具有超声换能器的装置及其制造方法

技术领域

本申请涉及具有超声换能器的装置以及用于制造这种装置的方法。

背景技术

超声换能器是响应于电信号(例如交流电压)发射超声信号、将超声信号转换成电信号或被设计为执行这两者的装置。这种超声换能器通常具有可振荡并形成第一电极的膜。第二电极位置固定地布置。如果在电极之间施加交流电压，膜就会振动并可以在交流电压频率适当时产生超声信号。相反，超声信号可以引起膜振动，这改变电极之间的电容，这又可以被测量。

特别地，可以用这样的装置生成或接收2至10MHz范围内的超声信号。超声换能器可以被实现为例如基于硅的微机电系统(MEMS)。

对于一些应用，期望将超声换能器声学耦合到表面，例如以实现可以用作操作元件的触敏面板。为此目的，诸如凝胶的耦合介质通常被设置在超声换能器的一个或多个膜与板元件之间。然而，这种耦合介质具有的热膨胀系数通常与诸如超声换能器和板元件之类的其他部件的热膨胀系数不同。这会导致板元件和超声换能器的这个或这些膜之间的声传递受损。

发明内容

提供了根据本发明的装置、具有这种装置的系统以及方法。以下内容限定了进一步的实施例。

根据一个实施例，提供了一种装置，包括：

具有膜的超声换能器，

与超声换能器间隔开的覆盖元件，以及

耦合介质，其完全填充膜片与覆盖元件之间的间隙、并从间隙延伸到与间隙连接的储存空间中。

根据另一实施例，提供了一种系统，其具有板元件和上面限定的装置。覆盖元件在背离超声换能器的一侧附接到板元件。

最后，提供了一种用于制造如上所述的装置的方法，包括提供超声换能器、提供覆盖元件、以及在间隙与储存空间的至少部分中提供耦合介质。

上面的概述仅提供一些实施例的简要概述并且不应被解释为限制。

附图说明

图1示出了根据一个实施例的装置的示意性框图。

图2A和图2B示出了不同实施例的超声换能器的实现示例。

图3示出了用于解释耦合介质的应用示例和收缩问题的图。

图4A和图4B示出了根据另外的实施例的装置，并且图4C示出了包括这样的装置的系统。

图5A和图5B示出了根据另外的实施例的装置。

图6A至图6E示出了根据各种实施例的装置的变形。

图7A至图7D示出了根据另外的实施例的装置。

图8A至图8E示出了根据另外的实施例的装置。

图9是示出根据实施例的方法的流程图。

具体实施方式

下面详细解释各种实施例。这些仅用于说明性目的并且不应被解释为限制。

因此，不同实施例的特征可以彼此组合。针对实施例之一描述的变体和变形也可以应用于其他实施例，并且因此不对每个实施例单独解释。

具有多个子图的图被以总体图号标记。因此，图4整体表示图4A至图4C，图6整体表示图6A至图6E等。

图1示出了根据实施例的装置10的示意图。装置10具有带有膜12的超声换能器11。如下面根据实现示例参考图2A和图2B所解释的，通过超声换能器11例如可以使膜12振动以便发射超声，和/或可以通过传入的超声使膜12振动，并且可以测量由此产生的超声换能器中电容的变化。超声换能器11尤其可以利用频率在2至10MHz范围内的超声来工作。

装置10还具有覆盖元件13，覆盖元件具有面向超声换能器11、特别是膜12的侧面13A和背离超声换能器11的侧面13B。在稍后将解释的一些应用示例中，覆盖元件可以利用侧面13B附接到板元件以形成触敏布置。为此，侧面13B尤其可以是至少大部分平坦的，例如在位于膜上方的中心区域中，以便能够牢固地附接到板元件。

