一种有机电致发光器件及其制备方法、显示装置

技术领域

本发明涉及发光器件技术领域，尤其涉及一种有机电致发光器件及其制备方法、显示装置。

背景技术

随着材料科学与相关应用技术的发展，显示行业在近几十年内经历了数次更新迭代，从最初的阴极射线管(CRT)技术到液晶技术，再到如今的有机电致发光二极管(OLED)技术，显示性能得到了大幅度的改善。OLED是一种高品质的显示器件，其具有许多传统显示技术所不具备的优势，如驱动电压低、显示发光效率高、相应速度快、重量及厚度等方面更加轻薄、显示视角更广等，在手机、电脑、电视等各方面具有着越来越多的应用。在OLED器件中，空穴与电子分别通过阳极与阴极进行注入，经过空穴传输层与电子传输层进行传输，在发光层中复合形成激子，激子进一步激发有机发光材料实现发光。

OLED生产工艺目前主要可分为真空蒸镀法与溶液加工法两种，其中真空蒸镀法已较为成熟且成功实现了商业化的应用，但其存在着对设备与环境要求高(需要高真空度)、材料利用率低、难以制备大尺寸面板、精细掩膜成本高等亟需改进之处；溶液加工法相对比真空蒸镀法具有材料利用率高、设备与环境要求较低、适用于大面积加工制备的优点，是一种更具应用前景的生产工艺方法。OLED溶液加工法是指将有机电致发光器件所用的材料溶解到溶剂中，通过旋涂、刮涂或喷墨打印等方式，将材料逐层形成到基底与阳极上。现有器件工艺多数是将空穴注入层、空穴传输层与发光层通过溶液加工的方法制备，而空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层及阴极仍需通过真空蒸镀的方法进行制备。

由于有机电致发光器件中空穴传输层与发光层所用的有机材料通常都具有相似的溶解性，在器件制备过程中，空穴传输层与发光层界面处较易发生材料的混溶，形成混溶区域。这种混溶区域的存在会影响到有机电致发光器件的性能表现，尤其是当驱动器件时，激子若在混溶区域进行复合，其产生的激子-极化子猝灭现象可能会进一步导致有机材料的分解，缩短有机电致发光器件的寿命。

针对现有技术中产生的激子-极化子猝灭现象可能会进一步导致有机材料的分解缩短有机电致发光器件的寿命的缺陷，有必要对此进行改进。

发明内容

本发明提供了一种有机电致发光器件及其制备方法、显示装置，以解决现有技术中存在的缺陷。

第一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件，包括基底以及位于所述基底一侧且依次层叠设置的阳极层、空穴注入层、发光层、阻挡层、第一缓冲层、电子传输层、电子注入层和阴极层；

其中，所述第一缓冲层空穴传输能力大于电子传输能力，所述第一缓冲层的HOMO能级高于或等于所述阻挡层的HOMO能级，所述第一缓冲层的LUMO能级与所述电子传输层的LUMO能级差值小于或等于0.5eV；

所述发光层的材料包括主体材料与客体发光材料，所述主体材料为空穴传输型材料。

优选的是，所述的有机电致发光器件，所述主体材料的空穴传输能力大于电子传输能力，所述主体材料的三重态能级大于所述客体发光材料，所述主体材料的HOMO能级低于或等于所述客体发光材料的HOMO能级。

优选的是，所述的有机电致发光器件，所述阻挡层的材料为具有双极传输能力的材料，所述阻挡层的材料的三重态能级大于所述客体发光材料的三重态能级。

优选的是，所述的有机电致发光器件，还包括第二缓冲层，所述第二缓冲层位于所述第一缓冲层和所述电子传输层之间，所述第二缓冲层两侧分别与所述第一缓冲层和所述电子传输层相贴合；

