发光元件及组合物

技术领域

本发明涉及发光元件及组合物。

背景技术

有机电致发光元件等发光元件可合适地用于显示器及照明的用途。

例如，专利文献1中，记载了具有仅由交联材料的交联体形成的层、和含有化合物T1的层的发光元件。

例如，专利文献2中，记载了具有含有交联材料的交联体及化合物CT1的层、和含有化合物CT1的层的发光元件。

[化学式1]

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2019/049225号

专利文献2：国际公开第2018/198975号

发明内容

发明所要解决的课题

但是，上述的发光元件的外量子效率未必充分。

因此，本发明的主要目的是提供外量子效率优异的发光元件。

用于解决课题的手段

本发明提供以下的[1]～[19]。

[1]

发光元件，其为具有阳极、阴极、和设置于前述阳极与前述阴极之间的第1层及第2层的发光元件，

前述第1层为含有选自式(T-1)表示的化合物中的至少1种化合物(A-1)的层，

前述第2层为含有选自式(T-1)表示的化合物中的至少1种化合物(A-2)、和具有交联基团的化合物的交联体的层。

[化学式2]

[式中，

环L

环L

R

X

环L

[2]

如[1]所述的发光元件，其中，前述环L

[3]

如[1]或[2]所述的发光元件，其中，前述环L

前述环L

[4]

如[1]～[3]中任一项所述的发光元件，其中，前述环L

[5]

如[1]～[4]中任一项所述的发光元件，其中，前述X

[6]

如[1]～[5]中任一项所述的发光元件，其中，前述具有交联基团的化合物为包含具有交联基团的结构单元的高分子化合物。

[7]

如[6]所述的发光元件，其中，前述具有交联基团的结构单元为式(Z)表示的结构单元或式(Z’)表示的结构单元。

[化学式3]

[式中，

n表示1以上的整数。

nA表示0以上的整数。nA存在有多个的情况下，它们可以相同也可以不同。

Ar

L

X表示交联基团。X存在有多个的情况下，它们可以相同也可以不同。]

[化学式4]

[式中，

mA、m及c各自独立地表示0以上的整数。mA存在有多个的情况下，它们可以相同也可以不同。m存在有多个的情况下，它们可以相同也可以不同。

Ar

Ar

K

X’表示氢原子、交联基团、烷基、环烷基、芳基或1价杂环基，这些基团可具有取代基。该取代基存在有多个的情况下，它们可以相同也可以不同，也可以彼此键合而与各自所键合的原子一起形成环。X’存在有多个的情况下，它们可以相同也可以不同。其中，至少1个X’为交联基团。]

[8]

如[6]或[7]所述的发光元件，其中，前述高分子化合物还包含选自由式(X)表示的结构单元及式(Y)表示的结构单元组成的组中的至少1种结构单元。

[化学式5]

[式中，

a

Ar

Ar

R

[化学式6]

/>

[式中，Ar

[9]

如[1]～[5]中任一项所述的发光元件，其中，前述具有交联基团的化合物为式(Z”)表示的化合物。

[化学式7]

[式中，

m

Ar

L

[10]

如[1]～[9]中任一项所述的发光元件，其中，前述交联基团为选自交联基团A组中的至少1种交联基团。

(交联基团A组)

[化学式8]

[式中，R

[11]

如[1]～[10]中任一项所述的发光元件，其中，前述化合物(A-1)中的至少1种与前述化合物(A-2)中的至少1种相同。

[12]

如[1]～[11]中任一项所述的发光元件，其中，前述第1层还含有磷光发光性化合物。

[13]

如[12]所述的发光元件，其中，前述磷光发光性化合物为式(1)表示的金属络合物。

[化学式9]

[式中，

M表示铑原子、钯原子、铱原子或铂原子。

n

E

环L

环L

环L

A

[14]

如[13]所述的发光元件，其中，前述环L

[15]

如[13]或[14]所述的发光元件，其中，前述环L

[16]

如[1]～[15]中任一项所述的发光元件，其中，前述第1层还含有选自由空穴传输材料、空穴注入材料、电子传输材料、电子注入材料、发光材料及抗氧化剂组成的组中的至少1种。

[17]

如[1]～[16]中任一项所述的发光元件，其中，前述第1层与前述第2层邻接。

[18]

如[1]～[17]中任一项所述的发光元件，其中，在前述阳极与前述第1层之间设置有前述第2层。

[19]

组合物，其含有选自式(T-1)表示的化合物中的至少1种化合物(A-2)、和具有交联基团的化合物的交联体。

[化学式10]

[式中，

环L

环L

R

X

环L

发明效果

根据本发明，能够提供外量子效率优异的发光元件。另外，根据本发明，能够提供对于这样的发光元件的制造有用的组合物。

具体实施方式

以下，对本发明的优选实施方式进行详细说明。

<通用术语的说明>

只要没有特别说明，则本说明书中通用的术语为以下的含义。

所谓“室温”，是指25℃。

Me表示甲基，Et表示乙基，Bu表示丁基，i-Pr表示异丙基，t-Bu表示叔丁基。

氢原子可以为氘原子，也可以为氕原子。

表示金属络合物的式中，表示与中心金属的键的实线是指共价键或配位键。

所谓“低分子化合物”，是指不具有分子量分布、并且分子量为1×10

所谓“高分子化合物”，是指具有分子量分布、并且按聚苯乙烯换算的数均分子量为1×10

所谓“结构单元”，是指在高分子化合物中存在1个以上的单元。在高分子化合物中存在2个以上的结构单元通常也被称为“重复单元”。

高分子化合物可以为嵌段共聚物、无规共聚物、交替共聚物、接枝共聚物中的任意化合物，也可以为其他方式。

对于高分子化合物的末端基团而言，若聚合活性基团原样残留，则在将高分子化合物用于制作发光元件的情况下，有发光特性等降低的可能性，因此优选为稳定的基团。作为高分子化合物的末端基团，优选为与高分子化合物的主链共轭键合的基团，例如，可举出介由碳-碳键与高分子化合物的主链键合的芳基或1价杂环基。

“烷基”可以为直链及支链中的任意状。直链烷基的碳原子数不包括取代基的碳原子数，通常为1～50，优选为1～20，更优选为1～10。支链烷基的碳原子数不包括取代基的碳原子数，通常为3～50，优选为3～20，更优选为4～10。

烷基可具有取代基。作为烷基，例如，可举出甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、2-丁基、异丁基、叔丁基、戊基、异戊基、2-乙基丁基、己基、庚基、辛基、2-乙基己基、3-丙基庚基、癸基、3,7-二甲基辛基、2-乙基辛基、2-己基癸基及十二烷基。另外，烷基也可以为这些基团中的氢原子的一部分或全部被取代基取代而得到的基团(例如，三氟甲基、五氟乙基、全氟丁基、全氟己基、全氟辛基、3-苯基丙基、3-(4-甲基苯基)丙基、3-(3,5-二己基苯基)丙基、6-乙基氧基己基)。

“环烷基”的碳原子数不包括取代基的碳原子数，通常为3～50，优选为4～10。

环烷基可具有取代基。作为环烷基，例如，可举出环己基、及该基团中的氢原子的一部分或全部被取代基取代而得到的基团。

“亚烷基”的碳原子数不包括取代基的碳原子数，通常为1～20，优选为1～15，更优选为1～10。

亚烷基可具有取代基。作为亚烷基，例如，可举出亚甲基、亚乙基、亚丙基、亚丁基、亚己基、亚辛基、及这些基团中的氢原子的一部分或全部被取代基取代而得到的基团。

“亚环烷基”的碳原子数不包括取代基的碳原子数，通常为3～20，优选为4～10。

亚环烷基可具有取代基。作为亚环烷基，例如，可举出亚环己基、及该基团中的氢原子的一部分或全部被取代基取代而得到的基团。

“芳香族烃基”是指从芳香族烃中除去1个以上的与构成环的碳原子直接键合的氢原子而得到的基团。也将从芳香族烃中除去1个与构成环的碳原子直接键合的氢原子而得到的基团称为“芳基”。也将从芳香族烃中除去2个与构成环的碳原子直接键合的氢原子而得到的基团称为“亚芳基”。

芳香族烃基的碳原子数不包括取代基的碳原子数，通常为6～60，优选为6～40，更优选为6～20。

作为“芳香族烃基”，例如，可举出从单环式的芳香族烃(例如可举出苯。)、或多环式的芳香族烃(例如可举出萘、茚、萘醌、二氢茚酮及萘满酮等2环式的芳香族烃；蒽、菲、二氢菲、芴、蒽醌、菲醌及芴酮等3环式的芳香族烃；苯并蒽、苯并菲、苯并芴、芘及荧蒽等4环式的芳香族烃；二苯并蒽、二苯并菲、二苯并芴、茚并芴、苝及苯并荧蒽等5环式的芳香族烃；螺双芴等6环式的芳香族烃；以及，苯并螺双芴及苊并荧蒽(acenaphthofluoranthene)等7环式的芳香族烃。)中除去1个以上的与构成环的碳原子直接键合的氢原子而得到的基团。芳香族烃基包括多个这些基团键合而成的基团。芳香族烃基可具有取代基。

“烷氧基”可以为直链及支链中的任意状。直链烷氧基的碳原子数不包括取代基的碳原子数，通常为1～40，优选为1～10。支链烷氧基的碳原子数不包括取代基的碳原子数，通常为3～40，优选为4～10。

烷氧基可具有取代基。作为烷氧基，例如，可举出甲氧基、乙氧基、异丙基氧基、丁基氧基、己基氧基、2-乙基己基氧基、3,7-二甲基辛基氧基、月桂基氧基、及这些基团中的氢原子的一部分或全部被取代基取代而得到的基团。

“环烷氧基”的碳原子数不包括取代基的碳原子数，通常为3～40，优选为4～10。

环烷氧基可具有取代基。作为环烷氧基，例如，可举出环己基氧基、及该基团中的氢原子的一部分或全部被取代基取代而得到的基团。

“芳基氧基”的碳原子数不包括取代基的碳原子数，通常为6～60，优选为6～40，更优选为6～20。

芳基氧基可具有取代基。作为芳基氧基，例如，可举出苯氧基、萘基氧基、蒽基氧基、芘基氧基、及这些基团中的氢原子的一部分或全部被取代基取代而得到的基团。

所谓“杂环基”，是指从杂环式化合物中除去1个以上的与构成环的原子(碳原子或杂原子)直接键合的氢原子而得到的基团。杂环基之中，优选为从芳香族杂环式化合物中除去1个以上的与构成环的原子直接键合的氢原子而得到的基团即“芳香族杂环基”。也将从杂环式化合物中除去p个与构成环的原子直接键合的氢原子(p表示1以上的整数。)而得到的基团称为“p价杂环基”。也将从芳香族杂环式化合物中除去p个与构成环的原子直接键合的氢原子而得到的基团称为“p价的芳香族杂环基”。

