的不同点与第二边缘之间的最小距离可以相等，也可以不相等。当第四光提取结构21d的第一边缘中存在与第二边缘之间的最小距离不相等的点时，第一侧壁2110的正投影中远离第二侧壁2120正投影的一端与第二侧壁2120的正投影中远离第一侧壁2110正投影的一端之间的距离为d4是指，第四光提取结构21d的第一边缘中与第二边缘之间等距离最多的那些点所对应的距离，或者是指，第四光提取结构21d的第一边缘中所有点与第二边缘之间距离的平均值。

图9为本申请实施例提供的一种显示面板的示意图，图10为本申请实施例提供的一种显示面板的示意图。

在一个实施例中，如图9及图10所示，光提取结构21的第二侧壁2120中曲率变化的侧壁为第一子侧壁，不同发光面积的发光器件30所分别对应第一子侧壁的切面与第一轴Z1的最小夹角可以不同。

需要说明的是，第一子侧壁为曲面，不同第二侧壁2120中的第一子侧壁的切面与第一轴Z1的最小夹角可以存在差异化。

如图9及图10所示，第三光提取结构21c的第二侧壁2120中的第一子侧壁的切面与第一轴Z1的最小夹角为θ1，第四光提取结构21d的第二侧壁2120中的第一子侧壁的切面与第一轴Z1的最小夹角为θ2。由于第三发光器件30c与第四发光器件30d的发光面积不同，则θ1与θ2不同。

在本实施例对应的一个技术方案中，如图9所示，当θ1小于预设值且θ2小于预设值时，θ1＞θ2。即当第三光提取结构21c的第二侧壁2120中第一子侧壁的切面与第一轴Z1的最小夹角及第四光提取结构21d的第二侧壁2120中第一子侧壁与第一轴Z1的最小夹角均小于预设值时，第三光提取结构21c的第二侧壁2120中第一子侧壁的切面与第一轴Z1的最小夹角大于第四光提取结构21d的第二侧壁2120中第一子侧壁的切面与第一轴Z1的最小夹角。其中，预设值可以为35°。

在本技术方案中，发光面积越大的发光器件30上方的光提取结构21的第二侧壁2120中曲率变化的第一子侧壁的切面与第一轴Z1之间的最小夹角越大。

例如，当蓝色发光器件30的发光面积大于绿色发光器件30的发光面积，且绿色发光器件30的发光面积大于红色发光器件30的发光面积时，蓝色发光器件30对应的光提取结构21的第二侧壁2120中第一子侧壁的切面与第一轴Z1之间的最小夹角小于预设值、绿色发光器件30对应的光提取结构21的第二侧壁2120中第一子侧壁的切面与第一轴Z1之间的最小夹角小于预设值、红色发光器件30对应的光提取结构21的第二侧壁2120中第一子侧壁的切面与第一轴Z1之间的最小夹角小于预设值，则蓝色发光器件30对应的光提取结构21的第二侧壁2120中第一子侧壁的切面与第一轴Z1之间的最小夹角大于绿色发光器件30对应的光提取结构21的第二侧壁2120中第一子侧壁的切面与第一轴Z1之间的最小夹角，绿色发光器件30对应的光提取结构21的第二侧壁2120中第一子侧壁的切面第一轴Z1之间的最小夹角大于红色发光器件30对应的光提取结构21的第二侧壁2120中第一子侧壁切面与第一轴Z1之间的最小夹角。

在本实施例对应的一个技术方案中，如图10所示，当θ1小于预设值且θ2大于预设值时，θ1＜θ2。即当第三光提取结构21c的第二侧壁中第一子侧壁的切面与第一轴Z1之间的最小夹角及第四光提取结构的第二侧壁中第一子侧壁的切面与第一轴Z1之间的最小夹角均大于预设值时，第三光提取结构21c的第二侧壁中第一子侧壁的切面与第一轴Z1之间的最小夹角小于第四光提取结构的第二侧壁中第一子侧壁的切面与第一轴Z1之间的最小夹角。其中，预设值为35°。