耦合介质15布置在膜12与覆盖元件13的面向超声换能器11的侧面13A之间的间隙中，使得耦合介质完全填充该间隙。在图1的实施例中，如线14A和14B所示，间隙至少包括对应于以膜12作为底面且膜12在侧面13A上的投影作为顶面的圆柱体的空间。耦合介质15也可以超出该间隙。然而，在该空间外部，耦合介质例如还可以具有空腔或气泡，这是因为对于在膜12与覆盖元件13之间的声传递来说，空间被完全填充是决定性的，如线14A和14B所示，而间隙外部的区域对超声的声传递没有贡献或至少贡献非常少。

耦合介质是使得在膜12与覆盖元件13之间实现声传递的材料。耦合介质可以是例如弹性凝胶，例如硅酮凝胶。

耦合介质15所在的空间与储存空间16流体连接，其中该流体连接由箭头17指示。耦合介质15从膜12与覆盖元件13之间的间隙至少部分地延伸到储存空间16中。在热膨胀时，耦合介质可以膨胀到储存空间16中，并且在热收缩时，耦合介质可以从储存空间16出来到达间隙中，使得间隙在温度波动时保持被完全填充。具体地，储存空间的尺寸可以被确定并且部分地以耦合介质填充，使得其总是在为装置10指定的温度范围(即，装置10旨在使用的温度范围)内被完全填充。由此，即使在温度波动时也可以确在保膜12与覆盖元件13之间的恒定声耦合。虽然在图1中示意性示出了储存空间16与其他元件分开，但是它可以例如形成在覆盖元件13中和/或可以无缝地连接到间隙。下面根据具体实施例更详细地对其解释。

在解释这种装置10的各种实现方式之前，参考图2A和图2B解释超声换能器11的可能实现方式。然而，超声换能器11不限于该实实现方式，并且可以使用带膜的其他传统超声换能器。

图2A和图2B的超声换能器在硅衬底22上实现为微机电系统(MEMS系统)。通过蚀刻等形成膜21，膜21通过其中是真空的间隙25与硅衬底22分离。剩余的硅部分支撑隔膜21。

固定电极22A形成在硅衬底22中，例如由高掺杂硅或金属制成，并且电极21A形成在膜21中，该电极也可以例如由高掺杂硅或金属制成。

图2A示出了使用超声换能器发射超声的情况。为此，借助电压源24在电极21A、22A之间施加直流电压Vdc，该电压叠加有交流电压Vac。交流电压Vac的频率与所产生的超声26的频率对应。通过交流电压Vac，通过电极22A、21A之间的变化静电力而激发隔膜21如虚线23所示地振动，从而产生超声。

图2B示出了接收超声并将其转换成电信号的情况。超声27在此撞击膜21并导致其振动，如虚线28所示。在电极21A与电极22A之间存在直流电压Vdc。膜21的振动引起电极21A、22A之间的电容变化ΔC，然后可以使用传统的电容测量方法来检测该电容变化。

图3是示出了使用超声换能器装置来形成触敏元件的图，并且还示出了在一些实施例中由图1的储存空间16解决或至少减轻的问题。应当注意的是，图3是为了说明的目的，并未示出任何具有储存空间的实施例。

图3示出了处于四种不同状态A至D的超声换能器30，其经由耦合介质31与板元件32连接。超声换能器30发射超声信号并接收反射的超声信号，例如以双工模式，在图2A所示的发送和图2B所示的接收之间快速切换。在其他实施例中，所使用的超声换能器可以具有用于发送和接收的分开的换能器模块；稍后将解释对应的实施例。

曲线33示出了超声换能器在接收模式下接收到的信号强度。

状态A示出了超声信号部分地在耦合介质31与板元件32之间的界面处并且大部分地在板元件32与环境之间的界面处(即，在板元件32的背离超声换能器30的一侧上)反射的情况。根据曲线33，这导致相对较高的信号电平。

在情况B中，如图所示，手34的手指在反射表面处接触板元件。这由于超声也进入手指而减少了界面处的反射。因此信号根据曲线33下降。这样，板元件32可以用作触敏元件，例如用作操作元件。