作为“芳香族杂环式化合物”，例如，可举出唑、噻吩、呋喃、吡啶、二氮杂苯、三嗪、氮杂萘、二氮杂萘及咔唑等杂环本身显示芳香性的化合物；以及吩噁嗪、吩噻嗪及苯并吡喃等虽杂环本身不显示芳香性、但在杂环上稠合有芳香环的化合物。

杂环基的碳原子数不包括取代基的碳原子数，通常为1～60，优选为2～40，更优选为3～20。杂环基的杂原子数不包括取代基的杂原子数，通常为1～30，优选为1～10，更优选为1～5，进一步优选为1～3。

作为杂环基，例如，可举出从单环式的杂环式化合物(例如可举出呋喃、噻吩、噁二唑、噻二唑、吡咯、二唑、三唑、四唑、吡啶、二氮杂苯及三嗪。)、或多环式的杂环式化合物(例如可举出氮杂萘、二氮杂萘、苯并呋喃、苯并噻吩、吲哚、氮杂吲哚、二氮杂吲哚、苯并二唑、苯并噻二唑、苯并三唑、苯并噻吩二氧化物、苯并噻吩氧化物及苯并吡喃酮等2环式的杂环式化合物；二苯并呋喃、二苯并噻吩、二苯并噻吩二氧化物、二苯并噻吩氧化物、二苯并吡喃酮、二苯并硼杂环戊二烯(dibenzoborole)、二苯并噻咯(dibenzosilole)、二苯并磷杂环戊二烯(dibenzophosphole)、二苯并硒吩、咔唑、氮杂咔唑、二氮杂咔唑、吩噁嗪、吩噻嗪、9,10-二氢吖啶、5,10-二氢吩嗪、吖啶酮、9-氮杂-10-硼杂蒽(phenezaborine)、9-氮杂-10-磷杂蒽(phenophosphazine)、吩硒嗪、9-氮杂-10-硅杂蒽(phenazasiline)、氮杂蒽、二氮杂蒽、氮杂菲及二氮杂菲等3环式的杂环式化合物；六氮杂苯并菲、苯并咔唑、氮杂苯并咔唑、二氮杂苯并咔唑、苯并萘并呋喃及苯并萘并噻吩等4环式的杂环式化合物；二苯并咔唑、吲哚并咔唑、茚并咔唑、氮杂吲哚并咔唑、二氮杂吲哚并咔唑、氮杂茚并咔唑及二氮杂茚并咔唑等5环式的杂环式化合物；咔唑并咔唑、苯并吲哚并咔唑及苯并茚并咔唑等6环式的杂环式化合物；以及，二苯并吲哚并咔唑及二苯并茚并咔唑等7环式的杂环式化合物。)中除去1个以上的与构成环的原子直接键合的氢原子而得到的基团。杂环基包括多个这些基团键合而成的基团。杂环基可具有取代基。

所谓“卤素原子”，表示氟原子、氯原子、溴原子或碘原子。

“氨基”可具有取代基，优选为取代氨基(即，仲氨基或叔氨基，更优选为叔氨基)。作为氨基所具有的取代基，优选为烷基、环烷基、芳基或1价杂环基，这些基团可进一步具有取代基。氨基所具有的取代基存在有多个的情况下，它们可以相同也可以不同，也可以彼此键合而与各自所键合的氮原子一起形成环。

作为取代氨基，例如，可举出二烷基氨基、二环烷基氨基、二芳基氨基、及这些基团中的氢原子的一部分或全部被取代基进一步取代而得到的基团。

作为取代氨基，例如，可举出二甲基氨基、二乙基氨基、二苯基氨基、双(甲基苯基)氨基、双(3,5-二叔丁基苯基)氨基、及这些基团中的氢原子的一部分或全部被取代基进一步取代而得到的基团。

“链烯基”可以为直链及支链中的任意状。直链的链烯基的碳原子数不包括取代基的碳原子数，通常为2～30，优选为3～20。支链的链烯基的碳原子数不包括取代基的碳原子数，通常为3～30，优选为4～20。

“环烯基”的碳原子数不包括取代基的碳原子数，通常为3～30，优选为4～20。

链烯基及环烯基可具有取代基。作为链烯基，例如，可举出乙烯基、1-丙烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、3-戊烯基、4-戊烯基、1-己烯基、5-己烯基、7-辛烯基、及这些基团中的氢原子的一部分或全部被取代基取代而得到的基团。作为环烯基，例如，可举出环己烯基、环己二烯基、环辛三烯基、降冰片烯基、及这些基团中的氢原子的一部分或全部被取代基取代而得到的基团。

“炔基”可以为直链及支链中的任意状。炔基的碳原子数不包括取代基的碳原子，通常为2～20，优选为3～20。支链炔基的碳原子数不包括取代基的碳原子，通常为4～30，优选为4～20。

“环炔基”的碳原子数不包括取代基的碳原子，通常为4～30，优选为4～20。

炔基及环炔基可具有取代基。作为炔基，例如，可举出乙炔基、1-丙炔基、2-丙炔基、2-丁炔基、3-丁炔基、3-戊炔基、4-戊炔基、1-己炔基、5-己炔基、及这些基团中的氢原子的一部分或全部被取代基取代而得到的基团。作为环炔基，例如，可举出环辛炔基、及该基团中的氢原子的一部分或全部被取代基取代而得到的基团。

所谓“交联基团”，是能通过供于加热、紫外线照射、近紫外线照射、可见光照射、红外线照射、自由基反应等而生成新的键的基团。作为交联基团，优选为选自交联基团A组中的至少1种交联基团。

作为“取代基”，例如，可举出卤素原子、氰基、烷基、环烷基、芳基、1价杂环基、烷氧基、环烷氧基、芳基氧基、氨基、取代氨基、链烯基、环烯基、炔基及环炔基。取代基也可以为交联基团。需要说明的是，取代基存在有多个的情况下，它们可以相同也可以不同。另外，取代基存在有多个的情况下，它们也可以彼此键合而与各自所键合的原子一起形成环，但优选不形成环。

<第1层>

本实施方式的发光元件中，第1层为含有选自式(T-1)表示的化合物中的至少1种化合物(A-1)的层。

第1层可以仅含有1种化合物(A-1)，也可以含有2种以上化合物(A-1)。

第1层中的化合物(A-1)的含量只要在可发挥作为第1层的功能的范围内即可。第1层中的化合物(A-1)的含量例如以第1层的总量为基准计可以为1～100质量％，优选为10～99质量％，更优选为30～97质量％，进一步优选为50～95质量％。

[式(T-1)表示的化合物]

式(T-1)表示的化合物的分子量优选为2×10

环L

作为环L

作为环L

环L

出于本实施方式的发光元件的外量子效率更优异的理由，环L

作为环L

作为环L

出于本实施方式的发光元件的外量子效率更优异的理由，环L

作为环L

作为环L

作为环L

环L

作为环L

环L

作为环L

环L

环L

出于本实施方式的发光元件的外量子效率更优异的理由，环L

作为环L

环L

环L

环L

环L

环L

出于本实施方式的发光元件的外量子效率更优异的理由，环L

环L

出于本实施方式的发光元件的外量子效率更优异的理由，优选环L

出于本实施方式的发光元件的外量子效率更优异的理由，R

R

R

作为“2价基团”，例如，可举出亚烷基、亚环烷基、亚芳基、2价杂环基、-N(R

2价基团可具有的取代基的例子及优选范围与环L

2价基团中，作为亚芳基，优选为从单环式或2环式～6环式的芳香族烃中除去2个与构成环的碳原子直接键合的氢原子而得到的基团，更优选为从单环式、2环式或3环式的芳香族烃中除去2个与构成环的碳原子直接键合的氢原子而得到的基团，进一步优选为从苯、萘、蒽、菲、二氢菲或芴中除去2个与构成环的碳原子直接键合的氢原子而得到的基团，特别优选为从苯、萘或芴中除去2个与构成环的碳原子直接键合的氢原子而得到的基团，尤其优选为亚苯基，这些基团可具有取代基。

2价基团中，作为2价杂环基，优选为从单环式或2环式～6环式的杂环式化合物中除去2个与构成环的原子(优选为碳原子)直接键合的氢原子而得到的基团，更优选为从单环式、2环式或3环式的杂环式化合物中除去2个与构成环的原子(优选为碳原子)直接键合的氢原子而得到的基团，进一步优选为从吡啶、二氮杂苯、三嗪、氮杂萘、二氮杂萘、二苯并呋喃、二苯并噻吩、咔唑、氮杂咔唑、二氮杂咔唑、吩噁嗪、吩噻嗪、9,10-二氢吖啶或5,10-二氢吩嗪中除去2个与构成环的原子(优选为碳原子)直接键合的氢原子而得到的基团，特别优选为从吡啶、二氮杂苯、三嗪、咔唑、吩噁嗪、吩噻嗪、9,10-二氢吖啶或5,10-二氢吩嗪中除去2个与构成环的原子(优选为碳原子)直接键合的氢原子而得到的基团，尤其优选为从吡啶、二氮杂苯或三嗪中除去2个与构成环的原子(优选为碳原子)直接键合的氢原子而得到的基团，这些基团可具有取代基。

2价基团中，作为亚烷基，优选为亚甲基、亚乙基或亚丙基，更优选为亚甲基，这些基团可具有取代基。

R

R

R

R

X

X

出于本实施方式的发光元件的外量子效率更优异的理由，X

环L

环L

环L

环L

环L

环L

环L

作为式(T-1)表示的化合物，例如，可举出下述式表示的化合物。需要说明的是，式中，Z

[化学式11]

[化学式12]

[化学式13]

[化学式14]

[化学式15]

<层(1’)>

出于本实施方式的发光元件的外量子效率更优异的理由，第1层优选为含有化合物(A-1)、和磷光发光性化合物的层(以下，也称为“层(1’)”。)。

在层(1’)中，可以单独含有1种化合物(A-1)，也可以含有2种以上化合物(A-1)。在层(1’)中，可以单独含有1种磷光发光性化合物，也可以含有2种以上磷光发光性化合物。

层(1’)中的化合物(A-1)及磷光发光性化合物的合计含量只要在可发挥作为层(1’)的功能的范围内即可。层(1’)中的化合物(A-1)及磷光发光性化合物的合计含量例如以层(1’)的总量为基准计可以为1～100质量％，出于本实施方式的发光元件的外量子效率更优异的理由，优选为10～100质量％，更优选为30～100质量％，进一步优选为50～100质量％，特别优选为70～100质量％，尤其优选为90～100质量％。

层(1’)中，在将化合物(A-1)与磷光发光性化合物的合计含量设为100质量份时，磷光发光性化合物的含量通常为0.01～99质量份，优选为0.1～90质量份，更优选为1～70质量份，进一步优选为5～50质量份，特别优选为10～40质量份。

层(1’)中，出于本实施方式的发光元件的外量子效率更优异的理由，化合物(A-1)优选为具有选自空穴注入性、空穴传输性、电子注入性及电子传输性中的至少1种功能的主体材料。

