显示面板及显示装置

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及显示装置。

背景技术

随着显示技术的发展，越来越多的显示装置应运而生，如平板电脑、手机、电子阅读器、遥控器、个人数字助理(personal digital assistant，PDA)、车载设备、电视机等已经成为人们日常惯用的显示工具。

然而，随着显示装置的不断改进，轻薄化的显示装置因其具有手感好、移动方便、外形美观等优点而倍受用户青睐，成为市场主流发展产品。因此，如何提供一种低成本、轻薄化、高质量的显示装置成为本领域技术人员急需解决的技术问题。

发明内容

本发明的实施例提供一种显示面板及显示装置，用于提供一种低成本、轻薄化、高质量的显示装置。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

第一方面，一种显示面板，包括显示区和位于所述显示区周边的周边区；TFT背板，包括位于所述周边区且位于所述TFT背板表面的多条边缘走线；绝缘层，设置在所述TFT背板表面上；所述绝缘层上设置有镂空图案，所述镂空图案露出所述边缘走线；辅助图案，至少部分位于所述镂空图案内，所述辅助图案至少覆盖所述边缘走线的侧面；其中，用于传输不同信号的所述边缘走线上覆盖的所述辅助图案相互绝缘。

可选的，所述显示面板还包括电极层；所述辅助图案与所述电极层同层设置。

可选的，所述辅助图案的表面为平面。

可选的，所述显示面板还包括挡墙，所述挡墙的两侧设置有所述镂空图案。

可选的，所述辅助图案覆盖所述边缘走线的表面。

可选的，所述辅助图案位于所述镂空图案内。

可选的，多条所述边缘走线包括第一电平线引线、第二电平线引线以及数据线引线中的至少一种。

可选的，用于传输不同信号的所述边缘走线侧面覆盖的所述辅助图案之间具有间隙。

可选的，所述电极层还包括多个电极图案，所述电极图案与所述辅助图案相互绝缘。

第二方面，提供一种显示装置，包括第一方面所述的显示面板。

本发明通过在显示面板的周边区设置多个辅助图案，并使辅助图案覆盖边缘走线的侧面，这样一来，在对显示面板进行封装时，封装层覆盖在辅助图案的表面，而不会直接与边缘走线侧面接触。辅助图案的表面为平面，那么在形成封装层中的第一封装薄膜时，第一封装薄膜直接覆盖在表面为平面的辅助图案上。因此，第一封装薄膜无需填充边缘走线表面的凹陷区域，避免了因应力集中产生的底切结构。也保证了第一封装薄膜的完好，切断水汽路径，从而防止了水汽侵入引起的封装失效问题。本发明在解决因边缘走线裸露而导致封装失效的同时，不会增加显示面板的厚度，提供了一种低成本、轻薄化、高质量的显示装置。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的一种显示装置的结构示意图；

图2为本申请实施例提供的一种显示面板的结构示意图；

图3A为本申请实施例提供的一种TFT背板周边区的俯视示意图；

图3B为图3A沿A-A向的剖视图；

图4为本申请实施例提供的一种第二绝缘层覆盖TFT背板的结构示意图；

图5为本申请实施例提供的一种第一绝缘层与第二绝缘层相对设置的结构示意图；

图6为本申请实施例提供的一种第一电极层的制备过程示意图；

图7为本申请实施例提供的一种显示面板中挡墙的形成过程示意图；

图8为本申请实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；

图9A为本申请实施例提供的一种第一绝缘层与TFT背板相对设置的结构示意图；

图9B为图9A沿B-B向的剖视图；

图10为本申请实施例提供的一种裸露边缘走线处底切结构的示意图；

图11A为本申请实施例提供的一种辅助图案覆盖边缘走线的结构示意图；

图11B为本申请实施例提供的另一种辅助图案覆盖边缘走线的结构示意图；

图11C为图11A沿C-C向的剖视图；

图12A为本申请实施例提供的又一种辅助图案覆盖边缘走线的结构示意图；

图12B为图12A沿D-D向的剖视图；

图13为本申请实施例提供的又一种显示面板的结构示意图；

图14为本申请实施例提供的一种显示面板的制备过程示意图；

图15为本申请实施例提供的一种辅助图案覆盖边缘走线后封装的结构示意图。

附图标记：

01-显示装置；100-显示面板；110-中框；120-壳体；130-盖板；2-TFT背板；20-薄膜晶体管；21-衬底；22-栅电极层；221-栅线引线；23-栅绝缘层；24-有源层；25-源漏电极层；26-边缘走线；261-第一电平线引线；262-第二电平线引线；263-数据线引线；3-第一绝缘层；3′-第二绝缘层；30-第一镂空图案；4-发光单元；41-第一电极层；411-辅助图案；42-第二电极层；43-电致发光层；44-第一电极膜层；5-封装层；51-第一封装薄膜；52-第二封装薄膜；53-第三封装薄膜；6-像素界定层；60-第二镂空图案；61-像素界定膜层；7-覆晶薄膜焊盘；8-挡墙；AA-显示区；B-周边区。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