在状态C和D中，例如由于超声换能器30、耦合介质31和板元件32之间的热膨胀系数不同(例如，当冷却耦合介质31和耦合介质的热膨胀系数较大时，或当加热且耦合介质31和耦合介质的热膨胀系数较小时)，耦合介质相对收缩，使得耦合介质31与板元件32之间形成间隙35。如在状态C和B中所示，超声至少大部分在耦合介质31与间隙35之间的界面处被反射。因此，尽管在D状态下手34的手指接触板元件32，但是在C状态和D状态下信号33都处于高电平。因此，显然在这种情况下触摸检测不再起作用。

通过提供图1的储存空间16，在各种实施例中防止了这种效应，或者至少其发生的可能性较小，这是因为例如在状态C和D中，耦合介质将会从储存空间缩回而不是形成间隙35，从而保证如前所述的接触。

现在提出具体的实施例，其示出图1的装置10的示例实现。

图4A示出了在组装期间根据实施例的装置40，并且图4B示出了处于组装状态中的装置40。

图4A的装置具有带有膜412的超声换能器47。超声换能器附接到用作装置40的基础元件的电路板49上。电路板49具有导体迹线410A、410B，超声换能器47的与相应电极(例如图2A和图2B的电极21A、22A)连接的端子经由接合线411A、411B与导体迹线连接至。然后可以经由导体迹线410A、410B施加图2A和图2B的电压Vdc和Vac，并且可以依据图2B执行电容变化ΔC的测量。

装置40还具有围绕超声换能器47的侧壁416。

此外，装置40具有盖元件48，盖元件具有连续开口414A、414B。应当注意，盖元件48是一件式的并且仅在图4A的剖视图中看起来是三件式盖元件。换言之，开口414A、414B没有将盖元件48的中心部分与边缘部分完全分离(也参见下面关于图7D的说明)。

为了装配装置40，侧壁416之间的空间被以耦合介质413填充，如图所示，使得耦合介质完全覆盖、并且还延伸超出超声换能器47。然后，如箭头415所示，将盖元件48放置在侧壁416上并压入耦合介质413中。结果如图4B所示。

通过放置盖元件48，耦合介质413已部分地伸入开口414A、414B中。开口414A、414B形成储存空间的至少一部分。在耦合介质相对于盖元件48和装置40的其他部件热膨胀时，耦合介质413可以进一步填充开口414A、414B。在耦合介质413相对于盖元件48和装置40的其他部件的热收缩期间，耦合介质413可以从开口414A、414B缩回，由此可以确保膜412与盖元件48之间的间隙保持填充有耦合介质、而与热膨胀和收缩无关。图4B所示的填充有耦合介质413的其他区域也可以用作储存空间的一部分，例如在侧壁与盖元件48的侧面部分之间。

当谈到耦合介质413的相对热膨胀或收缩时，如上所述，这应被理解为相对于装置的其余部分，即，论述耦合介质413比装置的其余部分膨胀更多或比装置的其余部分收缩更多的情况。

如图4A和图4B所示并且在图4B中明确地示出，盖元件48的中间部分与侧面部分相比升高了高度h。这可以用于仅将盖元件的中间部分附接到板元件。相应的应用示例如图4C所示。

图4C示出了图4A和4B的装置40如何在盖元件48的背离超声换能器47的表面处、并且在此在其中升高了高度h的中心部分中借助于粘合层43附接到板元件41。这使得能够检测例如手指44是否正在触摸板元件41，如参照图3原理上所解释的。与图3不同，这里耦合介质413不与板元件41直接接触，而是将声最终在膜与板元件41之间通过耦合介质413和盖元件48、最小程度地还通过粘合层43进行传输。应当注意的是，在图4C中，粘合层43的厚度没有按比例绘制，并且该厚度可以按比例制作得更薄。此外，在其他实施例中，粘合层可以仅设置在装置40固定到板元件41的区域中。

