多槽体一体式自动清洗机硅片清洗方法

技术领域

本发明属于硅片清洗技术领域，尤其是涉及一种多槽体一体式自动清洗机硅片清洗方法。

背景技术

硅片清洗的目的主要是去除表面的颗粒、有机污染和金属粘污。通过化学清洗和水洗结合，伴以超声、加热、抽真空等物理措施，将吸附在被清洗物体表面上的杂质及油污去除，使杂质从被清除物体的表面脱附，然后用大量高纯水、冷去离子水冲洗，从而获得洁净表面的过程。

现有工艺方案，上载端存在上料间隔保护时间偏长，各槽体清洗时间与机械手动作匹配性差，会出现空槽或压槽情况，甩干机逻辑设定不合理，下载间隔保护时间偏长等问题。尤其用时最长的甩干过程，决定了整个清洗循环效率；清洗后的硅片需要甩干，去除硅片表面的水，现有的甩干清洗逻辑为开盖，托架上移，进片，托架下移，关盖，甩干启动，开盖，托架上移，取片，托架下移，关盖，开盖，托架上移，进片...且甩干是整个清洗流程中用时最长的阶段。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供一种多槽体一体式自动清洗机硅片清洗方法。

本发明采用的技术方案是：多槽体一体式自动清洗机硅片清洗方法，多槽体一体式自动清洗机中包括上载端、多个槽体、甩干机和下载端，连续甩干时，每一循环中甩干机逻辑依次为进片，托架下移，关盖，甩干启动，开盖，托架上移，取片。

优选地，多槽体一体式自动清洗机首次运行时，甩干机进入连续甩干步骤前预先实施开盖，托架上移步骤。

优选地，末次运行完成后，甩干机实施托架下移，关盖步骤。

优选地，下载间隔时间与一个甩干循环时长一致。

优选地，上载间隔时间与一个甩干循环时长一致。

优选地，一个甩干循环时长大于各个清洗步骤中的一个循环的时长。

优选地，清洗槽包括6-10个。

优选地，清洗步骤包括6-10个。

本发明具有的优点和积极效果是：通过调整甩干步骤逻辑，缩短甩干步骤的整个时长，另外无需调整甩干时长，保证了甩干的效率；其他清洗步骤时长可根据甩干时长适应性调整，由于甩干本为用时较长的步骤，清洗步骤时长的调整不会影响清洗效果，适应性调整上载间隔和下载间隔，能够缩短整个清洗循环的时长，保证清洗效果的同时提高了清洗效率，能够在有限的班组时间内清洗更多的硅片，提高硅片产能。

附图说明

图1是本发明一个实施例多槽体一体式自动清洗机清洗步骤示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明的实施例做出说明。

多槽体一体式自动清洗机能够用于硅片的连续清洗，多槽体一体式自动清洗机中包括上载端、多个槽体、甩干机和下载端，硅片从上载端进入多槽体一体式自动清洗机，在机械手的作用下将装有硅片的片篮依次在各个清洗槽体中进行清洗，最后经去离子水冲洗后，进入甩干机进行甩干。

取代原有甩干逻辑，去除取片和进片中间的托架下移，关盖，开盖和托架上移步骤，这几个步骤为无效的重复步骤，取消后并不会影响甩干效果。优化后每一循环中甩干机逻辑依次为进片，托架下移，关盖，甩干启动，开盖，托架上移，取片；连续甩干步骤可为...甩干启动，开盖，托架上移，取片，进片，托架下移，关盖，甩干启动，开盖...缩减后的甩干逻辑依然能够保质保量的完成硅片甩干过程，删除冗余的操作后，能够缩减整个硅片清洗循环的时长。

一个甩干循环时长大于各个清洗步骤中的一个循环的时长。硅片可排队依次进入各个清洗流程，用时最长的甩干过程决定了上载间隔和下载间隔。调整甩干逻辑后，可适应性修改上载间隔和下载间隔，使其与一个甩干循环时长一致，从而实现规律的硅片清洗循环过程。本发明所优化的甩干逻辑适用于各种硅片清洗方法，同样适用于不同类型具有不同数量清洗槽的清洗机结构。如硅片的一个清洗循环中，可依次包括碱溶液清洗、纯水清洗、酸洗、纯水清洗，各个阶段的清洗可包括一次或多次，每次清洗时间可为相同或不同的时长，本发明某些实施例中，每个阶段个清洗时长可为250-350s，每个清洗步骤前后的机械手动作时长为20-80s。耗时最长的阶段为甩干步骤，将硅片置于甩干机中；现有工艺中依次进行开盖，托架上升、进片，托架下移，关盖，甩干启动，开盖，托架上移，取片、托架下放和关盖步骤后，机械手将硅片放入下载端；其中甩干机加速时间15s，甩干时间180-250s，最高转速800转/秒，减速时间15s，开盖时间12.5s，托架上升时间15s，机械手动作95s，托架下放时间15s，关盖时间12.5s，下载间隔(与上载间隔一致)为全部步骤的时间之和，明显长于其他清洗步骤时长，如果为了节省时间缩短甩干时长，则会影响甩干效率。优化后的帅该步骤中省略了开盖时间12.5s，托架上升时间15s，托架下放时间15s，关盖时间12.5s，较优化前能够节省55s；这样的设计不会缩减甩干时长，保证甩干效率，同时，可设定清洗时长与整个甩干步骤时长相适配，以实现最大程度的清洗效率的保障。那么每一组间隔上样时长可为最长的清洗长与机械手动作时长之和，或者与甩干步骤整体时长相同。

