光学检测系统、其控制方法、电子设备及存储介质

技术领域

本申请涉及光学检测技术领域，尤其涉及光学检测系统、其控制方法、电子设备及存储介质。

背景技术

随着半导体缺陷检测技术的不断发展，对半导体检测精度的要求越来越高，为满足半导体缺陷亚微米级检测精度的需求，自动聚焦显微镜检测系统应运而生。该检测系统中常用的两种照明方式为明场照明及暗场照明。典型的阿贝明场聚光器可以应用于该检测系统中进行明暗场的切换，但是其明暗场的切换方式为机械插拔光阑，因而无法快速切换明暗场照明方式，满足不了光学检测过程中高速明暗场切换检测需求。

为解决快速切换明暗场照明方式的问题，通常自动聚焦显微镜系统明场照明采用内同轴点光源方式，暗场照明采用外置低角度环形光纤光源的方式，但该明暗场照明方式的缺陷首先是暗场为低角度环形光，导致检测图像中存在较多杂光，造成检测图像对比度差，影响光学检测效果。

有鉴于此，亟需提出一种能够快速切换明暗场照明的，且暗场检测图像高对比度的光学检测系统。

发明内容

为克服相关技术中存在的问题，本申请提供一种光学检测系统、其控制方法、电子设备及存储介质，该光学检测系统，能够满足光学检测过程中明暗场高速切换检测的需求，提升暗场检测时的表面检测图像中的缺陷部分和背景部分的对比度，提升暗场检测精度。

本申请第一方面提供一种光学检测系统，包括：

照明光源1、光线传输通道2、检测成像设备3以及用于放置待测半导体样品41的载物台4；

光线传输通道2靠近载物台4的一端设有显微物镜组5，显微物镜组5包含第一物镜以及第二物镜；

照明光源1与光线传输通道2的连通位置处设有分光镜21，使得照明光源1的光线能够通过分光镜21反射至显微物镜组5，并通过第一物镜或第二物镜投射至待测半导体样品41上；

分光镜21和显微物镜组5之间设有遮光组件6，遮光组件6用于在暗场检测时启动并遮挡照明光源1的光线以形成环形照明光；

检测成像设备3设置于光线传输通道2远离载物台4的一端，检测成像设备3用于生成待测半导体样品41的表面检测图像。

在一种实施例中，遮光组件6包括液晶光阑61以及光阑遮光驱动器62；

液晶光阑61与光阑遮光驱动器62电连接。

在一种实施例中，光阑遮光驱动器62包含第一电压驱动单元以及第二电压驱动单元；

液晶光阑61分别与第一电压驱动单元以及第二电压驱动单元电连接；

其中，第一电压驱动单元驱动液晶光阑61形成的遮光面直径为第一物镜的通光直径的80%；第二电压驱动单元驱动液晶光阑61形成的遮光面直径为第二物镜的通光直径的80%。