在图4C中，区域46A、46B并且特别是46C被识别出，如果耦合介质具有与装置的其余部分不同的热膨胀系数，则这些区域对于声传递可能是关键的，这是针对传统材料的情况。可以通过提供储存空间来防止区域46C(其对应于图3的间隙35)中的分离。区域46A中的超声耦合可以通过盖元件48与板元件41的相应连接来确保。由于两种情况都涉及固体而不是凝胶等，因此也可以选择材料以使得它们具有相似的膨胀系数。关于区域46B，高度差h使得盖元件48的边缘区域对板元件41与超声换能器47之间的声传递没有贡献。

图5A和图5B示出了根据另一实施例的装置50。装置50在盖元件的设计和组装方面与图4A至图4C的装置40不同。具有相应触点的印刷电路板49、超声换能器47和侧壁416在装置50中的设计与装置40中的一样；相应的元件具有相同的附图标记并且不再进行解释。图5A示出了装置50的组装或制造的阶段，并且图5B示出了完成的装置50。

图5A和图5B的装置50的盖元件58也具有开口414A、414B。在装置50的实施例中，盖元件58在面向超声换能器47的一侧上具有平坦形状并且被放置在侧壁416上。如图5A所示，为了制造装置50，耦合介质413借助喷嘴517通过一个或多个开口、在所示的示例中通过开口414B引入由电路板49、侧壁416和盖元件58限定的空间中，使得其部分地延伸到开口414A、414B中。结果如图5B所示。与图4A至图4C的装置40一样，开口414A、414B用作储存空间或其一部分，具有与图4所讨论的相同的效果。

还应当注意的是，如针对图4A至图4C中的盖元件48一样，针对盖元件58，中心部分可以相对于边缘区域增加高度h。然后，如图4C中的装置40所示，装置50可以利用盖元件58附接到板元件41。除了以上对差异的解释之外，对图4A至图4C的装置40的解释也适用于图5A和图5B的装置50。

在装置40和50中，盖元件48或58面向膜412的表面基本上是平坦的。在其他实施例中，该表面可以被修改。图6A至图6E中解释了这种情况的各种示例。

图6A至图6E示出了装置60A至60E，它们是图4A至图4C的装置40的变型，并且与其不同之处特别在于相应盖元件面向膜412的表面的形状。其余元件具有与图4A至图4C中相同的附图标记并且将不再进行解释。制造工艺也可以与参考图4A所解释的相同。此外，应当注意，下面参照图6A至图6E描述的表面修改也适用于图5A和图5B的装置50的盖元件58的相应表面，将不再单独讨论。

在图6A的装置60A中，盖元件68A在面向超声换能器47且特别是膜412的表面618A上具有凹形形状，即远离超声换能器57向内弯曲的形状。在图6B的装置60B中，盖元件68B在面向超声换能器47的表面618B上具有凸起形状，即向外且朝向超声换能器的弯曲的形状。对于一些耦合介质，这样的形状可以防止在耦合介质413中形成气泡或空隙。另外，在一些实施例中，可以以这种方式实现超声的透镜功能，即超声可以被集束或分散，这取决于期望的应用。例如，通过这样的透镜功能，可以根据需要放大或缩小图4C所示的系统对手指44的触摸敏感的区域。

在图6C的装置60C中，盖元件68C的中心部分朝向膜412锥形延伸，并且面对膜412的表面618C具有栅格结构。这种栅格结构可用于产生特定波长的干涉。例如以这种方式，可以针对特定的超声有效波长生成相长干涉，同时衰减其他频率。

图6D的装置60D示出了类似于图6C的变型，其具有盖元件68B的锥形延伸的中心部分，其中盖元件的面向超声换能器47的表面618D在此是平坦的。由于圆锥形状，可以减小表面618D和膜412之间的距离。

图6E示出了减小距离的另一种可能性。这里，装置60E的盖元件68E在面向超声换能器47的表面618E上具有截锥形或锥形突出部，这也导致盖元件68E和膜412之间的距离较小。小距离意味着声音必须穿过耦合介质413的距离变得更小，这在一些实施例中可以减少开关损耗。

应当注意，图6A至图6E的各个表面618A至618E也可以组合。例如，图6A和图6B的凹面16A或凸面618B可以另外设置有如图6C所示的栅格结构。因此，各种表面修改都是可能的，包括除了所示修改之外的修改。

