一种单晶硅放肩方法

技术领域

本发明实施例涉及光伏技术领域，尤其涉及一种单晶硅放肩方法。

背景技术

直拉法(Czochralski，Cz法)是常用的晶体生长方法之一，通过将原料硅在单晶炉中加热融化，再将棒状的籽晶浸入融液中，使得融液中的硅原子沿籽晶上硅原子的排列结构在固液交界面上形成规则的结晶，从而形成单晶体，具体的，直拉法通常包括：调温、引晶、放肩、转肩、等径、收尾、加料等工艺步骤。

放肩是指在引晶完成后通过降低拉速和降低温度使晶体直径逐渐长大至目标直径，目前在放肩时通常以肩部顶角为钝角且晶棒的提拉速度较慢的方式进行放肩操作。

上述方式容易导致晶体出现位错，放肩失败，并且降温量较小，导致晶体头部的氧含量高，影响晶体品质。

发明内容

本发明提供一种单晶硅放肩方法，旨在减少放肩时发生位错的可能，提高放肩成功率。

本发明实施例提供了一种单晶硅放肩方法，该方法可以包括：

根据目标晶棒直径，对晶棒进行放肩操作；

在所述晶棒的放肩长度处于目标范围的第一区间时，设定单晶炉内热场的降温速率为第一速率范围，同时设置晶棒的提拉速度为第一速度范围；

在所述晶棒的放肩长度处于目标范围的第二区间时，将所述单晶炉内热场的降温速率由所述第一速率范围提升至第二速率范围，同时将晶棒的提拉速度由第一速度范围提升至第二速度范围；

在所述晶棒的放肩长度处于目标范围的第三区间时，将所述单晶炉内热场的降温速率由所述第二速率范围提升至第三速率范围，同时将晶棒的提拉速度由第一速度范围提升至第三速度范围；其中，所述第一区间的放肩长度的值小于所述第二区间的放肩长度的值，所述第二区间的放肩长度的值小于所述第三区间的放肩长度的值；

在所述晶棒的晶棒直径为所述目标晶棒直径时，结束放肩操作。

可选地，所述方法还包括：

在放肩操作的过程中，控制肩部顶角的角度为45°-70°。

可选地，所述第一区间为所述放肩长度大于或等于1mm且小于或等于60mm，所述第一速率范围为所述降温速率大于或等于2kw/h且小于或等于12kw/h，所述第一速度范围为所述晶棒的提拉速度大于或等于25mm/h且小于或等于160mm/h；

所述第二区间为所述放肩长度大于60mm且小于或等于150mm，所述第二速率范围为所述降温速率大于或等于3kw/h且小于或等于15kw/h，所述第二速度范围为所述晶棒的提拉速度大于或等于45mm/h且小于或等于190mm/h；

所述第三区间为所述放肩长度大于150mm，所述第三速率范围为所述降温速率大于或等于1kw/h且小于或等于10kw/h，所述第三速度范围为所述晶棒的提拉速度大于或等于60mm/h且小于或等于200mm/h。