以下，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

此外，本申请中，“上”、“下”等方位术语是相对于附图中的部件示意置放的方位来定义的，应当理解到，这些方向性术语是相对的概念，它们用于相对于的描述和澄清，其可以根据附图中部件所放置的方位的变化而相应地发生变化。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”应做广义理解，例如，“连接”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。

本申请实施例提供一种显示装置，本申请实施例涉及的显示装置例如可以是：平板电脑、手机、电子阅读器、遥控器、个人计算机(personal computer，简称PC)、笔记本电脑、个人数字助理(personal digital assistant，简称PDA)、车载设备、网络电视、可穿戴设备、电视机等。本申请实施例对上述显示装置的具体形式不做特殊限制，以下为了方便说明，是以显示装置为手机为例进行的说明。

如图1所示，上述显示装置01，主要包括显示面板100、中框110、壳体120以及盖板130，显示面板100和中框110设置于壳体120内。

其中，上述中框110位于显示面板100和壳体120之间，中框110远离显示面板100的表面用于安装电池、电路板、摄像头(camera)、天线等内部元件。

盖板130位于显示面板100远离中框110一侧，盖板130例如可以是盖板玻璃(coverglass，简称CG)，该盖板玻璃可以具有一定的韧性。

显示面板100具有能够看到显示画面的出光侧和与上述出光侧相对设置的背面，显示面板100的背面靠近中框110，盖板130设置在显示面板100的出光侧。

在本申请的一些实施例中，上述显示面板100例如可以为有机发光二极管(organic light emitting diode，简称OLED)显示面板或者量子点发光二极管(quantumdot light emitting diodes，简称QLED)显示面板。

以下为了便于说明，以显示面板100为OLED显示面板为例进行说明。

其中，OLED显示面板可以是顶发光型显示面板，也可以是底发光型显示面板，还可以是双面发光型显示面板。本申请实施例提供的OLED显示面板仅为一种示意，不做任何限定。

以下对本申请实施例提供的显示面板100的结构进行详细说明。

示例一

显示面板100包括显示区(active area，简称AA，也可称为有效显示区)和位于显示区周边的周边区。

其中，周边区可以绕显示区一圈设置，也可以仅位于显示区的部分侧面，本申请实施例对此不作限定。

如图2所示，显示面板100包括薄膜晶体管(thin film transistor，简称TFT)背板2、第一绝缘层3、第二绝缘层3′、多个发光单元4、像素界定层6、挡墙8以及封装层5。

TFT背板2包括衬底21、设置于衬底21上的像素电路。上述像素电路(或称像素驱动电路)一般由TFT20、电容(capacitance)等电子器件组成。

其中，关于TFT20的结构，可以为顶栅型结构，也可以为底栅型结构。另外，TFT20可以为单栅型结构，也可以为双栅型结构。

以底栅型的单栅TFT为例，示例的，如图2所示，TFT20包括依次设置在衬底21上的栅电极层22、栅绝缘层23(或者称为层间介质层)、有源层24、源漏电极层25(包括同层设置的源电极和漏电极)。其中，栅电极层22、有源层24、源漏电极层25位于显示区AA，衬底21和栅绝缘层23从显示区AA延伸至周边区B。

衬底21可以采用柔性树脂材料构成。在此情况下，该显示面板100为柔性显示面板。

根据有源层24材料的不同，TFT20可以为非晶硅薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管、金属氧化物薄膜晶体管、有机薄膜晶体管等。在此基础上，薄膜晶体管还可以为交错型、反交错型、共面型、或反共面型等。本申请实施例不对薄膜晶体管各膜层的材料和具体结构进行限定，相关技术中的薄膜晶体管均适用于本申请。