在上述实施例中，超声换能器47具有带有单个隔膜的单个部件。在其他实施例中，可以使用多于一个转换器模块。例如，可以使用两个转换器模块，其中一个转换器模块用于发送声波，而另一转换器模块用于接收声波。图7A至图7C示出了相应的实施例。同样，这些是图4A至图4C的实施例的变型，并且对应的元件具有相同的附图标记。以类似的方式，还可以基于图5A和图5B的实施例或者还基于下面讨论的图8A至图8E的实施例来实现具有两个转换器模块的配置。

在图7A的装置70A中，具有第一膜712A的第一转换器模块77A和具有第二膜712B的第二转换器模块77B被提供在印刷电路板49上。在装置70A中，转换器组件77A用作例如发射器(Tx)并且转换器组件77B用作接收器(Rx)。转换器模块77A、77B的端子如图所示地经由接合线411A、411B、411C和411D与导体轨道410A、410B和410C连接。在这种情况下，两个转换器模块77A、77B都与导体迹线410B连接，而导体迹线410A仅与模块77A连接并且导体迹线410C仅与转换器模块77B连接。例如，导体迹线410B可以是接地连接或其他参考电势，然后可以相对于接地连接或其他参考电势将电压施加到导体迹线410A、410C或为了电容测量而分接电压。

装置70A具有的盖元件78A，其形状与图4A至图4C的装置40的盖元件48非常相似。除此之外，其还具有在转换器模块77A、77B之间突出的突出部719。以此方式，在一些实施方式中可以改善传输路径与接收路径的声学分离。突出部719不必一直到达印刷电路板49，而是也可以仅在转换器模块77A、77B之间突出一点。

在其他方面，装置70A对应于已经讨论的装置40，包括图4A所示的产品，其中盖元件被压入耦合介质413中，使得耦合介质413进入开口414A、414B中。

图7B示出了装置70B，其是图7A的装置70A的变型。

与装置70A不同，在装置70B中，盖元件78B的面向转换器模块77A的表面具有突出部。这缩短了膜712A和盖元件78B之间的距离。此外，盖元件78B的面向转换器模块77B的表面712B具有栅格结构，其可以产生干涉效应，如参考图6C所解释的。也可以独立地针对表面718A和718B使用参照图6A至图6E讨论的其他表面结构。

图7C的装置70C示出了进一步的变型。这里，装置70C的盖元件78C在上侧具有周边凹部720。为了说明的目的，图7D示出了盖元件78D的俯视图。在该平面图中，在所示示例中示出了总共四个狭缝形开口414A、414B、414C和414D，这些狭缝形开口分别在略小于椭圆形状的四分之一上延伸。凹部720具有环绕的椭圆形形状。在这些开口中，开口414A、414B在图7C的剖视图中可见。应当注意的是，类似形状的开口也可以用在上面讨论的其他实施例中。在其他实施例中，可以使用除椭圆形状之外的形状，例如矩形形状、正方形形状或圆形形状。盖元件的凸起部分(参见图4A至图4C和图5A、图5B的高度h)则位于开口414A至414D所在的椭圆内。而且，代替细长狭缝，其他开口形状也是可能的，例如圆形开口、多个较短的狭缝形开口等。

当如图4C所示附接到面板元件时，凹部720可以接收过量的粘合剂(例如图4C的粘合剂层43)，这可以导致盖元件更好地贴合到面板元件。应当注意的是，这样的凹部也可以设置在此处所示的其他实施例中，例如具有对应子图(A、B、...)的图4、图5和图6或下面的图8的实施例。而且，在其他实施例中，可以提供多于一个的凹部，和/或凹部可以是被中断的。

在图4至图7的实施例中，超声换能器被提供在电路板上，侧壁附接该该电路板，并且盖元件具有用作储存空间的开口。然而，本申请不限于该配置。图8A至图8E示出了根据另外的实施例的具有不同配置的装置80A至80D。