可选地，所述方法还包括：

在所述晶棒的放肩长度处于目标范围的第一区间时，设置液口距为30-45mm；

在所述晶棒的放肩长度处于目标范围的第二区间时，设置液口距为20-35mm；

在所述晶棒的放肩长度处于目标范围的第三区间时，设置液口距为15-20mm。

可选地，在所述晶棒的放肩长度处于目标范围的第一区间时，所述单晶炉内热场的降温量为0-6.5kw；

在所述晶棒的放肩长度处于目标范围的第二区间时，所述单晶炉内热场的降温量为6.5-14kw；

在所述晶棒的放肩长度处于目标范围的第三区间时，所述单晶炉内热场的降温量为14-15kw。

可选地，所述方法还包括：

在所述放肩长度为1-30mm时，设置液口距为35-45mm，同时设置晶棒的提拉速度为25-150mm/h；

在所述放肩长度为30-60mm时，设置液口距为30-40mm，同时设置晶棒的提拉速度为35-160mm/h；

在所述放肩长度为60-90mm时，设置液口距为28-35mm，同时设置晶棒的提拉速度为45-170mm/h。

可选地，所述方法还包括：

在所述放肩长度为90-120mm时，设置液口距为25-30mm，同时设置晶棒的提拉速度为55-180mm/h；

在所述放肩长度为120-150mm时，设置液口距为20-28mm，同时设置晶棒的提拉速度为60-190mm/h。

可选地，所述方法还包括：

在所述放肩长度为150-180mm时，设置液口距为15-25mm，同时设置晶棒的提拉速度为60-200mm/h。

可选地，所述方法还包括：

在所述放肩长度为180mm时，设置液口距为15-20mm，同时设置晶棒的提拉速度为60-200mm/h。

可选地，所述方法还包括：

在放肩过程中，设定晶转为8-12r/min，埚转5-9r/min，且所述埚转的方向与所述晶转的方向相反。

综上，本发明提供一种单晶硅放肩方法，根据目标晶棒直径获取放肩长度，当放肩长度处于1-60mm时，设置单晶炉内热场的降温速率为2-12kw/h，晶棒的提拉速度为25-160mm/h。当放肩长度处于60-150mm，设置单晶炉内热场的降温速率为3-15kw/h，晶棒的提拉速度为45-190mm/h，当放肩长度大于150mm时，设置单晶炉内热场的降温速率为1-10kw/h，晶棒的提拉速度为60-200mm/h，通过上述工艺参数进行放肩，使得放肩时，肩部顶角可以保持在45°-70°，减小了放肩过程中小面出现的概率，进一步降低发生位错的概率，提高了放肩成功率。

附图说明

图1是本发明实施例提供的一种放肩方法流程图；

图2是本发明实施例提供的一种放肩时肩部顶角图；

图3是本发明实施例提供的另一种放肩方法流程图。

具体实施方式

下面将参照附图更详细地描述本发明的示例性实施例。虽然附图中显示了本发明的示例性实施例，然而应当理解，可以以各种形式实现本发明而不应被这里阐述的实施例所限制。相反，提供这些实施例是为了能够更透彻地理解本发明，并且能够将本发明的范围完整的传达给本领域的技术人员。

下面对本申请实施例提供的方案中涉及的一些概念和/或术语做一下解释说明。

位错，位错是晶体中的一种线缺陷，它是晶体中已滑移与未滑移区之间的边界构成，或是以伯格斯回路闭合性破坏来表征的缺陷。在硅单晶生长的开始阶段，籽晶中原有的位错和籽晶与熔体熔接时引入的位错，在生长的晶体中会继续延伸，在晶体生长过程中，固液界面附近存在不熔固态颗粒，也易引入位错，尤其当热场温度梯度较大，在晶体中产生较大的热应力时，更易产生位错并使其增殖。

图1是本发明实施例提供的一种单晶硅放肩方法的步骤流程图，包括：

步骤101，根据目标晶棒直径，对晶棒进行放肩操作，

在本发明实施例中，在拉晶过程中，当引颈生长完成后，需要降低单晶炉内的热场的温度，使晶体直径渐渐增大到目标所需的大小，即为放肩操作。所需的目标晶棒的直径越大，放肩操作的过程越长。

步骤102，在所述晶棒的放肩长度处于目标范围的第一区间时，设定单晶炉内热场的降温速率为第一速率范围，同时设置晶棒的提拉速度为第一速度范围。

在本发明实施例中，参考图2，在本发明实施例中，放肩长度为放肩过程中，籽晶的末端与放肩时的晶体的下表面之间的垂直距离，图2中“h”即为放肩长度，放肩长度越长，得到的目标晶棒的直径越大。

由于{111}面的夹角是35.2°，如果肩部夹角大于70度，图2中“a”为肩部顶角。在放肩过程中会出现{111}小面，则容易发生位错化，导致放肩失败。因此在放肩的过程中，不同放肩长度对应设置不同的降温速率和晶棒的提拉速率，降温速率和晶棒的提拉速率为使得放肩时，肩部顶角保持在45°-70°，避免产生小面。

具体地，第一区间为放肩长度大于或等于1mm且小于或等于60mm，对应的第一速率范围可以为降温速率大于或等于2kw/h且小于或等于12kw/h，具体地，在第一区间内，第一降温速率可以为3kw/h、4kw/h、5kw/h、6kw/h、7kw/h、8kw/h、9kw/h、10kw/h、11kw/h以及12kw/h等，第一速度范围为晶棒的提拉速度大于或等于25mm/h且小于或等于160mm/h，具体可以为25mm/h、45mm/h、65mm/h、85mm/h、105mm/h、125mm/h2、145mm/h以及160mm/h等。

步骤103，在所述晶棒的放肩长度处于目标范围的第二区间时，将所述单晶炉内热场的降温速率由所述第一速率范围提升至第二速率范围，同时将晶棒的提拉速度由第一速度范围提升至第二速度范围。