层(1’)中，出于本实施方式的发光元件的外量子效率更优异的理由，化合物(A-1)所具有的最低激发三重态(T

层(1’)中，作为磷光发光性化合物，出于可以利用湿式法制作本实施方式的发光元件的理由，优选为对于能将层(1’)中含有的化合物(A-1)溶解的溶剂显示出溶解性的磷光发光性化合物。

[磷光发光性化合物]

“磷光发光性化合物”通常是指于室温显示出磷光发光性的化合物，优选为于室温显示出来自三重激发态的发光的金属络合物。于室温显示出来自三重激发态的发光的金属络合物通常具有中心金属原子及配体。

于室温显示出来自三重激发态的发光的金属络合物中，作为中心金属原子，例如，可举出作为原子序数为40以上的原子的、与络合物具有自旋-轨道相互作用并且能引起单重态与三重态之间的系间窜越的金属原子。作为金属原子，例如，可举出钌原子、铑原子、钯原子、铱原子、铂原子及铕原子，出于本实施方式的发光元件的外量子效率更优异的理由，优选为铱原子或铂原子。

于室温显示出来自三重激发态的发光的金属络合物中，金属络合物所具有的中心金属原子的数量通常为1～5个，优选为1～3个，更优选为1或2个，进一步优选为1个。

于室温显示出来自三重激发态的发光的金属络合物中，作为配体，例如，可举出与中心金属原子之间形成选自由配位键及共价键组成的组中的至少1种键的、中性或阴离子性的单齿配体、或者中性或阴离子性的多齿配体。作为中心金属原子与配体之间的键，例如，可举出金属-氮键、金属-碳键、金属-氧键、金属-磷键、金属-硫键及金属-卤素键。所谓多齿配体，通常是指2齿以上6齿以下的配体。

磷光发光性化合物的分子量优选为2×10

(式(1)表示的金属络合物)

出于本实施方式的发光元件的外量子效率更优异的理由，磷光发光性化合物优选为式(1)表示的金属络合物。

出于本实施方式的发光元件的外量子效率更优异的理由，M优选为铱原子或铂原子，更优选为铱原子。

M为铑原子或铱原子的情况下，n

M为钯原子或铂原子的情况下，n

优选E

出于能够容易地合成式(1)表示的金属络合物的理由，E

环L

作为环L

出于本实施方式的发光元件的外量子效率进一步优异的理由，环L

出于能够容易地合成式(1)表示的金属络合物的理由，环L

环L

作为环L

环L

作为环L

出于本实施方式的发光元件的外量子效率更优异的理由，环L

出于能够容易地合成式(1)表示的金属络合物的理由，环L

出于本实施方式的发光元件的外量子效率进一步优异的理由，优选环L

作为环L

出于本实施方式的发光元件的外量子效率更优异的理由，优选环L

式(1)表示的金属络合物中，在环L

式(1)表示的金属络合物中，环L

式(1)表示的金属络合物中，环L

式(1)表示的金属络合物中，环L

作为一次取代基中的芳基，优选为从单环式、2环式或3环式的芳香族烃中除去1个与构成环的碳原子直接键合的氢原子而得到的基团，更优选为苯基、萘基或芴基，进一步优选为苯基，这些基团可具有取代基。

作为一次取代基中的1价杂环基，优选为从单环式、2环式或3环式的杂环式化合物中除去1个与构成环的碳原子或杂原子直接键合的氢原子而得到的基团，更优选为从吡啶环、二氮杂苯环、三嗪环、氮杂萘环、二氮杂萘环、咔唑环、二苯并呋喃环或二苯并噻吩环中除去1个与构成环的碳原子或杂原子直接键合的氢原子而得到的基团，进一步优选为从吡啶环、二氮杂苯环或三嗪环中除去1个与构成环的碳原子直接键合的氢原子而得到的基团，这些基团可具有取代基。

一次取代基中的取代氨基中，作为氨基所具有的取代基，优选为芳基或1价杂环基，更优选为芳基，这些基团可进一步具有取代基。氨基所具有的取代基中的芳基及1价杂环基的例子及优选范围分别与一次取代基中的芳基及1价杂环基的例子及优选范围相同。

二次取代基(一次取代基可以进一步具有的取代基)的例子及优选范围与一次取代基的例子及优选范围相同。

二次取代基可进一步具有取代基(以下，也称为“三次取代基”。)。三次取代基(二次取代基可以进一步具有的取代基)的例子及优选范围与一次取代基的例子及优选范围相同。

三次取代基可进一步具有取代基(以下，也称为“四次取代基”。)。作为四次取代基(三次取代基可以进一步具有的取代基)，优选为烷基、环烷基、烷氧基、环烷氧基、芳基、芳基氧基、1价杂环基、取代氨基或氟原子，更优选为烷基、环烷基、芳基、1价杂环基或取代氨基，进一步优选为烷基、环烷基或芳基，特别优选为烷基或环烷基，这些基团可进一步具有取代基，出于能够容易地合成式(1)表示的金属络合物的理由，优选不进一步具有取代基。

二次取代基、三次取代基及四次取代基中的芳基、1价杂环基及取代氨基的例子及优选范围分别与一次取代基中的芳基、1价杂环基及取代氨基的例子及优选范围相同。

·阴离子性的二齿配体

作为A

[化学式16]

[式中，＊表示与M键合的部位。]

作为磷光发光性化合物，例如，可举出下述式表示的金属络合物。需要说明的是，式中，Z

[化学式17]

[化学式18]

[化学式19]

[化学式20]

[化学式21]

[化学式22]

[第1组合物]

第1层也可以为含有包含选自式(T-1)表示的化合物中的至少1种化合物(A-1)、和选自由磷光发光性化合物、空穴传输材料、空穴注入材料、电子传输材料、电子注入材料、发光材料及抗氧化剂组成的组中的至少1种的组合物(以下，也称为“第1组合物”。)的层。但是，第1组合物中，空穴传输材料、空穴注入材料、电子传输材料、电子注入材料及发光材料与化合物(A-1)及磷光发光性化合物不同。

在第1组合物中，化合物(A-1)、磷光发光性化合物、空穴传输材料、空穴注入材料、电子传输材料、电子注入材料、发光材料及抗氧化剂各自可以单独含有1种，也可以含有2种以上。

第1组合物中，化合物(A-1)、磷光发光性化合物、空穴传输材料、空穴注入材料、电子传输材料、电子注入材料、发光材料及抗氧化剂的合计含量只要在可发挥作为第1组合物的功能的范围内即可。第1组合物中，化合物(A-1)、磷光发光性化合物、空穴传输材料、空穴注入材料、电子传输材料、电子注入材料、发光材料及抗氧化剂的合计含量例如以第1组合物的总量为基准计可以为1～100质量％，也可以为10～100质量％，也可以为30～100质量％，进一步优选可以为50～100质量％，也可以为70～100质量％，也可以为90～100质量％。

(空穴传输材料)

空穴传输材料可分类为低分子化合物和高分子化合物。空穴传输材料可以具有交联基团。

作为低分子化合物，例如，可举出三苯基胺及其衍生物、N,N’-二-1-萘基-N,N’-二苯基联苯胺(α-NPD)、以及N,N’-二苯基-N,N’-二(间甲苯基)联苯胺(TPD)等芳香族胺化合物。

作为高分子化合物，例如，可举出聚乙烯基咔唑及其衍生物；在侧链或主链中具有芳香族胺结构的聚芳撑及其衍生物。高分子化合物也可以是键合有富勒烯、四氟四氰基醌二甲烷、四氰基乙烯及三硝基芴酮等电子接受性部位的化合物。

在第1组合物中包含空穴传输材料的情况下，在将化合物(A-1)的含量设为100质量份时，空穴传输材料的含量通常为1～1000质量份。空穴传输材料可以单独使用一种，也可以并用两种以上。

(电子传输材料)

电子传输材料可分类为低分子化合物和高分子化合物。电子传输材料可以具有交联基团。

作为低分子化合物，例如，可举出将8-羟基喹啉作为配体的金属络合物、噁二唑、蒽醌二甲烷、苯醌、萘醌、蒽醌、四氰基蒽醌二甲烷、芴酮、二氰基二苯乙烯及二苯醌、以及它们的衍生物。

作为高分子化合物，例如，可举出聚苯撑、聚芴、及它们的衍生物。高分子化合物也可以用金属掺杂。

在第1组合物中包含电子传输材料的情况下，在将化合物(A-1)的含量设为100质量份时，电子传输材料的含量通常为1～1000质量份。电子传输材料可以单独使用一种，也可以并用两种以上。

(空穴注入材料及电子注入材料)

空穴注入材料及电子注入材料各自可分类为低分子化合物和高分子化合物。空穴注入材料及电子注入材料可以具有交联基团。

作为低分子化合物，例如，可举出铜酞菁等金属酞菁；碳；钼、钨等金属氧化物；氟化锂、氟化钠、氟化铯、氟化钾等金属氟化物。

作为高分子化合物，例如，可举出聚苯胺、聚噻吩、聚吡咯、聚苯撑乙烯、聚噻吩乙烯(polythienylenevinylene)、聚喹啉及聚喹喔啉、以及它们的衍生物；在主链或侧链中包含芳香族胺结构的聚合物等导电性高分子。

在第1组合物中包含空穴注入材料及/或电子注入材料的情况下，在将化合物(A-1)的含量设为100质量份时，空穴注入材料及电子注入材料的含量各自通常为1～1000质量份。空穴注入材料及电子注入材料各自可以单独使用一种，也可以并用两种以上。

·离子掺杂

空穴注入材料或电子注入材料可以掺杂有离子。例如，空穴注入材料或电子注入材料包含导电性高分子的情况下，导电性高分子的电导率优选为1×10

关于向空穴注入材料或电子注入材料中掺杂的离子的种类，例如，若为空穴注入材料，则可举出阴离子，若为电子注入材料，则可举出阳离子。作为阴离子，例如，可举出聚苯乙烯磺酸根离子、烷基苯磺酸根离子及樟脑磺酸根离子。作为阳离子，例如，可举出锂离子、钠离子、钾离子及四丁基铵离子。

掺杂的离子可以单独使用一种，也可以并用两种以上。

(发光材料)

发光材料可分类为低分子化合物和高分子化合物。发光材料可以具有交联基团。

作为低分子化合物，例如，可举出萘及其衍生物、蒽及其衍生物、苝及其衍生物、以及将铱、铂或铕作为中心金属的磷光发光性化合物。

作为高分子化合物，例如，可举出包含后述的式(Y)表示的结构单元及/或式(X)表示的结构单元的高分子化合物。

在第1组合物中包含发光材料的情况下，在将化合物(A-1)的含量设为100质量份时，发光材料的含量通常为1～1000质量份。发光材料可以单独使用一种，也可以并用两种以上。

(抗氧化剂)

抗氧化剂只要为可溶于与化合物(A-1)相同的溶剂、并且不阻碍发光及电荷传输的化合物即可，例如，可举出酚系抗氧化剂、磷系抗氧化剂。

在第1组合物中包含抗氧化剂的情况下，在将化合物(A-1)的含量设为100质量份时，抗氧化剂的含量通常为0.001～10质量份。抗氧化剂可以单独使用一种，也可以并用两种以上。