图8A和图8B示出了根据一个实施例的装置80A的制造，并且图8C示出了完成的装置80A。图8的实施例基于所谓的倒装芯片技术。

在图8A的实施例中，再次提供了已经讨论的具有膜412的超声换能器47。在装置80A的示例中，其具有两个突出的接触元件811A和811B。

此外，提供具有侧壁816和导体迹线810A、810B的印刷电路板88A。如图8A所示，导体迹线810A、810B具有弯曲形状，这在一些实施例中可以有利于随后的电接触。在其他实施例中，其他几何形状也是可能的，这取决于产品中的最终几何形状和布置。

印刷电路板88A在此用作用于覆盖膜并且同时用于电接触的覆盖元件。如稍后将更详细地看到的，电路板88A的功能在电接触方面对应于上述实施例的电路板49，并且在从膜和到膜的声传导方面对应于上述实施例的盖元件。

为了安装，如图8A中的箭头815所示，将超声换能器47放置在底部元件88A上，使得接触元件811A和811B接触导电元件810A和810B，如图8B所示。例如，可以通过焊接或通过导电粘合剂来完成固定。

与上述实施例的导体迹线410A、410B和410C类似，导体迹线810A和810B用于与超声换能器47进行电接触，特别是用于施加直流电压和交流电压以及用于测量电容，如上所述。

如图8B所示，然后借助喷嘴517将耦合介质413填充到侧壁816之间。这首先填充膜412与用作覆盖元件的底部元件88A之间的间隙。如图8C所示，耦合介质被填充到其也在背离底部元件88A的一侧上完全覆盖超声换能器47的程度，如图8C所示。然后，超声换能器47的侧面上和超声换能器的背离膜412一侧上的空间在这种情况下被用作储存空间，具有与上述相同的效果。

对于具有盖元件的实施例讨论的变型和变体也适用于图8A至图8C的装置80A。作为示例，图8D示出了装置80D，其中印刷电路板88D的面向膜片412的表面818被修改。在图8D的示例中，表面818具有与图6A的表面618A的凹形形状相对应的凹形形状。图6的其他表面形状也可以应用于装置80A。另外，如参考图7所解释的，两个转换器模块还可以彼此相邻地布置，其中相应的印刷电路板则可以具有在转换器模块之间突出的突出部。

图8E示出了装置80A的应用示例，其基本上对应于图4C中的应用示例。此处，装置80A利用印刷电路板88A的背离膜412的一侧以已经描述的粘合层43附接到同样已经描述的板元件41，用此可以实现触敏传感器。为了容纳过量的粘合剂43，在电路板88A中也可以提供凹部，如图7C和图7D的凹部720。在这方面，前述实施例的变体也可以应用于图8中的实施例。

图9是示出根据实施例的方法的流程图。图9的方法用于制造上面讨论的装置之一并且将参考它进行描述。

在90处，该方法包括提供诸如超声换能器47的超声换能器，其还可包括诸如图7的换能器模块77A、77B的多个换能器模块。在91处，提供覆盖元件。这可以是如图4至图7中的盖元件或如图7中的底部元件。

在92处，该方法包括提供耦合介质，使得耦合介质完全填充超声换能器的一个(膜或多个膜)与覆盖元件之间的间隙，并且还突出到储存空间中。提供耦合介质可以包括用喷嘴填充，如图8B或图5A所示，或者可以首先将耦合介质提供在侧壁之间，并且然后放置上盖元件，如图4A所示。其他类型的提供也是可能的。如果能够保证充分的接触，则在图8A所示的步骤之前，至少部分耦合介质可以已经被填充，然后被超声换能器47压向侧面。

一些实施例由以下示例定义：

示例1.一种装置，包括：

具有膜的超声换能器，

与超声换能器间隔开的覆盖元件，以及

耦合介质，其完全填充膜与覆盖元件之间的间隙，并且从该间隙延伸到与该间隙连接的储存空间中。

示例2.根据示例1所述的装置，其中所述耦合介质延伸到所述储存空间中，使得：在间隙保持完全以凝胶填充期间，耦合介质在膨胀时膨胀到储存空间中、并且在收缩时从储存空间缩回。