在一种实施例中，照明光源1包含入射光源11以及聚光透镜12；

聚光透镜12设置于分光镜21与入射光源11之间，聚光透镜12用于将入射光源11的球面光转换为平面光。

在一种实施例中，光线传输通道2中还设有成像透镜22；

成像透镜22设置于分光镜21和检测成像设备3之间，成像透镜22用于将待测半导体样品41的表面反馈光线汇聚于检测成像设备3的成像镜头31中。

本申请第二方面提供一种光学检测系统控制方法，用于控制如第一方面中任一项所述的光学检测系统进行检测，包括：

接收光学检测请求，光学检测请求包含明场检测请求以及暗场检测请求；

若光学检测请求为暗场检测请求，则响应于暗场检测请求启动遮光组件；

通过检测成像设备对待测半导体样品进行成像，得到用于进行暗场检测的表面检测图像。

在一种实施例中，响应于暗场检测请求启动遮光组件，包括：

响应于暗场检测请求，启动遮光组件中的光阑遮光驱动器对遮光组件中的液晶光阑进行供电。

在一种实施例中，启动遮光组件中的光阑遮光驱动器对遮光组件中的液晶光阑进行供电，包括：

监测物镜切换事件；

若监测到物镜切换事件，则获取当前切换物镜的物镜倍率参数；

根据当前切换物镜的物镜倍率参数物镜倍率参数映射得到当前切换物镜的通光直径；

根据当前切换物镜的通光直径启动光阑遮光驱动器中匹配的电压驱动单元，以使得匹配的电压驱动单元能够对液晶光阑进行供电。

本申请第三方面提供一种电子设备，包括：

处理器；以及

存储器，其上存储有可执行代码，当所述可执行代码被所述处理器执行时，使所述处理器执行如上所述的方法。

本申请第四方面提供一种非暂时性机器可读存储介质，其上存储有可执行代码，当所述可执行代码被电子设备的处理器执行时，使所述处理器执行如上所述的方法。

本申请提供的技术方案可以包括以下有益效果：

本申请提供的光学检测系统包含照明光源、光线传输通道、检测成像设备以及用于放置待测半导体样品的载物台，光线传输通道靠近载物台的一端设有显微物镜组，显微物镜组包含第一物镜以及第二物镜在内的多个物镜，照明光源与光线传输通道的连通位置处设有分光镜，使得照明光源的光线能够通过分光镜反射至显微物镜组，并通过第一物镜或第二物镜投射至待测半导体样品上，分光镜和显微物镜组之间设有遮光组件，遮光组件用于在暗场检测时启动并遮挡照明光源的光线以形成环形照明光，能够满足光学检测过程中明暗场高速切换检测的需求；检测成像设备设置于光线传输通道远离载物台的一端，检测成像设备用于生成待测半导体样品的表面检测图像。从而在暗场检测时环形照明光能够通过第一物镜或第二物镜聚焦后，以一定的角度投射至待测半导体样品上，有利于打亮待测半导体样品上的缺陷，同时地，遮光组件所遮挡的光线原本会垂直通过第一物镜或第二物镜投射至待测半导体样品上，会打亮待测半导体样品的整体表面而导致表面检测图像中的缺陷部分和背景部分的对比度过低，而通过遮光组件的遮挡则能够降低待测半导体样品的整体表面亮度，从而更加突显出待测半导体样品上的缺陷，有利于提升暗场检测精度。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本申请。

附图说明

通过参考附图阅读下文的详细描述，本申请示例性实施方式的上述以及其他目的、特征和优点将变得易于理解。在附图中，以示例性而非限制性的方式示出了本申请的若干实施方式，并且相同或对应的标号表示相同或对应的部分。

图1是本申请实施例示出的光学检测系统的全局结构示意图；

图2是本申请实施例示出的光学检测系统的内部结构示意图；

图3是本申请实施例示出的光学检测系统控制方法的流程示意图；

图4是本申请实施例示出的电子设备的结构示意图。

具体实施方式

现在将参考附图描述实施例。应当理解，为了说明的简单和清楚，在认为合适的情况下，可以在附图中重复附图标记以指示对应或类似的元件。另外，本申请阐述了许多具体细节以便提供对本文所述实施例的透彻理解。然而，本领域普通技术人员将理解，可以在没有这些具体细节的情况下实践本文描述的实施例。在其他情况下，没有详细描述公知的方法、过程和组件，以免模糊本文描述的实施例。而且，该描述不应被视为限制本文描述的实施例的范围。

自动聚焦显微镜检测系统中常用的两种照明方式为明场照明及暗场照明。典型的阿贝明场聚光器可以应用于该检测系统中进行明暗场的切换，但是其明暗场的切换方式为机械插拔光阑，因而无法快速切换明暗场照明方式，满足不了光学检测过程中高速明暗场切换检测需求。为解决快速切换明暗场照明方式的问题，通常自动聚焦显微镜系统明场照明采用内同轴点光源方式，暗场照明采用外置低角度环形光纤光源的方式，但该明暗场照明方式的缺陷首先是暗场为低角度环形光，导致检测图像中存在较多杂光，造成检测图像对比度差，影响光学检测效果。有鉴于此，亟需提出一种能够快速切换明暗场照明的，且暗场检测图像高对比度的光学检测系统。

针对上述问题，本申请实施例提供一种光学检测系统，能够满足光学检测过程中明暗场高速切换检测的需求，提升暗场检测时的表面检测图像中的缺陷部分和背景部分的对比度，提升暗场检测精度。