[第1油墨]

第1层例如可以使用含有化合物(A-1)、和溶剂的组合物(以下，也称为“第1油墨”。)来形成。

第1油墨可以合适地用于使用了例如旋涂法、流延法、微型凹版涂布法、凹版涂布法、棒涂法、辊涂法、线棒涂布法、浸涂法、喷涂法、丝网印刷法、柔版印刷法、胶版印刷法、喷墨印刷法、毛细管涂布法、喷嘴涂布法等湿式法的发光元件的制作。

第1油墨的粘度根据湿式法的种类进行调整即可。对于第1油墨的粘度而言，例如，在应用于喷墨印刷法等溶液经过喷出装置的印刷法的情况下，出于不易发生喷出时的堵塞及飞行弯曲的理由，优选在25℃时为1～20mPa·s。

第1油墨中包含的溶剂优选为能将油墨中的固态成分溶解或均匀地分散的溶剂。作为第1油墨中包含的溶剂，例如，可举出1,2-二氯乙烷、1,1,2-三氯乙烷、氯苯及邻二氯苯等氯系溶剂；四氢呋喃、二氧杂环己烷、苯甲醚及4-甲基苯甲醚等醚系溶剂；甲苯、二甲苯、均三甲苯、乙基苯、正己基苯及环己基苯等芳香族烃系溶剂；环己烷、甲基环己烷、正戊烷、正己烷、正庚烷、正辛烷、正壬烷、正癸烷、正十二烷及联环己烷等脂肪族烃系溶剂；丙酮、甲基乙基酮、环己酮及苯乙酮等酮系溶剂；乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙基溶纤剂乙酸酯、苯甲酸甲酯及乙酸苯酯等酯系溶剂；乙二醇、甘油、1,2-己二醇、异丙醇及环己醇等醇系溶剂；二甲基亚砜等亚砜系溶剂；N-甲基-2-吡咯烷酮及N,N-二甲基甲酰胺等酰胺系溶剂；以及水。

第1油墨中，在将化合物(A-1)的含量设为100质量份时，溶剂的含量通常为1000～100000质量份。溶剂可以单独使用一种，也可以并用两种以上。

第1油墨可以进一步包含选自由磷光发光性化合物、空穴传输材料、空穴注入材料、电子传输材料、电子注入材料、发光材料及抗氧化剂组成的组中的至少1种。

第1油墨可进一步包含的空穴传输材料、电子传输材料、空穴注入材料、电子注入材料、发光材料及抗氧化剂的例子及优选范围与第1组合物中含有的空穴传输材料、电子传输材料、空穴注入材料、电子注入材料、发光材料及抗氧化剂的例子及优选范围相同。

在将化合物(A-1)的含量设为100质量份时，第1油墨可进一步包含的空穴传输材料、电子传输材料、空穴注入材料、电子注入材料及发光材料的含量各自通常为1～1000质量份。在将化合物(A-1)的含量设为100质量份时，第1油墨可进一步包含的抗氧化剂的含量通常为0.001～10质量份。

<第2层>

本实施方式的发光元件中，第2层为含有选自式(T-1)表示的化合物中的至少1种化合物(A-2)、和具有交联基团的化合物的交联体的层。即，在第2层中，化合物(A-2)是作为与具有交联基团的化合物的交联体区别开的化合物而被含有的。此处，化合物(A-2)优选为不含交联基团的化合物。

第2层中的化合物(A-2)的例子及优选范围与第1层中的化合物(A-1)的例子及优选范围相同。

第2层可以仅含有1种化合物(A-2)，也可以含有2种以上化合物(A-2)。第2层可以仅含有1种具有交联基团的化合物的交联体，也可以含有2种以上的具有交联基团的化合物的交联体。

第2层中的化合物(A-2)及具有交联基团的化合物的交联体的合计含量只要在可发挥作为第2层的功能的范围内即可。第2层中的化合物(A-2)及具有交联基团的化合物的交联体的合计含量例如以第2层的总量为基准计可以为1～100质量％，出于本实施方式的发光元件的外量子效率更优异的理由，优选为10～100质量％，更优选为30～100质量％，进一步优选为50～100质量％，特别优选为70～100质量％，尤其优选为90～100质量％。

第2层中，在将化合物(A-2)与具有交联基团的化合物的交联体的合计含量设为100质量份时，化合物(A-2)的含量通常为0.01～99质量份，优选为0.1～90质量份，更优选为0.5～70质量份，进一步优选为1～50质量份，特别优选为5～30质量份。

[具有交联基团的化合物的交联体]

具有交联基团的化合物的交联体可通过制成利用后述的方法及条件等使具有交联基团的化合物进行交联后的状态而得到。

具有交联基团的化合物可以为具有交联基团的低分子化合物，也可以为具有交联基团的高分子化合物，但优选为具有交联基团的高分子化合物。

具有交联基团的化合物中，作为交联基团，出于本实施方式的发光元件的外量子效率更优异的理由，优选为选自交联基团A组中的至少1种交联基团，更优选为式(XL-1)、式(XL-3)、式(XL-9)、式(XL-10)或式(XL-16)～式(XL-19)表示的交联基团，进一步优选为式(XL-1)或式(XL-16)～式(XL-19)表示的交联基团，特别优选为式(XL-1)或式(XL-17)表示的交联基团。

选自交联基团A组中的至少1种交联基团中，交联基团可具有的取代基的例子及优选范围与后述的Ar

具有交联基团的化合物可以仅包含1种交联基团，也可以包含2种以上交联基团。

(具有交联基团的高分子化合物)

出于具有交联基团的高分子化合物的交联性更优异、并且本实施方式的发光元件的外量子效率更优异的理由，具有交联基团的高分子化合物优选以具有交联基团的结构单元的形式包含交联基团。即，具有交联基团的高分子化合物优选为包含具有交联基团的结构单元的高分子化合物。

具有交联基团的高分子化合物及具有交联基团的结构单元中的交联基团的例子及优选范围与具有交联基团的化合物中的交联基团的例子及优选范围相同。

具有交联基团的高分子化合物包含具有交联基团的结构单元的情况下，相对于具有交联基团的高分子化合物中包含的结构单元的合计含量而言，具有交联基团的结构单元的含量通常为0.1～100摩尔％，出于具有交联基团的高分子化合物的稳定性及交联性优异的理由，优选为1～90摩尔％，更优选为2～70摩尔％，进一步优选为3～50摩尔％，特别优选为5～20摩尔％。

具有交联基团的结构单元在具有交联基团的高分子化合物中可以仅被包含1种，也可以被包含2种以上。

出于本实施方式的发光元件的外量子效率更优异的理由，具有交联基团的结构单元优选为式(Z)表示的结构单元或式(Z’)表示的结构单元。

·式(Z)表示的结构单元

n通常为1～10的整数，出于本实施方式的发光元件的外量子效率更优异的理由，优选为1～7的整数，更优选为1～4的整数，进一步优选为1或2，特别优选为2。

nA通常为0～10的整数，出于本实施方式的发光元件的外量子效率更优异的理由，优选为0～7的整数，更优选为0～4的整数，进一步优选为0～2的整数。

作为Ar

作为Ar

作为Ar

作为Ar

Ar

作为Ar

出于本实施方式的发光元件的外量子效率更优异的理由，Ar

作为L

L

出于具有交联基团的高分子化合物的合成变得容易的理由，L

R’优选为芳基或1价杂环基，更优选为芳基，这些基团可具有取代基。

R’中的芳基及1价杂环基的例子及优选范围分别与后述的Ar

Ar

X中的交联基团的例子及优选范围与具有交联基团的化合物中的交联基团的例子及优选范围相同。

·式(Z’)表示的结构单元

mA通常为0～10的整数，出于本实施方式的发光元件的外量子效率更优异的理由，优选为0～7的整数，更优选为0～4的整数，进一步优选为0～2的整数，特别优选为0或1，尤其优选为0。

m通常为0～10的整数，出于本实施方式的发光元件的外量子效率更优异的理由，优选为0～7的整数，更优选为0～4的整数，进一步优选为0～2的整数，特别优选为0。

c通常为0～10的整数，出于具有交联基团的高分子化合物的制造变得容易、并且本实施方式的发光元件的外量子效率更优异的理由，优选为0～5的整数，更优选为0～2的整数，进一步优选为0或1，特别优选为0。

Ar

Ar

出于本实施方式的发光元件的外量子效率更优异的理由，Ar

出于本实施方式的发光元件的外量子效率更优异的理由，Ar

Ar

Ar

Ar

K

R”的例子及优选范围与R’的例子及优选范围相同。

X’中的交联基团的例子及优选范围与X表示的交联基团的例子及优选范围相同。

X’中的芳基及1价杂环基的例子及优选范围分别与后述的R

X’优选为交联基团、烷基、环烷基、芳基或1价杂环基，更优选为交联基团、芳基或1价杂环基，进一步优选为交联基团或芳基，这些基团可具有取代基。

X’表示的基团可具有的取代基的例子及优选范围与后述的Ar

作为具有交联基团的结构单元，例如，可举出下述式表示的结构单元。需要说明的是，式中，Z

[化学式23]

[化学式24]

[化学式25]

[化学式26]

·其他结构单元

出于本实施方式的发光元件的外量子效率更优异的理由，具有交联基团的高分子化合物优选包含选自由式(X)表示的结构单元及式(Y)表示的结构单元组成的组中的至少1种结构单元，优选包含选自由式(X)表示的结构单元及式(Y)表示的结构单元组成的组中的至少1种结构单元、和具有交联基团的结构单元。

具有交联基团的高分子化合物包含选自由式(X)表示的结构单元及式(Y)表示的结构单元组成的组中的至少1种结构单元、和具有交联基团的结构单元的情况下，优选具有交联基团的结构单元、与式(X)表示的结构单元及式(Y)表示的结构单元不同。

出于本实施方式的发光元件的外量子效率更优异的理由，具有交联基团的高分子化合物优选包含式(Y)表示的结构单元，更优选包含式(Y)表示的结构单元和具有交联基团的结构单元。

出于空穴传输性优异的理由，具有交联基团的高分子化合物优选包含式(X)表示的结构单元，更优选包含式(X)表示的结构单元和具有交联基团的结构单元。

出于空穴传输性优异、并且本实施方式的发光元件的外量子效率更优异的理由，具有交联基团的高分子化合物优选包含式(X)表示的结构单元及式(Y)表示的结构单元，更优选包含式(X)表示的结构单元、式(Y)表示的结构单元及具有交联基团的结构单元。

具有交联基团的高分子化合物包含式(X)表示的结构单元的情况下，相对于具有交联基团的高分子化合物中包含的结构单元的合计含量而言，式(X)表示的结构单元的含量通常为0.1～99摩尔％，出于具有交联基团的高分子化合物的空穴传输性优异、并且本实施方式的发光元件的外量子效率更优异的理由，优选为1～90摩尔％，更优选为10～80摩尔％，进一步优选为20～70摩尔％，特别优选为30～50摩尔％。

