一种快速检测分析绢云母质量的方法

技术领域

本发明涉及绢云母检测技术领域，尤其涉及一种快速检测分析绢云母质量的方法。

背景技术

绢云母是云母的一种，它属于具有层状结构的硅酸盐矿物质。绢云母具有很广泛的用途，用于橡胶、塑料、涂料、油漆、陶瓷、保温、化妆品、颜料、造纸、冶金等行业。绢云母是一种天然细粒白云母，是层状结构的硅酸盐，可劈成极薄的片状，片厚可达1μm 以下(理论上可削成0.001μm)，径厚比大；抗磨性和耐磨性好；耐热绝缘；难溶于酸碱溶液；化学性质稳定。另外绢云母的化学组成、结构与高岭土相近, 又具有粘土矿物的某些特性，即在水介质及有机溶剂中分散悬浮性好，色白粒细，有粘性等。因此，绢云母兼具云母类矿物和粘土类矿物的多种特点。

绢云母中的微量元素种类、含量，因地、因生成时代等物理化学条件而异。瑞安的绢云母中主要微量元素含量(PPm)为：Ag1.2；As0.7；Hg0.00；Pb61.0；Zn9.1；Cd0.13。微量元素的种类及含量与利用的关系密切，特别是在化妆品、食品容器等方面的应用，对As、Hg、pb、Zn、Cd等含量严禁超标，否则，需经处理，达标后才能应用。瑞安绢云母的微量元素的种类和含量可允许用于食品容器内壁涂料及油漆中。

绢云母在检测时，由于检测的项目比较多，因此一般检测都是分开检测，然而分开检测会使得检测的流程较长，从而效率很低，无法快速得出产品质量结果，为此我们提出了一种快速检测分析绢云母质量的方法。

发明内容

本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种快速检测分析绢云母质量的方法。

为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：

一种快速检测分析绢云母质量的方法，包括以下步骤：

S1，准备三份质量相同的绢云母原料，再对其进行粉碎研磨，研磨后原料的粒径在0.5-1微米；

S2，用光谱元素检测仪检测原料的光谱信息，通过光谱信息推导出具体的元素信息；

S3，再对绢云母原料照射X射线，通过X射线单晶结构分析基于入射X射线通过晶体产生在空间具有特定方向的衍射，根据晶体学理论推导出晶体中原子的排列情况，从而获得绢云母原料的结构信息；

S4，再对绢云母原料进行物相分析、粒度分析、抗压测试、莫氏硬度、白度、放射性指标、弯曲强度、体积密度、光泽度和微观形貌的检测。

优选的，所述在S4的步骤中，将物相分析、粒度分析、放射性指标、光泽度和微观形貌检测同步进行。

优选的，所述在S4的步骤中，将抗压测试、莫氏硬度和弯曲强度进行同步检测。

优选的，所述在S4的步骤中，检测粒度用粒度分析仪检测，检测放射性用放射性检测仪检测，检测光泽度用光泽度仪检测，检测微观形貌用扫描电镜检测。

优选的，所述在S4的步骤中，用抗压测试仪同步检测抗压测试、莫氏硬度采和弯曲强度。

本发明提出的多种检测程序，保证产品质量检测的全面性，而且多种检测项目归纳检测，简化了检测的流程，提高了检测的效率，适合进行市场推广。

具体实施方式

下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。

实施例

一种快速检测分析绢云母质量的方法，包括以下步骤：

S1，准备三份质量相同的绢云母原料，再对其进行粉碎研磨，研磨后原料的粒径在0.5-1微米；

S2，用光谱元素检测仪检测原料的光谱信息，通过光谱信息推导出具体的元素信息；

S3，再对绢云母原料照射X射线，通过X射线单晶结构分析基于入射X射线通过晶体产生在空间具有特定方向的衍射，根据晶体学理论推导出晶体中原子的排列情况，从而获得绢云母原料的结构信息；

S4，再对绢云母原料进行物相分析、粒度分析、抗压测试、莫氏硬度、白度、放射性指标、弯曲强度、体积密度、光泽度和微观形貌的检测。

本实施例中，所述在S4的步骤中，将物相分析、粒度分析、放射性指标、光泽度和微观形貌检测同步进行。

本实施例中，所述在S4的步骤中，将抗压测试、莫氏硬度和弯曲强度进行同步检测。

本实施例中，所述在S4的步骤中，检测粒度用粒度分析仪检测，检测放射性用放射性检测仪检测，检测光泽度用光泽度仪检测，检测微观形貌用扫描电镜检测。

本实施例中，所述在S4的步骤中，用抗压测试仪同步检测抗压测试、莫氏硬度采和弯曲强度。

本发明将物相分析、粒度分析、放射性指标、光泽度和微观形貌检测同步进行，将抗压测试、莫氏硬度和弯曲强度进行同步检测，简化了检测的流程，提高了检测的效率，检测粒度用粒度分析仪检测，检测放射性用放射性检测仪检测，检测光泽度用光泽度仪检测，检测微观形貌用扫描电镜检测，用抗压测试仪同步检测抗压测试、莫氏硬度采和弯曲强度，提出的多种检测程序，保证产品质量检测的全面性，适合进行市场推广。

以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。