废弃集成电路板预处理装置

技术领域

本申请属于集成电路板处理技术领域，尤其涉及废弃集成电路板预处理装置。

背景技术

本部分的陈述仅仅是提供了与本申请相关的背景技术信息，不必然构成在先技术。

目前，集成电路板的处理量越来越大，废弃的集成电路板主要是其主板、电子元器件以及焊接部，焊接部是通过锡这种较贵金属将电子元器件焊接在主板上，而目前的废弃电路板是集中打包，处理方式过于粗糙，并没有对其中的锡、电子元器件、主板进行分离处理或回收。

发明内容

本申请为了解决上述问题，本申请提供废弃集成电路板预处理装置。

本申请的第一目的是提供废弃集成电路板预处理装置，通过高温室和低温室配合，使得高温室和低温室对废弃电路板进行分别处理，高温室内的滚筒将集成电路板分离成锡、电子元器件和主板，并在滚筒的作用下将锡、电子元器件分离至低温室，进而实现分类处理，不仅能够实现锡、电子元器件的低温回收，也能够实现主板的高温处理。

为实现本申请的第一目的，本申请的技术方案为：

废弃集成电路板预处理装置，包括连接在一起的高温室和低温室，高温室和低温室之间设置有连接室，高温室、低温室和连接室内设置有分离处理装置，分离处理装置为斜坡面，位于高温室内的分离处理装置的底部高度高于位于低温室内的分离处理装置的底部高度，高温室和低温室下端设置有底部框架，底部框架用于为高温室和低温室提供所需要的热量，分离处理装置内铰接设置有滚筒，滚筒包括第一处理仓、第二处理仓和第三处理仓，第一处理仓上设置有进料口，进料口上设置有第二盖板，第二处理仓上开设有第一出料口，第三处理仓上开设有第二出料口，第一出料口的尺寸大于第二出料口的尺寸，第一处理仓通过第一连通口连接第二处理仓，第一处理仓通过第二连通口连接第三处理仓，第一连通口的尺寸大于第二连通口。

进一步的，底部框架包括外框，外框中间设置有隔板，隔板将外框分为低温腔和高温腔，低温腔位于低温室下端，高温腔位于高温腔下端，底部框架外周设置有流体泵，高温腔通过通热管连接供热器，流体泵通过排气管连接高温腔，流体泵通过进气管连接低温腔，进气管是相互连接的多段弯管和直管，底部框架上端设置有密封板，密封板上设置有散热片或密封板上设置有散热孔。

进一步的，高温室、低温室和连接室包括上壳体和下壳体，下壳体上端设置有上翼板，下壳体下端设置有下翼板，下翼板通过螺栓固定安装在底部框架，上翼板通过螺栓与上壳体固定连接，上壳体上设置有排污管和第一盖板，高温室对应设置有一根排污管和一块第一盖板，低温室对应设置有一根排污管和一块第一盖板，上壳体上还设置有吊环。

进一步的，下壳体下端设置有底板，底板位于下翼板上方使得底板和下壳体形成空腔，密封板的散热片位于空腔内，下壳体的连接板的两端分别设置有第一限位板和第二限位板，分离处理装置上设置有第一配合板和第二配合板，第一配合板和第二配合板位于第一限位板和第二限位板之间。

进一步的，分离处理装置包括高温分离仓和低温分离仓，高温分离仓和低温分离仓之间设置有连接板，第一配合板和第二配合板设置在连接板上，第一配合板靠近高温分离仓，第二配合板靠近低温分离仓，滚筒位于高温分离仓内，分离处理装置下端设置有滚轮，底板上端设置有导轨，滚轮设置在导轨内，低温分离仓外周设置有固定板，下壳体上开设有通孔，下壳体外周设置有气缸，气缸的推杆穿过通孔后与固定板固定连接，气缸带动分离处理装置在导轨上运动。