式(X)表示的结构单元在具有交联基团的高分子化合物中可以仅被包含1种，也可以被包含2种以上。

具有交联基团的高分子化合物包含式(Y)表示的结构单元的情况下，相对于具有交联基团的高分子化合物中包含的结构单元的合计含量而言，式(Y)表示的结构单元的含量通常为0.1～99摩尔％，出于本实施方式的发光元件的外量子效率更优异的理由，优选为1～95摩尔％，更优选为10～90摩尔％，进一步优选为20～80摩尔％，特别优选为30～70摩尔％。

具有交联基团的高分子化合物包含式(Y)表示的结构单元并且Ar

式(Y)表示的结构单元在具有交联基团的高分子化合物中可以仅被包含1种，也可以被包含2种以上。

具有交联基团的高分子化合物包含式(X)表示的结构单元、式(Y)表示的结构单元及具有交联基团的结构单元的情况下，相对于具有交联基团的高分子化合物中包含的结构单元的合计含量而言，式(X)表示的结构单元、式(Y)表示的结构单元及具有交联基团的结构单元的合计含量通常为1～100摩尔％，出于本实施方式的发光元件的外量子效率更优异的理由，优选为10～100摩尔％，更优选为30～100摩尔％，进一步优选为50～100摩尔％，特别优选为70～100摩尔％，尤其优选为90～100摩尔％。

·式(Y)表示的结构单元

出于本实施方式的发光元件的外量子效率更优异的理由，Ar

出于本实施方式的发光元件的外量子效率更优异的理由，Ar

Ar

Ar

[化学式27]

出于本实施方式的发光元件的外量子效率更优异的理由，Ar

Ar

出于本实施方式的发光元件的外量子效率更优异的理由，Ar

出于本实施方式的发光元件的外量子效率更优异的理由，Ar

Ar

作为Ar

Ar

出于本实施方式的发光元件的外量子效率更优异的理由，式(Y)表示的结构单元优选为式(Y-1)或式(Y-2)表示的结构单元。

[化学式28]

[式中，

R

X

2

R

式(Y-1)中，出于本实施方式的发光元件的外量子效率更优异的理由，R

出于本实施方式的发光元件的外量子效率更优异的理由，R

R

R

出于本实施方式的发光元件的外量子效率更优异的理由，X

作为式(Y)表示的结构单元，例如，可举出下述式表示的结构单元。需要说明的是，式中，Z

[化学式29]

[化学式30]

[化学式31]

·式(X)表示的结构单元

a

R

R

Ar

Ar

作为Ar

Ar

Ar

作为式(X)表示的结构单元，可举出下述式表示的结构单元。需要说明的是，式中，Z

[化学式32]

[化学式33]

[化学式34]

作为具有交联基团的高分子化合物，例如，可举出表1所示的高分子化合物P-1～P-10。此处，所谓“其他”，是指除了式(Z)表示的结构单元、式(Z’)表示的结构单元、式(X)表示的结构单元及式(Y)表示的结构单元以外的结构单元。

[表1]

表1中，p’、q’、r’、s’及t’表示各结构单元的摩尔比率(摩尔％)。p’+q’+r’+s’+t’＝100，并且，70≤p’+q’+r’+s’≤100。

具有交联基团的高分子化合物可以为嵌段共聚物、无规共聚物、交替共聚物、接枝共聚物中的任意方式，也可以为其他方式，但优选为将多种原料单体共聚而得到的共聚物。

具有交联基团的高分子化合物的按聚苯乙烯换算的数均分子量优选为5×10

·具有交联基团的高分子化合物的制造方法

具有交联基团的高分子化合物可以利用化学综述(Chem.Rev.),第109卷,897-1091页(2009年)等中记载的已知的聚合方法来制造，可例示通过Suzuki反应、Yamamoto反应、Buchwald反应、Stille反应、Negishi反应及Kumada反应等使用过渡金属催化剂的偶联反应来进行聚合的方法。

上述聚合方法中，作为投入单体的方法，可举出：将单体的全部量一次性地投入至反应体系的方法；将单体的一部分投入并进行反应后，将剩余的单体一次性地、连续地或分批地投入的方法；将单体连续地或分批地投入的方法；等等。

作为过渡金属催化剂，可举出钯催化剂、镍催化剂等。

聚合反应的后处理是单独或组合地实施已知的方法、例如通过分液将水溶性杂质除去的方法、向甲醇等低级醇中加入聚合反应后的反应液并对所析出的沉淀进行过滤之后使其干燥的方法等。具有交联基团的高分子化合物的纯度低的情况下，可以利用例如重结晶、再沉淀、基于索氏萃取器的连续萃取、柱色谱法等通常的方法进行纯化。

·具有交联基团的低分子化合物

出于本实施方式的发光元件的外量子效率更优异的理由，具有交联基团的低分子化合物优选为式(Z”)表示的低分子化合物。

m

m

m

Ar

L

R”’的例子及优选范围与R”的例子及优选范围相同。

X”的例子及优选范围与X’的例子及优选范围相同。

作为具有交联基团的低分子化合物，例如，可举出以下所示的化合物。

[化学式35]

/>

[化学式36]

[化学式37]

[化学式38]

[第2组合物]

第2层也可以为含有包含选自式(T-1)表示的化合物中的至少1种化合物(A-2)、具有交联基团的化合物的交联体、和选自由空穴传输材料、空穴注入材料、电子传输材料、电子注入材料、发光材料及抗氧化剂组成的组中的至少1种材料的组合物(以下，也称为“第2组合物”。)的层。第2层中，空穴传输材料、空穴注入材料、电子传输材料、电子注入材料及发光材料与化合物(A-2)及具有交联基团的化合物的交联体不同。

在第2组合物中，化合物(A-2)、具有交联基团的化合物的交联体、空穴传输材料、空穴注入材料、电子传输材料、电子注入材料、发光材料及抗氧化剂各自可以单独含有1种，也可以含有2种以上。

第2组合物中含有的空穴传输材料、空穴注入材料、电子传输材料、电子注入材料及抗氧化剂的例子及优选范围与第1组合物中含有的空穴传输材料、空穴注入材料、电子传输材料、电子注入材料及抗氧化剂的例子及优选范围相同。作为第2组合物中含有的发光材料，可举出第1组合物中含有的发光材料及磷光发光性化合物，它们的例子及优选范围分别与第1组合物中含有的发光材料及磷光发光性化合物的例子及优选范围相同。

第2组合物中，化合物(A-2)、具有交联基团的化合物的交联体、空穴传输材料、空穴注入材料、电子传输材料、电子注入材料、发光材料及抗氧化剂的合计含量只要在可发挥作为第2组合物的功能的范围内即可。第2组合物中，化合物(A-2)、具有交联基团的化合物的交联体、空穴传输材料、空穴注入材料、电子传输材料、电子注入材料、发光材料及抗氧化剂的合计含量例如以第2组合物的总量为基准计可以为1～100质量％，也可以为10～100质量％，也可以为30～100质量％，进一步优选可以为50～100质量％，也可以为70～100质量％，也可以为90～100质量％。

第2组合物中，在将化合物(A-2)与具有交联基团的化合物的交联体的合计含量设为100质量份时，空穴传输材料、空穴注入材料、电子传输材料、电子注入材料及发光材料的含量各自通常为1～1000质量份。

第2组合物中含有的抗氧化剂的例子及优选范围与第1组合物中含有的抗氧化剂的例子及优选范围相同。第2组合物中，在将化合物(A-2)与具有交联基团的化合物的交联体的合计含量设为100质量份时，抗氧化剂的含量通常为0.001～10质量份。

·第2油墨

第2层例如可以使用含有化合物(A-2)、具有交联基团的化合物、和溶剂的组合物(以下，也称为“第2油墨”。)来形成。第2油墨可以合适地用于在第1油墨的项中说明过的湿式法。第2油墨的粘度的优选范围与第1油墨的粘度的优选范围相同。第2油墨中含有的溶剂的例子及优选范围与第1油墨中含有的溶剂的例子及优选范围相同。

第2油墨中，在将化合物(A-2)与具有交联基团的化合物的合计含量设为100质量份时，溶剂的含量通常为1000～100000质量份。

第2油墨可以进一步包含选自由空穴传输材料、空穴注入材料、电子传输材料、电子注入材料、发光材料及抗氧化剂组成的组中的至少1种。

第2油墨可进一步包含的空穴传输材料、电子传输材料、空穴注入材料、电子注入材料、发光材料及抗氧化剂的例子及优选范围与第2组合物中含有的空穴传输材料、电子传输材料、空穴注入材料、电子注入材料、发光材料及抗氧化剂的例子及优选范围相同。

在将化合物(A-2)与具有交联基团的化合物的合计含量设为100质量份时，第2油墨可进一步包含的空穴传输材料、电子传输材料、空穴注入材料、电子注入材料及发光材料的含量各自通常为1～1000质量份。在将化合物(A-2)与具有交联基团的化合物的合计含量设为100质量份时，第2油墨可进一步包含的抗氧化剂的含量通常为0.001～10质量份。

<发光元件>

本实施方式的发光元件为具有阳极、阴极、和设置于阳极与阴极之间的第1层及第2层的发光元件。

本实施方式的发光元件可以还具有除阳极、阴极、第1层及第2层以外的层。

本实施方式的发光元件的外量子效率优异。发挥这样的效果的理由虽然未必明确，但认为如下：通过使设置于阳极与阴极之间的2个层(第1层及第2层)中含有式(T-1)表示的化合物(化合物(A-1)及化合物(A-2))，从而带来例如层界面处的电荷注入障碍的减少、层间的电荷注入性的改善等，本实施方式的发光元件的外量子效率提高。

从上述的观点考虑，本实施方式的发光元件中，化合物(A-1)中的至少1种与化合物(A-2)中的至少1种可以相同也可以不同，但优选相同。

从上述的观点考虑，出于本实施方式的发光元件的外量子效率更优异的理由，优选第1层与第2层邻接。

第1层通常为发光层(以下称为“第1发光层”。)。

第2层通常为空穴注入层、空穴传输层、发光层(即，与第1发光层不同的发光层，以下称为“第2发光层”。)或电子传输层，优选为空穴注入层、空穴传输层或第2发光层，进一步优选为空穴注入层或空穴传输层，特别优选为空穴传输层。

出于本实施方式的发光元件的外量子效率更优异的理由，第2层优选为设置于阳极与第1层之间的层，更优选为设置于阳极与第1层之间的空穴注入层、空穴传输层或第2发光层，进一步优选为设置于阳极与第1层之间的空穴注入层或空穴传输层，特别优选为设置于阳极与第1层之间的空穴传输层。

