多工位双室镀膜机

技术领域

本发明涉及真空镀膜领域，尤其涉及一种多工位双室镀膜机。

背景技术

真空镀膜是目前较为前沿的镀膜技术，而真空镀膜中的磁控溅射镀膜法采用通过通电阳极放出电子，并使电子在电场的加速作用下与真空腔内的气体分子碰撞，从而使气体分子电离，而电离的气体分子又在电场的作用下轰击阴极上的金属粒子，使金属粒子电离溅射，并使得电离出来的金属离子沉积于工件表面形成薄膜，其中为了使电子能够更加高效的与气体分子进行碰撞，从而提高气体分子电离率，采用在阴极内部装入磁铁形成磁控阴极，因此电子在电场及磁场的共同作用下，将会在真空腔内形成螺旋式轨迹来增加电子与气体分子的碰撞概率。而现有的镀膜机往往只具备一个工位对工件进行上下料以及后处理，因而在待镀膜的工件数量较多时，容易造成工件堆积，而降低工件的镀膜效率。

发明内容

本发明的主要目的是提供一种多工位双室镀膜机，旨在提高工件的镀膜效率。

为实现上述目的，本发明提出的一种多工位双室镀膜机包括第一工件台、第二工件台、流转台、处理室、镀膜室以及多个承载架，所述第二工件台与所述第一工件台的一侧连通，所述第一工件台的另一侧与所述流转台的一侧连通，所述流转台的另一侧与所述处理室连通，所述处理室远离所述流转台的一侧与所述镀膜室连通，所述承载架用于承载工件并在所述多工位双室镀膜机内流转，所述流转台用于将承载架输入至所述处理室中对工件进行处理，所述处理室用于在对所述工件进行处理后输入至镀膜室内进行镀膜。

在一实施例中，所述流转台具有沿所述流转台的长度方向间隔形成的第一工位以及第二工位，所述第一工位的两侧分别与所述处理室和所述第一工件台连通。

在一实施例中，所述第二工位与所述第二工件台连通。

在一实施例中，所述多工位双室镀膜机还包括连接架，所述连接架的一端与所述第一工件台连接，所述连接架的另一端与所述第二工件台连接。

在一实施例中，所述多工位双室镀膜机还包括多个转运辊，多个所述转运辊间隔布置，所述承载架位于所述转运辊上方以通过所述转运辊在所述多工位双室镀膜机内流转。

在一实施例中，所述处理室外部设有与所述处理室的内腔连通的第一安装仓，所述镀膜室外部设有与所述镀膜室的内腔连通的第二安装仓，所述第一安装仓内设有处理装置，所述第二安装仓内设有镀膜装置。

在一实施例中，所述镀膜装置包括至少一对用于对所述工件镀膜的阴极。

在一实施例中，所述处理装置为蒸发器、离子源清洗器以及镀膜装置中的任一种。

在一实施例中，所述双室高效镀膜机还包括真空抽取系统，所述真空抽取系统与所述处理室和/或所述镀膜室连通以对应抽取所述处理室和所述镀膜室内的气体。

本发明的技术方案中，多工位双室镀膜机包括第一工件台、第二工件台、流转台、处理室、镀膜室以及多个承载架，承载架用于承载工件，而工件能够在第一工件台或第二工件台上进行上下料，因而可通过承载台在第一工件台和第二工件台上进行流转将工件依次输送至处理室和镀膜室中进行工件的前处理和镀膜处理，而通过设置第一工件台和第二工件台使得承载架在镀膜机内的流转更为流畅，效率更高，进而解决了工件容易堆积造成工件镀膜效率较低的问题。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。

图1为本发明实施例的多工位双室镀膜机的结构示意图。

附图标号说明：10、第一工件台；20、第二工件台；30、流转台；31、第一工位；32、第二工位；40、处理室；50、镀膜室；60、承载架；70、连接架；80、转运辊；90、第一安装仓；100、第二安装仓；110、处理装置；120、镀膜装置。

本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明，本发明实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。

另外，在本发明中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

并且，本发明各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。

本发明提供一种多工位双室镀膜机。

如图1所示，本发明实施例提供的多工位双室镀膜机包括第一工件台10、第二工件台20、流转台30、处理室40、镀膜室50以及多个承载架60，所述第二工件台20与所述第一工件台10的一侧连通，所述第一工件台10的另一侧与所述流转台30的一侧连通，所述流转台30的另一侧与所述处理室40连通，所述处理室40远离所述流转台30的一侧与所述镀膜室50连通，所述承载架60用于承载工件并在所述多工位双室镀膜机内流转，所述流转台30用于将承载架60输入至所述处理室40中对工件进行处理，所述处理室40用于在对所述工件进行处理后输入至镀膜室50内进行镀膜。