在本发明实施例中，第二区间可以为放肩长度大于60mm且小于或等于150mm，第二速率范围为降温速率大于或等于3kw/h且小于或等于15kw/h，例如，可以为3kw/h、4kw/h、5kw/h、6kw/h、7kw/h、8kw/h、9kw/h、10kw/h、12kw/h以及15kw/h等，第二速度范围为晶棒的提拉速度大于或等于45mm/h且小于或等于190mm/h，晶棒的提拉速度可以为45mm/h、65mm/h、85mm/h、105mm/h、125mm/h、145mm/h、165mm/h、185mm/h以及190mm/h等，当放肩长度进入第二区间范围时，可以将降温速率由第一速率范围调整为第二速率范围，同时将晶棒的提拉速度由第一速度范围调整为第二速度范围，以继续使得肩部顶角处于45°-70°之间，避免产生小面。

步骤104，在所述晶棒的放肩长度处于目标范围的第三区间时，将所述单晶炉内热场的降温速率由所述第二速率范围提升至第三速率范围，同时将晶棒的提拉速度由第二速度范围提升至第三速度范围；其中，所述第一区间的放肩长度的值小于所述第二区间的放肩长度的值，所述第二区间的放肩长度的值小于所述第三区间的放肩长度的值。

在本发明实施例中，第三区间可以为放肩长度大于150mm，第三速率范围为降温速率大于或等于1kw/h且小于或等于10kw/h，例如，可以为1kw/h、2kw/h、3kw/h、4kw/h、5kw/h、6kw/h、7kw/h、8kw/h、9kw/h以及10kw/h等，第三速度范围为晶棒的提拉速度大于或等于60mm/h且小于或等于200mm/h，例如可以为：60mm/h、80mm/h、100mm/h、120mm/h、140mm/h、160mm/h、180mm/h以及200mm/h。以保证当放肩长度达到第三区间时，放肩过程中肩部顶角继续保持在45°-70°之间，避免产生小面、位错等影响晶棒生长的缺陷。

步骤105，在所述晶棒的晶棒直径为所述目标晶棒直径时，结束放肩操作。

在本发明实施例中，当放肩操作进行到得到的晶体的直径已经达到接近目标晶棒直径时，放肩操作即可结束，进入下一步转肩、等径生长的步骤，完成单晶拉制过程后，得到目标直径的晶棒。

本发明通过在放肩过程中，根据放肩长度，逐步提升单晶炉内热场的降温速率和晶棒的提拉速度，使得放肩过程中，控制肩部顶角始终保持在45°-70°，且本发明通过对降温量、拉速等进行控制，使得肩部竖直截面的边缘线条近似线性变化。当肩部顶角在45°-70°，可以避免或减少放肩产生小面导致产生位错，提升了放肩成功率。现有技术中，通常采用平放肩的方法进行放肩操作，平放肩操作肩部顶角在120°左右，在这个角度下进行放肩操作时，可能会产生位错和位错增殖，甚至变为多晶，导致放肩失败。本发明相比现有技术的方案，提高了放肩操作的成功率。

综上，本发明提供一种单晶硅放肩方法，根据目标晶棒直径获取放肩长度，当放肩长度处于1-60mm时，设置单晶炉内热场的降温速率为2-12kw/h，晶棒的提拉速度为25-160mm/h。当放肩长度处于60-150mm，设置单晶炉内热场的降温速率为3-15kw/h，晶棒的提拉速度为45-190mm/h，当放肩长度大于150mm时，设置单晶炉内热场的降温速率为1-10kw/h，晶棒的提拉速度为60-200mm/h，通过上述工艺参数进行放肩，使得放肩时，肩部顶角可以保持在45°-70°，减小了放肩过程中小面出现的概率，进一步降低发生位错的概率，提高了放肩成功率。

图2是本发明实施例提供的又一种单晶硅放肩方法的步骤流程图，包括：

步骤201、根据目标晶棒直径，对晶棒进行放肩操作。

此步骤具体可参考步骤101，此处不再赘述。

步骤202、在所述晶棒的放肩长度处于目标范围的第一区间时，设定单晶炉内热场的降温速率为第一速率范围，同时设置晶棒的提拉速度为第一速度范围，并设置液口距为30-45mm。

