半导体设备和半导体硅片处理工艺

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体设备和半导体硅片处理工艺。

背景技术

随着集成电路芯片不断向高密度、高性能和轻薄短小方向发展，为了满足器件外形尺寸的微型化要求，封装结构形式的改进以及为降低热阻和提高芯片的散热能力等方面的发展与进步，都相应地要求芯片越来越薄，质量越来越高。在硅片表面电路制造工艺中，需要通过对硅片表面贴膜，进行研磨减薄处理。

而现有常规技术中，对硅片贴膜普遍采用如下方案：将硅片放置在载台上，通过滚子将薄膜贴在硅片表面，然后再用刀片分割开。

可是，这种方案只实现了贴膜功能，对于硅片表面的脏污和杂质无法处理。会出现硅片已污染或者二次污染的可能，这样极大的影响芯片的良率。

所以急需一种既能实现贴膜，又能清洁硅片表面的贴膜设备和方法。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体设备和半导体硅片处理工艺，解决现有技术中硅片贴膜中无法清洁硅片表面脏污的技术问题。

为了解决上述技术问题，本发明提供的技术方案中提供了一种半导体设备，包括：硅片清洁单元，硅片载台和硅片贴膜单元，所述硅片载台适于承载待贴膜硅片至所述硅片清洁单元进行清洁后，至所述硅片贴膜单元进行贴膜。

优选地，所述硅片清洁单元包括清洁工位、吹气机构和真空吸气机构，所述清洁工位适于放置所述硅片载台，所述吹气机构适于对着所述硅片载台表面进行吹气处理，所述真空吸气机构适于对着所述硅片载台表面进行吸气处理。

优选地，所述硅片贴膜单元包括贴膜工位和贴膜机构，所述贴膜工位适于放置所述硅片载台，所述贴膜机构适于对着所述硅片载台表面的硅片进行贴膜处理。

优选地，所述半导体设备还包括控制单元，所述控制单元适于根据清洁-贴膜的流程来控制所述硅片载台移动的工位，以及控制所述硅片清洁单元和硅片贴膜单元的工作。

优选地，所述吹气机构适于把脏污、灰尘等从硅片表面扬起，所述真空吸气机构适于在硅片周边把这些脏污、灰尘等抽走。

本发明的技术方案中还提供了一种半导体硅片处理工艺，包括：

提供一硅片；

对所述硅片进行吹气清洁处理；

对经过吹气清洁处理后的硅片进行贴膜处理。

优选地，所述硅片置于硅片载台上。

优选地，所述吹气清洁处理的步骤为：将所述硅片移动至吹气清洁工位，由吹气机构进行吹气处理，由真空吸气机构进行吸气处理。

优选地，所述贴膜处理的步骤为：将经过清洁处理的硅片移动至所述贴膜工位，由贴膜机构进行贴膜处理。

优选地，在所述清洁处理结束后，在30s内完成所述贴膜处理。

相对于现有技术，本发明的半导体设备和半导体硅片处理工艺具有以下有益效果：

本发明的技术方案中所提供的半导体设备包括硅片清洁单元，硅片载台和硅片贴膜单元，这样使得在硅片贴膜处理之前，能够进行硅片表面清洁处理，这样确保了硅片在贴膜之前，表面没有浮动脏污影响后续生产的良率。

本发明的技术方案中所提供的半导体硅片处理工艺在硅片进行贴膜处理之前，对所述硅片进行吹气清洁处理，这样既能保证硅片表面清洁，也能保持硅片表面保持干燥，不影响后续贴膜处理。

附图说明

图1为本发明一实施例中提供的半导体设备的结构示意图；

图2为本发明一实施例中半导体硅片处理工艺的流程图。

具体实施方式

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。

其次，本发明利用示意图进行详细描述，在详述本发明实施例时，为便于说明，所述示意图只是实例，其在此不应限制本发明保护的范围。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，以下结合附图对本发明的半导体设备和半导体硅片处理工艺进行详细描述。

如图1所示，在本实施例中，提供了一种半导体设备，包括：硅片清洁单元300，硅片载台100和硅片贴膜单元200，所述硅片载台200适于承载待贴膜硅片至所述硅片清洁单元300进行清洁后，至所述硅片贴膜单元200进行贴膜。

优选地，所述硅片清洁单元300包括清洁工位、吹气机构和真空吸气机构（未图示），所述清洁工位适于放置所述硅片载台，所述吹气机构适于对着所述硅片载台表面进行吹气处理，把脏污、灰尘等从硅片表面扬起，所述真空吸气机构适于对着所述硅片载台表面进行吸气处理，在硅片周边把这些脏污、灰尘等抽走。

优选地，所述硅片贴膜单元200包括贴膜工位和贴膜机构，所述贴膜工位适于放置所述硅片载台100，所述贴膜机构适于对着所述硅片载台表面的硅片进行贴膜处理。

优选地，所述半导体设备还包括控制单元，所述控制单元适于根据清洁-贴膜的流程来控制所述硅片载台移动的工位，以及控制所述硅片清洁单元300和硅片贴膜单元200的工作。

优选地，吹气清洁硅片表面的浮动脏污。

如图2所示，本实施例中还提供了一种半导体硅片处理工艺，包括：

步骤S10：提供一硅片；

步骤S20：对所述硅片进行吹气清洁处理；

步骤S30：对经过吹气清洁处理后的硅片进行贴膜处理。

优选地，所述硅片置于硅片载台上。

优选地，所述吹气清洁处理的步骤为：将所述硅片移动至吹气清洁工位，由吹气机构进行吹气处理，由真空吸气机构进行吸气处理，以清除硅片表面和周边的脏污、灰尘等。

优选地，所述吹气处理的步骤包括：

优选地，所述贴膜处理的步骤为：将经过清洁处理的硅片移动至所述贴膜工位，由贴膜机构将要贴的膜绷紧平贴在经过清洁处理的硅片表面，再由圆柱滚子在表面滚动以去除膜和硅片之间的气泡，然后用刀片将多余膜切断。

在本实施例中，适于在清洁处理结束后，在30s内完成贴膜工艺。

本发明虽然已以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出可能的变动和修改，因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化及修饰，均属于本发明技术方案的保护范围。