所述第二缓冲层的HOMO能级位于所述第一缓冲层的HOMO能级和所述电子传输层的HOMO能级之间；

所述第二缓冲层的LUMO能级位于所述第一缓冲层的LUMO能级和所述电子传输层的LUMO能级之间；

和/或，还包括空穴传输层，所述空穴传输层位于所述空穴注入层和所述发光层之间，所述空穴传输层两侧分别与所述空穴注入层和所述发光层相贴合。

优选的是，所述的有机电致发光器件，所述客体发光材料为发射峰位大于510nm的有机发光材料，所述主体材料三重态能级大于或等于2.43eV。

优选的是，所述的有机电致发光器件，所述第一缓冲层的材料为CBP；

和/或，所述主体材料为mCPBC，所述客体发光材料为BN-G；

和/或，所述基底包括玻璃基底、硅基基底、聚合物基底中的任一种；

和/或，所述阳极层的材料包括导电金属、导电金属氧化物或石墨烯中的任一种；

和/或，所述空穴注入层的材料为PEDOT:PSS；

和/或，所述阻挡层的材料为DMFBD-TRz；

和/或，所述电子传输层的材料为TmPyPB；

和/或，所述电子注入层的材料为(8-羟基喹啉)锂；

其中，所述CBP的结构式为：

所述mCPBC的结构式为：

所述BN-G的结构式为：

所述DMFBD-TRz的结构式为：

所述TmPyPB的结构式为：

优选的是，所述的有机电致发光器件，所述空穴注入层的厚度为20～60nm；

和/或，所述阳极层的厚度为40～50nm；

和/或，所述空穴传输层的厚度为10～50nm；

和/或，所述发光层的厚度为20～70nm；

和/或，所述阻挡层的厚度为5～20nm；

和/或，所述第一缓冲层的厚度为5～10nm；

和/或，所述第二缓冲层的厚度为5～10nm；

和/或，所述电子传输层的厚度为20～50nm；

和/或，所述电子注入层的厚度为1～5nm；

和/或，所述阴极层的厚度为80～120nm。

第二方面，本发明还提供了一种所述的有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

提供基底；

在所述基底上依次制备阳极层、空穴注入层、发光层、阻挡层、第一缓冲层、电子传输层、电子注入层和阴极层。

优选的是，所述的有机电致发光器件的制备方法，利用旋涂法制备得到空穴注入层、发光层；

利用真空蒸镀法制备得到阻挡层、第一缓冲层、电子传输层和阴极层。

第三方面，本发明还提供了一种显示装置，包括所述的有机电致发光器件或所述的制备方法制备得到的有机电致发光器件。

本发明的相对于现有技术具有以下有益效果：

1、本发明的有机电致发光器件，通过在阻挡层与电子传输层之间设置第一缓冲层，第一缓冲层的空穴传输能力更强，再结合主体材料选用了空穴传输型材料，会使发光层中的激子复合区域远离发光层与空穴传输层的界面，并偏向于发光层与阻挡层的界面处，这样可以减少在空穴传输层与发光层的混溶区域发生激子-极化子猝灭现象，进而减少由此导致的材料的分解，提升有机电致发光器件的使用寿命；

2、本发明的有机电致发光器件，在发光层与电子传输层之间设置阻挡层，阻挡层的高三重态能级能避免发光层中产生的三重态能量逸散，提升有机电致发光器件发光效率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明其中一个实施例中有机电致发光器件的结构示意图；

图2为本发明另一个实施例中有机电致发光器件的结构示意图；

图3为本发明其中一个实施例中有机电致发光器件的结构示意图；

图4为实施例1中制备得到的有机电致发光器件在1000nit(尼特)亮度下的电致发射光谱图；

图5为对比例1中制备得到的有机电致发光器件在1000nit(尼特)亮度下的电致发射光谱图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施方式，对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施方式仅仅是本发明一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本发明中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本发明保护的范围。

应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

在本发明的描述中，需要理解的是，如“上”等指示方位或位置的关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该发明产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，或者是本领域技术人员惯常理解的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的设备或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

此外，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。另外，在本申请的描述中，术语“包括”是指“包括但不限于”。本发明的各种实施例可以以一个范围的型式存在；应当理解，以一范围型式的描述仅仅是因为方便及简洁，不应理解为对本发明范围的硬性限制；因此，应当认为所述的范围描述已经具体公开所有可能的子范围以及该范围内的单一数值。例如，应当认为从1到6的范围描述已经具体公开子范围，例如从1到3，从1到4，从1到5，从2到4，从2到6，从3到6等，以及所数范围内的单一数字，例如1、2、3、4、5及6，此不管范围为何皆适用。另外，每当在本文中指出数值范围，是指包括所指范围内的任何引用的数字(分数或整数)。