第2层为设置于阳极与第1层之间的第2发光层的情况下，出于本实施方式的发光元件的外量子效率更优异的理由，优选在阳极与第2层之间还具有空穴注入层及空穴传输层中的至少1个层。另外，第2层为设置于阳极与第1层之间的第2发光层的情况下，出于本实施方式的发光元件的外量子效率更优异的理由，优选在阴极与第1层之间还具有电子注入层及电子传输层中的至少1个层。

第2层为设置于阴极与第1层之间的第2发光层的情况下，出于本实施方式的发光元件的外量子效率更优异的理由，优选在阳极与第1层之间还具有空穴注入层及空穴传输层中的至少1个层。另外，第2层为设置于阴极与第1层之间的第2发光层的情况下，出于本实施方式的发光元件的外量子效率更优异的理由，优选在阴极与第2层之间还具有电子注入层及电子传输层中的至少1个层。

第2层为设置于阳极与第1层之间的空穴传输层的情况下，出于本实施方式的发光元件的外量子效率更优异的理由，优选在阳极与第2层之间还具有空穴注入层。另外，第2层为设置于阳极与第1层之间的空穴传输层的情况下，出于本实施方式的发光元件的外量子效率更优异的理由，优选在阴极与第1层之间还具有电子注入层及电子传输层中的至少1个层。

第2层为设置于阳极与第1层之间的空穴注入层的情况下，出于本实施方式的发光元件的外量子效率更优异的理由，优选在第1层与第2层之间还具有空穴传输层。另外，第2层为设置于阳极与第1层之间的空穴注入层的情况下，出于本实施方式的发光元件的外量子效率更优异的理由，优选在阴极与第1层之间还具有电子注入层及电子传输层中的至少1个层。

第2层为设置于阴极与第1层之间的电子传输层的情况下，出于本实施方式的发光元件的外量子效率更优异的理由，优选在阳极与第1层之间还具有空穴注入层及空穴传输层中的至少1个层。另外，第2层为设置于阴极与第1层之间的电子传输层的情况下，出于本实施方式的发光元件的外量子效率更优异的理由，优选在阴极与第2层之间还具有电子注入层。

作为本实施方式的发光元件的具体的层构成，例如，可举出下述的(D1)～(D17)表示的层构成。本实施方式的发光元件通常具有基板，可以在基板上从阳极开始层叠，也可以在基板上从阴极开始层叠。

(D1)阳极/空穴传输层(第2层)/第1发光层(第1层)/阴极

(D2)阳极/空穴注入层/空穴传输层(第2层)/第1发光层(第1层)/阴极

(D3)阳极/空穴注入层/空穴传输层(第2层)/第1发光层(第1层)/电子传输层/阴极

(D4)阳极/空穴注入层/空穴传输层(第2层)/第1发光层(第1层)/电子注入层/阴极

(D5)阳极/空穴注入层/空穴传输层(第2层)/第1发光层(第1层)/电子传输层/电子注入层/阴极

(D6)阳极/空穴注入层/空穴传输层(第2层)/第1发光层(第1层)/第2发光层/电子传输层/电子注入层/阴极

(D7)阳极/空穴注入层/空穴传输层(第2层)/第2发光层/第1发光层(第1层)/电子传输层/电子注入层/阴极

(D8)阳极/第2发光层(第2层)/第1发光层(第1层)/阴极

(D9)阳极/空穴注入层/第2发光层(第2层)/第1发光层(第1层)/电子传输层/阴极

(D10)阳极/空穴注入层/第2发光层(第2层)/第1发光层(第1层)/电子注入层/阴极

(D11)阳极/空穴注入层/第2发光层(第2层)/第1发光层(第1层)/电子传输层/电子注入层/阴极

(D12)阳极/空穴注入层/空穴传输层/第2发光层(第2层)/第1发光层(第1层)/电子传输层/电子注入层/阴极

(D13)阳极/空穴注入层/空穴传输层/第1发光层(第1层)/第2发光层(第2层)/电子传输层/电子注入层/阴极

(D14)阳极/空穴注入层/空穴传输层/第1发光层(第1层)/电子传输层(第2层)/电子注入层/阴极

(D15)阳极/空穴注入层(第2层)/第1发光层(第1层)/阴极

(D16)阳极/空穴注入层(第2层)/第1发光层(第1层)/电子传输层/电子注入层/阴极

(D17)阳极/空穴注入层(第2层)/空穴传输层/第1发光层(第1层)/电子传输层/电子注入层/阴极

上述的(D1)～(D17)中，“/”是指其前后的层邻接地层叠。例如，所谓“空穴传输层(第2层)/第1发光层(第1层)”，是指空穴传输层(第2层)与第1发光层(第1层)邻接地层叠。

本实施方式的发光元件中，阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极各自可以根据需要而设置2层以上。阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极存在有多个的情况下，构成它们的材料可以各自相同也可以不同。

阳极、空穴注入层、空穴传输层、第1层、第2层、发光层、电子传输层、电子注入层及阴极的厚度通常为1nm～1μm，优选为2nm～500nm，进一步优选为5nm～150nm。

本实施方式的发光元件中，层叠的层的顺序、数量、及厚度可以斟酌发光元件的外量子效率及亮度寿命等而进行调整。

[第1发光层]

第1发光层通常为第1层。

[第2发光层]

第2发光层通常为第2层或含有发光材料的层，优选为含有发光材料的层。第2发光层为含有发光材料的层的情况下，作为第2发光层中含有的发光材料，例如，可举出前述的第2组合物可含有的发光材料。第2发光层中含有的发光材料可以单独含有1种，也可以含有2种以上。

在本实施方式的发光元件具有第2发光层、并且后述的空穴注入层、后述的空穴传输层及后述的电子传输层并非第2层的情况下，第2发光层优选为第2层。

[空穴传输层]

空穴传输层为第2层或含有空穴传输材料的层，优选为第2层。空穴传输层为含有空穴传输材料的层的情况下，作为空穴传输材料，例如，可举出前述的第2组合物可含有的空穴传输材料。空穴传输层中含有的空穴传输材料可以单独含有1种，也可以含有2种以上。

在本实施方式的发光元件具有空穴传输层、并且后述的空穴注入层、前述的第2发光层及后述的电子传输层并非第2层的情况下，空穴传输层优选为第2层。

[电子传输层]

电子传输层为第2层或含有电子传输材料的层，优选为含有电子传输材料的层。电子传输层为含有电子传输材料的层的情况下，作为电子传输层中含有的电子传输材料，例如，可举出前述的第2组合物可含有的电子传输材料。电子传输层中含有的电子传输材料可以单独含有1种，也可以含有2种以上。

在本实施方式的发光元件具有电子传输层、并且后述的空穴注入层、前述的第2发光层及前述的空穴传输层并非第2层的情况下，电子传输层优选为第2层。

[空穴注入层]

空穴注入层为第2层或含有空穴注入材料的层，优选为含有空穴注入材料的层。空穴注入层为含有空穴注入材料的层的情况下，作为空穴注入层中含有的空穴注入材料，例如，可举出前述的第2组合物可含有的空穴注入材料。空穴注入层中含有的空穴注入材料可以单独含有1种，也可以含有2种以上。

在本实施方式的发光元件具有空穴注入层、并且前述的第2发光层、前述的空穴传输层及前述的电子传输层并非第2层的情况下，空穴注入层优选为第2层。

[电子注入层]

电子注入层为含有电子注入材料的层。作为电子注入层中含有的电子注入材料，例如，可举出前述的第2组合物可含有的电子注入材料。电子注入层中含有的电子注入材料可以单独含有1种，也可以含有2种以上。

[基板/电极]

发光元件中的基板优选为在电极的形成及有机层的形成之时不发生化学变化的基板。基板可以为例如由玻璃、塑料、硅等材料形成的基板。使用不透明的基板的情况下，位于距基板最远处的电极优选为透明或半透明。

作为阳极的材料，例如，可举出导电性的金属氧化物、半透明的金属，优选为氧化铟、氧化锌、氧化锡；氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌等导电性化合物；银与钯与铜的复合体(APC)；NESA、金、铂、银、铜。

作为阴极的材料，例如，可举出锂、钠、钾、铷、铯、铍、镁、钙、锶、钡、铝、锌、铟等金属；它们中的2种以上的合金；它们中的1种以上与银、铜、锰、钛、钴、镍、钨、锡中的1种以上的合金；以及石墨及石墨层间化合物。作为合金，例如，可举出镁-银合金、镁-铟合金、镁-铝合金、铟-银合金、锂-铝合金、锂-镁合金、锂-铟合金、钙-铝合金。

本实施方式的发光元件中，阳极及阴极中的至少一者通常为透明或半透明，优选阳极为透明或半透明。

作为阳极及阴极的形成方法，例如，可举出真空蒸镀法、溅射法、离子电镀法、镀覆法及层压法。

[发光元件的制造方法]

本实施方式的发光元件的制造方法中，作为第1层、第2层、以及除第1层及第2层以外的层的形成方法，在使用低分子化合物的情况下，例如可举出真空蒸镀法等干式法及在第1油墨的项中说明过的湿式法，另外，在使用高分子化合物的情况下，例如可举出在第1油墨的项中说明过的湿式法。本实施方式的发光元件的制造方法中，第1层、第2层、以及除第1层及第2层以外的层可以使用上述的各种油墨、包含各种材料的油墨而通过在第1油墨的项中说明过的湿式法形成，也可以通过真空蒸镀法等干式法形成。

作为第1层及第2层的形成方法，例如，可举出干式法及湿式法，出于本实施方式的发光元件的制造变得容易的理由，优选为湿式法。第1层及第2层的形成方法中，作为干式法，例如，可举出真空蒸镀法。第1层及第2层的形成方法中，作为湿式法，例如，可举出在第1油墨的项中说明过的湿式法。

通过湿式法形成第1层的情况下，出于本实施方式的发光元件的制造变得容易的理由，优选使用第1油墨。即，第1层优选通过使用了第1油墨的湿式法形成。

通过湿式法形成第2层的情况下，出于本实施方式的发光元件的制造变得容易的理由，优选使用第2油墨。即，第2层优选通过使用了第2油墨的湿式法形成。

本实施方式的发光元件的制造方法中，含有具有交联基团的化合物的交联体的层(例如，第2层)例如可以通过下述方式形成：形成含有具有交联基团的化合物的层之后，进行加热或光照射(优选为加热)，由此使该层中含有的具有交联基团的化合物进行交联。具有交联基团的化合物以进行了交联的状态(具有交联基团的化合物的交联体)包含于层中的情况下，该层变得在溶剂中实质上不溶。因此，含有具有交联基团的化合物的交联体的层可以在本实施方式的发光元件的制造中合适地用于层的层叠化。

从上述观点考虑，本实施方式的发光元件的制造方法中，形成第2层的工序优选包括下述工序：形成含有具有交联基团的化合物的层之后，使该层中包含的具有交联基团的化合物进行交联，从而形成含有具有交联基团的化合物的交联体的第2层。在形成第2层的工序中，作为使具有交联基团的化合物进行交联的方法，出于本实施方式的发光元件的制造变得容易的理由，优选为通过加热或光照射来进行交联的方法，更优选为通过加热来进行交联的方法。