在本发明实施例中，晶棒的放肩长度处于目标范围的第一区间时，第一速率范围与第一速度范围参考步骤102设置，此时同步调整液口距的距离，在第一区间时，液口距的范围为30-45mm，例如，可以为30mm、33mm、35mm、37mm、39mm、41mm、43mm以及45mm等，通过调整液口距的范围，可以辅助使得降温的速率可以达到第一速率范围，保证第一速率范围下的降温量大的大小，提升放肩成功率。

步骤203、在所述晶棒的放肩长度处于目标范围的第二区间时，将所述单晶炉内热场的降温速率由所述第一速率范围提升至第二速率范围，同时将晶棒的提拉速度由第一速度范围提升至第二速度范围，并设置液口距为20-35mm。

在本发明实施例中，晶棒的放肩长度处于目标范围的第二区间时，第二速率范围与第二速度范围参考步骤103设置，此时同步调整液口距的距离，在第二区间时，液口距的范围为20-35mm，例如，可以为20mm、22mm、24mm、26mm、28mm、31mm、33mm以及35mm等，通过调整液口距的范围，可以辅助使得降温的速率可以达到第二速率范围，保证第二速率范围下的降温量大的大小，提升放肩成功率。

步骤204、在所述晶棒的放肩长度处于目标范围的第三区间时，将所述单晶炉内热场的降温速率由所述第二速率范围提升至第三速率范围，同时将晶棒的提拉速度由第二速度范围提升至第三速度范围，并设置液口距为15-20mm；其中，所述第一区间的放肩长度的值小于所述第二区间的放肩长度的值，所述第二区间的放肩长度的值小于所述第三区间的放肩长度的值。

在本发明实施例中，晶棒的放肩长度处于目标范围的第三区间时，第三速率范围与第三速度范围的设置参考步骤104设置，此时同步调整液口距的距离，在第二区间时，液口距的范围为15-20mm，例如，可以为15mm、16mm、17mm、18mm、19mm以及20mm等，通过调整液口距的范围，可以辅助使得降温的速率可以达到第三速率范围，保证第二速率范围下的降温量的大小，提升放肩成功率。

步骤205，在所述晶棒的晶棒直径为所述目标晶棒直径时，结束放肩操作。

此步骤具体可参考步骤105，此处不再赘述。

可选地，所述方法还包括：

步骤206，在放肩操作的过程中，控制肩部顶角的角度为45°-70°。

在本发明实施例中，在放肩过程中，通过调整单晶炉内的降温速率，晶棒提拉的速度以及液口距的距离，以控制在放肩过程中，肩部顶角可以保持在45°-70°，以减少和避免放肩过程中出现{111}小面，提高放肩成功率。

可选地，在所述晶棒的放肩长度处于目标范围的第一区间时，所述单晶炉内热场的降温量为0-6.5kw；在所述晶棒的放肩长度处于目标范围的第二区间时，所述单晶炉内热场的降温量为6.5-14kw；在所述晶棒的放肩长度处于目标范围的第三区间时，所述单晶炉内热场的降温量为14-15kw。

具体地，晶棒的放肩长度处于目标范围的第一区间时，在第一速率范围下，可以达到的降温量为0-6.5kw，降温速率越快，放肩长度的成长越快，例如，当降温速率为4kw/h时，放肩长度成长为60mm，需要1小时；当降温速率为8kw/h时，放肩长度成长为60mm，仅需要约0.8小时。晶棒的放肩长度处于目标范围的第二区间时，在第二速率范围下，可以达到的降温量为6.5-14kw，晶棒的放肩长度处于目标范围的第三区间时，在第三速率范围下，可以达到的降温量为14-15kw。由于晶棒的提拉速度增快，降温速率增高，所以相比现有技术，本发明放肩结束后，放肩过程中的降温量相比现有技术更大，使得等径头部温度相比原有工艺低，用此新工艺生长的单晶头部氧含量降低，提升了晶体品质。

可选地，所述方法还包括：

步骤207，在所述放肩长度为1-30mm时，设置液口距为35-45mm，同时设置晶棒的提拉速度为25-150mm/h。

在本发明实施例中，当放肩长度为1-30mm时，如放肩长度为1mm、5mm、10mm、15mm、20mm、25mm以及30mm等长度，单晶炉内的降温速率可以参考步骤102设置，另外可以设置液口距为35-45mm，例如可以设置为35mm、37mm、39mm、41mm、42mm、43mm、44mm以及45mm等，同时可以设置晶棒的提拉速度为25-150mm/h，例如可以为25mm/h、35mm/h、45mm/h、55mm/h、65mm/h、75mm/h、85mm/h、95mm/h、105mm/h、115mm/h、125mm/h、135mm/h、145mm/h以及150mm/h等，在上述范围内的降温速率、提拉速度以及液口距可以进一步保证肩部顶角处于45°-70°。

