使用功能化表面微特征来清洁接点组件及支持硬件或引线接合器的系统及方法

优先权主张

本申请案为继续申请，且主张2020年4月22日提交的美国专利申请案第16/855,841号的优先权，且亦主张2019年11月14日提交的美国专利申请案第16/684,453号的优先权，将所有该申请案的全部内容以引用方式并入本文中。

技术领域

本公开内容大体涉及用于可预测且一致地清洁测试器(tester)接口接点组件(界面接触元件，interface contact elements)及支持硬件(support hardware)(诸如，探针卡(probe-card)及测试插座)或引线接合机器(wire bonding machines)及毛细管的材料、装置及方法。

背景技术

个别(individual)半导体(集成电路)装置典型地系通过使用熟知的半导体加工技术(可包括光刻、沉积及溅镀)在半导体晶圆(wafer)上产生多个装置来生产。通常，此等制程(process)旨在在晶圆级(wafer level)产生全功能(fully-functional)集成电路装置(IC)。最终，个别IC装置从半导体晶圆单切(singulate)或切块(dice)成单独且个别管芯(晶粒，die)。使用熟知的组装技术来组装经单切的IC装置，以用于在封装(package)中最终完成、或并入至电子设备内，该组装技术可包括：将管芯附着至引线框(lead-frame)、引线接合(wire bonding)或焊球(solder ball)附着、及囊封(encapsulation)(通常通过各种模制技术以使用外部电气连接性向封装提供主体)。

然而，实践中，晶圆自身中的实体缺陷(physical defect)和/或晶圆处理中的缺陷可无法避免地导致晶圆上的管芯中的一些为全功能，该管芯中的一些无功能，以及该管芯中的一些具有较低性能或需要修复。优选地，通常需要识别晶圆上的管芯中的哪些为全功能，在从晶圆单切以及组装到消费者装置中之前。归因于晶圆中的某些实体缺陷、IC电路层中的缺陷和/或与半导体加工技术有关的缺陷的非功能、较低性能及可修复装置可在单切前通过称为晶圆级测试的制程(在本领域中常被称为“晶圆分拣(sort)”)来识别。在晶圆级别根据产品能力(其中产品性能通过电气测试判定(determine))对IC装置分拣或分箱(binning)可日后在制造制程中为制造者节省相当大的成本，以及提供来自最高性能装置销售的增加的收入。

一旦已将装置单切，则在处置及组装期间的某些制程步骤可无法避免地导致切块缺陷、处置缺陷、与组装及封装有关的缺陷(其可仅经电气识别以将装置分箱为全功能、无功能或潜在地“可修复”)。实践中，组装及封装的半导体装置在其最终完成或并入至电子设备内之前经受一系列电气测试制程。在封装级的制程或在装运前的最终测试包括但不限于经单切装置的测试，不管是裸管芯、封装的IC(临时或永久)，还是其间的变体。

通常，在晶圆级或封装级下的IC装置的电气测试通过自动测试装备(ATE)来实现，该ATE经机械及电气配置以用于刺激半导体装置，根据自适应测试技术及功能惯例(routine)而运用装置，及检验输出以评价恰当功能性。

在晶圆级测试，常规接口硬件为“探针卡”，匹配受测装置(device under test)(DUT)输入/输出(I/O)垫的布局、功率、GND及制程监视接脚(pin)的多个探针组件连接至该探针卡。更具体地，在典型晶圆测试制程中，探针卡安装至探测器，且使探针接点组件(简单地被称为“探针”)与晶圆的管芯上形成的接合垫、焊球、凸块、柱状物或柱状凸块接触。通过抵靠接合垫、焊球、凸块、柱状物或柱状凸块施加探针尖的受控位移，达成电气连接，从而允许传输电力(power)、接地及测试信号。探针尖抵靠接合垫、焊球、凸块、柱状物或柱状凸块的重复摩擦、变形及穿透产生粘附且堆积至探针接触表面上的碎屑及污染物。

在封装级测试，测试器负载板提供自动化测试装备(ATE)或手动测试装备与DUT之间的接口。测试器负载板常规地包括一个或多个接触器(contactor)总成，有时被称为“测试插座”(DUT插入至其中)。在测试过程期间，DUT由处置者插入或置放至插座内，且在测试持续期间固持至适当位置。在插入至插座内后，DUT经由接脚组件通过测试器负载板、其子总成及其它接口连接设备(interfacing apparatus)而电气连接至ATE。与ATE相关联的接点接脚(触针，contact pin)组件与DUT的金属化的接触表面实体及电气接触。此等表面可包括测试垫、引线、接脚连接器、接合垫、焊球和/或其它传导性介质。DUT的功能性、静态及动态性能测试是通过各种电气输入及对输出所测量的响应来评估的。通过重复测试，接点组件尖部(顶端，tip)可变得受到由晶圆及半导体装置制造及测试制程所致的材料(诸如铝、铜、铅、锡、金、副产物、有机膜或氧化物)的污染。

两种类型的IC测试(晶圆级及封装级)遇到的主要挑战之一为，确保与接触器组件相关联的接点接脚与DUT的接触表面之间的最佳电气接触。在各测试程序中，通过重复接触至接合垫、焊球、凸块、柱状物或柱状凸块上的接脚接点组件，碎屑及其它残渣将堆积且污染接脚组件的接触区域。此碎屑可源自测试及处置制程自身，或可包括来自装置制造和/或组装制程或来自其它来源的制造残渣。

在存在污染物的存在之外，重复地迫使电流穿过接点接脚小的金属间“a-斑点(a-spot)”可使接触表面的传导性特性劣化，因此影响用于恰当电气测试的金属间品质。随着污染物堆积(与接触表面的劣化偶联)，接触电阻(CRES)升高且减小了测试的可靠性。增大及不稳定的CRES可影响良率，和/或随着良率恢复测试增加，影响测试时间。此等错误读数可导致误拒绝原本良好的DUT，从而导致常巨大的良率损失。经由多遍测试，良率恢复可为可能的；然而，多次重复测试装置以验证装置或达到良率恢复使总生产成本增大，减少生产量，影响组装(总成，assembly)，且产生了长期可靠性降低的可能性。

对于晶圆级及封装级测试接触器技术的高性能需求已促进了具有预定(predetermined)的及经工程设计的机械及电气性能性质的经独特成形及定制化的接点组件的开发。许多新的先进的接点技术具有独特接点组件几何形状及机械行为，以有助于一致、可重复且稳定的电气接触。该技术中的一些使用平版印刷组装技术来建构，一些使用基于MEMS的制程来建置；而其它的通过高精度微机械加工技术来制造。使用具有改良电气性能及耐氧化性的各种材料，亦达到接触器的改良电气特性。接点组件经工程设计以有助于一致的氧化物穿透，同时减小至接合垫、焊球、凸块、柱状物或柱状凸块上的施加的支承力。然而，仍然有必要进行与接合垫、焊球、凸块、柱状物或柱状凸块的实体接触；由此，产生可影响来自电气性能测试程序的结果的碎屑及污染。