以下结合附图详细描述本申请实施例的技术方案。

图1是本申请实施例示出的光学检测系统的全局结构示意图，图2是本申请实施例示出的光学检测系统的内部结构示意图，请参阅图1和图2，本申请实施例示出的光学检测系统可以包括：

照明光源1、光线传输通道2、检测成像设备3以及用于放置待测半导体样品41的载物台4，其中，光线传输通道2靠近载物台4的一端设有显微物镜组5，显微物镜组5至少包含有第一物镜以及第二物镜，可以理解的是，如图1所示，显微物镜组5还可以包含但不限于第三物镜以及第四物镜，本实施例以显微物镜组5包含有第一物镜以及第二物镜为例子进行示例性说明，物镜的数量需根据实际应用情况而定，此处不作唯一限定。第一物镜和第二物镜分别是具有不同倍率的物镜，物镜的常规放大倍率可以是2X、5X、10X、20X、50X以及100X等等，因此第一物镜和第二物镜分别具有不同的物镜孔径，不同的物镜孔径则会导致第一物镜和第二物镜分别具有不同的通光直径。

照明光源1与光线传输通道2的连通位置处设有分光镜21，使得照明光源1的光线能够通过分光镜21反射至显微物镜组5，并通过第一物镜或第二物镜投射至待测半导体样品41上。在本申请实施例中，分光镜21可以采用半透半反射镜，也可以采用其他的镜片，需根据实际应用情况而定，此处不作唯一限定。在本申请实施例中，示例性的，照明光源1与光线传输通道2可以垂直连通，若照明光源1与光线传输通道2垂直连通，那么分光镜21与照明光源1的光线的传播轨迹的夹角为45°，以使得照明光源1的光线能够沿第一物镜或第二物镜的光轴，经过第一物镜或第二物镜投射到待测半导体样品41上。

分光镜21和显微物镜组5之间设有遮光组件6，遮光组件6用于在暗场检测时启动并遮挡照明光源1的光线以形成环形照明光。可以理解的是，遮光组件6关闭时，不进行遮光，此时照明光源1的光线可以作为第一物镜或者第二物镜的同轴光源用于明场检测照明；而遮光组件6启动时，可以对照明光源1的光线的中心部分进行遮挡，照明光源1的中心部分光线在不进行遮挡的情况下，原本是会通过第一物镜或者第二物镜的中心位置投射至待测半导体样品41上，然后反射回第一物镜或者第二物镜中，通过第一物镜或者第二物镜回到光线传输通道2当中。但是在暗场检测的过程中，照明光源1的中心部分光线则会打亮待测半导体样品的整体表面，导致成像后图像背景亮度过高，导致暗场检测中的缺陷亮点的检测难度加大，不利于提升暗场检测精度。而在遮光组件6的遮挡作用下，不但能够遮挡照明光源1的中心部分光线，而且仅允许照明光源1的外围光线通过遮光组件6从而形成环形照明光，如图2所示，该环形照明光经过第一物镜或者第二物镜的聚焦之后会以一定的角度倾斜投射于待测半导体样品41上，可以理解的是，假若待测半导体样品41上有凸起缺陷等颗粒外观缺陷，那么倾斜投射的光就可以将这些外观缺陷打亮，被外观缺陷散射的光会重新通过第一物镜或者第二物镜回到光线传输通道2之内，用于后续成像；而除了外观缺陷之外的其他位置则会反射倾斜投射的光，不会再回到光线传输通道2之内。从而能够在成像后提升缺陷亮点与图像背景之间的对比度，而且能够通过控制遮光组件6的启动与关闭实现明暗场照明的高速切换。

检测成像设备3设置于光线传输通道2远离载物台4的一端，检测成像设备3用于生成待测半导体样品41的表面检测图像，可以理解的是，在明场照明的情况下，表面检测图像为明场检测对应的检测图像，而在暗场照明的情况下，表面检测图像则为暗场检测对应的检测图像。

