一种大直径硅片垂直度控制工装

技术领域

本发明涉及一种工装装置，更具体的说涉及一种大直径硅片垂直度控制工装。

背景技术

在直拉单晶硅中，由于晶体生长方时的热振动、热冲击等原因，使得整根单晶硅的直径有一定偏差起伏；这就造成单晶硅棒的两个端面存在有一定的偏差，端面垂直度偏差的大小，直接影响到后续滚圆等工序的加工质量，因此需对其垂直度进行控制。

目前，现有的大直径硅片垂直度控制装置在使用时由于大直径硅片表面过于光滑、硅片与顶尖接触面积过小、对大直径硅片的夹持力弱，导致在大直径硅片外圆磨削过程中造成晶锭掉落；而若在外圆磨削时增大大直径硅片外圆面与外圆磨床砂轮之间的摩擦力，同样会导致大直径硅片从顶尖夹持中间掉落使大直径硅片开裂无法使用，并有可能会在砂轮高速磨削过程中，将大直径硅片打出造成人身事故。

发明内容

本发明的目的在于针对现有技术中存在的上述问题，提供一种大直径硅片垂直度控制工装。

为实现上述目的，本发明的技术解决方案是：一种大直径硅片垂直度控制工装，包括可旋转下圆盘、竖直支撑架、直线导轨、卡套、标准对盘、气缸、百分表和磁力表座，所述的直线导轨固定在竖直支撑架上，直线导轨与竖直支撑架平行，所述的卡套与直线导轨滑动连接，卡套可沿直线导轨上下滑动，直线导轨顶端的连接板与气缸的活塞连接，所述的标准对盘安装在卡套上，所述的百分表安装在磁力表座上，百分表卡在大直径硅片外圆上，所述的可旋转下圆盘中心开设有中心孔Ⅰ，所述的中心孔Ⅰ内安装有轴承，所述的标准对盘中心开设有中心孔Ⅱ，可旋转下圆盘与标准对盘相对应，所述的中心孔Ⅰ中心线与中心孔Ⅱ中心线在一条直线上。

所述的可旋转下圆盘设置在台面上。

所述的直线导轨通过横板固定在竖直支撑架上，所述的横板与竖直支撑架垂直连接。

与现有技术相比较，本发明的有益效果是：

本发明能够实现对大直径硅片垂直度的控制，大直径硅片的垂直度在10微米之内，精度高；且粘胶、去胶容易，可快速完成粘胶，节省人力成本，提高效率。

附图说明

图1是本发明结构示意图。

图中：可旋转下圆盘1，支撑架2，直线导轨3，卡套4，标准对盘5，气缸6，台面7，中心孔Ⅰ8，中心孔Ⅱ9，连接板10，横板11。

具体实施方式

以下结合附图说明和具体实施方式对本发明作进一步的详细描述。

参见图1，一种大直径硅片垂直度控制工装，用于大直径硅片滚圆之前，包括可旋转下圆盘1、竖直支撑架2、直线导轨3、卡套4、滚圆用的标准对盘5、气缸6、百分表和磁力表座。所述的直线导轨3固定在竖直支撑架2上，直线导轨3与竖直支撑架2平行；所述的卡套4带有滚针轴承，卡套4与直线导轨3滑动连接，卡套4可沿直线导轨3上下滑动。直线导轨3顶端的连接板10与气缸6的活塞连接，所述的标准对盘5安装在卡套4上；所述的百分表安装在磁力表座上，磁力表座上安装在可旋转下圆盘1上，百分表卡在大直径硅片外圆上，百分表用于实现找到大直径硅片的中心点。所述的可旋转下圆盘1中心开设有中心孔Ⅰ8，所述的中心孔Ⅰ8内安装有高精度轴承，所述的标准对盘5中心开设有中心孔Ⅱ9；可旋转下圆盘1与标准对盘5相对应，所述的中心孔Ⅰ8中心线与中心孔Ⅱ9中心线在一条直线上。

参见图1，所述的可旋转下圆盘1设置在台面7上。

参见图1，所述的直线导轨3通过横板11固定在竖直支撑架2上，所述的横板11与竖直支撑架2垂直连接。

参见图1，操作时，将大直径硅片放置在可旋转下圆盘1上，卡好百分表，转动可旋转下圆盘1调整大直径硅片外圆在滚圆要求范围内；将标准对盘5粘好双面胶装在卡套4上，落下卡套4就粘好一侧。然后将大直径硅片反过来，使得标准对盘5直接与可旋转下圆盘1配合良好、中心孔Ⅰ8与中心孔Ⅱ9对应一致，从而直接粘好另一侧；此时可旋转下圆盘1与标准对盘5粘好后，大直径硅片的垂直度在10微米之内，从而实现了对大直径硅片垂直度的控制，且精度高。同时，本工装本身制作的精度极高，其误差基本在10微米之内；粘胶、去胶容易，可快速完成粘胶，节省人力成本，提高效率；大直径硅片外圆调整较容易，易于不合格品的二次加工。

以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，上述结构都应当视为属于本发明的保护范围。