可以理解的是，TFT背板2还包括用于向上述像素电路提供电压信号和数据信号的多条边缘走线26以及用于向像素电路提供扫描信号的多条栅线引线221。

边缘走线26位于TFT背板2的表面,在本申请的一些实施例中，如图2所示，边缘走线26与源漏电极层25同层设置。

其中，本申请实施例中同层设置可以理解为，二者采用相同的构图工艺(例如包括曝光、显影、刻蚀等步骤)同步形成，同层同材料。

边缘走线26与位于显示区AA的TFT20耦接，并从显示区AA延伸到周边区B。其中，不对边缘走线26的延伸轨迹和排布方式进行限定，如图3A所示，边缘走线26可以对称设置。

关于边缘走线26的材料，在本申请的一些实施例中，边缘走线26的材料包括铝(Al)。

示例的，如图3B所示(图3B为图3A沿A-A向的剖视图)，边缘走线26例如可以是由钛(Ti)、铝、钛(Ti)三层金属依次堆叠形成。

边缘走线26例如可以是第一电平线引线261、第二电平线引线262以及数据线引线263中的至少一种。

其中，第一电平线引线261和第二电平线引线262互为高电平引线和低电平引线。示例的，第一电平线引线261为高电平引线，第二电平线引线262为低电平引线。或者，第一电平线引线261为低电平引线，第二电平线引线262为高电平引线。

栅线引线221与位于显示区AA的TFT20耦接，并从显示区AA延伸到周边区B。

在本申请的一些实施例中，如图2所示，栅线引线221和栅电极层22同层设置，栅线引线221和栅电极层22同层同材料。即，栅线引线221设置在栅绝缘层23与衬底21之间。

如图3A所示，TFT背板2还包括覆晶薄膜焊盘7，覆晶薄膜焊盘7设置在衬底21的表面，包括多个引脚(图3A中未示出)，用于与上述栅线引线221和边缘走线26耦接，向栅线引线221和边缘走线26传输信号。

关于上述显示面板100中第二绝缘层3′的设置位置，如图2所示，第二绝缘层3′设置在TFT背板2远离衬底21的表面上，第二绝缘层3′从显示区AA延伸至周边区B。

如图4所示，第二绝缘层3′覆盖位于TFT背板2表面的多条边缘走线26，防止边缘走线26裸漏。

第二绝缘层3′例如可以理解为钝化层(passivation layer，或者称为PVX)。

关于上述显示面板100中第一绝缘层3的设置位置，如图2所示，第一绝缘层3设置在第二绝缘层3′远离衬底21的表面上，从显示区AA延伸至周边区B。

在本申请的一些实施例中，第一绝缘层3用于对TFT背板2进行平坦化。第一绝缘层3例如可以理解为平坦化层(planarization layer，简称PLN)。

如图5所示，第一绝缘层3上设置有第一镂空图案30，以使第一绝缘层3中位于相邻第一镂空图案30之间的部分作为显示面板100上挡墙8的构成部分。

关于上述显示面板100中发光单元4的设置位置，如图2所示，发光单元4设置于第一绝缘层3远离衬底21的表面上，发光单元4位于显示区AA。

关于发光单元4的结构，如图2所示，发光单元4包括电极层和有机材料功能层。其中，电极层包括第一电极层41和第二电极层42，第一电极层41设置在第一绝缘层3远离衬底21的表面上，第二电极层42设置在第一电极层41远离衬底21的表面。有机材料功能层包括电致发光层43，设置在第一电极层41和第二电极层42之间，用于在第一电极41和第二电极42的驱动下发光。

在本申请的一些实施例中，如图6所示，第一电极层41例如可以通过物理气相沉积(physical vapour deposition，简称PVD)工艺在第一绝缘层3远离衬底21的表面上形成第一电极膜层44，第一电极膜层44覆盖第一绝缘层3。即，显示区AA和周边区B均覆盖有第一电极膜层44。然后通过构图工艺(例如包括曝光、显影、刻蚀)等工艺步骤去除第一电极膜层44位于周边区B的部分，并对第一电极膜层44位于显示区AA的部分进行图案化，以得到包括多个电极图案的第一电极层41。

如图2所示，在本申请的一些实施例中，为了提高空穴和电子传输至电致发光层43的效率，有机材料功能层还可以包括设置于第一电极层41和电致发光层43之间的空穴传输层(hole transport layer，简称HTL)，以及设置于第二电极层42和电致发光层43之间的电子传输层(electron transport layer，简称ETL)。

