图形修正方法

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种图形修正方法。

背景技术

随着半导体器件关键尺寸的不断缩小，图案密度正变得远高于单次曝光可以处理的极限。为此，在普通的涂胶-曝光-显影-刻蚀工艺的基础上，开发了多重光刻技术，如双重曝光工艺(double exposure，缩写为DE)、多重(或双重)光刻技术等。多重光刻技术的核心就是把原来一层光刻的图形拆分到两个或多个掩膜上，用多次光刻和刻蚀来实现原来一层设计的图形，多重光刻技术利于获取更高的图形密度、实现更小的工艺节点。其中在逻辑电路的制造中，光刻-刻蚀-光刻-刻蚀(litho-etch-litho-etch，LELE)是最常用的双重曝光技术。

在双重曝光层中，当相邻两个图形的实际距离过小，就会有发生桥连缺陷的可能性/概率。因此，需要将具有较大概率的桥连缺陷的位置找出来，以进一步修正版图，获得精确的版图。

然而，传统的商业软件中在计算桥连缺陷概率时通常需要引入蒙特卡洛方法，该方法非常耗时，而且计算量还很大，导致无法应用在大规模集成电路制造中。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种图形修正方法，以改善计算桥连缺陷概率的方法。

为解决上述问题，本发明的技术方案提供一种图形修正方法，包括：提供初始版图；对所述初始版图进行拆分曝光处理，获取第一曝光版图和第二曝光版图，所述第一曝光版图包括若干第一曝光图形，所述第二曝光版图包括若干第二曝光图形；将所述第一曝光版图和所述第二曝光版图合并，获得探测版图，所述探测版图包括若干所述第一曝光图形和若干所述第二曝光图形；根据所述探测版图，在所述探测版图内获取粗探测区；在所述探测版图内以预设步长移动所述粗探测区，并在各所述粗探测区内进行数据检测处理，直到对整个所述探测版图完成数据检测处理，其中，对各粗探测区进行数据检测处理的方法包括：当所述粗探测区内具有所述第一曝光图形和所述第二曝光图形时，以所述第一曝光图形的轮廓边中与所述第二曝光图形相邻的轮廓边为第一轮廓边，以所述第二曝光图形的轮廓边中与所述第一曝光图形相邻的轮廓边为第二轮廓边，获取相邻的所述第一轮廓边和所述第二轮廓边之间的最小距离值、以及该最小距离值分别对应的所述第一轮廓边和所述第二轮廓边的检测点，并移至下一个粗探测区；当所述粗探测区内未同时具有所述第一曝光图形和所述第二曝光图形时，移至下一粗探测区；其中，获取相邻的所述第一轮廓边和所述第二轮廓边之间的最小距离值的方法包括：在所述粗探测区内建立若干精细探测区，各精细探测区内具有一段或多段位于同行的所述第一轮廓边，以及一段或多段位于同行的所述第二轮廓边；分别获取各精细探测区内的各段所述第一轮廓边和与其相邻的所述第二轮廓边之间的最小距离值。

可选的，以所述最小距离值分别对应的第一轮廓边和第二轮廓边的检测点为热点位置；所述方法还包括：根据所述最小距离值，获取对应的热点位置的桥连缺陷概率。

可选的，当单个所述粗探测区内第一曝光图形和第二曝光图形仅单边相邻时，获取一个所述最小距离值、以及对应的一个所述热点位置；当单个所述粗探测区内所述第一曝光图形和所述第二曝光图形双边相邻时，获取两个所述最小距离值、以及对应的两个所述热点位置。

可选的，获取所述桥连缺陷概率的方法包括：提供单边套刻模型和双边套刻模型；当第一曝光图形和第二曝光图形仅单边相邻时，根据所述单边套刻模型和对应的一个所述最小距离值，获取对应的所述热点位置的桥连缺陷概率；当第一曝光图形和第二曝光图形双边相邻时，根据所述双边套刻模型和对应的两个所述最小距离值，获取对应的两个所述热点位置的桥连缺陷概率。