本发明提供了一种有机电致发光器件，如图1所示，包括基底以及位于所述基底一侧且依次层叠设置的阳极层、空穴注入层、发光层、阻挡层、第一缓冲层、电子传输层、电子注入层和阴极层；

其中，第一缓冲层空穴传输能力大于电子传输能力，第一缓冲层的HOMO能级高于或等于阻挡层的HOMO能级，第一缓冲层的LUMO能级与电子传输层的LUMO能级差值小于或等于0.5eV；

发光层的材料包括主体材料与客体发光材料，主体材料为空穴传输型材料。

需要说明的是，本发明的有机电致发光器件包括依次层叠设置的基底10、阳极层11、空穴注入层12、发光层13、阻挡层14、第一缓冲层15、电子传输层16、电子注入层17和阴极层18；其中，第一缓冲层空穴传输能力大于电子传输能力，第一缓冲层的HOMO能级高于或等于阻挡层的HOMO能级，第一缓冲层的LUMO能级与电子传输层的LUMO能级差值小于或等于0.5eV(即差值在0～0.5eV之间)；发光层的材料包括主体材料与客体发光材料，主体材料为空穴传输型材料；本发明通过在阻挡层与电子传输层之间设置第一缓冲层，第一缓冲层的空穴传输能力更强，再结合主体材料选用了空穴传输型材料，会使发光层中的激子复合区域远离发光层与空穴传输层的界面，并偏向于发光层与阻挡层的界面处，这样可以减少在空穴传输层与发光层的混溶区域发生激子-极化子猝灭现象，进而减少由此导致的材料的分解，提升有机电致发光器件的使用寿命。

具体的，HOMO-LUMO能级统称前线轨道，分别指最高占据分子轨道(HighestOccupied Molecular Orbital)和最低未占分子轨道(Lowest Unoccupied MolecularOrbital)。HOMO和LUMO分别指最高占据分子轨道(Highest Occupied Molecular Orbital)和最低未占分子轨道(Lowest Unoccupied Molecular Orbital)。根据前线轨道理论，两者统称前线轨道，处在前线轨道上的电子称为前线电子。HOMO与LUMO之间的能量差称为"能带隙"，这个能量差即称为HOMO-LUMO能级，有时可以用来衡量一个分子是否容易被激发：带隙越小，分子越容易被激发。

在一些实施例中，主体材料为空穴传输型材料，主体材料的空穴传输能力大于电子传输能力，主体材料的三重态能级大于客体发光材料，主体材料的HOMO能级低于或等于客体发光材料的HOMO能级。

在一些实施例中，阻挡层的材料为具有双极传输能力的材料，阻挡层的材料的三重态能级大于客体发光材料的三重态能级；阻挡层的三重态能级高于客体发光材料，可以将发光材料的三重态激子阻挡在发光层内，阻挡层的高三重态能级能避免发光层中产生的三重态能量逸散，避免能量逸散到第一缓冲层或电子传输层，导致发光效率降低。

在一些实施例中，还包括第二缓冲层19，第二缓冲层位19于第一缓冲层15和电子传输层16之间，第二缓冲层19两侧分别与第一缓冲层15和电子传输层16相贴合；

其中，第二缓冲层的HOMO能级位于第一缓冲层的HOMO能级和电子传输层的HOMO能级之间；

第二缓冲层的LUMO能级位于第一缓冲层的LUMO能级和电子传输层的LUMO能级之间。

在上述实施例中，提供第二缓冲层19，可以降低电子传输层16与第一缓冲层15之间的能级势垒，以减弱电子或空穴在界面处的堆积。

在一些实施例中，还包括空穴传输层20，空穴传输层20位于空穴注入层12和发光层13之间，空穴传输层20两侧分别与空穴注入层12和发光层13相贴合。

在一些实施例中，空穴注入层的厚度为20～60nm，优选为30～40nm；空穴注入层为本领域技术人员熟知的空穴注入层即可，并无特殊的限制。

在一些实施例中，空穴传输层的厚度为10～50nm，优选为20～30nm；空穴传输层为本领域技术人员熟知的空穴传输层即可，并无特殊的限制。

在一些实施例中，发光层的厚度为20～70nm，优选为30～50nm。

在一些实施例中，第一缓冲层的厚度为5～10nm，优选为5～7nm。第一缓冲层空穴传输能力优于电子传输能力，其HOMO能级高于或等于阻挡层的HOMO能级，若不存在第二缓冲层，其LUMO能级与电子传输层的LUMO能级差值小于或等于0.5eV；若存在第二缓冲层，第二缓冲层的厚度优选为5～10nm，更优选为5～7nm，第二缓冲层的HOMO能级与LUMO能级均处于缓冲层与电子传输层的相应能级之间。