进一步的，滚筒外周设置有外齿轮，上壳体上设置有第一减速电机，第一减速电机的输出轴上设置有齿轮，齿轮位于上壳体内，当第二配合板与第二限位板抵接时，第一减速电机的输出轴上的齿轮与外齿轮啮合。

进一步的，第二配合板远离第一配合板一端开设有凹槽，凹槽内安装有弹簧，弹簧远离凹槽的一端设置有活动板，当活动板与第二限位板接触时，弹簧被挤压使得活动板进入凹槽内。

进一步的，低温分离仓内设置有分离板，分离板将低温分离仓分为两个腔室，一个腔室内设置有弯管，弯管包括至少一个“U”型管，弯管上设置有过滤器，另一个腔室内设置有直管，低温室下端设置有集锡室和集料室，当第二配合板与第二限位板抵接时，弯管对准集锡室，直管对准集料室，分离板上设置有转动板，转动板的旋转轴与分离板铰接连接，旋转轴上端设置有转盘，转盘上设置有缺口，缺口成扇形，扇形对应的圆心角小于90度，上壳体上设置有第二减速电机，第二减速电机的输出轴上设置有与缺口配合的扇形块，当第二配合板与第二限位板抵接时，扇形块位于缺口内，由第二减速电机带动转动板转动。

进一步的，高温腔和低温腔内设置有支撑柱，支撑柱上端与密封板抵接。

本申请的第二目的是提供废弃集成电路板预处理方法，通过先对集成电路板进行低温处理，配合滚筒的转动，进而使得集成电路板的锡、电子元器件与主板分离开来，并在转动板的作用下使得锡、电子元器件分别收集处理，再对集成电路板进行高温处理，进而使得主板得到高温处理，进而完成废弃电路板的预处理。

为实现本申请的第二目的，本申请的技术方案为：

一种废弃集成电路板的预处理方法，采用上述的废弃集成电路板预处理装置，包括以下步骤：

S1、进料：通过控制器使得滚筒位于初始位置，打开高温室对应的第一盖板，然后打开滚筒上的第二盖板，将废弃集成电路板放置在滚筒的第一处理仓内，关闭第一盖板和第二盖板；

S2、升温：控制供热器为高温腔增加温度，使得高温腔的温度控制在285-315摄氏度，使得第一处理仓内的废弃集成电路板上的锡熔化，锡熔化后，废弃集成电路板上的电子元器件与主板分离；

S3、分离：利用控制器打开流体泵，流体泵将热量从高温腔向低温腔转移，使得低温腔的温度控制在285-315摄氏度，利用控制器控制第一减速电机转动，使得滚筒转动使得第一处理仓内的锡通过第二连接口进入第三处理仓，锡由第二出料口流出至高温分离仓内，同时，控制器控制气缸带动分离处理装置移动并使得第二配合板与第二限位板接触，控制器控制第二减速电机带动转动板运动进而使得低温分离仓内设置有弯管的腔体与高温分离仓连通，使得锡流入到低温分离仓的弯管内，锡经过弯管上的过滤器过滤后流入到集锡室内；

经过设定时间后，控制器控制第一减速电机转动，使得滚筒反方向转动进而使得电子元器件通过第一连接口进入第二处理仓，电子元器件由第一出料口掉落并沿着斜坡面滑出高温分离仓，同时，控制器控制第二减速电机带动转动板运动进而使得低温分离仓内设置有直管的腔体与高温分离仓连通，使得电子元器件滚入到低温分离仓的直管内，电子元器件经过直管后掉入到集料室内；

S4、再升温：控制供热器为高温腔增加温度，同时关闭流体泵，使得高温腔的温度控制在750-950摄氏度，使得第一处理仓内的废弃集成电路板的主板被高温处理，处理设定时间后，关闭供热器，并使得高温腔降温，降温完成后，将高温处理的主板取出，预处理完成。