在本技术方案中，发光面积越大的发光器件30上方的光提取结构21的第二侧壁2120中第一子侧壁的切面与第一轴Z1之间的最小夹角越小。

例如，当蓝色发光器件30的发光面积大于绿色发光器件30的发光面积，且绿色发光器件30的发光面积大于红色发光器件30的发光面积时，蓝色发光器件30对应的光提取结构21的第二侧壁2120中第一子侧壁的切面与第一轴Z1之间的最小夹角大于预设值、绿色发光器件30对应的光提取结构21的第二侧壁2120中第一子侧壁的切面与第一轴Z1之间的最小夹角大于预设值、红色发光器件30对应的光提取结构21的第二侧壁2120中第一子侧壁的切面与第一轴Z1之间的最小夹角大于预设值，则蓝色发光器件30对应的光提取结构21的第二侧壁2120中第一子侧壁的切面与第一轴Z1之间的最小夹角小于绿色发光器件30对应的光提取结构21的第二侧壁2120中第一子侧壁的切面与第一轴Z1之间的最小夹角，绿色发光器件30对应的光提取结构21的第二侧壁2120中第一子侧壁的切面与第一轴Z1之间的最小夹角小于红色发光器件30对应的光提取结构21的第二侧壁2120中第一子侧壁的切面与第一轴Z1之间的最小夹角。

发明人经过试验验证发现，在其他参数相同的情况下，光提取结构21的第二侧壁2120中第一子侧壁的切面与第一轴Z1之间的最小夹角大小与光提取能力并不是正相关或负相关的关系，当光提取结构21的第二侧壁2120中第一子侧壁的切面与第一轴Z1之间的最小夹角小于预设值，光提取结构21的第二侧壁2120中第一子侧壁的切面与第一轴Z1之间的最小夹角越大，则光提取结构21的光提取能力越强；当光提取结构21的第二侧壁2120中第一子侧壁的切面与第一轴Z1之间的最小夹角大于预设值，光提取结构21的第二侧壁2120中第一子侧壁的切面与第一轴Z1之间的最小夹角越小，则光提取结构21的光提取能力越强。

此外，当发光效率越低的发光器件30的发光面积越大。因此，本申请实施例将具备不同发光面积的发光器件30上方的光提取结构21的第二侧壁2120中第一子侧壁的切面与第一轴Z1之间的最小夹角设置为不同，可以有效平衡不同发光面积的发光器件30所对应的子像素的发光亮度。

图11为本申请实施例提供的一种显示面板中的光提取结构的示意图。

在一些实施例中，至少部分光提取结构21中的第二部分212包括第三侧壁2120’，如图11所示，第三侧壁2120’位于第二侧壁2120靠近第一侧壁2110的一端且第三侧壁2120’与第一轴Z1平行。即至少光提取结构21的第一侧壁2110与第二侧壁2120之间包括竖直的第三侧壁2120’。

通过设置第三侧壁2120’，可以调节第二侧壁2120的底端及顶端与第一侧壁2110之间在垂直于衬底基板01方向上的距离，且使得第二侧壁2120的顶端与第一侧壁2110之间在垂直于衬底基板01方向上的距离增加时，光提取结构21的第二部分212在平行于衬底基板01方向上相对于第一部分211外扩的部分的面积不会过度增加。

本实施例所提供的光提取结构21的结构方案可以应用于图5-图7所对应的任意场景中。

图12为本申请实施例提供的一种显示面板中光提取结构的示意图，图13为本申请实施例提供的一种显示面板中光提取结构的示意图，图14为本申请实施例提供的一种显示面板中光提取结构的示意图。

如图11-图14所示，光提取结构21中第一部分211的第一侧壁2110为平面结构，和/或，光提取结构21中第二部分212的第二侧壁2120为平面结构。

如图11-图14所示，光提取结构21中第一部分211的第一侧壁2110为曲面结构且第一侧壁2110向远离外围结构22的方向凸起，和/或，光提取结构21中第二部分212的第二侧壁2120为曲面结构且第二侧壁2120朝向外围结构22的方向凸起。

在一些实施例中，如图11所示，光提取结构21的第一部分211中，第一侧壁2110为向远离外围结构22的方向凸起的曲面结构；光提取结构21的第二部分212中，第二侧壁2120为朝向外围结构22的方向凸起的曲面结构。