步骤208，在所述放肩长度为30-60mm时，设置液口距为30-40mm，同时设置晶棒的提拉速度为35-160mm/h。

在本发明实施例中，当放肩长度为30-60mm时，单晶炉内的降温速率可以参考步骤102设置，另外同时可以设置液口距为30-40mm，例如可以设置为30mm、32mm、34mm、35mm、36mm、37mm、38mm、39mm以及40mm等，同时可以设置晶棒的提拉速度为35-160mm/h，例如可以为35mm/h、45mm/h、55mm/h、65mm/h、75mm/h、85mm/h、95mm/h、105mm/h、115mm/h、125mm/h、135mm/h、150mm/h以及160mm/h等，在上述范围内的降温速率、提拉速度以及液口距可以进一步保证肩部顶角处于45°-70°。

步骤209，在所述放肩长度为60-90mm时，设置液口距为28-35mm，同时设置晶棒的提拉速度为45-170mm/h。

在本发明实施例中，当放肩长度为60-90mm时，例如为：60mm、65mm、70mm、75mm、80mm以及85mm等时单晶炉内的降温速率可以参考步骤102设置，另外设置液口距为28-35mm，例如可以设置为28mm、29mm、30mm、31mm、32mm、33mm、34mm以及35mm等，同时可以设置晶棒的提拉速度为45-170mm/h，例如可以为45mm/h、55mm/h、65mm/h、75mm/h、85mm/h、95mm/h、105mm/h、115mm/h、125mm/h、135mm/h、145mm/h、160mm/h以及170mm/h等，在上述范围内的降温速率、提拉速度以及液口距可以进一步保证肩部顶角处于45°-70°。

步骤210，在所述放肩长度为90-120mm时，设置液口距为25-30mm，同时设置晶棒的提拉速度为55-190mm/h.

在本发明实施例中，当放肩长度为90-120mm时，例如为：90mm、94mm、98mm、102mm、106mm、110mm、114mm、116mm以及120mm等时，单晶炉内的降温速率可以参考步骤103设置，另外可以同时设置液口距为25-30mm，例如可以设置为25mm、26mm、27mm、28mm、28.5mm、29mm、29.5mm以及30mm等，同时可以设置晶棒的提拉速度为55-190mm/h，例如可以为55mm/h、65mm/h、75mm/h、85mm/h、95mm/h、105mm/h、115mm/h、125mm/h、135mm/h、145mm/h、155mm/h、170mm/h以及190mm/h等，在上述范围内的降温速率、提拉速度以及液口距可以进一步保证肩部顶角处于45°-70°。

步骤211，在所述放肩长度为120-150mm时，设置液口距为20-28mm，同时设置晶棒的提拉速度为60-190mm/h。

在本发明实施例中，当放肩长度为120-150mm时，例如为120mm、125mm、130mm、135mm、140mm、145mm以及150mm等时，单晶炉内的降温速率可以参考步骤103设置，另外可以同时设置液口距为20-28mm，例如可以设置为20mm、21mm、22mm、23mm、24mm、25mm、26mm、27mm、以及28mm等，同时可以设置晶棒的提拉速度为60-190mm/h，例如可以为60mm/h、70mm/h、80mm/h、90mm/h、100mm/h、110mm/h、120mm/h、130mm/h、140mm/h、150mm/h、160mm/h、170mm/h、180mm/h以及190mm/h等，在上述范围内的降温速率、提拉速度以及液口距可以进一步保证肩部顶角处于45°-70°。

步骤212，在所述放肩长度为150-180mm时，设置液口距为15-25mm，同时设置晶棒的提拉速度为60-200mm/h。

在本发明实施例中，当放肩长度为150-180mm时，例如为150mm、155mm、160mm、165mm、170mm、175mm、以及180mm等，单晶炉内的降温速率可以参考步骤103设置，另外设置液口距为15-25mm，例如可以设置为15mm、17mm、19mm、20mm、21mm、22mm、23mm、24mm以及25mm等，同时可以设置晶棒的提拉速度为60-200mm/h，例如可以60mm/h、70mm/h、80mm/h、90mm/h、100mm/h、110mm/h、120mm/h、130mm/h、140mm/h、150mm/h、160mm/h、170mm/h、180mm/h、190mm/h以及200mm/h等，在上述范围内的降温速率、提拉速度以及液口距可以进一步保证肩部顶角处于45°-70°。