可选的，所述初始版图包括若干初始图形，所述初始图形平行于第一方向，且沿第二方向排布；所述拆分曝光处理的方法包括：将所述初始版图拆分为第一拆分版图和第二拆分版图，所述第一拆分版图具有若干第一拆分图形，所述第二拆分版图包括若干第二拆分图形，若干第一拆分图形和若干第二拆分图形用以合并为若干所述初始图形；对所述第一拆分版图进行第一修正处理之后，进行模拟曝光处理，获得与所述第一拆分版图相对应的所述第一曝光版图，各所述第一曝光图形与所述第一拆分图形相对应；对所述第二拆分版图进行第二修正处理之后，进行模拟曝光处理，获得与所述第二拆分版图相对应的所述第二曝光版图，各所述第二曝光图形与所述第二拆分图形相对应。

可选的，所述第一修正处理的方法包括：第一蚀刻修正和第一光学临近效应修正；所述第二修正处理的方法包括：第二蚀刻修正和第二光学临近效应修正。

可选的，所述获得探测版图的方法还包括：根据若干所述第一拆分图形和若干所述第二拆分图形在所述初始版图中的相对位置信息，将所述第一曝光版图和所述第二曝光版图合并。

可选的，根据所述探测版图，在所述探测版图内获取粗探测区的方法包括：获取所述粗探测区的设置参数，所述设置参数包括宽度、高度和在所述探测版图内的初始位置；将所述粗探测区放置于所述初始位置。

可选的，所述宽度的获取方法包括：提供预设宽度，所述预设宽度小于所述探测版图的宽度，以所预设宽度为所述探测版图的宽度。

可选的，若干所述第一拆分图形包括若干第一主拆分图形和若干电源轨道，各所述电源轨道平行于所述第一方向，若干所述第一主拆分图形位于相邻的两根电源轨道之间；所述高度的获取方法包括：获取若干所述第一主拆分图形的第一线宽CD1和第一线间距S1；获取若干所述第二拆分图形的第二线宽CD2和第二线间距S2；根据所述第一线宽CD1、第一线间距S1、第二线宽CD2和第二线间距S2，获取所述粗探测区的高度H＝CD1+S1+CD2+S2。

可选的，若干所述第一曝光图形包括若干电源轨道曝光图形和若干第一主曝光图形，各所述电源轨道曝光图形与各所述电源轨道相对应，各所述第一主曝光图形与各所述第一主拆分图形相对应；所述初始位置的获取方法包括：使所述初始位置避开所述电源轨道曝光图形。

可选的，在对待处理的粗探测区进行数据处理之前，还包括：根据待处理的粗探测区内的所述第一曝光图形和所述第二曝光图形的图形总数量，对所述粗探测区的高度进行第一更新；根据待处理的粗探测区内的所述第一曝光图形和所述第二曝光图形的相对的位置关系，对所述粗探测区的高度进行第二更新。

可选的，所述第一更新方法还包括：获取待处理的粗探测区内的所述第一曝光图形和所述第二曝光图形的图形总数量；提供预设数量；当所述图形总数量大于所述预设数量时，则缩小该粗探测区的高度，使该粗探测区内的图形总数量小于或等于所述预设数量。

可选的，所述第二更新方法还包括：获取待处理的所述粗探测区内的精细探测区的数量；当所述精细探测区的数量大于两个时，则缩小该粗探测区的高度，使该粗探测区内的所述精细探测区的数量变为两个。

可选的，在所述探测版图内以预设步长移动所述粗探测区的方法包括：沿着所述第一方向，自所述初始位置进行移动，直到完成一行的数据检测处理；当测完当前行之后，将所述粗探测区移至下一行，继续沿着所述第一方向进行移动，重复上述移动方式，直到对整个所述探测版图完成数据检测处理。

可选的，将所述粗探测区移至下一行的方法包括：获取前一行内各粗探测区内的距离当前行最近的精细探测区的第一边缘位置；根据所述第一边缘位置，获取当前行起始位置处的粗探测区的第二边缘位置。

可选的，所述粗探测区呈矩形，且所述粗探测区具有在所述第一方向排布的左粗探测边和右粗探测边，以及在所述第二方向排布的上粗探测边和下粗探测边；各所述精细探测区呈矩形，且各精细探测区的宽度与所述粗探测区宽度相同。