用于进行交联的加热的温度通常为25℃～300℃，优选为50℃～260℃，更优选为130℃～230℃，进一步优选为180℃～210℃。

加热的时间通常为0.1分钟～1000分钟，优选为0.5分钟～500分钟，更优选为1分钟～120分钟，进一步优选为10分钟～60分钟。

用于光照射的光的种类例如为紫外光、近紫外光、可见光。

作为形成第2层的工序，例如可举出：通过使用了第2油墨的湿式法形成层之后，使该层中含有的具有交联基团的化合物进行交联从而形成第2层的方法；使用具有交联基团的化合物及化合物(A-2)，通过干式法或湿式法形成层之后，使该层中含有的具有交联基团的化合物进行交联从而形成第2层的方法；以及，使用具有交联基团的化合物，通过干式法或湿式法(优选为湿式法)形成含有具有交联基团的化合物的层，使该层中含有的具有交联基团的化合物进行交联，形成含有具有交联基团的化合物的交联体的层之后，使该含有交联体的层中含有化合物(A-2)，从而形成第2层的方法。

作为第1层、第2层、或除第1层及第2层以外的层中含有的成分的分析方法，例如，可举出萃取等化学分离分析法、红外光谱法(IR)、核磁共振波谱法(NMR)、质谱法(MS)等仪器分析法、以及组合了化学分离分析法及仪器分析法的分析法。

对于第1层、第2层、或除第1层及第2层以外的层，通过实施使用了甲苯、二甲苯、氯仿、四氢呋喃等有机溶剂的固液萃取，从而能够分离成实质上不溶于有机溶剂的成分(不溶成分)、和在有机溶剂中溶解的成分(溶解成分)。不溶成分可通过红外光谱法或核磁共振波谱法进行分析，溶解成分可通过核磁共振波谱法或质谱法进行分析。

本实施方式的发光元件例如可以通过在基板上依次层叠各层来制造。具体而言，可以在基板上设置阳极，在其上设置空穴注入层、空穴传输层等层，在其上设置发光层，在其上设置电子传输层、电子注入层等层，进一步在其上层叠阴极，由此制造发光元件。作为其他制造方法，可以在基板上设置阴极，在其上设置电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、空穴注入层等层，进一步在其上层叠阳极，由此制造发光元件。此外，作为其他制造方法，可以通过使阳极或在阳极上层叠各层而得到的阳极侧基材、与阴极或在阴极上层叠各层而得到的阴极侧基材对置并接合来制造。

在本实施方式的发光元件的制造中，用于形成空穴注入层的材料、用于形成发光层的材料、用于形成空穴传输层的材料、用于形成电子传输层的材料、及用于形成电子注入层的材料各自能溶解于在形成与空穴注入层、发光层、空穴传输层、电子传输层及电子注入层邻接的层时使用的溶剂的情况下，优选避免该材料溶解于该溶剂。作为避免材料的溶解的方法，优选为i)使用具有交联基团的材料的方法、或ii)在向邻接的层的溶剂中的溶解性方面设置差异的方法。上述i)的方法中，可以在使用具有交联基团的材料形成层之后，使该交联基团进行交联，由此使该层不溶化。另外，作为上述ii)的方法，例如在发光层上利用溶解性之差层叠电子传输层的情况下，可以通过使用在发光层中溶解性低的油墨而将电子传输层层叠于发光层上。

[用途]

本实施方式的发光元件可以合适地用作液晶显示装置的背光灯用的光源、照明用的光源、有机EL照明、计算机、电视机及移动终端等显示装置(例如，有机EL显示器及有机EL电视机)。

实施例

以下，利用实施例来更详细地说明本发明，但本发明并不限定于这些实施例。

实施例中，高分子化合物的按聚苯乙烯换算的数均分子量(Mn)及按聚苯乙烯换算的重均分子量(Mw)是使用四氢呋喃作为流动相、通过尺寸排阻色谱法(SEC)求出的。需要说明的是，SEC的各测定条件如下所述。

使待测定的高分子化合物以约0.05质量％的浓度溶解于四氢呋喃中，向SEC中注入10μL。流动相以2.0mL/分钟的流量流动。作为柱，使用PLgel MIXED-B(PolymerLaboratories制)。作为检测器，使用UV-VIS检测器(岛津制作所制，商品名：SPD-10Avp)。

<化合物M1～M15的合成>

化合物M1按照日本特开2010-189630号公报中记载的方法来合成。

化合物M2按照日本特开2008-106241号公报中记载的方法来合成。

化合物M3按照日本特开2010-215886号公报中记载的方法来合成。

化合物M4、化合物M9及化合物M15以国际公开第2002/045184号中记载的方法为基准而合成。

化合物M5按照国际公开第2005/049546号中记载的方法来合成。

化合物M6按照国际公开第2011/049241号中记载的方法来合成。

化合物M7按照国际公开第2015/145871号中记载的方法来合成。

化合物M8按照国际公开第2013/146806号中记载的方法来合成。

化合物M10以日本特开2014-001328号公报中记载的方法为基准而合成。

化合物M11按照国际公开第2016/031639号中记载的方法来合成。

化合物M12及化合物M14按照日本特开2011-174062号公报中记载的方法来合成。

化合物M13以日本特开2010-215886号公报中记载的方法为基准而合成。

[化学式39]

[化学式40]

[化学式41]

<高分子化合物HTL-1～HTL-8的合成>

高分子化合物HTL-1～HTL-8是使用表2中记载的种类及摩尔比的化合物、通过该表中记载的合成方法而合成的。所得到的高分子化合物的Mn及Mw如表2中记载的那样。

需要说明的是，以高分子化合物HTL-1的合成为一例进行说明时，如下所述。

高分子化合物HTL-1是使用化合物M1、化合物M2、化合物M3及化合物M4、按照日本特开2015-110751号公报中记载的方法合成的。高分子化合物HTL-1的Mn为5.9×10

高分子化合物HTL-1是就由投入原料的量求出的理论值而言以50：5：5：40的摩尔比具有由化合物M1衍生的结构单元、由化合物M2衍生的结构单元、由化合物M3衍生的结构单元、和由化合物M4衍生的结构单元的共聚物。

[表2]

<化合物HTM-1的获得>

化合物HTM-1从Luminescence Technology公司购入。

[化学式42]

<化合物T1～T4及化合物CT1～CT3的合成及获得>

化合物T1以国际公开第2010/136109号中记载的方法为基准而合成。

化合物T2以国际公开第2008/056746号中记载的方法为基准而合成。

化合物T3、化合物T4、化合物CT1及化合物CT2从Luminescence Technology公司购入。

化合物CT3以国际公开第2010/015306号中记载的方法为基准而合成。

[化学式43]

<金属络合物G1、G2及R1的合成>

金属络合物G1按照国际公开第2009/131255号中记载的方法来合成。

金属络合物G2以国际公开第2011/032626号中记载的方法为基准而合成。

金属络合物R1以日本特开2006-188673号公报中记载的方法为基准而合成。

[化学式44]

<实施例D1>发光元件D1的制作和评价

(阳极及空穴注入层的形成)

通过溅射法在玻璃基板上以45nm的厚度赋予ITO膜，由此形成阳极。在该阳极上，通过旋涂法将作为聚噻吩·磺酸系的空穴注入剂的AQ-1200(Plextronics公司制)以35nm的厚度成膜，在大气气氛下，在加热板上，于170℃进行15分钟加热，由此形成空穴注入层。

(第2层的形成)

使高分子化合物HTL-1及化合物T1(高分子化合物HTL-1/化合物T1＝90质量％/10质量％)以0.5质量％的浓度溶解于氯苯中。使用所得到的氯苯溶液，通过旋涂法在空穴注入层上以20nm的厚度成膜，在氮气气氛下，在加热板上，于180℃进行60分钟加热，由此形成第2层(空穴传输层)。通过该加热，高分子化合物HTL-1成为进行了交联的状态(交联体)。

(第1层的形成)

使化合物T1及金属络合物G1(化合物T1/金属络合物G1＝70质量％/30质量％)以3质量％的浓度溶解于氯苯中。使用所得到的氯苯溶液，通过旋涂法在第2层上以80nm的厚度成膜，在氮气气氛下，于130℃进行10分钟加热，由此形成第1层(发光层)。

(阴极的形成)

针对形成有第1层的基板，在蒸镀机内减压至1.0×10

(发光元件的评价)

对发光元件D1施加电压，由此观测到EL发光。测定了发光元件D1的电流密度为0.02mA/cm

<比较例CD1>发光元件CD1的制作和评价

代替实施例D1的(第2层的形成)中的“高分子化合物HTL-1及化合物T1(高分子化合物HTL-1/化合物T1＝90质量％/10质量％)”，而使用“高分子化合物HTL-1”，除此以外，与实施例D1同样地操作，制作了发光元件CD1。

对发光元件CD1施加电压，由此观测到EL发光。测定了发光元件CD1的电流密度为0.02mA/cm

将实施例D1及比较例CD1的结果示于表3。示出将发光元件CD1的外量子效率设为1.00时的发光元件D1及D2的外量子效率的相对值。

[表3]

<实施例D2>发光元件D2的制作和评价

代替实施例D1的(第2层的形成)中的“使高分子化合物HTL-1及化合物T1(高分子化合物HTL-1/化合物T1＝90质量％/10质量％)以0.5质量％的浓度溶解于氯苯中。”，而设定为“使高分子化合物HTL-1及化合物T1(高分子化合物HTL-1/化合物T1＝90质量％/10质量％)以0.7质量％的浓度溶解于二甲苯中。”，进一步，代替实施例D1的(第1层的形成)中的“使化合物T1及金属络合物G1(化合物T1/金属络合物G1＝70质量％/30质量％)以3质量％的浓度溶解于氯苯中。”，而设定为“使化合物T1及金属络合物G2(化合物T1/金属络合物G2＝70质量％/30质量％)以2质量％的浓度溶解于氯苯中。”，除此以外，与实施例D1同样地操作，制作了发光元件D2。

对发光元件D2施加电压，由此观测到EL发光。测定了发光元件D2的电流密度为0.03mA/cm

<比较例CD2>发光元件CD2的制作和评价

代替实施例D2的(第2层的形成)中的“高分子化合物HTL-1及化合物T1(高分子化合物HTL-1/化合物T1＝90质量％/10质量％)”，而使用“高分子化合物HTL-1”，除此以外，与实施例D2同样地操作，制作了发光元件CD2。

对发光元件CD2施加电压，由此观测到EL发光。测定了发光元件CD2的电流密度为0.03mA/cm

将实施例D2及比较例CD2的结果示于表4。示出将发光元件CD2的外量子效率设为1.00时的发光元件D2的外量子效率的相对值。

[表4]

<实施例D3及比较例CD3>发光元件D3及CD3的制作和评价

代替实施例D1的(第2层的形成)中的“高分子化合物HTL-1及化合物T1(高分子化合物HTL-1/化合物T1＝90质量％/10质量％)”，而采用表5中记载的材料及组成比(质量％)，除此以外，与实施例D1同样地操作，制作了发光元件D3及CD3。

