掩模版清洗设备和掩模版清洗方法

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其是涉及一种掩模版清洗设备和掩模版清洗方法。

背景技术

OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示器件由于自发光、广视角、对比度高、响应速度快、轻薄、可实现柔性等优点被广泛应用。现有OLED显示器件会采用蒸镀的方式形成有机层，为了保证产品品质，在采用掩模版蒸镀有机层厚，需要将掩模版下机后进行清洗。具体的，现有掩模版的清洗过程会采用NMP(N-甲基吡咯烷酮溶液)对掩模版进行清洗，通过NMP与掩模版上的有机物反应清洁有机物，然后通过水置换NMP、使用氢氧化钾电解去除异物、采用水置换电解液、采用异丙醇置换水，得到清洁后的掩模版。但由于NMP溶液有毒且易燃易爆、需要设置独立空间和安全措施，导致设备体积较大，占地面积较大，成本较大，掩模版的清洁过程需要将掩模版转移至独立空间并配备安全措施后清洁，导致效率较低。

所以，现有掩模版的清洁过程存在NMP溶液危险性较高导致清洁过程效率较低的技术问题。

发明内容

本申请实施例提供一种掩模版清洗设备和掩模版清洗方法，用以缓解现有掩模版的清洁过程存在NMP溶液危险性较高导致清洁过程效率较低的技术问题。

本申请实施例提供一种掩模版清洗设备，该掩模版清洗设备包括：

第一气氛控制单元，用于切换掩模版的气氛；所述掩模版上粘附有有机物；

温控单元，所述温控单元与所述第一气氛控制单元连接；

清洁单元，与所述温控单元连接，用于清洁所述掩模版上的残留物；

干燥单元，与所述清洁单元连接，用于干燥所述掩模版；

其中，在所述掩模版设置于所述温控单元内时，所述温控单元的温度大于所述有机物的分解温度。

在一些实施例中，所述第一气氛控制单元包括第一抽气单元和第一预抽真空室，所述第一抽气单元设置于所述第一预抽真空室上，用于在所述掩模版设置在所述第一预抽真空室时，对所述第一预抽真空室抽气。

在一些实施例中，所述第一气氛控制单元还包括第一通气单元，所述第一通气单元包括气室和输气单元，所述气室内设有氧气，所述输气单元与所述气室连接，用于在第一预抽真空室抽真空后，将所述气室内的氧气输入至第一预抽真空室。

在一些实施例中，所述温控单元包括温控室、温控组件和气体组件，所述温控组件与所述温控室连接，用于控制所述温控室的温度，所述气体组件与所述温控室连接，用于控制所述温控室内的气氛。

在一些实施例中，所述气体组件包括第二抽气单元和第二通气单元，所述第二抽气单元用于在所述第一气氛控制单元内的气氛为真空时，对所述温控室抽真空，所述第二通气单元用于在所述第一气氛控制单元内的气氛为氧气时，向所述温控室内通入氧气。

在一些实施例中，所述掩模版清洗设备还包括第二气氛控制单元，所述第二气氛控制单元一端与所述温控单元连接，所述第二气氛控制单元另一端与所述清洁单元连接，所述第二气氛控制单元用于控制从所述温控单元输出的掩模版的气氛。

在一些实施例中，所述第二气氛控制单元包括第三抽气单元、第二预抽真空室和第三通气单元，所述第三抽气单元设置于所述第二预抽真空室上，所述第三通气单元与所述第二预抽真空室连接，所述第三抽气单元用于在所述掩模版设置在所述第二预抽真空室时，对所述第二预抽真空室抽气，所述第三通气单元用于在所述第二预抽真空室抽气后，向所述第二预抽真空室输入空气。

在一些实施例中，所述清洁单元包括清洁腔和储液室，所述储液室与所述清洁腔连接，所述储液室用于在所述掩模版设置在所述清洁腔时，输出液体清洁所述掩模版。

在一些实施例中，所述干燥单元包括干燥腔和第四通气单元，所述第四通气单元与所述干燥腔连接，所述第四通气单元用于在所述掩模版设置在所述干燥腔时，向所述干燥腔通入空气。