可选的，所述预设步长的尺寸等于所述粗探测区的宽度。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：

本发明技术方案的图形修正方法中，通过在探测版图内建立粗探测区的方法，且以所述第一曝光图形与所述第二曝光图形相邻的轮廓边为第一轮廓边，以所述第二曝光图形与所述第一曝光图形相邻的轮廓边为第二轮廓边，获取所述第一轮廓边和所述第二轮廓边之间的最小距离值，所述最小距离值用于计算相邻所述第一曝光图形和所述第二曝光图形之间的桥连缺陷的概率，所述最小距离值越小，产生桥连缺陷的概率越大，仅将可能产生桥连缺陷的第一轮廓边和第二轮廓边包括在各精细探测区内进行计算，而不需要对所有的轮廓边的检测点进行计算，极大地减少了计算量，利于缩短数据处理时间。

进一步，在对待处理的粗探测区进行数据处理之前，还包括：根据待处理的粗探测区内的所述第一曝光图形和所述第二曝光图形的总数量，对所述粗探测区的高度进行第一更新；根据待处理的粗探测区内的所述第一曝光图形和所述第二曝光图形的相对的位置关系，对所述粗探测区的高度进行第二更新。根据窗口内的版图情形，自动调整待处理的粗探测区高度，提升了粗探测区内计算的灵活性，利于提高计算的准确性，且提高检测速度。

进一步，获取所述桥连缺陷概率的方法包括：提供单边套刻模型和双边套刻模型；当第一曝光图形和第二曝光图形仅单边相邻时，根据所述单边套刻模型和对应的一个所述最小距离值，获取对应的所述热点位置的桥连缺陷概率；当第一曝光图形和第二曝光图形双边相邻时，根据所述双边套刻模型和对应的两个所述最小距离值，获取对应的两个所述热点位置的桥连缺陷概率。将第一曝光图形和第二曝光图形单边相邻的情况和双边相邻的情况计算桥连缺陷概率的模型相区分，可以充分考虑套刻误差对桥连缺陷概率的影响，利于提高计算的准确性。

进一步，在设置粗探测区的初始位置时，使所述初始位置避开电源轨道曝光图形。通常情况下，所述电源轨道曝光图形与周边图形之间的间距较大，即发生桥连的概率较小，使所述初始位置避开所述电源轨道曝光图形，利于减少计算量，提高数据处理速度。

附图说明

图1是本发明实施例的图形修正方法流程图；

图2至图6是本发明实施例中图形修正方法各步骤版图结构示意图。

具体实施方式

正如背景技术所述，现有双重曝光中，计算桥连缺陷概率的方法有待进一步改善。

为了解决上述问题，本发明提供一种图形修正方法中，通过在探测版图内建立粗探测区的方法，且以所述第一曝光图形与所述第二曝光图形相邻的轮廓边为第一轮廓边，以所述第二曝光图形与所述第一曝光图形相邻的轮廓边为第二轮廓边，获取所述第一轮廓边和所述第二轮廓边之间的最小距离值，所述最小距离值用于计算相邻所述第一曝光图形和所述第二曝光图形之间的桥连缺陷的概率，所述最小距离值越小，产生桥连缺陷的概率越大，仅将可能产生桥连缺陷的第一轮廓边和第二轮廓边包括在各精细探测区内进行计算，而不需要对所有的轮廓边的检测点进行计算，极大地减少了计算量，利于缩短数据处理时间。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细地说明。

图1是本发明实施例的图形修正方法流程图。

请参考图1，所述图形修正方法包括如下步骤：

步骤S101，提供初始版图；

步骤S102，对所述初始版图进行拆分曝光处理，获取第一曝光版图和第二曝光版图，所述第一曝光版图包括若干第一曝光图形，所述第二曝光版图包括若干第二曝光图形；

步骤S103，将所述第一曝光版图和所述第二曝光版图合并，获得探测版图，所述探测版图包括若干所述第一曝光图形和若干所述第二曝光图形；

步骤S104，根据所述探测版图，在所述探测版图内获取粗探测区；

步骤S105，在所述探测版图内以预设步长移动所述粗探测区，并在各所述粗探测区内进行数据检测处理，直到对整个所述探测版图完成数据检测处理。

其中，对各粗探测区进行数据检测处理的方法包括：当所述粗探测区内具有所述第一曝光图形和所述第二曝光图形时，以所述第一曝光图形与所述第二曝光图形相邻的轮廓边为第一轮廓边，以所述第二曝光图形与所述第一曝光图形相邻的轮廓边为第二轮廓边，获取所述第一轮廓边和所述第二轮廓边之间的最小距离值、以及该最小距离值分别对应的第一轮廓边和第二轮廓边的检测点，并移至下一个粗探测区；当所述粗探测区内未同时具有所述第一曝光图形和所述第二曝光图形时，移至下一粗探测区。