在一些实施例中，电子传输层的厚度为20～50nm，优选为30～40nm；电子传输层为本领域技术人员熟知的电子传输层即可，并无特殊的限制。

在一些实施例中，电子注入层的厚度为1～5nm，阴极层的厚度为80～120nm；电子注入层与阴极层为本领域技术人员熟知的电子注入层与阴极层即可，并无特殊的限制。

具体的，客体发光材料为发射峰位大于510nm的客体发光材料，主体材料三重态能级大于或等于2.43eV；优选的，主体材料三重态能级范围在2.5eV-3.0eV之间。

在一些实施例中，第一缓冲层的材料为CBP，CBP的结构式为：

具体的，CBP的HOMO能级为-5.9eV，CBP的LUMO能级为-2.4eV。

在一些实施例中，主体材料为mCPBC，客体发光材料为BN-G；

其中，mCPBC的结构式为：

BN-G的结构式为：

具体的，BN-G的三重态能级为2.42eV、HOMO能级为-5.2eV；mCPBC的HOMO能级为-5.6eV，三重态能级为2.81eV。

在一些实施例中，本发明对基底没有特殊的要求，为本领域技术人员熟知的基底即可，优选为玻璃基底、硅基基底、聚合物基底。

在一些实施例中，基底上设置的阳极层的材料包括导电金属、导电金属氧化物或石墨烯中的任一种，优选为氧化铟锡、氧化铟锌或氧化铟镓锌。

在一些实施例中，导电金属氧化物的表面电阻率为15-60ohm/sq。

在一些实施例中，空穴注入层的材料为PEDOT:PSS，PEDOT:PSS(即聚3，4-乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐)是一种高分子聚合物的水溶液，导电率很高，根据不同的配方，可以得到导电率不同的水溶液；该产品是由PEDOT和PSS两种物质构成；PEDOT是EDOT(3，4-乙烯二氧噻吩单体)的聚合物，PSS是聚苯乙烯磺酸盐。

具体的，PEDOT的结构式为：

PSS的结构式为：

在一些实施例中，阻挡层的材料为DMFBD-TRz；

DMFBD-TRz的结构式为：

具体的，DMFBD-TRz的三重态能级为2.54eV、HOMO能级为-6.0eV、LUMO能级为-2.8eV。

在一些实施例中，电子传输层的材料为TmPyPB；

TmPyPB的结构式为：

具体的，TmPyPB的HOMO能级为-6.7eV、LUMO能级为-2.7eV。

在一些实施例中，电子注入层的材料为(8-羟基喹啉)锂(分子式为C

在一些实施例中，阴极层的材料包括Al、Ag、Mg、Ca中的至少一种。

本发明所涉及的PEDOT:PSS、mCPBC、BN-G、DMFBD-TRz、CBP、TmPyPB、(8-羟基喹啉)锂均在市场上购买得到，本发明并未对这些材料本身进行改进。

本发明的有机电致发光器件，通过在阳极层11和阴极层18之间施加电压V或电流I，可以使有机电致发光器件正常工作；如图3所示，通过在阳极层11和阴极层18之间连接有外加电源21，有机电致发光器件在外加电源21的驱动下发光。在外加电压的作用下，阳极层11提供的空穴与阴极层18提供的电子分别向发光层13迁移，在发光层13中复合形成单重态激子和三重态激子，其中三重态激子可以通过反系间窜跃到单重态后发出荧光(热活化延迟荧光)。阻挡层14的三重态能级高于客体发光材料，可以将发光材料的三重态激子阻挡在发光层内，避免能量逸散到第一缓冲层或电子传输层，导致发光效率降低。