与现有技术相比，本申请的有益效果为：

1、本申请通过高温室和低温室配合使用，高温室为低温室提供所需要的热量，高温室内的滚筒用于将废弃集成电路板分离成主板、锡以及电子元器件，且电子元器件和锡在低温状态下与主板分离，在低温下不会对主板产生较大影响进而使得锡和电子元器件能够被收集起来。

2、本申请的滚筒分为第一处理仓、第二处理仓和第三处理仓，由第一处理仓盛放废弃集成电路板，废弃集成电路板也可以通过第一盖板、第二盖板处放入到第一处理仓内，第一处理仓和第二处理仓、第三处理仓分别连接，但第二处理仓和第三处理仓不连通，因此，本申请通过滚筒的转动使得第一处理仓内的锡和电子元器件分别进入第三处理仓、第二处理仓，而主板则会留在第一处理仓，而随着高温室内温度的升高，第一处理仓内的主板会被高温处理，完成集成电路板的不同部件的分类处理。

3、本申请的整体装置包括底部框架、上壳体、下壳体，在底部框架和下壳体的配合下，本申请可以将分离处理装置放入到下壳体的导轨上，在下壳体上安装上壳体即可完成其整体功能，由气缸带动分离处理装置在导轨上运动，进而使得滚筒上的外齿轮可以与齿轮啮合，进而使得滚筒可以实现分离功能，另外，由于分离处理装置的移动，使得弯管和直管可以分别与集锡室和集料室连接，进而使得锡和电子元器件可以直接进入集锡室和集料室，而配合板和限位板的配合使得高温室和低温室相对独立，也可以对分离处理装置的移动产生定位作用。

4、本申请的弯管用于排出流体状态的锡，锡中带有少量杂质，弯管可以减缓锡的流动速度，弯管上的过滤器可以对流速缓慢的锡中的杂质进行过滤。

5、本申请利用扇形块与转动板上的转盘上的缺口配合，当分离处理装置被气缸带动时，使得扇形块与缺口配合，进而使得第二减速电机能够带动转动板转动，进而使得低温室能够分离成独立的两个腔体，而高温腔中的锡和电子元器件可以分别流入两个独立的腔室中，完成收集和处理。

附图说明

构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本申请的进一步理解，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。

图1为本申请的整体结构示意图；

图2为本申请的正视图结构示意图；

图3为本申请的俯视图结构示意图；

图4为本申请的侧视图结构示意图；

图5为本申请的后视图结构示意图；

图6为本申请的底部框架的内部结构示意图；

图7为图6的俯视图结构示意图；

图8为本申请分离处理装置在一个方向上的整体结构示意图；

图9为本申请分离处理装置在另一个方向上的整体结构示意图；

图10为本申请分离处理装置的俯视图结构示意图；

图11为本申请分离处理装置的主视图结构示意图；

图12为本申请下外壳在一个方向上的整体结构示意图；

图13为本申请下外壳在另一个方向上的整体结构示意图；

图14为本申请下外壳的俯视图结构示意图；

图15为本申请滚筒的整体结构示意图。

图中：1、底部框架，2、下壳体，3、低温室，4、高温室，5、连接室，6、排污管，7、爬梯，8、蝶阀，9、第一盖板，10、吊环，11、控制器，12、隔板，13、流体泵，14、排气管，15、进气管，16、通热管，17、支撑柱，18、低温分离仓，19、高温分离仓，20、滚筒，21、连接板，22、第一配合板，23、第二配合板，24、活动板，25、转动板，26、转盘，27、固定板，28、滚轮，29、弯管，30、直管，31、过滤器，32、底板，33、第一限位板，34、第二限位板，35、上翼板，36、下翼板，37、通孔，38、导轨，39、侧挡板，40、第一处理仓，41、进料口，42、第二盖板，43、第二处理仓，44、第一出料口，45、第三处理仓，46、第二出料口，47、外齿轮。