其中，获取相邻的所述第一曝光图形轮廓边和所述第二曝光图形轮廓边之间的最小距离值的方法包括：在所述粗探测区内建立若干精细探测区，各精细探测区内具有一段或多段位于同行的所述第一轮廓边，以及一段或多段位于同行的所述第二轮廓边；分别获取各精细探测区内的各所述第一轮廓边和与其相邻的所述第二轮廓边之间的最小距离值。

以下将结合附图进行详细说明。

图2至图6是本发明实施例中图形修正方法各步骤版图结构示意图。

请参考图2，并继续参考图1，提供初始版图(图中未示出)；对所述初始版图进行拆分曝光处理，获取第一曝光版图(图中未示出)和第二曝光版图(图中未示出)，所述第一曝光版图包括若干第一曝光图形，所述第二曝光版图包括若干第二曝光图形301；将所述第一曝光版图和所述第二曝光版图合并，获得探测版图20，所述探测版图20包括若干所述第一曝光图形和若干所述第二曝光图形301。

本实施例中，所述初始版图为金属互连层的设计版图。所述图形修正方法的目的在于，将具有可能出现的桥连缺陷的位置找出来，以进一步修正版图，获得精确的版图。

本实施例中，所述初始版图包括若干初始图形(图中未示出)，所述初始图形平行于第一方向X，且沿第二方向Y排布。

本实施例中，所述拆分曝光处理的方法包括：将所述初始版图拆分为第一拆分版图(图中未示出)和第二拆分版图(图中未示出)，所述第一拆分版图具有若干第一拆分图形(图中未示出)，所述第二拆分版图包括若干第二拆分图形(图中未示出)，若干第一拆分图形和若干第二拆分图形用以合并为若干所述初始图形；对所述第一拆分版图进行第一修正处理之后，进行模拟曝光处理，获得与所述第一拆分版图相对应的所述第一曝光版图，各所述第一曝光图形与所述第一拆分图形相对应；对所述第二拆分版图进行第二修正处理之后，进行模拟曝光处理，获得与所述第二拆分版图相对应的所述第二曝光版图，各所述第二曝光图形与所述第二拆分图形相对应。

本实施例中，所述第一修正处理的方法包括：第一蚀刻修正和第一光学临近效应修正；所述第二修正处理的方法包括：第二蚀刻修正和第二光学临近效应修正。

本实施例中，所述获得探测版图20的方法还包括：根据若干所述第一拆分图形和若干所述第二拆分图形在所述初始版图中的相对位置信息，将所述第一曝光版图和所述第二曝光版图合并。

本实施例中，若干所述第一拆分图形包括若干第一主拆分图形(图中未示出)和若干电源轨道(图中未示出)，各所述电源轨道平行于所述第一方向X，若干所述第一主拆分图形位于相邻的两根电源轨道之间。

本实施例中，若干所述第一曝光图形包括若干电源轨道曝光图形200和若干第一主曝光图形201，各所述电源轨道曝光图形200与各所述电源轨道相对应，各所述第一主曝光图形201与各所述第一主拆分图形相对应。

请参考图3，并继续参考图1，根据所述探测版图20，在所述探测版图20内获取粗探测区(粗实线框或粗虚线框所示区域)。

本实施例中，根据所述探测版图20，在所述探测版图20内获取粗探测区的方法包括：获取所述粗探测区的设置参数，所述设置参数包括宽度、高度和在所述探测版图20内的初始位置B；将所述粗探测区放置于所述初始位置B。

本实施例中，所述宽度的获取方法包括：提供预设宽度，所述预设宽度小于所述探测版图20的宽度，以所预设宽度为所述探测版图的宽度。具体的，所述预设宽度可根据所述初始版图中，所述第一方向X上相邻的所述初始图形之间距离的最小值、若干所述初始图形的长度的最小值进行设定，以选择较为合理范围。所述初始图形的长度指所述初始图形的在所述第一方向X上的尺寸。