本申请提供的光学检测系统包含照明光源、光线传输通道、检测成像设备以及用于放置待测半导体样品的载物台，光线传输通道靠近载物台的一端设有显微物镜组，显微物镜组包含第一物镜以及第二物镜在内的多个物镜，照明光源与光线传输通道的连通位置处设有分光镜，使得照明光源的光线能够通过分光镜反射至显微物镜组，并通过第一物镜或第二物镜投射至待测半导体样品上，分光镜和显微物镜组之间设有遮光组件，遮光组件用于在暗场检测时启动并遮挡照明光源的光线以形成环形照明光，能够满足光学检测过程中明暗场高速切换检测的需求；检测成像设备设置于光线传输通道远离载物台的一端，检测成像设备用于生成待测半导体样品的表面检测图像。从而在暗场检测时环形照明光能够通过第一物镜或第二物镜聚焦后，以一定的角度投射至待测半导体样品上，有利于打亮待测半导体样品上的缺陷，同时地，遮光组件所遮挡的光线原本会垂直通过第一物镜或第二物镜投射至待测半导体样品上，会打亮待测半导体样品的整体表面而导致表面检测图像中的缺陷部分和背景部分的对比度过低，而通过遮光组件的遮挡则能够降低待测半导体样品的整体表面亮度，从而更加突显出待测半导体样品上的缺陷，有利于提升暗场检测精度。

在一些实施例中，会通过光阑遮光驱动器控制液晶光阑来实现遮光组件的功能，从而能够实现明暗场照明的高速切换。请参阅图2，本申请实施例示出的光学检测系统可以包括：

遮光组件6包括液晶光阑61以及光阑遮光驱动器62，液晶光阑61与光阑遮光驱动器62电连接。其中，液晶光阑61是指基于液晶阵列的光阑装置，光阑是指在光学系统中对光束起着限制作用的实体。液晶光阑61中的液晶能够受到电场的影响而改变排列状态，当光阑遮光驱动器62对液晶光阑61不通电时，液晶分子的长轴与光线传播方向垂直，液晶处于通光状态，液晶光阑61此时没有挡光；而当光阑遮光驱动器62对液晶光阑61通电时，液晶分子的长轴与光线传播方向平行，液晶处于挡光状态，液晶光阑61此时具有挡光作用。

进一步地，光阑遮光驱动器62包含但不限于第一电压驱动单元以及第二电压驱动单元，示例性的，第一电压驱动单元可以提供5V的供电，而第二电压驱动单元可以提供8V的供电，需根据实际应用情况而定，此处不作唯一限定。液晶光阑61分别与第一电压驱动单元以及第二电压驱动单元电连接，其中，第一电压驱动单元驱动液晶光阑61形成的遮光面直径为第一物镜的通光直径的80%；第二电压驱动单元驱动液晶光阑61形成的遮光面直径为第二物镜的通光直径的80%。在本申请实施例中，80%的取值仅为示例性的，在实际应用中，需根据实际应用情况而定，此处不作唯一限定。还可以理解的是，为了遮挡照明光源1的中心部分光线，遮挡面与第一物镜的通光孔为同心圆，此时即是保证了20%的照明光源1的光线能够形成环形照明光输入至第一物镜或第二物镜中。从而在切换物镜时，能够根据切换后的物镜选取合适的电压驱动单元对液晶光阑61进行通电，以形成与切换后的物镜相匹配的遮光面，可以理解的是，每一物镜都会对应配套一个电压驱动单元来形成相应合适直径的遮光面，以使得每一物镜都能高质量地完成暗场检测工作，防止遮光面过大而没有光线进入物镜，以及防止遮光面过小而导致成像后图像背景亮度仍然过高的情况。

在一些实施例中，照明光源1包含入射光源11以及聚光透镜12，其中，聚光透镜12设置于分光镜21与入射光源11之间，聚光透镜12用于将入射光源11的球面光转换为平面光，以能够提升光源的均匀性以及提升入射光源11的利用率。

在一些实施例中，光线传输通道2中还设有成像透镜22，成像透镜22设置于分光镜21和检测成像设备3之间，成像透镜22用于将待测半导体样品41的表面反馈光线汇聚于检测成像设备3的成像镜头31中，以提升检测成像设备的镜头收光效率，提升成像质量。

与前述光学检测系统的实施例相对应，本申请还提供了一种光学检测系统控制方法及相应的实施例。图3是本申请实施例示出的光学检测系统控制方法的流程示意图，请参阅图3，本申请实施例示出的光学检测系统控制方法可以包括：