在一些实施例中，如图12所示，光提取结构21的第一部分211中，第一侧壁2110为平面结构；光提取结构21的第二部分212中，第二侧壁2120为平面结构。

在一些实施例中，如图13所示，光提取结构21的第一部分211中，第一侧壁2110为向远离外围结构22的方向凸起的曲面结构；光提取结构21的第二部分212中，第二侧壁2120为平面结构。

在一些实施例中，如图14所示，光提取结构21的第一部分211中，第一侧壁2110为平面结构；光提取结构21的第二部分212中，第二侧壁2120为朝向外围结构22的方向凸起的曲面结构。

在一些实施例中，同一光提取结构21中，第一侧壁2110相对于第一轴Z1延伸方向的倾斜程度小于第二侧壁2120相对于第一轴Z1的延伸方向的倾斜程度。第一侧壁2110可以接收到更多由发光器件30所发射且由第一侧壁2110的侧面入射过来的光线，也就是第一侧壁2110可以将更多的大角度光转换为角度更小的光；第二侧壁2120可以接收到更多经过第一侧壁2110后改变了光路且由第二侧壁2120的下面入射过来的光线，也就是第二侧壁2120进一步修正更多出射光线的角度。

图15为本申请实施例提供的一种显示面板中光提取结构的示意图。

如图15所示，第一侧壁2110与第一轴Z1的延伸方向之间的夹角为α1，第二侧壁2120与第一轴Z1的延伸方向之间的夹角为β1，则同一光提取结构21中，α1＜β1。

图16为本申请实施例提供的一种显示面板中光提取结构的示意图。

如图16所示，当第一侧壁2110为向远离外围结构22的方向凸起的曲面结构时，第一侧壁2110与第一轴Z1的延伸方向之间的夹角α1可以为第一侧壁2110中的第二子侧壁的切面与第一轴Z1之间的最小夹角。第二子侧壁为第一侧壁中曲率变化的部分。

如图16所示，当第二侧壁2120为朝向外围结构22的方向凸起的曲面结构时，第二侧壁2120与第一轴Z1的延伸方向之间的夹角β1可以为第二侧壁2120中的第一子侧壁的切面与第一轴Z1之间的最小夹角。第一子侧壁为所述第二侧壁中曲率变化的部分。

则第一侧壁2110及第二侧壁2120均为曲面结构时，同一光提取结构21中，α1＜β1，即，第一侧壁2110中第二子侧壁的切面与第一轴Z1之间的最小夹角小于第二侧壁2120中第一子侧壁的切面与第一轴Z1之间的最小夹角。

则第一侧壁2110为曲面结构且第二侧壁2120为平面结构时，同一光提取结构21中，α1＜β1，即，第一侧壁2110与第一轴Z1之间的最小夹角小于第二侧壁2120与第一轴Z1之间的夹角。

则第一侧壁2110为平面结构且第二侧壁2120为曲面结构时，同一光提取结构21中，α1＜β1，即，第一侧壁2110中第二子侧壁的切面与第一轴Z1之间的夹角小于第二侧壁2120中第一子侧壁的切面与第一轴Z1之间的最小夹角。

在本实施例对应的一些技术方案中，15°≤α1≤45°，即第一侧壁2110与第一轴Z1之间的夹角大于等于15°且小于等于45°。

当第一侧壁2110为向远离外围结构22的方向凸起的曲面结构时，第一侧壁2110中的第二子侧壁的切面与第一轴Z1之间的最小夹角大于等于15°且小于等于45°。

在一些实现方式中，35°≤α1≤45°。

在本实施例对应的一些技术方案中，35°≤β1≤55°，即第二侧壁2120与第一轴Z1之间的夹角大于等于35°且小于等于55°。

当第二侧壁2120为朝向外围结构22的方向凸起的曲面结构时，第二侧壁2120中的第一子侧壁的切面与所述第一轴Z1之间的夹角大于等于35°且小于等于55°。

在一些实现方式中，45°≤α1≤55°。

在本申请的一些实施例中，如图16所示，当光提取结构21中第一部分211的第一侧壁2110与第二部分212的第二侧壁2120均为曲面结构时，第一侧壁2110中第二子侧壁向远离外围结构22的方向凸起的曲率小于第二侧壁2120中第一子侧壁向外围结构22的方向凸起的曲率。