本实施例中，所述高度的获取方法包括：获取若干所述第一主拆分图形的第一线宽CD1和第一线间距S1；获取若干所述第二拆分图形的第二线宽CD2和第二线间距S2；根据所述第一线宽CD1、第一线间距S1、第二线宽CD2和第二线间距S2，获取所述粗探测区的高度H＝CD1+S1+CD2+S2。

需要说明的是，所述高度指沿所述第二方向Y的尺寸，所述宽度指沿所述第一方向X的尺寸。在后续的数据检测处理过程中，可以根据待测位置的对应的初始版图情形进行对所述高度的值进行更新调整。

本实施例中，还获取所述电源轨道的第三线宽CD3。

本实施例中，所述初始位置B的获取方法包括：使所述初始位置B避开所述电源轨道曝光图形200。通常情况下，所述电源轨道曝光图形200与周边的图形之间的间距较大，即发生桥连的概率较小，使所述初始位置B避开所述电源轨道曝光图形200，利于减少计算量，提高数据处理速度。

本实施例中，以所述探测版图20边缘位置A(x0，y0)作为参考点，获取第一个所述粗探测区的位置，即所述初始位置B(x0，y1)，其中y1＝y0+CD3+(S1+S2)/4。

需要说明的是，在本实施例中，设置所述初始位置B时，要求避开所述电源轨道曝光图形200，且根据第一线间距S1和第二线间距S2进行调整。在其他实施例中，所述初始位置可以不需要局限于此。

请继续参考图1和图3，在所述探测版图20内以预设步长移动所述粗探测区，并在各所述粗探测区内进行数据检测处理，直到对整个所述探测版图20完成数据检测处理。

本实施例中，在所述探测版图20内以预设步长移动所述粗探测区的方法包括：沿着所述第一方向X，自所述初始位置B进行移动，直到完成一行的数据检测处理；当测完当前行之后，将所述粗探测区移至下一行，继续沿着所述第一方向X进行移动，重复上述移动方式，直到对整个所述探测版图20完成数据检测处理。

需要说明的是，图3仅示出了一种所述粗探测区在所述探测版图20移动的方法，其中箭头用于示出移动方向。在其他实施例中，所述粗探测区的移动方向可以不限于此。

本实施例中，所述预设步长的尺寸等于所述粗探测区的宽度。所述预设步长也可以小于所述粗探测区的宽度，但提高计算精度的同时也会增加计算量。当所述预设步长大于所述粗探测区的宽度时，会造成部分所述探测版图20区域的数据无法被检测到。

其中，对各粗探测区进行数据检测处理的方法包括：当所述粗探测区内具有所述第一曝光图形和所述第二曝光图形202时，以所述第一曝光图形的轮廓边中与所述第二曝光图形202相邻的轮廓边为第一轮廓边，以所述第二曝光图形202的轮廓边中与所述第一曝光图形相邻的轮廓边为第二轮廓边，获取相邻的所述第一轮廓边和所述第二轮廓边之间的最小距离值、以及该最小距离值分别对应的所述第一轮廓边和所述第二轮廓边的检测点，并移至下一个粗探测区；当所述粗探测区内未同时具有所述第一曝光图形和所述第二曝光图形时，移至下一粗探测区。

具体的，在待检测位置绘制好所述粗探测区之后，需要先判断该粗探测区内是否同时具有所述第一曝光图形和所述第二曝光图形202，即当粗探测区内具有对应于不同的拆分版图的曝光图形时，才需要继续检测该粗探测区内是否有桥连缺陷发生的概率。

其中，获取相邻的所述第一轮廓边和所述第二轮廓边之间的最小距离值的方法包括：在所述粗探测区内建立若干精细探测区，各精细探测区内具有一段或多段位于同行的所述第一轮廓边，以及一段或多段位于同行的所述第二轮廓边；分别获取各精细探测区内的各段所述第一轮廓边和与其相邻的所述第二轮廓边之间的最小距离值。

在此，所述最小距离值用于计算相邻所述第一曝光图形201和所述第二曝光图形202之间的桥连的概率，所述最小距离值越小，桥连的概率越大，仅将可能产生桥连的第一轮廓边和第二轮廓边包括在各精细探测区内进行计算，而不需要对所有的轮廓边的检测点进行计算，极大地减少了计算量，利于缩短数据处理时间。