具体实施方式：

下面结合附图与实施例对本申请作进一步说明。

需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本公开的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。

在本公开中，术语如“上”、“下”、“左”、“右”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“侧”、“底”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，只是为了便于叙述本公开各部件或元件结构关系而确定的关系词，并非特指本公开中任一部件或元件，不能理解为对本公开的限制。

实施例1

废弃集成电路板预处理装置，包括高温室4和低温室3，高温室4、低温室3是由铁、保温棉、铝制保温外壳围成的空腔，高温室4和低温室3之间是连接室5，连接室5将高温室4、低温室3连通，并在高温室4、低温室3和连接室5内安装分离处理装置，分离处理装置是本实施例的核心部件，分离处理装置的底部为斜坡面，具体的，位于高温室4内的分离处理装置的底部高度高于位于低温室3内的分离处理装置的底部高度，使得高温室4内分离处理装置内的流体、部件可以向低温室3内分离处理装置流动，此处的部件至与主板分离的电子元器件，流体是指与主板、电子元器件分离的锡，高温室4和低温室3下端安装有底部框架1，底部框架1用于为高温室4和低温室3提供所需要的热量，在此处详细讲解一下底部框架1的具体结构：底部框架1包括外框，外框是内层铁板、中间保温层以及外部铝制外壳的复合层结构，外框中间为隔板12，隔板12将外框分为低温腔和高温腔，低温腔位于低温室3下端，高温腔位于高温腔下端，低温腔和高温腔的的连通、换热方式为：本实施例的底部框架1外周安装有流体泵13，比如柱塞泵，高温腔通过通热管16连接供热器，供热器为高温腔提供所需要的热量，流体泵13通过排气管14连接高温腔，流体泵13通过进气管15连接低温腔，进气管15是相互连接的多段弯管29和直管30，使得低温腔的换热面积增大，提高换热效果，当低温腔需要与高温腔进行换热时，流体泵13启动进而使得进气管15从高温腔吸收热量，本实施例在底部框架1上端固定安装有密封板，密封板通过螺栓与底部框架1固定连接，当需要打开底部框架1时，拆开密封板即可，密封板上安装有散热片或密封板上开设有散热孔，使得底部框架1内的热量能够进入高温室4或低温室3，在本实施例中，密封板上安装散热片，不仅可以保证换热效率，还可以避免杂物进入底部框架1，减少底部框架1的维修，作为更优选的实施方案，高温腔和低温腔内固定安装有支撑柱17，支撑柱17与底部框架1的固定连接方式为焊接，支撑柱17上端与密封板抵接，螺栓可以将支撑柱17、底部框架1的边缘与底部框架1连接在一起，使得密封板的密封性较好，本实施例中的底部框架1也采用保温层和铝制外壳。

本实施例的分离处理装置是本申请的核心部件，分离处理装置内铰接安装有滚筒20，滚筒20一端为侧挡板39，滚筒20两侧均伸出一根铰接轴与分离处理装置的侧边铰接连接，侧挡板39与铰接轴固定连接，本实施例的滚筒20包括第一处理仓40、第二处理仓43和第三处理仓45，其中，第一处理仓40的体积对第二处理仓43、第三处理仓45的体积都要大一些，这样可以盛放更多的废弃集成电路板，第一处理仓40上开设有进料口41，进料口41是一个圆筒，进料口41上安装有第二盖板42，第二盖板42与进料口41铰接，其边缘通过卡扣与进料口41固定连接，第二处理仓43上开设有第一出料口44，第三处理仓45上开设有第二出料口46，第一出料口44的尺寸大于第二出料口46的尺寸，第一处理仓40通过第一连通口连接第二处理仓43，第一处理仓40通过第二连通口连接第三处理仓45，第一连通口的尺寸大于第二连通口，这样做的目的是本申请的滚筒20分为第一处理仓40、第二处理仓43和第三处理仓45，由第一处理仓40盛放废弃集成电路板，废弃集成电路板也可以通过第一盖板9、第二盖板42处放入到第一处理仓40内，第一处理仓40和第二处理仓43、第三处理仓45分别连接，但第二处理仓43和第三处理仓45不连通，因此，本申请通过滚筒20的转动使得第一处理仓40内的锡和电子元器件分别进入第三处理仓45、第二处理仓43，而主板则会留在第一处理仓40，而随着高温室4内温度的升高，第一处理仓40内的主板会被高温处理，完成集成电路板的不同部件的分类处理，而滚筒20的转动方式为：滚筒20外周为外齿轮47，上壳体上固定安装有第一减速电机，具体的，上壳体上安装电机安装板，第一减速电机安装在电机安装板上，想要达到更容易的减速目的，本实施例还可以安装减速器，第一减速电机连接减速器，减速器再连接齿轮，因此，在此可以描述为第一减速电机的输出轴上安装齿轮，齿轮位于上壳体内，当第二配合板23与第二限位板34抵接时，第一减速电机的输出轴上的齿轮与外齿轮47啮合，利用第一减速电机带动滚筒20转动。