同时，本申请实施例提供一种掩模版清洗方法，该掩模版清洗方法使用上述实施例任一所述的掩模版清洗设备，所述掩模版清洗方法包括：

将掩模版传送至第一气氛控制单元，并切换第一气氛控制单元内的气氛；

在第一气氛控制单元内的气氛切换后，将掩模版从第一气氛控制单元传送至温控单元，并控制温控单元内的温度大于有机物的分解温度；

在有机物分解完成后，将掩模版从温控单元传送至清洁单元，并使用清洁单元对掩模版上的残留物进行清洁；

在对残留物清洁完成后，将所述掩模版从所述清洁单元传送至干燥单元，并使用干燥单元对掩模版进行干燥。

有益效果：本申请提供一种掩模版清洗设备和掩模版清洗方法；该掩模版清洗设备包括第一气氛控制单元、温控单元、清洁单元和干燥单元；第一气氛控制单元用于切换掩模版的气氛，掩模版上粘附有有机物，温控单元与第一气氛控制单元连接，清洁单元与温控单元连接，用于清洁掩模版上的残留物，干燥单元与清洁单元连接，用于干燥掩模版，其中，在掩模版设置于温控单元内时，温控单元的温度大于有机物的分解温度。本申请通过设置温控单元，且在掩模版设置于温控单元内时，温控单元的温度大于有机物的分解温度，则可以通过温控单元对有机物进行分解，使有机物碳化、汽化、分解为小分子，则可以初步去除掩模版上的有机物，然后通过清洗掩模版上的残留物，并对掩模版进行干燥，完成对掩模版的清洁，该过程无需引入NMP等化学物质，提高了安全性，且该过程无需特定空间，提高掩模版清洁的效率。

附图说明

下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。

图1为本申请实施例提供的掩模版清洗设备的示意图。

图2为本申请实施例提供的掩模版清洗方法的流程图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。

本申请实施例针对现有掩模版的清洁过程存在NMP溶液危险性较高导致清洁过程效率较低的技术问题，提供一种掩模版清洗设备和掩模版清洗方法，用以解决上述技术问题。

如图1所示，本申请实施例提供一种掩模版清洗设备，该掩模版清洗设备包括：

第一气氛控制单元11，用于切换掩模版的气氛；所述掩模版上粘附有有机物；

温控单元12，所述温控单元12与所述第一气氛控制单元11连接；

清洁单元14，与所述温控单元12连接，用于清洁所述掩模版上的残留物；

干燥单元15，与所述清洁单元14连接，用于干燥所述掩模版；

其中，在所述掩模版设置于所述温控单元12内时，所述温控单元12的温度大于所述有机物的分解温度。

本申请实施例提供一种掩模版清洗设备，该掩模版清洗设备设有温控单元，且在掩模版设置于温控单元内时，温控单元的温度大于有机物的分解温度，则可以通过温控单元对有机物进行分解，使有机物碳化、汽化、分解为小分子，则可以初步去除掩模版上的有机物，然后通过清洗掩模版上的残留物，并对掩模版进行干燥，完成对掩模版的清洁，该过程无需引入NMP等化学物质，提高了安全性，且该过程无需特定空间，提高掩模版清洁的效率。

在一种实施例中，所述第一气氛控制单元包括第一抽气单元和第一预抽真空室，所述第一抽气单元设置于所述第一预抽真空室上，用于在所述掩模版设置在所述第一预抽真空室时，对所述第一预抽真空室抽气。通过设置第一预抽真空室和第一抽气单元，在掩模版送入第一气氛控制单元时，将掩模版设置在第一预抽真空室，并通过第一抽气单元将第一预抽真空室抽真空，避免空气进入导致在对掩模版上的有机物进行清理时，引入新的物质，且避免空气的引入导致有机物的清理过程减慢。

具体的，以有机物的分解过程处于真空环境时，将掩模版送入第一气氛控制单元，然后对第一气氛控制单元中的第一预抽真空室抽真空，使得掩模版处于真空气氛，则可以保持第一气氛控制单元和温控单元内气氛相同，避免空气进入温控单元影响有机物的分解过程，或者产生新物质附着在掩模版上。