本实施例中，所述精细探测区的数量要求小于或等于两个。对所述精细探测区的数量加以限制的目的在于，后续需要根据所述最小距离值采用单边套刻模型或双边套刻模型来计算桥连缺陷的概率。在其他实施例中，对所述精细探测区的数量可以不限制于此。

需要说明的是，“多段位于同行的所述第一轮廓边”指“多段所述第一轮廓边分别对应的第一拆分图形的轮廓边位于同行”；“多段位于同行的所述第二轮廓边”指“多段所述第二轮廓边分别对应的第二拆分图形的轮廓边位于同行”。

为了便于说明，以下根据待处理的粗探测区内的几种版图情形进行详细说明。

图4示出的第一行设置的第一个所述粗探测区T1中，存在相邻的一个第一曝光图形(即第一主曝光图形201)和一个第二曝光图形202，此处绘制一个精细探测区a1，该精细探测区a1内具有一段所述第一轮廓边和一段与其相邻的所述第二轮廓边，可以获取两者之间的最小距离值Sa

本实施例中，所述粗探测区呈矩形，且所述粗探测区具有在所述第一方向X排布的左粗探测边(图中未示出)和右粗探测边(图中未示出)，以及在所述第二方向Y排布的上粗探测边(图中未示出)和下粗探测边(图中未示出)。

本实施例中，各所述精细探测区呈矩形，且各精细探测区的宽度与所述粗探测区宽度相同。具体的，各精细探测区具有在所述第一方向X上排布的左精细探测边(图中未示出)和右精细探测边(图中未示出)，所述左精细探测边与其所在的粗探测区的所述左粗探测边部分重合，所述右精细探测边与其所在的粗探测区的所述右粗探测边部分重合。

需要说明的是，在单个粗探测区内，各所述精细探测区具有沿所述第二方向Y上排布的上精细探测边和下精细探测边。所述上精细探测边和所述下精细探测边的设置需要适当，以使待检测的所述第一轮廓边和所述第二轮廓边上的检测点均位于对应的精细探测区内，减少因第二精细探测边设置不当，而导致待检测的轮廓边上的部分探测点无法被检测的情况。

本实施例中，所述上精细探测边(所述下精细探测边)分别设置于其所在的第一曝光图形或第二曝光图形202的中间位置。

具体的，仍以精细探测区a1和粗探测区T1为例，根据粗探测区T1的右粗探测边(或左探测边)与第一曝光图形(第一主曝光图形201)的交叠的边Edge1的中点，绘制所述下精细探测边；根据粗探测区T1的右粗探测边(或左探测边)与第二曝光图形202的交叠的边Edge2的中点，绘制所述上精细探测边。

图5示出的第一行设置的所述粗探测区T2中，位于中间的一个第二曝光图形202的两侧分别与一个第一曝光图形(即第一主曝光图形201)相邻，此处建立两个精细探测区b1和b2。在精细探测区b1内，具有两段所述第一轮廓边和一段与其相邻的所述第二轮廓边，由此获取两个最小距离值Sb

图6示出的第二行设置的第一个所述粗探测区T4中，仅具有所述第一曝光图形(即电源轨道曝光图形200)，未同时具有所述第一曝光图形和所述第二曝光图形202，因此不具有产生桥连缺陷的概率，不需要在该粗探测区T4内进行计算，此时，直接移至下一粗探测区。

本实施例中，以所述最小距离值分别对应的第一轮廓边和第二轮廓边的检测点为热点位置；还根据所述最小距离值，获取对应的热点位置的桥连缺陷概率。

当单个所述粗探测区内第一曝光图形和第二曝光图形仅单边相邻时，获取一个所述最小距离值、以及对应的一个所述热点位置。具体的，仍以图4所示的粗探测区T1为例，第一曝光图形和第二曝光图形仅单边相邻，此处可以获取一个最小距离值Sa

当单个所述粗探测区内所述第一曝光图形和所述第二曝光图形202双边相邻时，获取两个所述最小距离值、以及对应的两个所述热点位置。具体的，以图5所示的粗探测区T2为例，中间的第二曝光图形202的两边均与第一曝光图形(即第一主曝光图形201)相邻，可以获得两个热点位置。