在此继续说明分离处理装置，分离处理装置包括高温分离仓19和低温分离仓18，高温分离仓19和低温分离仓18之间为连接板21，连接板21的一端与高温分离仓19焊接连接，连接板21的另一端与低温分离仓18焊接连接，这就形成了三个腔体，高温分离仓19对应的腔体、低温分离仓18对应的腔体以及连接板21围成的腔体，第一配合板22和第二配合板23设置在连接板21上，第一配合板22靠近高温分离仓19，第二配合板23靠近低温分离仓18，上文中提到的滚筒20位于高温分离仓19内，本实施例的分离处理装置需要移动，具体的，分离处理装置下端铰接安装有滚轮28，底板32上端安装导轨38，导轨38采用平放的工字钢即可，或者缺口钢更好，上端为滚轮28所使用的轨道，滚轮28设置在导轨38内，低温分离仓18外周固定安装固定板27，下壳体2上开设有通孔37，下壳体2外周安装有气缸，气缸的推杆穿过通孔37后与固定板27固定连接，气缸带动分离处理装置在导轨38上运动。

更具体的，第二配合板23远离第一配合板22一端开设有凹槽，凹槽内安装有弹簧，弹簧远离凹槽的一端固定安装活动板24，当活动板24与第二限位板34接触时，弹簧被挤压使得活动板24进入凹槽内，下壳体2下端安装有底板32，底板32上开设有散热孔，使得底板32位于下翼板36上方进而使得底板32和下壳体2形成空腔，密封板的散热片位于空腔内，下壳体2的连接板21的两端分别焊接有第一限位板33和第二限位板34，分离处理装置上焊接有第一配合板22和第二配合板23，第一配合板22和第二配合板23位于第一限位板33和第二限位板34之间。

本实施例低温分离仓18的结构和作用为：低温分离仓18内设置有分离板，分离板将低温分离仓18分为两个腔室，一个腔室内安装有弯管29，弯管29包括至少一个“U”型管，弯管29上安装有过滤器31，过滤器31采用微孔过滤器31，另一个腔室内安装有直管30，低温室3下端为集锡室和集料室，当第二配合板23与第二限位板34抵接时，弯管29对准集锡室，直管30对准集料室，锡流入到集锡室中，而电子元器件则进入集料室中。

另外，本申请的分离板上还需要安装转动板25，转动板25的作用是使得低温分离仓18能够独立的形成两个腔室，转动板25的旋转轴与分离板铰接连接，本实施例为使得转动板25能够转动，同时，又避免第二减速电机位于低温室3内部，因此，本实施例在旋转轴上端安装有转盘26，转盘26上开设缺口，缺口成扇形，扇形对应的圆心角小于90度，而将第二减速电机安装在上壳体上，并在第二减速电机的输出轴上安装有与缺口配合的扇形块，当第二配合板23与第二限位板34抵接时，扇形块位于缺口内，由第二减速电机带动转动板25转动。