如图2所示，在本申请的一些实施例中，为了能够提高电子和空穴注入至电致发光层43的效率，有机材料功能层还可以包括设置于第一电极层41和HTL之间的空穴注入层(hole inject layer，简称HIL)，以及设置于第二电极层42和ETL之间的电子注入层(electron inject layer，简称EIL)。

可以理解的是，显示面板100在显示区AA的部分包括发多种颜色光的子像素(subpixel)单元，每个子像素单元设置有上述发光单元4。其中，上述多种颜色光至少包括第一颜色、第二颜色和第三颜色，第一颜色、第二颜色和第三颜色为三基色(例如红色、绿色和蓝色)。

在本申请的一些实施例中，发第一颜色光的子像素单元包括的发光单元4中的电致发光层43发第一颜色光，发第二颜色光的子像素单元包括的发光单元4中的电致发光层43发第二颜色光，发第三颜色光的子像素单元包括的发光单元4中的电致发光层43发第三颜色光。在这种情况下，显示面板100可以无需设置彩色滤光层。

在本申请的另一些实施例中，每个子像素单元包括的发光单元4中的电致发光层43发的光均为白光。在这种情况下，显示面板100还包括彩色滤光层(color filter，CF)。

在本申请的另一些实施例中，每个子像素单元包括的发光单元4中的电致发光层43发的光均为蓝光。在这种情况下，显示面板100还包括色变换层(capsulated colorfilter，CCF)。

关于上述显示面板100中像素界定层6的设置位置，如图2所示，像素界定层6设置在第一绝缘层3远离衬底21的表面，相邻电致发光层43之间设置有像素界定层6，用于避免相邻发光单元4发出的基色光发生串扰。

在此基础上，如图2所示，像素界定层6还延伸至在显示面板100的周边区B，像素界定层6位于周边区B的部分上还设置有第二镂空图案60，像素界定层6中位于相邻第二镂空图案60之间的部分作为显示面板100上挡墙8的构成部分。

其中，第二镂空图案60位于第一镂空图案30的上方，露出第一镂空图案30。在本申请的一些实施例中，如图2所示，第一镂空图案30在衬底21上的正投影和第二镂空图案60在衬底21上的正投影重合。

关于上述显示面板100中挡墙8，如图2所示，挡墙8位于显示面板100的周边区B。第一绝缘层3中位于相邻第一镂空图案30之间的部分和像素界定层6中位于相邻第二镂空图案60之间的部分构成挡墙8。或者理解为，正对的第一镂空图案30和第二镂空图案60构成间隙，挡墙8设置在相邻间隙之间。或者理解为，挡墙8的两侧(挡墙8靠近显示区AA的一侧和挡墙8远离显示区AA的一侧)设置有上述间隙。

关于挡墙8的形成方式，在本申请的一些实施例中，如图7所示，在形成有第一镂空图案30的第一绝缘层3上形成像素界定膜层61，例如可以通过涂胶(track)工艺形成像素界定膜层61。然后通过构图工艺(包括曝光、显影、刻蚀等工艺)在像素界定膜层61上形成第二镂空图案60，以得到挡墙8。

其中，显示面板100可以包括一个挡墙8，也可以包括多个挡墙8，图7中以显示面板100包括多个挡墙8为例进行示意。

关于上述显示面板100中封装层5的结构，如图2所示，封装层5覆盖在显示面板100的表面，从显示区AA延伸至周边区B，用于对显示面板100进行封装，可防止水汽进入显示面板100，避免因水汽入侵导致的成长性黑点(grow dark spot，简称GDS)现象。

在本申请的一些实施例中，封装层5包括多层交替设置的无机薄膜和有机薄膜。示例的，如图2所示，封装层5包括依次层叠设置的第一封装薄膜51、第二封装薄膜52以及第三封装薄膜53。第一封装薄膜51和第三封装薄膜53的材料为无机材料，第二封装薄膜52的材料为有机材料。

需要说明的是，由于封装层5覆盖在像素界定层6的表面，因此，在形成封装层5时，封装层5会填充上述由正对的第一镂空图案30和第二镂空图案60构成的间隙。图2中为了清楚示意第一镂空图案30和第二镂空图案60构成的间隙，以封装层5未填充上述间隙进行示意的。

本示例中通过在显示面板100中设置挡墙8，由于挡墙8的两侧均设置有上述间隙，所以挡墙8相对于其两侧的间隙来讲，挡墙8为凸起结构。因此，在第二封装薄膜52的制备过程中，挡墙8可以阻止第二封装薄膜52的有机材料向显示面板100的周边区B外溢，避免因有机材料外溢导致封装不良，从而提高产品良率。