示例3.根据示例1或2所述的装置，其中所述耦合介质包括凝胶。

示例4.根据示例1至3中任一项所述的装置，其中所述覆盖元件的面向膜的表面具有弯曲形状。

示例5.根据示例1至4中任一项所述的装置，其中所述覆盖元件的面向膜的表面具有栅格。

示例6.根据示例1至5中任一项所述的装置，其中所述覆盖元件的面向所述膜的表面与膜相对置地具有台阶部，该台阶部减小覆盖元件与膜之间的距离。

示例7.根据示例1至6中任一项所述的装置，其中所述覆盖元件的背离所述膜的表面至少在膜上方的区域中具有平坦表面。

示例8.根据示例1至6中任一项所述的装置，其中所述超声换能器包括具有第一膜的第一换能器模块和具有第二膜的第二换能器模块，其中间隙包括第一膜与覆盖元件之间的第一间隙以及第二膜与覆盖元件之间的第二间隙。

示例9.根据示例8所述的装置，其中所述覆盖元件的面向所述超声换能器的表面具有突出部，所述突出部在所述第一换能器模块与第二转换器模块之间延伸。

示例10.根据示例1至9中任一项所述的装置，还包括具有导电元件的基础元件，其中所述超声换能器附接到基础元件并且与导电元件电连接，其中覆盖元件和基础元件布置在超声换能器的相对侧上。

示例11.根据示例10所述的装置，其中所述覆盖元件包括至少一个开口，其中储存空间包括至少一个开口的至少一部分。

示例12.根据示例11所述的装置，其中所述至少一个开口包括多个弯曲狭缝形开口。

示例13.根据示例10至12中任一项所述的装置，其中侧壁附接到所述基础元件，其中所述覆盖元件覆盖侧壁。

示例14.根据示例1至9中任一项所述的装置，其中所述覆盖元件具有导电元件，其中所述超声换能器经由导电接触元件与导电元件连接，所述导电接触元件在超声换能器上与膜布置在同侧上。

示例15.根据示例14所述的装置，其中侧壁附接到所述覆盖元件，其中所述储存空间包括在所述超声换能器与所述侧壁之间的区域和/或在超声换能器的背离膜的一侧上的区域。

示例16.一种系统包括：

板元件，以及

根据示例1至15中任一项所述的装置，其中所述覆盖元件在背离所述超声换能器的一侧上附接到所述板元件。

示例17.一种制造根据示例1至15中任一项所述的装置的方法，包括：

提供超声换能器，

提供覆盖元件，以及

在间隙中和储存空间的至少一部分中提供耦合介质。

示例18.根据示例17所述的方法，

其中所述装置是根据示例10至13中任一项设计的，

其中耦合介质被提供在基础元件和超声换能器上，并且然后覆盖元件被布置，使得耦合介质至少部分地移动到储存空间中。

示例19.根据示例17所述的方法，

其中所述装置是根据示例10至13中任一项设计的，

其中具有超声换能器的基础元件和覆盖元件被提供，并且然后耦合介质被填充到间隙中并且至少部分地被填充到储存空间中。

示例20.根据示例19所述的方法，

其中所述装置是根据示例11或12设计的，

其中耦合介质通过该至少一个开口中的一个开口被填充到间隙中并且至少部分地被填充到储存空间中。

示例21.根据示例17所述的方法，

其中所述装置是根据示例14或15设计的，

其中超声换能器经由导电接触元件被与覆盖元件连接，并且然后耦合介质被填充到间隙中并且至少部分地被填充到储存空间中。

尽管在本说明书中示出和描述了具体实施例，但是本领域普通技术人员将认识到，在不脱离本说明书的范围的情况下，可以用各种替代和/或等效实施方式来替代本说明书中示出和描述的具体实施例。可以选择所示的那些偏离发明。本申请旨在覆盖本文所讨论的特定实施例的任何修改或变化。因此，本发明旨在仅由示例和示例的等同物限制。