典型地，需要周期性地将产生的碎屑从接点组件移去，以防止引起接触电阻增大、连续性故障、及误测试指征的累积，其又导致良率人为地较低，及随后产品成本增加及生产量减少。

作为对颗粒粘附至接点组件及支持硬件的问题的响应，已开发出一些技术。例如，一种技术使用由有机硅橡胶构成的清洁材料，有机硅橡胶提供用于研磨剂颗粒的基质。此外，可使用清洁晶圆、或安装至抵靠探针摩擦的研磨性陶瓷清洁区块上的清洁介质，或可使用具有研磨剂颗粒及由玻璃纤维制成的清扫刷的橡胶基质。在一种技术中，探针可经喷涂或浸渍于清洁溶液中。在另一技术中，可使用具有空隙的随机表面形貌及可变高度的基于开孔泡沫的清洁装置。

在一种常规的接点组件清洁制程中，使用对接点接脚和/或接触器主体刷洗、吹风及清洗的一些组合。此制程需要停止测试操作，手动干预来进行清洁，及可能从测试环境移去测试接口(探针卡、插座等)。此方法提供不一致的碎屑移去，且可能无法提供在成形的接点组件的几何特征内的充分清洁作用。在清洁后，必须重新装设测试接口以及重新建立测试环境，使得测试可恢复。在一些情形中，将接点组件移去、清洁及替换，从而导致成本升高(归因于未排程的装备停机时间)。

在另一常规方法中，使用具有研磨性表面涂层或经研磨性涂覆的聚氨酯泡沫层的清洁垫来移去粘附至接点组件的外来材料。通过抵靠清洁垫重复摩擦接点组件(及可能重复摩擦至清洁垫内)，将粘附性外来材料从接点组件及支持硬件磨去。使用研磨性垫的清洁制程将接点组件磨光，但其未必移去碎屑。事实上，磨光引起对接点组件的磨损，由此改变接点几何形状的形状，改变接点性能，且缩短接触器的有用寿命。

当在清洁制程期间一致且可预测地进行从接点组件及支持硬件移去碎屑时，达到最大清洁效率，而不影响接点组件的性能。使用自开孔泡沫建构的研磨性垫的清洁制程无法提供一致的清洁。事实上，通过随机取向及不受控的泡沫结构进行的磨光作用引起对接点组件的不均匀磨损以及优先研磨，由此不可预测地改变接点几何形状的形状及接点组件及支持硬件的机械性能；由此，不可预测地缩短接触器的有用寿命。

在行业中，已看出，由多个接点组件(多达150,000个测试探针组件)及支持硬件组成的测试器接口硬件可每ATE测试胞元花费多于$1M。归因于不当或非最佳清洁实践的过早磨损及损坏可折合成每ATE测试胞元每年数百万美元。因此，在全世界操作的ATE测试胞元数以万计的情况下，对修复、维护及替换成本的影响可非常大。

对常规探针清洁制程进行改良的另一尝试包括使用粘性研磨性填充或未填充的聚合物型清洁材料来移去外来材料。更具体地，使聚合物垫与接点组件实体接触。粘附的碎屑通过粘性聚合物松动，并粘至聚合物表面；由此从接点组件及其它测试硬件移去。聚合物材料设计成维持接点组件的总体形状；然而，与聚合物层的相互作用可无法提供在成形的接点组件的几何特征内的充分清洁作用。

当通过研磨性填充或研磨性涂覆的材料对膜(其具有连续均匀表面或具有随机取向及随机间隔的表面特征的表面)进行清洁时，优先研磨如下显现：通过“边缘接脚”效应(例如，测试探针阵列的周边接点组件以与阵列内的接点组件不同的速率研磨性磨损)；或经由“相邻接脚间距”效应(例如，紧密间隔的接点组件以与宽间隔的接点组件不同的速率磨损)；或经由「相邻接脚取向」效应(例如，接点组件空间上的接近可引起接点组件的优先及不对称磨损)。接点组件及支持硬件的非均匀磨损将影响在IC半导体装置测试期间的性能一致性，且可导致意想不到的良率损失、装备停机及修复成本。

在晶圆级及封装级下的典型接点组件清洁制程对于终端使用者而言可为昂贵的，因为接触器可由基于研磨剂的接点清洁制程而以不同速率不可控制地磨损。当将磨损速率或尺寸减小的研磨剂颗粒用于关键接点组件时，几何形状可受到对研磨剂材料层、表面特征及底层(under layer)的柔性的相对小改变(大致2％至3％)的剧烈影响。在全世界操作的IC装置测试单元(探测器(prober)及处置器)数以千计的情况下，来自在测试期间维护清洁接点组件而无过早磨损的对行业的影响可非常大。

此等方法中无一者充分地清洁此等测试机器，亦未充分地清洁具有关键接点组件几何形状的此等测试机器的接点组件，亦未充分地清洁引线接合机器及其毛细管。因此，需要用于清洁及维护接点组件及引线接合机器毛细管的改良的方法及设备。

模量附图说明

图1A绘示具有探针垫的在晶圆级或在封装级受测装置或DUT；电气接点组件及ATE接口(探针卡或测试插座)的常规实例；

图1B为在晶圆级或在封装级的受测装置或DUT、焊料凸块、柱状物或凸起柱状物、电气接点组件及ATE接口(探针卡或测试插座)的实例的示意图；

图1C绘示已知引线接合组装机器100，其具有用于引线接合操作的毛细管102；

图1D绘示在使用清洁材料202进行的清洁操作200期间的具有毛细管的已知引线接合组装机器；

图2A为典型清洁装置的俯视图，所述典型清洁装置具有可施加至晶圆表面的清洁垫；

图2B为典型清洁装置的剖视图，所述典型清洁装置具有施加至基板(substrate)表面的清洁垫；

图2C为典型清洁装置的剖视图，所述典型清洁装置具有施加至近似IC封装的基板的清洁垫；

图3A为已知清洁介质的剖视图，所述已知清洁介质具有在拥有预定性质的清洁垫层和保护性衬里下方的一个或多个中间柔性材料层；

图3B为已知清洁介质的剖视图，所述已知清洁介质具有在拥有预定性质的清洁垫层和保护性衬里下方的一个或多个中间刚性材料层；

图4A为清洁垫层的等视图，所述清洁垫层具有拥有预定性质的多个均匀间隔且预定义(predefined)的“阳”微锥体；

图4B为清洁垫层的等视图，所述清洁垫层具有拥有预定性质的多个均匀间隔且预定义的“阳”微柱体；

图4C为清洁垫层的等视图，所述清洁垫层具有拥有预定性质的多个均匀间隔且预定义的“阳”弯曲锥体微特征；

图5为清洁介质的剖视图，该清洁介质具有在清洁垫层和可移去的保护性衬里下方的一个或多个中间柔性材料层，所述清洁垫层具有处于表面参考平面上方的多个均匀间隔且预定义的“阳”微特征；