在一种实施例中，所述第一气氛控制单元还包括第一通气单元，所述第一通气单元包括气室和输气单元，所述气室内设有氧气，所述输气单元与所述气室连接，用于在第一预抽真空室抽真空后，将所述气室内的氧气输入至第一预抽真空室。在有机物会处于氧气环境下进行分解时，需要使第一气氛控制单元内的气氛与温控单元的气氛相同，避免第一气氛控制单元内的其他气体对有机物的分解过程产生影响。通过对第一预抽真空室抽真空后，向第一气氛控制单元输入氧气，使得第一气氛控制单元和温控单元的气氛相同。

具体的，所述第一气氛控制单元和所述温控单元内的压强相等，通过使第一气氛控制单元和所述温控单元内的压强相等，使得掩模版从第一气氛控制单元送入温控单元时，不会影响温控单元内气氛的稳定性。

针对采用NMP溶液清洁掩模版危险性较高且效率较低的问题。在一种实施例中，所述温控单元包括温控室、温控组件和气体组件，所述温控组件与所述温控室连接，用于控制所述温控室的温度，所述气体组件与所述温控室连接，用于控制所述温控室内的气氛。通过设置温控组件，在掩模版送入至温控室时，可以通过温控组件控制温度，使有机物分解，且可以通过气体组件控制温控室的气氛，避免有机物分解过程受到影响。

具体的，通过控制温控室的温度，对有机物进行高温碳化，使有机物汽化，发生分解反应，生成小分子，去除掩模版上的有机物，此过程无需使用NMP溶液，降低了清洁掩模版的危险性，提高了清洁掩模版的效率。

具体的，可以控制有机物的分解时间，在将掩模版送入温控室并提高温控室的温度后，控制掩模版处于温控室的时间，使有机物在温控室内充分分解，避免掩模版上残留有机物。

具体的，温控室的温度范围为200摄氏度至400摄氏度，具体可以为300摄氏度，根据不同的温度，可以使掩模版处于温控室的时间不同，从而使有机物在温控室内充分分解，清洁掩模版上的有机物。

在一种实施例中，所述气体组件包括第二抽气单元和第二通气单元，所述第二抽气单元用于在所述第一气氛控制单元内的气氛为真空时，对所述温控室抽真空，所述第二通气单元用于在所述第一气氛控制单元内的气氛为氧气时，向所述温控室内通入氧气。在对掩模版上的有机物进行分解时，可以使掩模版处于真空环境或者氧气环境，并控制温度大于有机物的分解温度，则可以设置第二抽气单元对温控室抽真空，使温控室保持真空环境，或者对温控室抽真空后，向温控室通入氧气，使温控室内保持氧气环境，提高有机物的分解效率。

针对掩模版清洁后直接采用液体处理会损伤掩模版的问题。在一种实施例中，所述掩模版清洗设备还包括第二气氛控制单元，所述第二气氛控制单元一端与所述温控单元连接，所述第二气氛控制单元另一端与所述清洁单元连接，所述第二气氛控制单元用于控制从所述温控单元输出的掩模版的气氛。通过设置第二气氛控制单元，使得在温控单元内去除掩模版上的有机物后，将掩模版置于第二气氛控制单元内冷却，避免直接清洗掩模版导致掩模版出现损伤。

在一种实施例中，所述第二气氛控制单元包括第三抽气单元、第二预抽真空室和第三通气单元，所述第三抽气单元设置于所述第二预抽真空时上，所述第三通气单元与所述第二预抽真空室连接，所述第三抽气单元用于在所述掩模版设置在所述第二预抽真空室时，对所述第二预抽真空室抽气，所述第三通气单元用于在所述第二预抽真空室抽气后，向所述第二预抽真空室输入空气。通过采用第三抽气单元对第二预抽真空室抽真空，通过第三通气单元向第二预抽真空室输入空气，使得在对掩模版上的有机物进行清除后，掩模版的气氛能够为空气，且掩模版能够在空气中冷却后进行下一过程，避免掩模版温度过高直接与液体接触导致损伤。

