一种检测晶圆充电的方法

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种检测晶圆充电的方法。

背景技术

半导体制造过程中，涉及光刻、刻蚀、离子注入、成膜等等过程；晶圆充电通常会导致形成电弧及刻蚀异常等工艺流程。

如何快速有效的检测晶圆充电对于工艺优化尤为重要；业内目前主要通过目前主要通过引入充电的方式反向测试晶圆充电情况，这种方式对晶圆本身存在一定危害。

因此需要提出一种新的方法来解决上述问题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种检测晶圆充电的方法，用于解决现有技术中晶圆在工艺过程中充电导致形成电弧及刻蚀异常的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种检测晶圆充电的方法，该方法至少包括：

步骤一、提供晶圆；

步骤二、所述晶圆进行光刻；

步骤三、对光刻后的所述晶圆进行关键尺寸量测；

步骤四、对所述晶圆进行光学缺陷检测，确认缺陷分布，依据所述缺陷分布确定晶圆的充电分布。

优选地，步骤一中的所述晶圆为待检测充电的晶圆。

优选地，步骤二中对所述晶圆进行光刻包括：在所述晶圆上旋涂光刻胶，之后进行曝光、显影，形成光刻胶图形。

优选地，步骤三中对所述晶圆进行关键尺寸量测包括：对所述晶圆上显影后形成的光刻胶图形进行关键尺寸量测。

优选地，步骤三中采用CD-SEM量测机台对所述晶圆的光刻胶图形进行关键尺寸量测。

优选地，步骤三中对所述晶圆进行关键尺寸量测的过程中导致晶圆充电。

优选地，步骤四中对所述晶圆上的光刻胶图形进行光学缺陷检测。

优选地，步骤四中利用自动外观检机台对所述晶圆上的光刻胶图形进行光学缺陷检测。

如上所述，本发明的检测晶圆充电的方法，具有以下有益效果：本发明通过晶圆进行光学缺陷检测，有利于解释光刻胶图形的剥落以及关键尺寸的均一性呈现与晶圆充电分布一致的现象，通过光学检测避免反向充电检测缺陷而导致晶圆受损的现象。

附图说明

图1显示为本发明的检测晶圆充电的方法流程图；

图2显示为本发明中的晶圆经过光学检测的缺陷分布图；

图3显示为本发明的晶圆的充电分布示意图。

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。

请参阅图1至图3。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。

本发明提供一种检测晶圆充电的方法，如图1所示，图1显示为本发明的检测晶圆充电的方法流程图，该方法至少包括：

步骤一、提供晶圆；

本发明进一步地，本实施例的步骤一中的所述晶圆为待检测充电的晶圆。由于工艺过程会导致晶圆进行充电，产生电弧，进而导致光刻胶图形产生缺陷。

步骤二、所述晶圆进行光刻；

本发明进一步地，本实施例的步骤二中对所述晶圆进行光刻包括：在所述晶圆上旋涂光刻胶，之后进行曝光、显影，形成光刻胶图形。

步骤三、对光刻后的所述晶圆进行关键尺寸量测；

本发明进一步地，本实施例的步骤三中对所述晶圆进行关键尺寸量测包括：对所述晶圆上显影后形成的光刻胶图形进行关键尺寸量测。

本发明进一步地，本实施例的步骤三中采用CD-SEM量测机台对所述晶圆的光刻胶图形进行关键尺寸量测。

本发明进一步地，本实施例的步骤三中对所述晶圆进行关键尺寸量测的过程中导致晶圆充电。

步骤四、对所述晶圆进行光学缺陷检测，确认缺陷分布，依据所述缺陷分布确定晶圆的充电分布。

本发明进一步地，本实施例的步骤四中对所述晶圆上的光刻胶图形进行光学缺陷检测。

本发明进一步地，本实施例的步骤四中利用自动外观检机台对所述晶圆上的光刻胶图形进行光学缺陷检测。

如图2所示，图2显示为本发明中的晶圆经过光学检测的缺陷分布图；图3显示为本发明的晶圆的充电分布示意图。经对比可知，在光刻工艺结束检测关键尺寸之后，在外观检下观察到光刻胶图形形貌异常，多片晶圆呈现相同的缺陷分布；由于晶圆本身充电，在光刻CD-SEM量测过程中会引入电子，量测过程导致晶圆的充电获得增强，导致光刻胶形貌异常，因此相同的充电缺陷分布导致呈现相同的缺陷分布。

综上所述，本发明通过晶圆进行光学缺陷检测，有利于解释光刻胶图形的剥落以及关键尺寸的均一性呈现与晶圆充电分布一致的现象，通过光学检测避免反向充电检测缺陷而导致晶圆受损的现象。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。

上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。