基于同一发明构思，本发明还提供了一种上述的有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

S1、提供基底；

S2、在基底上依次制备阳极层、空穴注入层、发光层、阻挡层、第一缓冲层、电子传输层、电子注入层和阴极层。

具体的，若有机电致发光器件还包括空穴传输层、第二缓冲层，则在基底上依次制备阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、阻挡层、第一缓冲层、第二缓冲层、电子传输层、电子注入层和阴极层。

在一些实施例中，利用旋涂法制备得到空穴注入层、空穴传输层、发光层。

在一些实施例中，利用真空蒸镀法制备得到阻挡层、第一缓冲层、电子传输层和阴极层。具体的，真空蒸镀，简称蒸镀，是指在真空条件下，采用一定的加热蒸发方式蒸发镀膜材料(或称膜料)并使之气化，粒子飞至基片表面凝聚成膜的工艺方法。

在一些实施例中，利用磁控溅射的方法制备得到阳极层。

在一些实施例中，在基底上制备各层之前，还包括对基底进行清洗处理，具体的，清洗处理包括：将基底依次用清洗液、去离子水、异丙醇超声清洗10～20min，并在60～80℃下烘干，然后将烘干后的基底使用紫外臭氧清洗机处理10～20min。

具体的，若空穴注入层的材料为PEDOT:PSS，则空穴注入层的制备方法为：将100～300微升PEDOT:PSS溶液滴加于阳极层上，使用1000～3000r/min的转速旋涂30～50秒，再使用120-160℃的温度对其进行退火干燥10～30分钟，得到空穴注入层。

若发光层的主体材料为mCPBC，客体发光材料为BN-G，则发光层的制备方法包括以下步骤：

S1、将mCPBC与BN-G按照质量比为(90～99.5):(0.5～10)的比例，溶解于氯苯溶剂中形成第一混合液，第一混合液浓度为10～30mg/ml，使用小于或等于0.22微米孔径的PTFE滤膜对其进行过滤，形成第二混合液；

S2、将50～200微升的第二混合液滴加于空穴注入层上，使用1000～5000r/min的转速旋涂30-120秒，使用1-100Pa的真空度对其进行低压真空干燥3～15分钟，再使用80-150℃的温度对其进行退火干燥30-120分钟，得到发光层。

基于同一发明构思，本发明还提供了一种显示装置，包括上述的有机电致发光器件。

以下进一步以具体实施例说明本申请的有机电致发光器件及其制备方法。本部分结合具体实施例进一步说明本发明内容，但不应理解为对本发明的限制。如未特别说明，实施例中所采用的技术手段为本领域技术人员所熟知的常规手段。除非特别说明，本发明采用的试剂、方法和设备为本领域常规试剂、方法和设备。

实施例1

本申请实施例提供了一种有机电致发光器件，包括：依次层叠设置的基底、阳极层、空穴注入层、发光层、阻挡层、第一缓冲层、电子传输层、电子注入层和阴极层；

其中，基底为玻璃基底；

阳极层的材料为ITO(氧化铟锡)，阳极层的厚度为45nm；

空穴注入层的材料为PEDOT:PSS，空穴注入层的厚度为40nm；

发光层的材料包括主体材料与客体发光材料，主体材料为mCPBC，客体发光材料为BN-G，发光层的厚度为40nm，mCPBC、BN-G的质量比为97:3；

阻挡层的材料为DMFBD-TRz，阻挡层的厚度为5nm；

第一缓冲层的材料为CBP，第一缓冲层的厚度为5nm；

电子传输层的材料为TmPyPB，电子传输层的厚度为30nm；

电子注入层的材料为(8-羟基喹啉)锂，电子注入层的厚度为2nm；

阴极层的材料为Al，阴极层的厚度为100nm。

上述有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

S1、将预制有45nm厚ITO的玻璃基底(ITO层的制备可采用磁控溅射法)依次用清洗液、去离子水、异丙醇超声清洗15min，并在70℃下烘干，然后将烘干后的基底使用紫外臭氧清洗机处理15min

S2、将200微升PEDOT:PSS溶液滴加于ITO层上，使用2000r/min的转速旋涂40秒，再使用150℃的温度对其进行退火干燥15分钟，得到40nm厚的空穴注入层；