图6A为清洁垫层的等视图，所述清洁垫层具有拥有预定性质的多个均匀间隔且预定义的“阴”微锥体；

图6B为清洁垫层的等视图，所述清洁垫层具有拥有预定性质的多个均匀间隔且预定义的“阴”微柱体；

图6C为清洁垫层的等视图，所述清洁垫层具有拥有预定性质的多个均匀间隔且预定义的“阴”倒弯曲锥体微特征；

图7为清洁介质的剖视图，该清洁介质具有在清洁垫层和可移去的保护性衬里下方的一个或多个中间柔性材料层，所述清洁垫层具有多个均匀间隔且预定义的“阴”微特征；

图8A为清洁介质层的剖视图，所述清洁介质层具有预定性质(诸如，粘性、硬度、研磨性等)，其施加至具有预定性质的多个均匀间隔且预定义的“阳”微锥体；

图8B为清洁介质层的剖视图，所述清洁介质层具有预定性质(诸如，粘性、硬度、研磨性等)，其施加至具有预定性质的多个均匀间隔且预定义的“阳”微柱体；

图8C为清洁介质层的剖视图，所述清洁介质层具有预定性质(诸如，粘性、硬度、研磨性等)，其施加至具有预定性质的多个均匀间隔且预定义的“阳”弯曲锥体微特征；

图8D为清洁介质层的剖视图，所述清洁介质层具有预定性质(诸如，粘性、硬度、研磨性等)，其施加至具有预定性质的多个均匀间隔且预定义的“阳”[直]微锥体，其中一个或多个中间柔性或刚性材料层在具有预定性质的清洁垫层和保护衬里下方；

图8E为清洁介质层的剖视图，所述清洁介质层具有预定性质(诸如，粘性、硬度、研磨性等)，其施加至具有预定性质的多个均匀间隔且预定义的“阳”微柱体，其中一个或多个中间柔性或刚性材料层在具有预定性质的清洁垫层和保护衬里下方；

图8F为清洁介质层的剖视图，所述清洁介质层具有预定性质(诸如，粘性、硬度、研磨性等)，其施加至具有预定性质的多个均匀间隔且预定义的“阳”弯曲锥体微特征，其中一个或多个中间柔性或刚性材料层在具有预定性质的清洁垫层和保护衬里下方；

图9A为清洁介质层的剖视图，所述清洁介质层具有预定性质(诸如，粘性、硬度、研磨性等)，其施加至具有预定性质的多个均匀间隔且预定义的“阴”微锥体；

图9B为清洁介质层的剖视图，所述清洁介质层具有预定性质(诸如，粘性、硬度、研磨性等)，其施加至具有预定性质的多个均匀间隔且预定义的“阴”微柱体；

图9C为清洁介质层的剖视图，所述清洁介质层具有预定性质(诸如，粘性、硬度、研磨性等)，其施加至具有预定性质的多个均匀间隔且预定义的“阴或倒”弯曲锥体微特征；

图9D为清洁介质层的剖视图，所述清洁介质层具有预定性质(诸如，粘性、硬度、研磨性等)，其施加至具有预定性质的多个均匀间隔且预定义的“阴”微锥体，其中一个或多个中间柔性或刚性材料层在具有预定性质的清洁垫层和保护衬里下方；

图9E为清洁介质层的剖视图，所述清洁介质层具有预定性质(诸如，粘性、硬度、研磨性等)，其施加至具有预定性质的多个均匀间隔且预定义的“阴”微柱体，其中一个或多个中间柔性或刚性材料层在具有预定性质的清洁垫层和保护衬里下方；

图9F为清洁介质层的剖视图，所述清洁介质层具有预定性质(诸如，粘性、硬度、研磨性等)，其施加至具有预定性质的多个均匀间隔且预定义的“阴或倒”弯曲锥体微特征，其中一个或多个中间柔性或刚性材料层在具有预定性质的清洁垫层和保护衬里下方；

图10A为具有在封装测试期间接触的焊料凸块或焊球阵列的代表性封装的实例；

图10B为针对在测试插座内使用而建置的清洁装置的实例，所述清洁装置具有拥有预定性质(诸如，粘性、硬度、研磨性等)的清洁材料层，其具有模仿IC封装的受测装置的几何形状的清洁材料凸块或球、特征，及焊球互连件的阵列；

图11A为建置有多个清洁球的清洁介质的剖视图，该清洁介质可施加至预定基板使得该装置近似封装的IC装置的几何形状且可在封装级测试期间由测试装备处置；

图11B为具有预定性质(诸如，粘性、硬度、研磨性等)的清洁介质层的剖视图，该清洁介质层已跨多个球形微特征施加以便在封装级测试下的插座清洁进行期间改良球形微特征及清洁表面的清洁性能；

图12为显示用于使用所公开的清洁材料的各种实施方式清洁半导体装置的方法的流程图；

图13A及图13B绘示使用典型清洁材料的探针尖清洁；

图14A及图14B绘示与图13B相同的探针尖，所述探针尖使用功能化微特征清洁材料清洁；及

图15为显示用于使用所公开的清洁材料的各种实施方式来清洁引线接合机器及毛细管的方法的流程图。

具体实施方式

本公开内容特别可应用于用于具有引线接合机器的接点组件或毛细管的电气测试探针的清洁垫，其中清洁垫具有预定几何形状及机械性能。被清洁的接点组件可为任一类型的测试探针，诸如悬臂式引线针、垂直式探针、眼镜蛇探针、MEMS型垂直及MEMS型微悬臂式探针、柱塞式探针、弹簧探针、滑动接点、形成于薄膜等上的接触凸块探针，等等，以及用于晶圆级及封装级测试所利用的测试器接口装置的相关联的支持结构(亦即，探针卡、测试插座及其它类似接口装置)。将在此上下文中描述本公开内容；然而，可理解，清洁材料、装置及方法具有较大效用，诸如，对由其它类型的IC半导体装置评估装备利用的测试接口进行清洁，所述测试接口诸如，弹簧接脚环接口、ZIFF凸形/凹形连接器等。此外，清洁材料、装置及方法由于其可用来通过各种材料清洁具有随时间变得堵塞的毛细管的任一装置而具有较大效用，其亦可用来清洁或重新磨光其它组装机器，且可使用仍然在本公开内容范围内的下文所公开的实施方式的变化来实施所述装置、机构及方法。

在一个实施方式中，公开了并入具有表面功能化或表面可调谐性(tunability)的清洁垫构造的清洁装置及方法。具有定制几何形状的预定微特征的表面功能化有效地有助于可调整行为更改清洁表面的机械性质，以便达成具体性能目标，诸如，接触表面清洁、尖部成形、碎屑移去和收集，以及表面纹理化。具有结构上功能化的经良好调节结构表面的材料含有微尺度特征，其在微尺度水平下按受控方式经由压印、模制、铸造、涂覆、膜沉积、喷涂沉积或其它表面改性来生产，目的系用于改良材料清洁效率及机械性能。此外，修复及替换已由研磨性接点清洁制程磨损的接触器的装备及人工劳力对所进行的任务增添了额外成本。