若第一侧壁2110不同位置处的曲率相同且第二侧壁2120不同位置处的曲率相同，则第一侧壁2110的曲率小于第二侧壁2120的曲率。

图17为本申请实施例提供的一种显示面板中光提取结构的示意图。

如图17所示，同一光提取结构21中，第一侧壁2110在衬底基板01上正投影的宽度K1大于第二侧壁2120在衬底基板01上正投影的宽度K2。在光提取结构21中，更靠近发光器件30的第一部分211相对于第二部分212会接收到更多的大角度光线，通过将第一部分211中的第一侧壁2110在平行于衬底基板01方向上的宽度设置的更宽可以捕获更多的大角度光并转换为小角度光。通过将第二部分212中的第二侧壁2120平行于衬底基板01方向上的宽度设置的更窄，则第二部分212的面积也就更小，即折射率更高的光提取结构21的面积也就更小，进一步减小光提取结构21对外界光的反射。

图18为本申请实施例提供的一种显示面板中光提取结构的示意图。

在本申请的一些实施例中，如图18所示，同一光提取结构21中，第一侧壁2110在衬底基板01上的正投影与第二侧壁2120在衬底基板01上的正投影之间的距离大于0。即沿垂直于衬底基板01的方向，第二侧壁2120与第一侧壁2110无交叠。

则发光器件30所发射的大角度光经第一侧壁2110位置处反射或者折射后向显示面板001出光面一侧传输的光线中，朝向发光器件30所在区域的光线不再经过第二侧壁2120，但是该部分光线基本以小角度由显示面板001的出光面一侧射出；而远离发光器件30所在区域传输的光线可以经过第二侧壁2120，且在第二侧壁2120所在位置经过折射转换为小角度光。在本实施例中，第二侧壁2120无需捕获过多数量的光线并将其转换为小角度光，因此，第二侧壁2120的延伸长度可以设计的较小，则光提取结构21的宽度可以设计的较小，利于减小显示面板001的反射率。

在本实施例对应的一些技术方案中，如图18所示，至少部分光提取结构21中，同一光提取结构21所包括的第一侧壁2110在衬底基板01上的正投影与第二侧壁2120在衬底基板01上的正投影之间的距离在不同位置处均相等。可以理解为，在至少部分光提取结构21中，同一光提取结构21所包括的第一侧壁2110与第二侧壁2120在平行于衬底基板01的方向上等间距。

如图18所示，第一侧壁2110在衬底基板01上的正投影与第二侧壁2120在衬底基板01上的正投影之间的距离始终为数值一定的距离d，且d＞0。

需要说明的是，以上及以下实施例中，第一侧壁2110在衬底基板01上的正投影与第二侧壁2120在衬底基板01上的正投影之间的距离是指，第一侧壁2110在衬底基板01上的正投影中靠近第二侧壁2120在衬底基板01上的正投影的边缘与第二侧壁2120在衬底基板01上的正投影中靠近第一侧壁2110在衬底基板01上的正投影的边缘之间的距离。

图19为本申请实施例提供的一种显示面板中光提取结构的示意图，图20为本申请实施例提供的一种显示面板中光提取结构的示意图。

在本申请的一些实施例中，如图19及图20所示，至少部分光提取结构21中，同一光提取结构21所包括的第一侧壁2110在衬底基板01上的正投影与第二侧壁2120在衬底基板01上的正投影之间的距离包括距离d5和距离d6，d5＞d6。即在至少部分光提取结构21中，同一光提取结构21所包括的第一侧壁2110与第二侧壁2120在平行于衬底基板01的方向上不等距离。

通过将第二侧壁2120在至少两个方向上突出于第一侧壁2110的宽度设置为不同，可以发光器件30所发射的光线在该至少两个方向上出射的光量不同。

本实施例对应的一些技术方案，如图19所示，至少部分光提取结构21中，同一光提取结构21所包括的第一侧壁2110在衬底基板01上的正投影与第二侧壁2120在衬底基板01上的正投影之间的距离大于0，即同一光提取结构21所包括的第一侧壁2110与第二侧壁2120在垂直于衬底基板01方向上无交叠，则d5＞d6＞0。