在一种实施例中，所述清洁单元包括清洁腔和储液室，所述储液室与所述清洁腔连接，所述储液室用于在所述掩模版设置在所述清洁腔时，输出液体清洁所述掩模版。在通过温控单元将掩模版上的有机物分解后，有机物会碳化和分解残留一些物质，因此，可以通过液体清洗掩模版，去除掩模版上的残留物，避免掩模版上存在残留物影响掩模版的使用和精度。

具体的，液体包括去离子水，在通过去离子水清洁掩模版时，可以使去离子水不间断的冲刷掩模版，增大去离子水的冲击力，从而去除粘附在掩模版上的残留物，清洁掩模版。

在一种实施例中，所述干燥单元包括干燥腔和第四通气单元，所述第四通气单元与所述干燥腔连接，所述第四通气单元用于在所述掩模版设置在所述干燥腔时，向所述干燥腔通入空气。在通过温控单元分解有机物，通过清洁单元清洁残留物后，可以采用干燥单元对掩模版进行干燥，避免掩模版的存放或者使用过程中由于液体粘附在掩模版上导致掩模版粘附其他物质或者生锈，使掩模版清洗后能够正常存放或者使用。

具体的，在采用干燥单元对掩模版进行干燥时，可以使第四通气单元不间断的输入空气，从而去除掩模版上残留的水分，完成掩模版的清洁。

具体的，在第一气氛控制单元、温控单元、第二气氛控制单元、清洁单元和干燥单元内还可以设置感测单元，例如第一气氛控制单元、温控单元、第二气氛控制单元、清洁单元和干燥单元中均会设置机台或者将各单元的外壁作为承载掩模版的机台，则可以在机台上设置感测单元，使得在掩模版传送至机台上后，感测单元感测到掩模版，各单元进行相应的处理，以对掩模版进行清洁。

同时，如图2所示，本申请实施例提供一种掩模版清洗方法，该掩模版清洗方法使用上述实施例任一所述的掩模版清洗设备，该掩模版清洗方法包括：

S1，将掩模版传送至第一气氛控制单元，并切换第一气氛控制单元内的气氛；

S2，在第一气氛控制单元内的气氛切换后，将掩模版从第一气氛控制单元传送至温控单元，并控制温控单元内的温度大于有机物的分解温度；

S3，在有机物分解完成后，将掩模版从温控单元传送至清洁单元，并使用清洁单元对掩模版上的残留物进行清洁；

S4，在对残留物清洁完成后，将所述掩模版从所述清洁单元传送至干燥单元，并使用干燥单元对掩模版进行干燥。

本申请实施例提供一种掩模版清洗方法，该掩模版清洗方法使用上述实施例任一所述的掩模版清洗设备，该掩模版清洗方法通过将掩模版传送至温控大拿元内，并控制温控单元的温度大于有机物的分解温度，对有机物进行高温碳化，使有机物碳化、汽化、分解为小分子，则可以初步去除掩模版上的有机物，然后通过清洗掩模版上的残留物，并对掩模版进行干燥，完成对掩模版的清洁，该过程无需引入NMP等化学物质，提高了安全性，且该过程无需特定空间，提高掩模版清洁的效率。

根据上述实施例可知：

本申请实施例提供一种掩模版清洗设备和掩模版清洗方法；该掩模版清洗设备包括第一气氛控制单元、温控单元、清洁单元和干燥单元；第一气氛控制单元用于切换掩模版的气氛，掩模版上粘附有有机物，温控单元与第一气氛控制单元连接，清洁单元与温控单元连接，用于清洁掩模版上的残留物，干燥单元与清洁单元连接，用于干燥掩模版，其中，在掩模版设置于温控单元内时，温控单元的温度大于有机物的分解温度。本申请通过设置温控单元，且在掩模版设置于温控单元内时，温控单元的温度大于有机物的分解温度，则可以通过温控单元对有机物进行分解，使有机物碳化、汽化、分解为小分子，则可以初步去除掩模版上的有机物，然后通过清洗掩模版上的残留物，并对掩模版进行干燥，完成对掩模版的清洁，该过程无需引入NMP等化学物质，提高了安全性，且该过程无需特定空间，提高掩模版清洁的效率。

在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。

以上对本申请实施例所提供的一种掩模版清洗设备和掩模版清洗方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。