对发光元件D3及CD3施加电压，由此观测到EL发光。测定了发光元件D3及CD3的电流密度为1.5mA/cm

将实施例D3及比较例CD3的结果示于表5。示出将发光元件CD3的外量子效率设为1.00时的发光元件D3的外量子效率的相对值。

[表5]

<实施例D4及比较例CD4>发光元件D4及CD4的制作和评价

代替实施例D1的(第2层的形成)中的“高分子化合物HTL-1及化合物T1(高分子化合物HTL-1/化合物T1＝90质量％/10质量％)”，而采用表6中记载的材料及组成比(质量％)，除此以外，与实施例D1同样地操作，制作了发光元件D4及CD4。

对发光元件D4及CD4施加电压，由此观测到EL发光。测定了发光元件D4及CD4的电流密度为1mA/cm

将实施例D4及比较例CD4的结果示于表6。示出将发光元件CD4的外量子效率设为1.00时的发光元件D4的外量子效率的相对值。

[表6]

<实施例D5及比较例CD5>发光元件D5及CD5的制作和评价

代替实施例D1的(第2层的形成)中的“高分子化合物HTL-1及化合物T1(高分子化合物HTL-1/化合物T1＝90质量％/10质量％)”，而采用表7中记载的材料及组成比(质量％)，除此以外，与实施例D1同样地操作，制作了发光元件D5及CD5。

对发光元件D5及CD5施加电压，由此观测到EL发光。测定了发光元件D5及CD5的电流密度为1.5mA/cm

将实施例D5及比较例CD5的结果示于表7。示出将发光元件CD5的外量子效率设为1.00时的发光元件D5的外量子效率的相对值。

[表7]

<实施例D6～D7及比较例CD6>发光元件D6～D7及CD6的制作和评价

代替实施例D1的(第2层的形成)中的“高分子化合物HTL-1及化合物T1(高分子化合物HTL-1/化合物T1＝90质量％/10质量％)”，而采用表8中记载的材料及组成比(质量％)，除此以外，与实施例D1同样地操作，制作了发光元件D6～D7及CD6。

对发光元件D6～D7及CD6施加电压，由此观测到EL发光。测定了发光元件D6～D7及CD6的电流密度为0.075mA/cm

将实施例D6～D7及比较例CD6的结果示于表8。示出将发光元件CD6的外量子效率设为1.00时的发光元件D6及D7的外量子效率的相对值。

[表8]

<实施例D8及比较例CD7>发光元件D8及CD7的制作和评价

代替实施例D1的(第2层的形成)中的“高分子化合物HTL-1及化合物T1(高分子化合物HTL-1/化合物T1＝90质量％/10质量％)”，而采用表9中记载的材料及组成比(质量％)，除此以外，与实施例D1同样地操作，制作了发光元件D8及CD7。

对发光元件D8及CD7施加电压，由此观测到EL发光。测定了发光元件D8及CD7的电流密度为0.075mA/cm

将实施例D8及比较例CD7的结果示于表9。示出将发光元件CD7的外量子效率设为1.00时的发光元件D8的外量子效率的相对值。

[表9]

<实施例D9及比较例CD8>发光元件D9及CD8的制作和评价

代替实施例D1的(第2层的形成)中的“高分子化合物HTL-1及化合物T1(高分子化合物HTL-1/化合物T1＝90质量％/10质量％)”，而采用表10中记载的材料及组成比(质量％)，除此以外，与实施例D1同样地操作，制作了发光元件D9及CD8。

对发光元件D9及CD8施加电压，由此观测到EL发光。测定了发光元件D9及CD8的电流密度为1mA/cm

将实施例D9及比较例CD8的结果示于表10。示出将发光元件CD8的外量子效率设为1.00时的发光元件D9的外量子效率的相对值。

[表10]

<实施例D10及比较例CD9>发光元件D10及CD9的制作和评价

代替实施例D1的(第2层的形成)中的“高分子化合物HTL-1及化合物T1(高分子化合物HTL-1/化合物T1＝90质量％/10质量％)”，而采用表11中记载的材料及组成比(质量％)，除此以外，与实施例D1同样地操作，制作了发光元件D10及CD9。

对发光元件D10及CD9施加电压，由此观测到EL发光。测定了发光元件D10及CD9的电流密度为0.05mA/cm

将实施例D10及比较例CD9的结果示于表11。示出将发光元件CD9的外量子效率设为1.00时的发光元件D10的外量子效率的相对值。

[表11]

<实施例D11～D12及比较例CD10～CD12>发光元件D11～D12及CD10～CD12的制作和评价

代替实施例D1的(第2层的形成)中的“高分子化合物HTL-1及化合物T1(高分子化合物HTL-1/化合物T1＝90质量％/10质量％)”，而采用表12中记载的材料及组成比(质量％)，进一步，代替实施例D1的(第1层的形成)中的“化合物T1及金属络合物G1(化合物T1/金属络合物G1＝70质量％/30质量％)”，而采用表12中记载的材料及组成比(质量％)，除此以外，与实施例D1同样地操作，制作了发光元件D11～D12及CD10～CD12。

对发光元件D11～D12及CD10～CD12施加电压，由此观测到EL发光。测定了发光元件D11～D12及CD10～CD12的电流密度为0.3mA/cm

将实施例D11～D12及比较例CD10～CD12的结果示于表12。示出将发光元件CD12的外量子效率设为1.00时的发光元件D11、D12、CD10及CD11的外量子效率的相对值。

[表12]

<实施例D13及比较例CD13>发光元件D13及CD13的制作和评价

代替实施例D1的(第2层的形成)中的“高分子化合物HTL-1及化合物T1(高分子化合物HTL-1/化合物T1＝90质量％/10质量％)”，而采用表13中记载的材料及组成比(质量％)，进一步，代替实施例D1的(第1层的形成)中的“化合物T1及金属络合物G1(化合物T1/金属络合物G1＝70质量％/30质量％)”，而采用表13中记载的材料及组成比(质量％)，除此以外，与实施例D1同样地操作，制作了发光元件D13及CD13。

对发光元件D13及CD13施加电压，由此观测到EL发光。测定了发光元件D13及CD13的电流密度为0.05mA/cm

将实施例D13及比较例CD13的结果示于表13。示出将发光元件CD13的外量子效率设为1.00时的发光元件D13的外量子效率的相对值。

[表13]

<比较例CD14及CD15>发光元件CD14及CD15的制作和评价

代替实施例D1的(第2层的形成)中的“高分子化合物HTL-1及化合物T1(高分子化合物HTL-1/化合物T1＝90质量％/10质量％)”，而采用表14中记载的材料及组成比(质量％)，进一步，代替实施例D1的(第1层的形成)中的“化合物T1及金属络合物G1(化合物T1/金属络合物G1＝70质量％/30质量％)”，而采用表14中记载的材料及组成比(质量％)，除此以外，与实施例D1同样地操作，制作了发光元件CD14及CD15。

对发光元件CD14及CD15施加电压，由此观测到EL发光。测定了发光元件CD14及CD15的电流密度为0.5mA/cm

将比较例CD14及CD15的结果示于表14。示出将发光元件CD15的外量子效率设为1.00时的发光元件CD14的外量子效率的相对值。

[表14]

<实施例D14>发光元件D14的制作和评价

(阳极及空穴注入层的形成)

通过溅射法在玻璃基板上以45nm的厚度赋予ITO膜，由此形成阳极。在该阳极上，通过旋涂法将作为聚噻吩·磺酸系的空穴注入剂的AQ-1200(Plextronics公司制)以65nm的厚度成膜，在大气气氛下，在加热板上，于170℃进行15分钟加热，由此形成空穴注入层。

(第2层的形成)

使高分子化合物HTL-1及化合物T1(高分子化合物HTL-1/化合物T1＝90质量％/10质量％)以0.5质量％的浓度溶解于氯苯中。使用所得到的氯苯溶液，通过旋涂法在空穴注入层上以20nm的厚度成膜，在氮气气氛下，在加热板上，于180℃进行60分钟加热，由此形成第2层(空穴传输层)。通过该加热，高分子化合物HTL-1成为进行了交联的状态(交联体)。

(第1层的形成)

使化合物T1及金属络合物R1(化合物T1/金属络合物R1＝90质量％/10质量％)以3质量％的浓度溶解于氯苯中。使用所得到的氯苯溶液，通过旋涂法在第2层上以80nm的厚度成膜，在氮气气氛下，于130℃进行10分钟加热，由此形成第1层(发光层)。

(阴极的形成)

针对形成有第1层的基板，在蒸镀机内减压至1.0×10

(发光元件的评价)

对发光元件D14施加电压，由此观测到EL发光。测定了发光元件D14的电流密度为1mA/cm

<比较例CD16>发光元件CD16的制作和评价

代替实施例D14的(第2层的形成)中的“高分子化合物HTL-1及化合物T1(高分子化合物HTL-1/化合物T1＝90质量％/10质量％)”，而采用表15中记载的材料及组成比(质量％)，除此以外，与实施例D14同样地操作，制作了发光元件CD16。

对发光元件CD16施加电压，由此观测到EL发光。测定了发光元件CD16的电流密度为1mA/cm

将实施例D14及比较例CD16的结果示于表15。示出将发光元件CD16的外量子效率设为1.00时的发光元件D14的外量子效率的相对值。

[表15]

<实施例D15及比较例CD17>发光元件D15及CD17的制作和评价

代替实施例D14的(第2层的形成)中的“高分子化合物HTL-1及化合物T1(高分子化合物HTL-1/化合物T1＝90质量％/10质量％)”，而采用表16中记载的材料及组成比(质量％)，除此以外，与实施例D14同样地操作，制作了发光元件D15及CD17。

对发光元件D15及CD17施加电压，由此观测到EL发光。测定了发光元件D15及CD17的电流密度为1mA/cm

将实施例D15及比较例CD17的结果示于表16。示出将发光元件CD17的外量子效率设为1.00时的发光元件D15的外量子效率的相对值。

[表16]

<实施例D16及比较例CD18>发光元件D16及CD18的制作和评价

代替实施例D14的(第2层的形成)中的“高分子化合物HTL-1及化合物T1(高分子化合物HTL-1/化合物T1＝90质量％/10质量％)”，而采用表17中记载的材料及组成比(质量％)，进一步，代替实施例D14的(第1层的形成)中的“化合物T1及金属络合物R1(化合物T1/金属络合物R1＝90质量％/10质量％)”，而采用表17中记载的材料及组成比(质量％)，除此以外，与实施例D14同样地操作，制作了发光元件D16及CD18。

对发光元件D16及CD18施加电压，由此观测到EL发光。测定了发光元件D16及CD18的电流密度为0.25mA/cm

将实施例D16及比较例CD18的结果示于表17。示出将发光元件CD18的外量子效率设为1.00时的发光元件D16的外量子效率的相对值。

[表17]

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