本实施例在此说明本申请的外部结构，高温室4、低温室3和连接室5包括上壳体和下壳体2，其中，下壳体2上端焊接上翼板35，下壳体2下端焊接下翼板36，上壳体下端也焊接翼板用于与下壳体2上端的上翼板35配合使用，下翼板36通过螺栓固定安装在底部框架1，上翼板35通过螺栓与上壳体固定连接，上壳体上安装有排污管6和第一盖板9，第一盖板9高温室4对应安装有一根排污管6和一块第一盖板9，低温室3对应安装有一根排污管6和一块第一盖板9，上壳体上还安装有吊环10，吊环10用于和吊机配合进而将上壳体吊起，同理，在分离处理装置上也安装吊环10，两者作用相同，本实施例还在排污管6上安装蝶阀8，蝶阀8采用气动蝶阀8，当高温室4或低温室3工作时，打开气动蝶阀8，使得排污管6工作，另外，本实施例还在上壳体或下壳体2外侧安装爬梯7，爬梯7上安装有扶手、立柱、踏板等，使得操作员可以爬上爬梯7进而打开第一盖板9。

实施例2

一种废弃集成电路板的预处理方法，采用本实施例1所公开的废弃集成电路板预处理装置，包括以下步骤：

S1、进料：通过控制器11使得滚筒20位于初始位置，打开高温室4对应的第一盖板9，然后打开滚筒20上的第二盖板42，将废弃集成电路板放置在滚筒20的第一处理仓40内，关闭第一盖板9和第二盖板42；

S2、升温：控制供热器为高温腔增加温度，使得高温腔的温度控制在285-315摄氏度，使得第一处理仓40内的废弃集成电路板上的锡熔化，锡熔化后，废弃集成电路板上的电子元器件与主板分离；

S3、分离：利用控制器11打开流体泵13，流体泵13将热量从高温腔向低温腔转移，使得低温腔的温度控制在285-315摄氏度，利用控制器11控制第一减速电机转动，使得滚筒20转动使得第一处理仓40内的锡通过第二连接口进入第三处理仓45，锡由第二出料口46流出至高温分离仓19内，同时，控制器11控制气缸带动分离处理装置移动并使得第二配合板23与第二限位板34接触，控制器11控制第二减速电机带动转动板25运动进而使得低温分离仓18内设置有弯管29的腔体与高温分离仓19连通，使得锡流入到低温分离仓18的弯管29内，锡经过弯管29上的过滤器31过滤后流入到集锡室内；

经过设定时间后，控制器11控制第一减速电机转动，使得滚筒20反方向转动进而使得电子元器件通过第一连接口进入第二处理仓43，电子元器件由第一出料口44掉落并沿着斜坡面滑出高温分离仓19，同时，控制器11控制第二减速电机带动转动板25运动进而使得低温分离仓18内设置有直管30的腔体与高温分离仓19连通，使得电子元器件滚入到低温分离仓18的直管30内，电子元器件经过直管30后掉入到集料室内；

S4、再升温：控制供热器为高温腔增加温度，同时关闭流体泵13，使得高温腔的温度控制在750-950摄氏度，使得第一处理仓40内的废弃集成电路板的主板被高温处理，处理设定时间后，关闭供热器，并使得高温腔降温，降温完成后，将高温处理的主板取出，预处理完成。

本实施例中的控制器11与设备部件连接用于控制其启动或关闭，例如泵、气缸、电机、供热器等。

以上仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

上述虽然结合附图对本申请的具体实施方式进行了描述，但并非对本申请保护范围的限制，所属领域技术人员应该明白，在本申请的技术方案的基础上，本领域技术人员不需要付出创造性劳动即可做出的各种修改或变形仍在本申请的保护范围以内。