本实施例中，获取所述桥连缺陷概率的方法包括：提供单边套刻模型和双边套刻模型；当第一曝光图形和第二曝光图形仅单边相邻时，根据所述单边套刻模型和对应的一个所述最小距离值，获取对应的所述热点位置的桥连缺陷概率；当第一曝光图形和第二曝光图形双边相邻时，根据所述双边套刻模型和对应的两个所述最小距离值，获取对应的两个所述热点位置的桥连缺陷概率。将第一曝光图形和第二曝光图形单边相邻的情况和双边相邻的情况计算桥连缺陷概率的模型相区分，可以充分考虑套刻误差对桥连缺陷概率的影响，利于提高计算的准确性。

具体的，仍以参考图4和图5为例，在粗探测区T1内适用于一个单边套刻模型，在粗探测区T2内适用于两个双边套刻模型。更具体的，可以根据Sb

本实施例中，在对待处理的粗探测区进行数据处理之前，还包括：根据待处理的粗探测区内的所述第一曝光图形和所述第二曝光图形202的总数量，对所述粗探测区的高度进行第一更新；根据待处理的粗探测区内的所述第一曝光图形和所述第二曝光图形202的相对的位置关系，对所述粗探测区的高度进行第二更新。

本实施例中，所述第一更新方法还包括：获取待处理的粗探测区内的所述第一曝光图形和所述第二曝光图形202的图形总数量；提供预设数量；当所述图形总数量大于所述预设数量时，则缩小该粗探测区的高度，使该粗探测区内的图形总数量小于或等于所述预设数量。

本实施例中，先判定是否需要进行第一更新，当所述图形总数量大于所述预设数量时先进行第一更新，而后判定是否需要进行第二更新，以减少获取所述第一曝光图形和所述第二曝光图形202的相对的位置关系时的复杂度。

根据窗口内的版图情形，自动调整待处理的粗探测区的高度，提升了粗探测区内计算的灵活性，利于提高计算的准确性，且提高检测速度。

本实施例中，所述预设数量为5。即当待处理的粗探测区内的所述第一曝光图形和所述第二曝光图形202的图形总数量大于5个时，缩小该粗探测区的高度。在此，粗探测区T1中的图形总数量为2，粗探测区T2中的图形总数量为4，粗探测区T6中的图形总数量为1。

本实施例中，所述第二更新方法还包括：获取待处理的所述粗探测区内的精细探测区的数量；当所述精细探测区的数量大于两个时，则缩小该粗探测区的高度，使该粗探测区内的所述精细探测区的数量变为两个。将单个粗探测区内所述精细探测区的数量限定为小于或等于两个的目的在于，便于根据单边套刻模型或双边套刻模型来进行桥连缺陷概率计算。

本实施例中，将所述粗探测区移至下一行的方法包括：获取前一行内各粗探测区内的距离当前行最近的精细探测区的第一边缘位置；根据所述第一边缘位置，获取当前行起始位置处的粗探测区的第二边缘位置。根据精细探测区来设定下一行粗探测区的位置，其目的在于避免探测版图20内部分区域的重复计算或遗漏计算的情况。

具体的，还根据所述粗探测区的宽度Wt和所述探测版图20的宽度Wb，获取单行所述粗探测区的设置个数times，其中times＝Wb/Wt；在移动所述粗探测区的过程中，还需要根据待检测的所述粗探测区的序号和times的数量，来判断是否将待检测的所述粗探测区的位置移至下一行。

更具体的，可以将当前行第一个所述粗探测区的序号设为1，每移动一步则序号+1，当待检测的所述粗探测区的序号大于times时，则将所述粗探测区移至下一行。

在此，以图3中将所述粗探测区自第一行移至第二行为例，对将所述粗探测区移至下一行的方法进行说明。

在完成粗探测区T3的计算之后，经判断下一个粗探测区的序号大于times，故而将粗探测区T4移至第二行，由于在第一行中，粗探测区T2内具有精细探测区b1和精细探测区b2，其中精细探测区b1的上探测边离第二行最近，获取精细探测区b1的上探测边在所述第二方向Y的坐标y2，以所述坐标y2作为绘制第二行的粗探测区T4的起点位置C在所述第二方向Y的坐标。

虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。