本实施例对应的一些技术方案，如图20所示，至少部分光提取结构21中，同一光提取结构21所包括的第一侧壁2110在衬底基板01上的正投影与第二侧壁2120在衬底基板01上的正投影之间的部分距离大于0且部分距离小于0，即同一光提取结构21所包括的第一侧壁2110的部分区域与第二侧壁2120在垂直于衬底基板01方向上无交叠且第一侧壁2110的部分区域与第二侧壁2120在垂直于衬底基板01方向上有交叠，则d5＞0＞d6。

图21为本申请实施例提供的一种显示面板的示意图。

如图21所示，显示面板001包括第一显示区A1和第二显示区A2，第二显示区A2可以至少部分围绕第一显示区A1。第一显示区A1的透光率大于第二显示区A2的透光率，即第一显示区A1对外界光的透过率大于第二显示区A2对外界光的透过率。其中，第一显示区A1所在的区域可以外置光学器件，例如光学传感器等。

为了实现第一显示区A1具有较高透光率，则第一显示区A1内所设置的发光器件30的密度可以小于第二显示区A2内所设置的发光器件30的密度。这就导致第一显示区A1与第二显示区A2的显示效果存在差异，主要表现为，第一显示区A1对外界环境光的反射率可能大于第二显示区A2对外界光的反射率，且第一显示区A1的发光亮度小于第二显示区A2的发光亮度。可以通过上述任意实施例所提供的光提取结构21的设计来减缓第一显示区A1与第二显示区A2的显示效果差异。

图22为图21沿M1-M2方向的剖面示意图。

在一些实施例中，如图22所示，设置在第一显示区A1的光提取结构21所包括的第一侧壁2110及第二侧壁2120在衬底基板01上的正投影中，第一侧壁2110的正投影中远离第二侧壁2120的正投影的一端与第二侧壁2120的正投影中远离第一侧壁2110的正投影的一端之间的距离为第一距离W1。

在该些实施例中，如图22所示，设置在第二显示区的光提取结构21所包括的第一侧壁2110及第二侧壁2120在衬底基板01上的正投影中，第一侧壁2110的正投影中远离第二侧壁2120的正投影的一端与第二侧壁2120的正投影中远离第一侧壁2110的正投影的一端之间的距离为第二距离W2。

其中，第一距离小于等于第二距离，即W1≤W2。

在本实施例中，第一显示区A1内所设置的光提取结构21的第二部分212突出于第一部分211的宽度小于第二显示区A2内所设置的光提取结构21的第二部分212突出于第一部分211的宽度，则可以理解为第一显示区A1中的光提取结构21的面积小于第二显示区A2中的光提取结构21的面积，因此可以减小第一显示区A1与第二显示区A2对外界光的反射差异；此外，第一显示区A1内第二部分212突出于第一部分211的宽度较小也可以增加第二侧壁2120将接收到的来自第一侧壁2110处的光线，进而增加第一显示区A1内光提取结构21的光提取效果，提高第一显示区A1的显示亮度。

进一步地，第一距离大于等于2μm且小于等于3μm，且第二距离大于等于3μm且小于等于4μm，即2μm≤W1≤3μm且3μm≤W2≤4μm。

图23为本申请实施例提供的一种显示面板的示意图。

如图23所示，显示面板001包括第三显示区A3和第四显示区A4，第三显示区A3的曲率大于第四显示区A4的曲率，即显示面板001可以包括曲面显示区域。其中，第三显示区A3可以位于第四显示区A4的外围，通过将第三显示区A3的曲率设置的较大，可以适当隐藏显示面板001中与第三显示区A3相邻的非显示区，而第四显示区A4可以为显示面板001中的平面显示区域。