然而，图2所示的显示面板100包括的膜层结构较多，如第一绝缘层3、第二绝缘层3′以及像素界定层6等，那么在制备过程中通过曝光、显影、刻蚀等工艺步骤时所用的掩模版(mask)就较多。这样一来，会增加工艺复杂性及生产成本。另外，在此种情况下，显示面板100的面板厚度较厚，则难以满足人们对轻薄化显示面板的需求。

示例二

示例二与示例一的不同之处在于，显示面板100中不包括第二绝缘层3′。

如图8所示，本申请实施例还提供一种显示面板100，显示面板100包括TFT背板2、第一绝缘层3、多个发光单元4、像素界定层6、挡墙8以及封装层5。

TFT背板2、第一绝缘层3、发光单元4、像素界定层6、挡墙8以及封装层5的结构可以与示例一中相同，可以参考示例一中的相关描述，此处不再赘述。

通过上述描述可知，如图8所示，边缘走线26位于TFT背板2的表面，与源漏电极层25同层设置，构成边缘走线26的材料包括铝。

如图9A所示，第一绝缘层3位于周边区B的部分设置有第一镂空图案30，而第一绝缘层3与边缘走线26之间未设置其他膜层，因此，第一镂空图案30会露出边缘走线26。

其中，图9A中的第一镂空图案30只是一种示意，对第一镂空图案30露出边缘走线26的面积大小不做任何限定，可以是露出全部边缘走线26，也可以是露出部分边缘走线26。

基于此，如图9B(图9B为图9A沿B-B向的剖视图)所示，边缘走线26的表面未被第一绝缘层3覆盖。

如图8所示，第一电极层41设置在第一绝缘层3远离衬底21的表面上，即在制备过程中，形成第一绝缘层3后，直接在第一绝缘层3的表面上形成第一电极41。在制备第一电极层41的过程中，通过构图工艺中的刻蚀工艺形成电极图案时，由于刻蚀液中含有银离子(Ag

通过示例一中的描述可知，在像素界定层6的表面直接形成封装层5，以对显示面板100进行封装。因此，如图10所示，在形成封装层5时，封装层5直接覆盖在边缘走线26的表面。

而由于边缘走线26的表面为非平齐的表面，在形成第一封装薄膜51时，第一封装薄膜51需要填充边缘走线26表面的凹陷区域，导致第一封装薄膜51在凹陷区域会存在应力集中，从而导致第一封装薄膜51产生裂纹，形成底切结构(undercut)。

通常情况下，为了使封装层5具有韧性，设置在第一封装薄膜51表面上的第二封装薄膜52的材料为有机材料，且为了保证封装效果，第二封装薄膜52的厚度通常较厚，这就导致第二封装薄膜52中含有的水汽较多。

这样一来，第二封装薄膜52中的水汽会通过第一封装薄膜51上的裂纹进入显示面板100的显示区AA，导致显示面板100产生GDS现象，从而导致封装失效。

因此，本示例提供的显示面板100中未设置第二绝缘层3′，虽然可以降低显示面板100的厚度，简化制备工艺，降低生产成本。但是，会存在因边缘走线26裸露导致封装失效的问题。

示例三

示例三与示例二的不同之处在于，显示面板100中还包括辅助图案。

本申请实施例还提供一种显示面板100，显示面板100包括TFT背板2、第一绝缘层3、多个发光单元4、像素界定层6、挡墙8、封装层5以及辅助图案。

TFT背板2、第一绝缘层3、发光单元4、像素界定层6、挡墙8以及封装层5的结构和设置位于可以与示例二中相同，可以参考示例二中关于图8的相关描述，此处不再赘述。

关于辅助图案，如图11A所示，辅助图案411至少部分位于第一镂空图案30内，辅助图案411至少覆盖边缘走线26的侧面。

辅助图案411至少部分位于第一镂空图案30内，可以理解为，在本申请的一些实施例中，如图11A所示，辅助图案411位于第一镂空图案30内。这样一来，可以避免因辅助图案411与其它膜层搭接，而增加显示面板100的厚度。

在本申请的另一些实施例中，如图11B所示，辅助图案411与第一绝缘层3搭接。这样一来，可以降低对辅助图案411工艺精度的要求，降低工艺难度。

辅助图案411至少覆盖边缘走线26的侧面，可以理解为，在本申请的一些实施例中，如图11C(图11C为图11A沿C-C方向上的剖视图)所示，辅助图案411覆盖边缘走线26的表面。