在步骤301中，接收光学检测请求。

在本申请实施例中，光学检测请求包含明场检测请求以及暗场检测请求，其中，暗场检测请求可以是指在明场检测切换至暗场检测时所产生的请求信息；同理地，明场检测请求可以是指在暗场检测切换至明场检测时所产生的请求信息。

在步骤302中，若光学检测请求为暗场检测请求，则响应于暗场检测请求启动遮光组件。

具体地，响应于暗场检测请求，启动遮光组件中的光阑遮光驱动器对遮光组件中的液晶光阑进行供电。

在本申请实施例中，首先需要监测物镜切换事件，物镜切换事件包括将第一物镜切换成第二物镜，若显微物镜组还包含第三物镜以及第四物镜，那么物镜切换事件还可以包括将第一物镜切换成第三物镜、将第一物镜切换成第四物镜、将第二物镜切换成第三物镜、将第二物镜切换成第四物镜以及将第三物镜切换成第四物镜等等。示例性的，可以在物镜安装转盘上设置旋转检测传感器，该旋转检测传感器用于检测物镜安装转盘处于转动状态或是静止状态，并且用于检测转动的角度以确定切换至哪一个物镜，当检测到物镜安装转盘处于转动状态，则生成物镜切换信号，并且将生成物镜切换信号以及旋转角度信息反馈至控制器或处理器中，以达到监测物镜切换事件的效果。还可以直接监控控制物镜切换的控制信号，若能够监控到控制物镜切换的控制信号，那么也可以确定物镜发生了切换，并且从该控制信号之中知悉了切换至哪一个物镜。

可以理解的是，在实际应用中，还可以采用其他方式来进行物镜切换事件的检测，需根据实际应用情况选择合适的监测方式，此处不作唯一限定。

然后，若监测到物镜切换事件，则获取当前切换物镜的物镜倍率参数，可以从本地存储的物镜参数中调取获得当前切换物镜的物镜倍率参数。

接着，根据当前切换物镜的物镜倍率参数物镜倍率参数映射得到当前切换物镜的通光直径。可以根据物镜倍率参数查询本地存储的映射表，该映射表可以是反映物镜倍率参数与物镜的通光直径以及收光角度之间映射关系的映射表，因此，可以查询到当前切换物镜的物镜倍率参数物镜倍率对应的当前切换物镜的通光直径。示例性的，假设当前切换物镜为100X放大倍率的物镜，映射得到的物镜通光直径可以是预设的直径参数，例如是1cm，可以理解的是，该映射关系需根据实际应用情况或者预先测试结果而定，此处不作唯一限定。

最后，根据当前切换物镜的通光直径启动光阑遮光驱动器中匹配的电压驱动单元，以使得匹配的电压驱动单元能够对液晶光阑进行供电。示例性的，假设当前切换物镜的通光直径为1cm，为了确保20%的照明光源的光线能够形成环形照明光输入至当前切换的物镜中，则需要选取能够驱动液晶光阑形成遮光面直径为当前切换的物镜的通光直径的80%的电压驱动单元，例如是第一电压驱动单元。需根据实际应用情况而定，此处不作唯一限定。

在步骤303中，通过检测成像设备对待测半导体样品进行成像。

成像后得到用于进行暗场检测的表面检测图像。可以理解的是，相应地，若光学检测请求为明场检测请求，则无需启动遮光组件，通过检测成像设备对待测半导体样品进行成像之后则可以得到用于进行明场检测的表面检测图像。

与前述光学检测系统控制方法的实施例相对应，本申请还提供了一种执行光学检测系统控制方法的电子设备及相应的实施例。

图4示出可以实施本申请实施例的光学检测系统控制方法的电子设备800的硬件配置的框图。如图4所示，电子设备800可以包括处理器810和存储器820。在图4的电子设备800中，仅示出了与本实施例有关的组成元素。因此，对于本领域普通技术人员而言显而易见的是：电子设备800还可以包括与图4中所示的组成元素不同的常见组成元素。比如：定点运算器。

电子设备800可以对应于具有各种处理功能的计算设备，例如，用于生成神经网络、训练或学习神经网络、将浮点型神经网络量化为定点型神经网络、或者重新训练神经网络的功能。例如，电子设备800可以被实现为各种类型的设备，例如个人计算机（PC）、服务器设备、移动设备等。