在一个实施方式中，清洁材料可为具有通过3维(3D)微特征功能化的表面的柔性、半刚性或刚性介质，该微特征提供平、非功能化的表面不可能的性能特性，以具有对用于晶圆级及封装级测试所利用的测试器接口装置(亦即，探针卡、测试插座及其它类似接口装置)的电气接点组件及结构或用于引线接合机器的毛细管进行清洁的特定研磨及碎屑移去功效。具有可调整行为的表面功能化或表面可调谐性为用于更改清洁表面的机械性质以达成诸如以下的具体性能目标的有效方式：接触表面清洁、尖部成形、碎屑移去及收集以及表面纹理化或清洁毛细管的内表面及外表面。具有结构上功能化的表面的材料含有微尺度特征，其系在微尺度水平下按受控方式经由压印、模制、铸造、涂覆、膜沉积、喷涂沉积或其它表面改性来生产，目的系用于改良材料清洁效率及机械性能。

在一个实施方式中，具有预定性质(诸如，厚度、硬度、粘性等)的功能化的表面可跨现有结构特征和跨微特征施加至清洁垫的表面，以提供可针对电气接点组件及结构应用或毛细管而裁制及优化的新类别的清洁材料，且进行明确定义的功能集合。可通过以下而获得高水平的清洁功效：使清洁表面功能化以便模仿：与粘性或研磨性表面涂层组合的半导体装置的垫、凸块或柱状物，用于可变研磨剂效率的暴露的研磨剂颗粒，且取决于被清洁的接点组件的类型及形状，待移去的碎屑的组成及数量，及碎屑至接触表面的亲和性。亦可通过使清洁表面功能化以便能够清洁用于引线接合机器的毛细管的内表面及外表面来获得高水平的清洁功效。

更详言之，可通过在一个或多个支持层之上的预定垫、凸块或柱状物表面形貌或功能化表面涂层(各具有预定机械、材料及尺寸特性，诸如，研磨性、密度、弹性、粘性、平面度、厚度、孔隙率等)来建构功能化的清洁材料。清洁装置可具有牺牲顶部保护层，所述保护层具有如下材料：其可在制造制程之前、期间或之后施加，以在制造制程及人工处置操作期间保护及隔离清洁材料表面免受污染。在装设至半导体或其它测试装备内后，将该牺牲层移去，且用以确保清洁材料的工作表面不含将由清洁材料而损害接点组件或毛细管的清洁性能的任何污染。

清洁层及功能化的3D表面特征可由固体弹性体材料或多孔、开孔或闭合泡沫材料制成，该材料可包括橡胶及合成与天然聚合物两者，以及聚氨酯、丙烯酸树脂(acrylics)等，或其它已知弹性体材料。该功能化的表面特征可具有预定研磨性、弹性、密度及表面能参数，其可允许接点组件变形及穿透弹性体材料以从接触区域移去碎屑，而不损坏接点组件的几何形状，同时留持弹性体基质的完整性。对于毛细管，该功能化的表面特征可具有预定研磨性、弹性、密度及表面能参数，其可允许毛细管的内表面及外表面经有效地清洁，同时留持弹性体基质的完整性。

清洁材料亦可具有多层结构，其中一个或多个柔顺层经p排列(设置，arrange)或堆栈(stack)以达到预定总体性能，使得当接脚或接点组件触碰功能化的特征及垫表面及使功能化的特征及垫表面变形时，定义的反力(reciprocal force)由材料赋予至接触区域及3D结构中以增大移去碎屑及污染物的效率。具有多层结构的清洁材料亦清洁毛细管的内表面及外表面。

在一个实施方式(其实例显示于图4A至图4C及图5中)中，清洁材料可具有如下表面层：其填充有具有预定纵横比(直径或长度及宽度对高度)、横截面(正方形、圆形、三角形等)的多个预定义的“阳”几何微特征(诸如，柱、锥体或其它此等结构微特征)。在另一实施方式(其实例显示于图6A至图6C及图7中)中，清洁材料可具有填充有多个预定义的“阴”或“倒”几何微特征的表面层。所述“阳”或“阴”微特征可由固体弹性体材料或闭合泡沫材料制成，该材料可包括橡胶及合成与天然聚合物两者，以及聚氨酯、丙烯酸树脂、聚合物等，或其它已知弹性体材料。该表面层可具有研磨剂颗粒装载或暴露的研磨剂以改良碎屑移去及收集效率。

在其它实施方式中，“阳”或“阴”微特征可具有施加至顶表面、沿着微特征的长度施加、在微特征的主体内施加或在微特征的基底(base)处施加的研磨剂颗粒。特别是，典型微特征(不管是阳微特征，抑或阴微特征)可具有15μm或更小的变化横截面宽度，具有400μm或更小的高度，间距为250μm或更小，且平均研磨剂颗粒尺寸小于30μm。可并入至材料层及特征内和跨材料层及特征并入的典型研磨剂可包括氧化铝、碳化硅、氧化钽及金刚石，但研磨剂颗粒亦可为具有7或更大的莫氏硬度的其它熟知研磨剂材料。

在其它实施方式中，微特征按预定几何形状建置、模制或形成，以达到预定柔性及移动，使得当接脚或接点组件触碰垫表面时，一反力由材料赋予至在接点组件尖部几何形状内的接触区域及支持结构内，以增大移去碎屑及污染物的效率。功能微特征具有预定尺寸以提供可预测且均匀的反力至接点组件阵列内的各测试探针及支持硬件上。功能特征可具有不同预定尺寸以提供毛细管的内表面及外表面的可预测的清洁。

在清洁装置的另一方面中，该微特征可具有一特定表面无光泽(matte)或经图案化纹理(patterned textile)或饰面(finish)，使得探测器/测试器装置能够侦测清洁垫的表面。清洁材料的表面纹理及粗糙度亦可对工作表面聚合物材料的清洁效率有影响。

在该方法的一个方面中，清洁介质可手动置放于自动化测试装备(诸如，晶圆探测器或封装的装置处置器)内预定位置中，使得接脚组件及表面将与清洁介质周期性地相互作用以移去碎屑和/或清洁接脚或接点组件的接触表面，而不过多地磨损测试探针。在该方法的另一方面中，提供用于清洁晶圆探测器或封装装置处置器上的探针组件的方法，其中该方法包含将清洁介质装载至呈类似于正测试的半导体晶圆、单切的IC装置或封装的IC装置的形式的晶圆探测器或封装装置处置器内，且清洁介质具有拥有功能化微特征的顶表面，该功能化微特征具有清洁接点组件及支持结构的预定性质，诸如，研磨性、粘性、硬度。该方法进一步包含在晶圆探测器或封装装置处置器中的正常测试操作期间使接点组件与清洁介质接触，使得在晶圆探测器或封装装置处置器的正常操作期间从探针组件移去任何碎屑。可针对引线接合机器和毛细管进行类似方法。

当探测器/测试器可侦测清洁垫的表面时，则该探测器能够设定至自动清洁模式。在自动清洁模式中，探测器/测试器将自动判定何时清洁测试探针接点组件，定位清洁装置，清洁探测器尖部，以及接着返回至测试操作。在受测装置(DUT)上重复下触(touchdown)之后，垫材料及其它表面污染物将堆积于测试探针接点组件以及测试探针长度上。此等松散的碎屑可相当地增大接触电阻，从而导致晶圆及封装良率减小。高接触电阻或连续性故障装置(拣出物，binouts)可触发测试器向半导体装置处置机器发送命令，使得通过“按需求”功能性执行清洁操作。替代地，半导体装置处置机器可规划成在LOT开始、LOT结束或在预定次数的装置下触后进行清洁操作。结果，经排程及高效的清洁程序在控制接触电阻时非常关键。