其中，边缘走线26的侧面可以理解为，与边缘走线26延伸方向平行，且与TFT背板2相交的表面。边缘走线26的表面可以理解为包括边缘走线26的侧面和与侧面相交的上表面。

通过使辅助图案411覆盖边缘走线26的整个表面，可以简化制备工艺，降低对工艺精度的要求。

在本申请的另一些实施例中，如图12A和图12B(图12B为图12A沿D-D方向上的剖视图)所示，辅助图案411覆盖边缘走线26的侧面。

这样一来，边缘走线26远离衬底21的上表面未设置辅助图案411，可以降低辅助图案411与显示面板100中的其它导电膜层产生的信号干扰。

在此基础上，通过上述描述可知，边缘走线26可以包括第一电平线引线261、第二电平线引线262以及数据线引线263中的至少一种。在本申请的一些实施例中，如图12A所示，用于传输不同信号的边缘走线26上覆盖的辅助图案411相互绝缘。可避免因设置辅助图案411而导致用于传输不同信号的边缘走线26的串接。

本申请实施例不对辅助图案411的材料进行限定，在本申请的一些实施例中，辅助图案411的材料为绝缘材料。在这种情况下，用于传输不同信号的边缘走线26上覆盖的辅助图案411可以为一体结构。

在本申请的另一些实施例中，辅助图案411的材料为导电材料。在这种情况下，用于传输不同信号的边缘走线26上覆盖的辅助图案411相互独立，以实现用于传输不同信号的边缘走线26上覆盖的辅助图案411相互绝缘。

示例的，用于传输不同信号的边缘走线26上覆盖的辅助图案411之间具有间隙。或者示例的，用于传输不同信号的边缘走线26上覆盖的辅助图案411之间设置有绝缘结构。

无论辅助图案411的材料为哪种材料，辅助图案411的表面为平面即可。辅助图案411的表面为平面可以理解为，辅助图案411的表面为平整的表面，并非坑坑洼洼或不平滑的表面。

在本申请的一些实施例中，如图13所示，辅助图案411与第一电极层41同层设置。即，在形成第一电极层41时，同步形成辅助图案411。

其中，可以理解的是，第一电极层41包括多个电极图案，辅助图案411与电极图案相互绝缘。避免辅助图案411对第一电极层41上多个电极图案所传输的信号造成干扰。

基于此，关于本示例提供的显示面板100的制备过程，如图14所示，在TFT背板2上形成第一绝缘层3。然后，在形成有第一绝缘层3的TFT背板2上形成第一电极层41和辅助图案411。然后，在形成有第一电极层41和辅助图案411的TFT背板2上形成像素界定层6。

然后，在形成有像素界定层6的TFT背板2上形成发光单元4中的剩余膜层。然后在形成有发光单元4的TFT背板2上形成封装层5。

关于在形成有第一绝缘层3的TFT背板2上形成第一电极层41和辅助图案411方式，示例的，在通过曝光、显影、刻蚀等工艺步骤制作第一电极层41时，用光刻胶(photoresist,简称PR)遮挡第一电极膜层44上与第一镂空图案30露出的边缘走线26的部分以及待形成的第一电极层41的部分，从而保留第一电极膜层44中位于第一镂空图案30露出边缘走线26的部分，作为上述辅助图案411。

通过在形成第一电极层41时，同步形成辅助图案411，可省去制备辅助图案411的步骤，无需增加mask数量，也不会增加显示面板100的厚度。

如图15所示，在边缘走线26的至少侧面覆盖辅助图案411后，对显示面板100进行封装时，封装层5覆盖在辅助图案411的表面，而不会直接与边缘走线26侧面接触。

由于辅助图案411的表面为平面，因此，在形成第一封装薄膜51时，第一封装薄膜51直接覆盖在表面为平面的辅助图案411上，因此，第一封装薄膜51无需填充边缘走线26表面的凹陷区域，避免了因应力集中产生的undercut结构，也保证了第一封装薄膜51的完好(未产生裂纹)，切断水汽路径，从而防止了水汽侵入引起的封装失效问题，减少GDS的产生，提高产品良率。

基于此，本示例中，在省去了第二绝缘层3＇的前提下，通过在显示面板100的周边区B设置多个辅助图案411，并使辅助图案411覆盖边缘走线26的侧面，在解决因边缘走线26裸露而导致封装失效的同时，不会增加显示面板100的厚度。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。