S3、将mCPBC与BN-G按照质量比为97:3的比例，溶解于氯苯溶剂中形成第一混合液，第一混合液浓度为15mg/ml，使用0.22微米孔径的PTFE滤膜对其进行过滤，形成第二混合液；

S4、将100微升的第二混合液滴加于空穴注入层上，使用2500r/min的转速旋涂30秒，使用10Pa的真空度对其进行低压真空干燥5分钟，再使用120℃的温度对其进行退火干燥30分钟，得到40nm厚的发光层；

S5、再将形成有发光层的玻璃基底转移到蒸镀设备的蒸镀腔室内，在3×10

S6、继续蒸镀腔室内，在3×10

S6、继续蒸镀腔室内，在3×10

对比例1

本申请实施例提供了一种有机电致发光器件，包括：依次层叠设置的基底、阳极层、空穴注入层、发光层、阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极层；

其中，基底为玻璃基底；

阳极层的材料为ITO(氧化铟锡)，阳极层的厚度为45nm；

空穴注入层的材料为PEDOT:PSS，空穴注入层的厚度为40nm；

发光层的材料包括主体材料与客体发光材料，主体材料为mCPBC，客体发光材料为BN-G，发光层的厚度为40nm，mCPBC、BN-G的质量比为97:3；

阻挡层的材料为DMFBD-TRz，阻挡层的厚度为5nm；

电子传输层的材料为TmPyPB，电子传输层的厚度为30nm；

电子注入层的材料为(8-羟基喹啉)锂，电子注入层的厚度为2nm；

阴极层的材料为Al，阴极层的厚度为100nm。

上述有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

S1、将预制有45nm厚ITO的玻璃基底(ITO层的制备可采用磁控溅射法)依次用清洗液、去离子水、异丙醇超声清洗15min，并在70℃下烘干，然后将烘干后的基底使用紫外臭氧清洗机处理15min

S2、将200微升PEDOT:PSS溶液滴加于ITO层上，使用2000r/min的转速旋涂40秒，再使用150℃的温度对其进行退火干燥15分钟，得到40nm厚的空穴注入层；

S3、将mCPBC与BN-G按照质量比为97:3的比例，溶解于氯苯溶剂中形成第一混合液，第一混合液浓度为15mg/ml，使用0.22微米孔径的PTFE滤膜对其进行过滤，形成第二混合液；

S4、将100微升的第二混合液滴加于空穴注入层上，使用2500r/min的转速旋涂30秒，使用10Pa的真空度对其进行低压真空干燥5分钟，再使用120℃的温度对其进行退火干燥30分钟，得到40nm厚的发光层；

S5、再将形成有发光层的玻璃基底转移到蒸镀设备的蒸镀腔室内，在3×10

S6、继续蒸镀腔室内，在3×10

S6、继续蒸镀腔室内，在3×10

性能测试

图4为实施例1中制备得到的有机电致发光器件在1000nit(尼特)亮度下的电致发射光谱图。

图5为对比例1中制备得到的有机电致发光器件在1000nit(尼特)亮度下的电致发射光谱图。

图4～5中纵坐标为归一化光谱强度。实施例1和对比例1中制备得到的有机电致发光器件的效率性能及显色性能如下表1所示。

其中，实施例1和对比例1中制备得到的有机电致发光器件的电流、亮度、发光光谱等特性采用Photo Research PR 655光谱扫描亮度计和Keithley K2400数字源表系统同步测试；实施例1和对比例1中制备得到的有机电致发光器件的寿命通过恒定电流测试，使用的设备为广州晶合的寿命测试系统。实施例1和对比例1中制备得到的有机电致发光器件的性能测试在室温、环境气氛下进行。

表1-实施例1和对比例1中制备得到的有机电致发光器件的性能

其中，表1中器件寿命(LT50，h)表示：在1000cd m

由表1中数据可知，相比对比例1中的有机电致发光器件，实施例1中制备得到的有机电致发光器件的寿命有明显的延长，而效率及色度等性能均能够保持相当的水平，说明第一缓冲层的引入有利于提升有机电致发光器件的寿命。

以上所述仅为本发明的较佳实施方式而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。