在清洁装置的另一实施方式中，清洁介质的层可由连续、绝缘性或电阻性材料形成，使得使用电导或电容性方法侦测表面的测试器/探测器或引线接合器能够侦测清洁介质的表面。

典型IC半导体测试系统(在图1A及图1B中示意性显示)典型地包括一些类型的测试器10、测试头11、一测试器接口12(例如，探针卡或测试插座)、接点组件13和晶圆或装置处置器16。在测试器接口内的电气接点组件13或测试探针从测试器接口延伸以允许与DUT15直接接触。使用自动化、半自动或手动装备将DUT(晶圆、经单切装置或封装的IC)移动至适当实体位置，使得探针垫14和/或焊球16与测试器接口12的接点组件13对准。一旦在适当位置，抵靠接点组件13移动DUT 15，或抵靠DUT 15移动接点组件13以用于电气测试。伴随着重复下触，接点组件变得被污染。替代移去测试接口以用于清洁，具有预定构造的清洁介质将在正常测试操作期间移去污染。

图1C绘示已知引线接合组装机器100，其具有用于引线接合操作的一毛细管102。引线接合组装机器具有引线接合机器的各种已知组件(图1C中未显示)，其允许该引线接合组装机器产生用于半导体装置及类似者的引线接合。该引线接合组装机器可用以产生用于期望能够产生引线接合的任一装置、组件、管芯等的引线接合。图1C显示彼机器100的一部分，且特别显示具有出口和引线104(诸如，铜或金)的毛细管102，该引线穿过该毛细管。毛细管102典型地可移去地附接至引线接合机器，使得在常规清洁制程中，可将毛细管移去且周期性地清洁和重新磨光。引线接合机器可具有用以加热引线从毛细管延伸的一端以形成熔融引线106的自由空气球的一机构(图1C中未显示)。加热引线的机构可为例如电极或另外的机构。可接着将毛细管102朝向基板110上的半导体装置108降低，且在毛细管的该端与经加热的金属垫或其它金属框之间压缩熔融引线球，从而产生一机械连接，该机械连接意欲形成引线球与接合垫或框之间的共熔合接合(eutectic bond)。接着可将毛细管升高，同时穿过毛细管馈入引线，从而留下附着至管芯接合垫或框的引线球。

图1D绘示在使用清洁材料202的清洁操作200期间的具有毛细管的已知引线接合组装机器。特别是，当毛细管102保持连接至引线接合机器时(不像如上文所描述的典型清洁制程)，毛细管102的端部可插入至清洁材料202内，使得在毛细管内部和/或邻近毛细管102出口的碎屑可从毛细管移去且陷于/留持于清洁材料202中。

图2A、图2B及图2C绘示通过施加至各种基板材料的清洁介质、不同大小(size)基板、不同形状基板或对于一些应用无基板而制造的三种典型不同类型的清洁装置。如在图2A及图2B中显示，清洁装置20及21分别可包括基板23，及分别紧固、粘附或施加至晶圆表面或至已知几何形状的基板的清洁介质或垫24。基板23可为聚合物、塑料、金属、玻璃、硅晶圆、陶瓷或任何其它类似(刚性、半刚性或可挠性(柔韧的，flexible))材料。此外，基板25可具有近似封装的IC装置或DUT 22的几何形状的一形状因子或结构，藉此清洁介质24附着至支承测试探针的接点组件及支持硬件的表面。

图3A及图3B绘示现有清洁介质220，其由具有预定性质(诸如，硬度、弹性模量、粘性等)的清洁垫层202及可对接触垫的接点组件的清洁有影响的柔性底层203(图3A)或刚性底层206(图3B)的一些组合制成。清洁介质220亦可具有一可移去的保护性层201，该可移去的保护性层在意欲用于接点组件清洁前装设，以便隔离表面清洁垫层与非测试有关的污染物。清洁介质220可具有附着至清洁垫层及附着于清洁垫层下方的一个或多个中间层203和206。层组合产生不可从个别构成材料获得的材料性质，同时基质、研磨剂颗粒及几何形状的组合可使清洁性能最大化。清洁装置至预定基板材料上的装设系通过移去第二离型衬里(release liner)层205(由与第一离型衬里层相同的材料制成)以暴露粘着层204，继而通过粘着层204施加至基板表面上来进行。接着可将粘着层204抵靠基板置放以将清洁装置220粘附至基板。基板可为如现有技术中所描述的多种不同材料，其具有不同用途。

现在，参考附图及实施方式更详细地描述具有功能微特征的清洁介质。例如，如图5中所示，清洁介质221可具有研磨性，其将来自接点组件或毛细管的碎屑松散开及剪切。使用预定体积及质量密度的研磨剂颗粒，垫的研磨性可受到系统性影响以便使探针尖变圆或变锋利。在清洁材料层内典型的研磨剂材料及颗粒重量百分数装载量可范围为0％(未装载)至500％重量百分数。可并入至材料内的典型研磨剂可包括氧化铝、碳化硅及金刚石，但研磨剂材料亦可为其它熟知研磨剂材料。研磨剂可包括氧化铝、碳化硅或金刚石的空间或优先分布的颗粒，但该研磨剂颗粒亦可为具有7或更大的莫氏硬度的其它熟知研磨剂材料。清洁层的受控的表面粘性将使接点组件上的碎屑在清洁操作期间优先地粘至垫且因此从接点组件移去。该研磨剂颗粒可分布于各微特征的主体中，如下文所描述。

在清洁介质221(图5中显示)的一实施方式中，清洁介质221的最大清洁效率可使用在一微特征层250中的多个“阳”均匀成形且规则间隔的几何微特征来改良。阳微特征的不同实施方式的实例显示于图4A至图4C中，该图显示具有预定几何形状的多个微锥体401、多个微柱体403或多个弯曲微锥体405。在图5中，清洁介质221由具有“阳”微特征250的单一清洁垫层建构至具有预定性质的中间柔性或刚性层207的组合上。在其它实施方式中，该微特征可跨清洁介质221可变地间隔。在清洁材料参考平面255以上的所描述的清洁垫层202及203，及在清洁材料参考平面255以下的所描述的清洁垫层可为清洁材料提供预定机械、材料及尺寸特性。例如，清洁垫层可提供研磨性(以下更详细地描述)、(例如，0.75至2.27的范围的)比重(其中比重为在特定温度下密度对水密度的比率)、(例如，40MPa至600MPa的范围的)弹性、(例如，20至800公克的范围的)粘性、平面度及厚度(例如，在25μm与300μm之间的范围)。基于有助于有效清洁作用所必要的所需反力判定材料及层的选择。例如，高刚性材料将具有在粘着力强的粘着材料的移去中所需的较大反力。当清洁脆性或小直径接点组件时，将选择高柔性材料。