步骤213，在所述放肩长度为180mm时，设置液口距为15-20mm，同时设置晶棒的提拉速度为60-200mm/h。

在本发明实施例中，当放肩长度为180mm时，单晶炉内的降温速率可以参考步骤104设置，另外设置液口距为15-20mm，例如可以设置为15mm、16mm、17mm、18mm、19mm以及20mm等，同时可以设置晶棒的提拉速度为60-200mm/h，例如可以为60mm/h、70mm/h、80mm/h、90mm/h、100mm/h、110mm/h、120mm/h、130mm/h、140mm/h、150mm/h、160mm/h、170mm/h、180mm/h、190mm以及200mm/h等，在上述范围内的降温速率、提拉速度以及液口距可以进一步保证肩部顶角处于45°-70°。

可选地，所述方法还包括：

步骤214，在放肩过程中，设定晶转为8-12r/min，埚转5-9r/min，且所述埚转的方向与所述晶转的方向相反。

在本发明实施例中，晶转为晶体转动的速度，埚转为单晶炉内坩埚的转动速度。晶转和埚转目的为抑制熔液的热对流，为单晶生长提供稳定热系统，晶转和坩埚的转动有利于杂质的均匀分布，晶转和坩埚方向相反设置，保证可以拉制出单晶。

表1为本发明实施例提供的改进的放肩工艺参数表。其中，参考图2，放肩长度为放肩过程中，籽晶的末端与放肩时的晶体的下表面之间的垂直距离，图2中“h”即为放肩长度，放肩长度越长，得到的目标晶棒的直径越大。降温量为在放肩过程中，当前单晶炉功率与开始放肩时功率之间的差值，液口距为单晶炉内的导热筒与单晶炉内的熔液的液面之间的垂直距离，拉速为提拉晶棒时的速度，晶转为晶体转动的速度，埚转为单晶炉内坩埚的转动速度。

进一步地，坩埚可以为石墨坩埚或石英坩埚，用于盛放多晶硅原料，可以通过坩埚升降系统，把熔液的液面控制在一个位置，通过调整坩埚的位置调整液口距。导流筒用来隔断热场内部和外部，从而起到加快单晶拉速的作用，同时也起到导流(内部氩气)的作用。

表1

表2为现有技术中的放肩参数表，表中参数的定义与表1相同。

表2

对比表1与表2的数据可以看出，在达到相同的放肩长度如120mm时，原有工艺的降温量为9kw，本发明在放肩长度达到120mm时，降温量为10.0-13.0kw，相比原有工艺，本发明的降温量更多，也就使得等径头部温度相比原有工艺更低，使得本发明最终得到的单晶头部氧含量相比原有工艺更低，提升了晶体的品质，参考表3，表3为使用本发明方法制备单晶时得到的晶体头部氧含量，相比原有工艺，氧含量降低约1-2ppma。

表3

表4为本发明改进后的工艺与原有工艺放肩成功率的比较。原有工艺为对照肩部顶角为90°-120°，本发明改进后的工艺肩部顶角为45°-70°，可以看出，相比原有工艺，本发明的放肩方法的放肩成功率得到了提升。

表4

综上，本发明提供一种单晶硅放肩方法，根据目标晶棒直径获取放肩长度，当放肩长度处于1-60mm时，设置单晶炉内热场的降温速率为2-12kw/h，晶棒的提拉速度为25-160mm/h。当放肩长度处于60-150mm，设置单晶炉内热场的降温速率为3-15kw/h，晶棒的提拉速度为45-190mm/h，当放肩长度大于150mm时，设置单晶炉内热场的降温速率为1-10kw/h，晶棒的提拉速度为60-200mm/h，通过上述工艺参数进行放肩，使得放肩时，肩部顶角可以保持在45°-70°，减小了放肩过程中小面出现的概率，进一步降低发生位错的概率，提高了放肩成功率。

需要说明的是，对于方法实施例，为了简单描述，故将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本申请实施例并不受所描述的动作顺序的限制，因为依据本申请实施例，某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于优选实施例，所涉及的动作并不一定都是本申请实施例所必须的。

需要说明的是，在本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。

上面结合附图对本发明的实施例进行了描述，但是本发明并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本发明的启示下，在不脱离本发明宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，这些均属于本发明的保护之内。