在本实施例中，多工位双室镀膜机包括第一工件台10、第二工件台20、流转台30、处理室40、镀膜室50以及多个承载架60，承载架60用于承载工件，而工件能够在第一工件台10或第二工件台20上进行上下料，因而可通过承载台在第一工件台10和第二工件台20上进行流转将工件依次输送至处理室40和镀膜室50中进行工件的前处理和镀膜处理，而通过设置第一工件台10和第二工件台20使得承载架60在镀膜机内的流转更为流畅，效率更高，进而解决了工件容易堆积造成工件镀膜效率较低的问题。

其中，所述流转台30具有沿所述流转台30的长度方向间隔形成的第一工位31以及第二工位32，所述第一工位31的两侧分别与所述处理室40和所述第一工件台10连通。在本实施例中，当需要进行镀膜时，首先位于第一工件台10上的承载架60先上料工件并依次进入处理室40和镀膜室50，在该工件镀膜的过程中，之前位于第二工件台20处的承载台流转至第一工件台10上进行上料，此时可控制在上料完成后，前序工件也刚好镀膜完成，此时前序承载架60通过第一工位31流入至第二工位32处进行后处理或卸料，随后后续工件进入镀膜室50内进行镀膜，因而在本实施例中，通过设置第一工件台10、第二工件台20并在流转台30上设置第一工位31和第二工位32，使得多个承载架60能够快速在镀膜机上流转，降低镀膜室50的等待时间。

在其他地实施例中，还可以根据镀膜工件的镀膜时间、是否需要进行前处理或后处理等对工件台的数量和流转台30的长度进行增加，从而使得同一个镀膜机不仅能够适配多种不同工件的镀膜，也可以显著降低企业的购机成本。

而为了进一步提升工件的流转效率，在一个可选地实施例中，所述第二工位32与所述第二工件台20连通，因而在工件镀膜后并位于第二工位32处时，可从第二工位32流转至第二工件台20，进一步提升流转速度。

并且，所述多工位双室镀膜机还包括连接架70，所述连接架70的一端与所述第一工件台10连接，所述连接架70的另一端与所述第二工件台20连接。通过连接架70将第一工件台10和第二工件台20进行连接，以使第一工件台10和第二工件台20之间的连接更为紧密，且承载台在第一工件台10和第二工件台20之间流转时，能够提升承载台的流转稳定性。

进一步地，所述多工位双室镀膜机还包括多个转运辊80，多个所述转运辊80间隔布置，所述承载架60位于所述转运辊80上方以通过所述转运辊80在所述多工位双室镀膜机内流转，在本实施例中，以图1为例，多个转运辊80沿左右方向均匀间隔布置在第一工件台10、第一工位31、处理室40以及镀膜室50内，转运辊80与连接架70位于同一平面且相连通，因而承载架60能够在整个镀膜机内进行流转，且在流转时，十分稳定，能够保证工件不会与承载架60发生脱落现象。

所述处理室40外部设有与所述处理室40的内腔连通的第一安装仓90，所述镀膜室50外部设有与所述镀膜室50的内腔连通的第二安装仓100，所述第一安装仓90内设有处理装置110，所述第二安装仓100内设有镀膜装置120。在本实施例中，可通过处理装置110和镀膜装置120对位于处理室40内和镀膜室50内的工件进行处理和镀膜。

进一步地，所述镀膜装置120包括至少一对用于对所述工件镀膜的阴极，而可根据工件的型号，对阴极的数量进行增加和减少。

并且，所述处理装置110为蒸发器、离子源清洗器以及镀膜装置120中的任一种，当工件需要进行前处理才可镀膜时，处理装置110可为蒸发器或者离子源清洗器，而当工件不需要前处理，直接可镀膜时，可选择关闭蒸发装置直接流转至镀膜室50内进行镀膜，也可选择将处理装置110设置为镀膜装置120，使工件可直接在处理室40内进行镀膜，进而提升该镀膜机的兼容性。

可以理解的是，在上述实施例中，所述双室高效镀膜机还包括真空抽取系统，所述真空抽取系统与所述处理室40和/或所述镀膜室50连通以对应抽取所述处理室40和所述镀膜室50内的气体。在本实施例中，通过真空抽取系统可对应抽取处理室40和镀膜室50内的气体，使处理室40和镀膜室50的内腔能够形成真空环境。

以上所述仅为本发明的优选实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是在本发明的构思下，利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。