作为一种类型的功能“阳”微特征构造的实例，图4A、图4B、图4C中所示的微特征可使用诸如铸造或模制的精确制造方法的组合来产生，藉此建置清洁垫，使得各微特征的高台(各微特征的顶部部分406)具有小于40μm的尺寸、小于500μm的各微特征距基底参考平面408的高度及小于250μm的高台至高台间距(各微特征之间的距离)。在图4A中所示的实例401中，各锥体微特征402具有25μm正方形高台，具有40μm高度，高台至高台间距为100μm。对于此构造，经由精确制造制程来获得3D特征，使得清洁垫及功能化微特征具有均匀组成。“阳”微特征的大小及几何形状可根据接点组件的配置及材料变化，以达成将移去碎屑但将不损坏探针组件的垫。通常地，“阳”微特征可具有若干类型的几何形状，包括锥体401、具有均匀高台的圆或正方形柱404或具有小于40μm正方形或圆高台的各种弯曲形状403等。微特征类型及“阳”几何形状可在清洁层的制造期间调整，使得材料可用以使探针组件尖部及探针组件结构重新成形、变锋利或重新磨光。替代地，该微特征类型及几何形状可用以清洁毛细管的内表面及外表面。

“阳”特征的尺寸可具有25μm至500μm的在基底参考平面408上方的各特征的基底至顶部、可为平的或经成形且具有在从20μm的XY尺寸直至微特征基底的XY尺寸范围中的尺寸的一顶部表面区域几何形状(阳特征的侧面可为直的或弯曲的)及50μm至250μm的高台至高台间距(各微特征之间的距离)。

在清洁介质221(图7中显示)的另一实施方式中，可使用如在图6A至图6C中所示的预定几何形状的多个“阴”均匀成形且规则间隔的几何微特征(诸如，多个倒微锥体601、多个微柱体603或多个弯曲倒微锥体605)来改良清洁材料的最大清洁效率。在其它实施方式中，该微特征可跨清洁介质221可变地间隔。在图7中，清洁介质221由具有“阴”微特征251的单一清洁垫层建构至具有预定性质的中间柔性或刚性层207的组合上。

作为一个类型的功能“阴”微特征构造的实例，图6A、图6B、图6C中所示的微特征可使用诸如铸造或模制的精确制造方法的组合来产生，藉此建置清洁垫，使得高台具有小于40μm的尺寸、小于100μm的高度及小于250μm的底部至底部间距。在此等实例中，各微特征凹进至一基底参考平面608内。在图6A中所示的实例微特征601中，各锥体微特征602具有25μm正方形底部，具有40μm高度，底部至底部间距为100μm。对于此构造，经由精确制造制程来获得3D特征，使得清洁垫及微特征具有均匀组成。“阴”微特征的大小及几何形状可根据接点组件的配置及材料变化，以达成将移去碎屑但将不损坏探针组件的垫。通常地，“阴”微特征可具有若干类型的几何形状，包括倒锥体602、具有均匀底部的圆或正方形柱604或具有小于40μm正方形或圆基底的各种弯曲倒形状406等。微特征类型及“阴”几何形状可在清洁层的制造期间调整，使得材料可用以使探针组件尖部及探针组件结构重新成形、变锋利或重新磨光。作为实例，如在图6A或图6C中所示的阴微特征的阴微特征可用以清洁先进的微悬壁接点组件，此系由于彼等阴微特征的实体形状及尺寸清洁微悬壁接点组件的所有关键表面，或毛细管的内表面及外表面。

“阴”特征的尺寸可具有25μm至500μm的在基底参考平面608下方的各特征的基底至顶部、可为平的或经成形且具有在从20μm的XY尺寸直至微特征开口的XY尺寸范围中的尺寸的一底表面区域几何形状(阴特征的侧面可为直的或弯曲的)及50μm至250μm的底部至底部间距(各微特征之间的距离)。

具有功能化微特征的清洁垫/介质/装置的另一实施方式显示于图8A至图8C中，该图显示清洁材料800的放大剖视图的实例，该清洁材料具有拥有预定性质的10μm至100μm厚的聚合物层下的“阳”微特征层(具有微锥体802、微柱体804、弯曲微锥体806)，所述聚合物层已跨“阳”特征的表面施加(分别801、803及805)。跨顶表面且在微特征之间的间距内将聚合物层施加至小于100μm的一预定厚度。聚合物可为粘性的，且无研磨剂，或装载有研磨剂。可并入至聚合物内的典型研磨剂可包括氧化铝、碳化硅及金刚石，但研磨剂颗粒亦可为具有7或更大的莫氏硬度的其它熟知研磨剂材料。研磨剂材料的量及大小可根据清洁垫的微特征的配置或基于接点组件的材料及几何形状变化，以便达成将移去且收集碎屑但将不损坏接点组件或支持硬件或毛细管的端部的垫。

图8D至图8F显示清洁材料800的放大剖视图的实例，该清洁材料具有拥有预定性质的10μm至100μm厚的聚合物层下的“阳”微特征层(具有微锥体802、微柱体804、弯曲微锥体806)，所述聚合物层已跨“阳”特征的表面施加(分别801、803及805)。微特征化的清洁垫层可接着经建构至在具有预定性质的清洁垫层和保护性衬里下方的一个或多个中间柔性或刚性材料层上。

具有功能化微特征的清洁垫/介质/装置的另一实施方式显示于图9A至图9C中，该图显示清洁材料的放大剖视图的实例，该清洁材料具有拥有预定性质的10μm至100μm厚的一聚合物层的“阴”微特征(倒微锥体901、倒微柱体903、弯曲倒微锥体905)，所述聚合物层已跨“阴”特征(分别901、903及905)的表面施加。聚合物层跨顶表面施加且施加至“阴”微特征的凹陷部(空腔)内，因此涂覆各阴微特征的内部表面。聚合物可为粘性的，且无研磨剂，或装载有研磨剂颗粒。可并入至聚合物内的典型研磨剂可包括氧化铝、碳化硅及金刚石，但研磨剂颗粒亦可为具有7或更大的莫氏硬度的其它熟知研磨剂材料。研磨剂材料的量及大小可根据清洁垫的微特征的配置或基于接点组件的材料及几何形状变化，以便达成将移去且收集碎屑但将不损坏接点组件或支持硬件或毛细管的垫。微形貌化的清洁垫层可接着经建构至在具有预定性质的一清洁垫层和保护性衬里下方的一个或多个中间柔性或刚性材料层上。以上实施方式将典型地用于在经单切和/或囊封至组装的封装内前测试晶圆或半导体晶圆上的一个或多个管芯的系统。

现在，将描述清洁装置的另一实施方式，其中该清洁装置可用于清洁用以电气测试DUT的接点组件，其中来自晶圆的个别半导体装置已经囊封至材料501(诸如，塑料)内，如图10A中所示。在此说明性实例中，该清洁装置亦可供ATE及测试器用于处置及测试封装的集成电路(IC)。IC封装可具有从封装延伸出的一个或多个电引线(lead)或焊球，其传导电气信号(包括电力信号、接地及I/O信号等)(图1B)，其中一个或多个管芯在封装15的内部。测试器接口，在此情形中叫作测试插座12，将具有多个接点组件13(类似于上文所描述的探针卡测试器)，该接点组件接触封装的引线且测试封装的DUT的电气特性。通常地，接点组件安装至各种装载弹簧的探针或可挠性接点组件上，且可具有拥有单矛状、冠状或其它多尖接触器的一几何配置。可将可挠性接点组件固持于弹性体、固持于内存插座内的有机硅橡胶层、逻辑插座、烧入插座或插入器内。