多槽体一体式自动清洗机首次运行时，甩干机进入连续甩干步骤前预先实施开盖，托架上移步骤；末次运行完成后，甩干机实施托架下移，关盖步骤。在连续清洗过程中，避免这几个无效操作步骤，硅片清洗生产线调试或停工期间，能够对甩干结构进行保养和保护。

下面结合实施例对本发明方案做出具体说明。

实施例：

硅片在去蜡清洗完成后，对硅片进行几何参数检验和表面检验，检验硅片是否满足规格要求，若不满足，则将不良品取出；若满足，则进行最终清洗，将硅片运载至清洗机的上载端，对硅片进行清洗。

先将硅片放置于第一个装有碱溶液的碱洗槽内，对硅片进行碱溶液清洗，去除硅片表面的颗粒杂质及有机沾污，在进行碱溶液清洗时，清洗时间为300s，机械手动作70s(机械手将硅片放入药液槽后，表面存在药液，需进行机械手清洗的动作，总耗时70s)，每组间隔370s；

第一个碱溶液清洗完毕后，将硅片放置于第二个碱洗槽内，对硅片进行二次碱溶液清洗，该清洗时间为300s，机械手动作25s，每组间隔为370s(第一个碱洗槽体每组间隔370s，主要为第一个碱洗槽影响)；

第二个碱溶液清洗完毕后，将硅片放置于第一个纯水清洗槽内，对硅片进行纯水溢流清洗，该清洗时间为300s，机械手动作25s，每组间隔为370s(第一个碱洗槽体每组间隔370s，主要为第一个碱洗槽影响)；

第一个纯水槽清洗完毕后，将硅片放置于酸洗槽内，对硅片进行酸洗，该清洗时间为300s，机械手动作25s，每组间隔为370s(第一个碱洗槽体每组间隔370s，主要为第一个碱洗槽影响)；

酸洗完毕后，将硅片放置于第二个纯水清洗槽内，对硅片进行纯水清洗，该纯水清洗时采用快排方式进行纯水清洗，将硅片表面的酸溶液清洗掉，该清洗时间为300s，机械手动作25s，每组间隔为370s(第一个碱洗槽体每组间隔370s，主要为第一个碱洗槽影响)；

第二个纯水清洗完毕后，将硅片放置于第三个纯水清洗槽内，对硅片进行酸洗后第二次纯水清洗，该第二次纯水清洗时采用纯水超声清洗，该清洗时间为300s，机械手动作25s，每组间隔为370s(第一个碱洗槽体每组间隔370s，主要为第一个碱洗槽影响)；

第二次纯水清洗完毕后，将硅片置于甩干机中；依次进行进片，托架下移，关盖，甩干启动，开盖，托架上移，取片步骤后，机械手将硅片放入下载端。其中甩干机加速时间15s，甩干时间190s，最高转速800转/秒，减速时间15s，开盖时间12.5s，托架上升时间15s，机械手动作95s，托架下放时间15s，关盖时间12.5s，总耗时370s，下载间隔370s(与上载间隔一致)。较优化前节省55s(开盖时间12.5s，托架上升时间15s，托架下放时间15s，关盖时间12.5s)。优化前后产能对比如表1所示：

表1

由表1内容能够看出，调整甩干逻辑后，每组最长间隔从425s减少到370s，缩短了单次循环时长，提高了清洗频率；在换液时间和清洗总时间不变的前提下，产能提升15％。明显提高了硅片清洗效率。

以上对本发明的实施例进行了详细说明，但所述内容仅为本发明的较佳实施例，不能被认为用于限定本发明的实施范围。凡依本发明申请范围所作的均等变化与改进等，均应仍归属于本发明的专利涵盖范围之内。