当显示面板001中的第三显示区A3与第四显示区A4的曲率不同时，第三显示区A3与第四显示区A4中所设置的发光器件30发射的光线相对于人眼的角度相差较大。例如，人眼在正视第四显示区A4时，第三显示区A3内的发光器件30所发射的可以传输到人眼的光线基本为大角度光。而大角度光相对小角度光在传输过程中衰减更多，因此在显示时，第三显示区A3相对于第四显示区A4的亮度衰减明显。

图24为图23沿N1-N2方向的剖面示意图。

如图24所示，设置在第三显示区A3的光提取结构21所包括的第一侧壁2110及第二侧壁2120在衬底基板01上的正投影中，第一侧壁2110的正投影中远离第二侧壁2120的正投影的一端与第二侧壁2120的正投影中远离第一侧壁2110的正投影的一端之间的最小距离为第三距离W3。

设置在第四显示区A4的光提取结构21所包括的第一侧壁2110及第二侧壁2120在衬底基板01上的正投影中，第一侧壁2110的正投影中远离第二侧壁2120的正投影的一端与第二侧壁2120的正投影中远离第一侧壁2110的正投影的一端之间的最小距离为第四距离W4。

其中，第三距离大于等于第四距离，即W3≥W4。

在本实施例中，第三显示区A3内所设置的光提取结构21的第二侧壁2120延伸至更远离第一侧壁2110的区域，则第三显示区A3中的第二侧壁2120可以捕获到相对较少的大角度的光，也就是第三显示区A3中光提取结构21的光提取效果相对于第四显示区A4中光提取结构21的光提取效果。因此，第三显示区A3的显示亮度小于第四显示区A4的显示亮度，那么第三显示区A3中的亮度随着角度增加而衰减明显的问题会得以改善。

图25为本申请实施例提供的一种显示面板的示意图，图26为本申请实施例提供的一种显示面板的示意图。

如图25及图26所示，显示面板001还包括滤光层05，滤光层05中包括色阻50。沿显示面板001的厚度方向，滤光层05可以对发光器件30所发射的光进行过滤，提高出射光线的纯度。此外，滤光层05也可以对外界射入显示面板001的光进行过滤，减弱显示面板001对外界光的反射率。

滤光层05中还可以包括黑矩阵500，黑矩阵500位于相邻的色阻50之间，避免相邻发光器件30发射的光出现串扰。

在一些实施例中，如图25所示，滤光层05设置在光提取层02远离衬底基板01的一侧，且色阻50在衬底基板01上的正投影覆盖光提取结构21在衬底基板01上的正投影。即色阻50设置在光提取结构21朝向显示面板001的出光面一侧且覆盖光提取结构21。

在一些实施例中，如图26所示，滤光层05设置在光提取层02靠近衬底基板01的一侧，即滤光层05位于光提取层02与发光器件层03之间。此外，色阻50在衬底基板01上的正投影可以覆盖光提取结构21在衬底基板01上的正投影。

图27为本申请实施例提供的一种显示装置的示意图。

如图27所示，本申请实施例还提供了一种显示装置，包括如上述任意一个实施例提供的显示面板001。示例性的，显示装置可为手机、电脑、智能可穿戴设备(例如，智能手表)以及车载显示设备等电子设备，本发明实施例对此不作限定。

在本申请实施例中，由于光提取结构21中第一部分211的第一侧壁2110向远离第一轴Z1的方向倾斜，则入射至第一侧壁2110的大角度光会变为角度相对较小的光。而经过第一侧壁2110后角度变得相对较小的光中仍然会存在角度较大的光，该些角度较大的光及在传播过程中经过光提取结构21中第二部分212的第二侧壁2120时发生折射，形成角度更小的光。则本申请实施例所提供的显示面板001中的光提取结构21可以将更多的大角度光转换为小角度光，具有更好的光提取效果，进而可以提升显示面板001的发光亮度。

外围结构22围绕光提取结构21且相邻光提取结构21之间无连接，即本申请实施例提供的光提取结构21为孤岛结构。由于光提取结构21的折射率较高，将其设置为孤岛结构，则相邻光提取结构21之间不包括折射率较高的结构，可以减小折射率较高的膜层对显示面板001外界的光线的反射，提高显示面板001的分辨率及显示效果。

以上所述仅为本申请的较佳实施例而已，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请保护的范围之内。