类似于探针卡清洁器实施方式，用于经囊封装置的清洁装置可使用基板(清洁垫材料503已经施加至该基板上)来近似DUT形状，如在图10B中显示，使得测试插座的接点组件可周期性地接触清洁垫表面，以从探针组件的尖部移去碎屑。清洁装置的大小可修改成适配特定插座的大小及形状，或近似特定装置的尺寸。在图10B中所示的微形貌化的实施方式中，清洁材料503配置成模拟来自DUT的焊球的大小、几何形状、间距、和准确布局。

在图11A中，一清洁装置600可具有上文所描述的层，以及具有由匹配DUT焊球几何形状之清洁材料制成的多个清洁球603的清洁垫层601，将具有研磨性使得在接点组件上的反压力赋予高效清洁，以从接点组件移去和收集碎屑。根据DUT的配置及接点组件的材料来预定清洁球的高度、直径及位置。清洁球之间距、几何形状及研磨性使得在接点组件上的反压力赋予高效清洁，以从接点组件移去和收集碎屑。

在另一实施方式中，图11B显示具有清洁垫层602的清洁装置600的剖视图，该清洁垫层具有如上文所描述的匹配DUT焊球几何形状的多个清洁球603，所述清洁球进一步具有跨表面施加的具有预定性质的10μm至100μm厚的均匀清洁聚合物层605。因此，控制清洁表面的垫/聚合物/基板层及功能化微特征数，以提供清洁装置的总厚度的控制以及清洁的厚度的一致性。具有清洁球的此多层实施方式亦将提供在浮床插座的导孔以及探测器的插座及接触器的内部内准确的清洁。

现在，将参考图12描述用于使用具有功能化微特征的所公开的清洁装置清洁多个探针组件及支持硬件或焊球的方法。用于经囊封的集成电路的测试器接口或焊球的接点组件插入至清洁装置内会从接点组件及支持硬件或DUT移去粘着碎屑，而不留下随后必须通过额外在线或脱机制程移去的任何有机残渣。此外，接点组件的总体电气特性及几何形状不受影响；然而，恢复了对于高良率及低接触电阻需要的总体电气性能。该方法实现了在不从ATE移去测试器接口的情况下从接点组件移去碎屑的目标，由此增大了测试器的生产力。该清洁装置可具有与正由测试器测试的典型DUT相同的大小及形状，且可插入至一预定清洁盘内。替代地，具有功能化微特征的清洁材料可置放至基板(诸如晶圆)内，该基板可置放至晶圆载体内从而进行清洁。装置的清洁材料层根据测试器接口的接点组件及支持硬件的配置及材料而具有预定物理、机械及几何形状性质。

如上文所描述，此清洁步骤可发生于自定位于测试器接口的接点组件下的清洁盘周期性装设清洁装置时，或每当自晶圆盒，或ATE通过装设至磨光板上的清洁材料进行接点组件的清洁操作的任何时间。清洁装置的使用不以任何方式中断ATE的操作，此系由于接点组件的清洁系在测试机器的正常操作期间实现。以此方式，清洁装置价廉，且准许在不从ATE移去接点组件或测试器接口的情况下对接点组件清洁和/或成形。

方法及设备提供一个或多个优势，包括但不限于维持接触器及接点接脚清洁。虽然已参考某些说明性实施方式来描述本公开内容，但本文中描述的内容并不意欲以限制性意义来解释。例如，在不背离本公开内容的情况下，在所示及所描述的实施方式中的步骤的变化或组合可在特定情形中使用。在参考附图、说明书及权利要求后，该说明性实施方式的各种修改及组合以及本公开内容的其它优势及实施方式将对本领域技术人员明晰。意图是，本公开内容的范围由所附权利要求及其等同物定义。虽然前述内容已参考本发明的特定实施方式，但是本领域技术人员将理解，在不背离本公开内容的原则和精神的情况下可对此实施方式进行改变，本公开内容的原则及精神的范围由所附权利要求定义。

图12为显示用于使用具有功能化微特征的所公开的清洁材料的各种实施方式清洁半导体装置或测试器或探针组件的方法1200的流程图。图12中的方法系用于清洁测试器接口，但应理解，将使用类似方法来清洁DUT等。在该方法中，测试器进行其测试1202。测试器(具有控制系统)或单独计算机系统可基于测试过程的时间间隔或特性测量来判定是否该清洁测试器了1204。若不需要清洁，则测试器继续测试1202。若判定该清洁测试器了，则可通过各种手段将具有功能化微特征的清洁装置移动至清洁位置(1206)，在不使测试器脱机的情况下从而在测试机器的正常测试程序期间使用清洁材料进行清洁(1208)。一旦完成清洁，则测试器恢复其测试功能(1210)。

测试结果

图13A及图13B绘示使用典型清洁材料进行的探针尖清洁。具体地，图13A显示无功能化微特征的典型清洁材料与探针尖进行接触，使得探针并非所有关键表面都有效地清洁了。在使用典型清洁材料清洁后的探针的实例显示于图13B中，其中各种碎屑仍然附着至或粘附至探针，导致上文所描述的问题。

相比之下，图14A及图14B绘示了与图13B相同的探针尖使用功能化微特征清洁材料清洁。如图14A中所示，各探针(包括斜滑杆及尖部，共同地称为全部探针区域)由功能化微特征的侧面接触。在使用具有功能化微特征的清洁材料清洁后的探针的实例显示于图14B中，其中各探针清洁得多，此系由于各探针的所有关键表面经清洁。

图15为显示用于使用具有功能化微特征的所公开的清洁材料的各种实施方式清洁引线接合机器及毛细管的方法1500的流程图。在该方法中，引线接合机器进行其引线结合操作1502。引线接合机器(具有一控制系统)或单独计算机系统可基于引线接合过程的一时间间隔或特性测量来判定是否该清洁引线接合机器了(1504)。若不需要清洁，则引线接合继续(1502)。若判定该清洁毛细管了，则可通过各种已知手段将上文所描述的具有功能化微特征的清洁装置移动至清洁位置(1506)，在不使引线结合机器脱机的情况下从而在引线接合机器的正常操作程序期间使用清洁材料进行清洁(1508)。一旦清洁完成(1510)，引线接合恢复其引线接合操作(1512)。

出于解释的目的，前述描述已参考具体实施方式描述。然而，以上说明性论述并不意欲为详尽的或将本公开内容限制于所所公开的精确形式。鉴于以上教导，可进行许多修改及变化。选择和描述诸实施方式以便最佳地解释本公开内容的原理及其实际应用，以由此使本领域其它技术人员能够最佳地利用本公开内容，及伴随适合于预料的特定用途的各种修改的各种实施方式。

本文中所公开的系统及方法可经由一个或多个组件、系统、服务器、器具、其它子组件实施，或分布于此等组件之间。当实施为系统时，此等系统可尤其包括和/或包含存在于通用计算机中的组件，诸如软件模块、通用CPU、RAM等。在创新在于服务器的实现方式中，此服务器可包括或包含诸如存在于通用计算机中的组件，诸如CPU、RAM等的组件。