处理器810控制电子设备800的所有功能。例如，处理器810通过执行电子设备800上的存储器820中存储的程序，来控制电子设备800的所有功能。处理器810可以由电子设备800中提供的中央处理单元(CPU)、图形处理单元(GPU)、应用处理器(AP)、人工智能处理器芯片（IPU）等来实现。然而，本申请不限于此。

在一些实施例中，处理器810可以包括输入/输出（I/O）单元811和计算单元812。I/O单元811可以用于接收各种数据，例如光学检测请求。示例性的，计算单元812可以用于响应经由I/O单元811接收的暗场检测请求启动遮光组件，之后通过检测成像设备对待测半导体样品进行成像。成像后得到的表面检测图像例如可以由I/O单元811输出。输出数据可以提供给存储器820以供其他设备（未示出）读取使用，也可以直接提供给其他设备使用。

存储器820是用于存储电子设备800中处理的各种数据的硬件。例如，存储器820可以存储电子设备800中的处理过的数据和待处理的数据。存储器820可存储处理器810已处理或要处理的光学检测系统控制方法过程中涉及的数据。此外，存储器820 可以存储要由电子设备800驱动的应用、驱动程序等。例如：存储器820可以存储与将由处理器810执行的光学检测系统控制方法有关的各种程序。存储器820可以是DRAM，但是本申请不限于此。存储器820可以包括易失性存储器或非易失性存储器中的至少一种。非易失性存储器可以包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存、相变RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻RAM(RRAM)、铁电RAM (FRAM)等。易失性存储器可以包括动态RAM(DRAM)、静态RAM(SRAM)、同步DRAM(SDRAM)、 PRAM、MRAM、RRAM、铁电RAM(FeRAM)等。在实施例中，存储器820可以包括硬盘驱动器(HDD)、 固态驱动器(SSD)、高密度闪存(CF)、安全数字(SD)卡、微安全数字(Micro-SD)卡、迷你安全数字(Mini-SD)卡、极限数字(xD)卡、高速缓存（caches）或记忆棒中的至少一项。

综上，本说明书实施方式提供的电子设备800的存储器820和处理器810实现的具体功能，可以与本说明书中的前述实施方式相对照解释，并能够达到前述实施方式的技术效果，这里便不再赘述。

在本实施方式中，处理器810可以按任何适当的方式实现。例如，处理器810可以采取例如微处理器或处理器以及存储可由该（微）处理器执行的计算机可读程序代码（例如软件或固件）的计算机可读介质、逻辑门、开关、专用集成电路（Application SpecificIntegrated Circuit，ASIC）、可编程逻辑控制器和嵌入微控制器的形式等等。

应当理解，本申请披露的权利要求、说明书及附图中的可能术语“第一”或“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。本申请披露的说明书和权利要求书中使用的术语“包括”和 “包含”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。

还应当理解，在此本申请披露说明书中所使用的术语仅仅是出于描述特定实施例的目的，而并不意在限定本申请披露。如在本申请披露说明书和权利要求书中所使用的那样，除非上下文清楚地指明其它情况，否则单数形式的“一”、“一个”及“该”意在包括复数形式。还应当进一步理解，在本申请披露说明书和权利要求书中使用的术语“和/ 或”是指相关联列出的项中的一个或多个的任何组合以及所有可能组合，并且包括这些组合。

虽然本申请的实施方式如上，但所述内容只是为便于理解本申请而采用的实施例，并非用以限定本申请的范围和应用场景。任何本申请所述技术领域内的技术人员，在不脱离本申请所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式上及细节上作任何的修改与变化，但本申请的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。

还应当理解，本文示例的执行指令的任何模块、单元、组件、服务器、计算机、终端或设备可以包括或以其他方式访问计算机可读介质，诸如存储介质、计算机存储介质或数据存储设备（可移除的）和/或不可移动的）例如磁盘、光盘或磁带。计算机存储介质可以包括以用于存储信息的任何方法或技术实现的易失性和非易失性，可移动和不可移动介质，例如计算机可读指令、数据结构、程序模块或其他数据。