另外，本文中的系统及方法可经由上文所阐述的实现方式之外的具有全异或完全不同的软件、硬件和/或固件(firmware)组件的实施达成。例如，关于与本发明相关联或体现本发明的此等其它组件(例如，软件、处理组件等)和/或计算机可读媒体，可与众多通用或专用计算系统或配置一致地实施本文中的创新诸方面。可适合于供本文中的创新使用的各种示例性计算系统、环境和/或配置可包括但不限于：在个人计算机、服务器或服务器计算装置内或在其上体现的软件或其它组件，诸如，导引/连接性组件、手持型或膝上型装置、多处理器系统、基于微处理器的系统、机顶盒、消费者电子装置、网络PC、其它现有计算机平台、包括以上系统或装置中的一者或多者的分布式计算环境等。

在一些实例中，系统及方法诸方面可经由包括程序模块的逻辑和/或逻辑指令达成或由该逻辑和/或逻辑指令进行，例如，结合此等组件或电路系统进行。一般而言，程序模块可包括进行特定任务或实施本文中的特定指令的例程、程序、对象、组件、数据结构等。本发明亦可在分布式软件、计算机或电路设定之上下文中实践，其中电路系统经由通信总线、电路系统或链路连接。在分布式设定中，控制/指令可自包含内存储存装置的本端及远程计算机储存媒体出现。

本文中的软件、电路系统及组件亦可包括和/或利用一种或多种类型的计算机可读媒体。计算机可读媒体可为驻留于此等电路和/或计算组件上、与此等电路和/或计算组件相关联或可由此等电路和/或计算组件存取的任何可用媒体。以实例说明，且非限制，计算机可读媒体可包含计算机储存媒体及通信媒体。计算机储存媒体包括在用于信息(诸如，计算机可读指令、数据结构、程序模块或其它数据)储存的任一方法或技术中实施的依电性(易失性，volatile)及非依电性、可移去的及不可移去的媒体。计算机储存媒体包括但不限于RAM、ROM、EEPROM、闪存或其它内存技术、CD-ROM、数字多功能光盘(DVD)，或其它光学储存器、磁带、磁盘储存，或其它磁性储存装置，或可用以储存所要的信息且可由计算组件存取的任一其它媒体。通信媒体可包含计算机可读指令、数据结构、程序模块和/或其它组件。另外，通信媒体可包括有线媒体，诸如，有线网络或直接联机式连接，然而，本文中的任何此类型的媒体皆不包括暂时性媒体。以上中的任意者的组合亦包括于计算机可读媒体的范围内。

在本描述中，术语组件、模块、装置等可指可以多种方式实施的任何类型的逻辑或功能软件组件、电路、区块和/或制程。例如，各种电路和/或区块的功能可相互组合成任何其它数目个模块。各模块可甚至实施为储存于有形内存(例如，随机存取内存、只读内存、CD-ROM内存、硬盘驱动器等)上的软件程序，以由中央处理单元读取以实施本文中的创新的功能。或者，该模块可包含经由传输载波(transmission carrier wave)传输至通用计算机或至处理/图形硬件的规划指令。又，该模块可实施为实施由本文中的创新涵盖的功能的硬件逻辑电路系统。最后，该模块可使用专用指令(SIMD指令)、场可规划逻辑阵列或提供所需水平的性能及成本的其任何混合来实施。

如本文中揭露，与本公开内容一致的特征可经由计算机硬件、软件和/或固件实施。例如，本文中所公开的系统及方法可以各种形式体现，包括例如数据处理器(诸如，亦包括数据库的计算机)、数字电子电路系统、固件、软件，或以其组合体现。另外，虽然所公开的实现方式中的一些描述与本文中的创新一致的具体硬件组件、系统及方法，但可通过硬件、软件和/或固件的任何组合来实施。此外，在各种实施方式中，可实施本文中的创新的以上指出的特征及其它方面及原理。此等环境及有关应用可经特殊地建构以用于进行根据本发明的各种例程、制程和/或操作，或其可包括通过程序代码选择性启动(激活)或重新配置的通用计算机或计算平台，以提供必要的功能性。本文中所公开的制程并不固有地与任何特定计算机、网络、架构、环境或其它设备有关，且可通过硬件、软件和/或固件的合适组合来实施。例如，各种通用机器可供根据本发明的教导编写的程序使用，或其可更便于建构专用设备或系统来进行所需方法及技术。

本文中描述的方法和系统诸方面(诸如，逻辑)亦可实施为规划至多种电路系统中的任一者内的功能性，该电路系统包括可规划逻辑设备(“PLD”)，诸如，场可规划门阵列(“FPGA”)、可规划阵列逻辑(“PAL”)装置、电可规划逻辑及内存装置及基于标准胞元的装置以及专用集成电路。用于实施诸方面的一些其它可能性包括：内存装置、具有内存(诸如，EEPROM)的微控制器、内嵌型微处理器、固件、软件等。此外，诸方面可体现于具有基于软件的电路模仿的微处理器、离散逻辑(依序及组合)、定制装置、模糊(中性)逻辑、量子装置及以上装置类型中的任意者的杂合中。下伏装置技术可以多种组件类型提供，例如，金属氧化物半导体场效应晶体管(“MOSFET”)(如互补金属氧化物半导体(“CMOS”))技术、如发射极耦接逻辑(「ECL」)的双极技术、聚合物技术(例如，硅共轭聚合物及金属共轭聚合物-金属结构)、混合模拟与数字等等。

还应注意，本文中所公开的各种逻辑和/或功能可使用硬件、固件的任何数目个组合来实现，和/或实现为在各种机器可读或计算机可读媒体中体现(就其行为、注册表(register)转移、逻辑组件和/或其它特性而言)的数据和/或指令。可体现此等格式化的数据和/或指令的计算机可读媒体包括但不限于呈各种形式的非依电性储存媒体(例如，光学、磁性或半导体储存媒体)，但再次不包括暂时性媒体。除非上下文清晰地另有说明，否则贯穿本说明书，词语“包含(comprise)”“包含(comprising)”及类似这应按与排他性或穷举性意义相反的包括性意义来解释；亦即，按“包括但不限于”的意义。使用单数或复数的词语亦分别包括复数或单数。另外，词语“本文中(herein)”“下文(hereunder)”“以上(above)”“以下(below)”及类似引入的词语指的是作为整体的本申请，而并不指本申请的任何特定部分。当关于两个或更多个项的清单使用词语“或(or)”时，彼词语涵盖该词语的所有下列诠释：该清单中的项中的任意者，所有该清单中的项，以及该清单中的项的任何组合。

虽然已在本文中具体地描述了本发明的某些目前优选实现方式，但对本发明所涉及领域的技术人员将明晰，在不背离本发明的精神及范围的情况下，可对本文中所示及所描述的各种实现方式进行变化及修改。因此意图是，本发明仅限制到可适用法律规则所需的范围。

虽然前述内容已参考本公开内容的特定实施方式，但本领域技术人员应理解，在不背离本公开内容的原则及精神的情况下，可进行此实施方式的改变，本公开内容的原则及精神的范围由所附权利要求定义。