显示装置以及其制造方法

技术领域

本发明的实施例涉及一种显示装置以及其制造方法，更详细地，涉及一种能够在制造过程中降低发生不良的可能性的显示装置以及其制造方法。

背景技术

通常，显示装置通过在基板上形成显示装置并以与显示装置所期望的形状对应的方式切割基板，从而制造具有期望的形状的显示装置。

发明内容

然而，这种现有的显示装置存在如下的问题：在以与显示装置的期望的形状对应的方式切割基板的过程中，在显示装置可能发生裂纹或者显示装置的构成中的一部分可能被碳化。

本发明作为解决包括如上所述的问题的多个问题的方案，其目的在于提供一种在制造过程中能够降低不良发生可能性的显示装置以及其制造方法。然而，这种技术问题是示例性的，本发明的保护范围并不会被上述技术问题所限定。

根据本发明的一观点提供一种显示装置，包括：基板，具有显示区域和位于所述显示区域的外侧的周边区域；薄膜晶体管层，布置于所述基板上；残膜控制坝，位于所述基板上，位于所述显示区域的外侧；以及第一坝部，以位于所述残膜控制坝与所述显示区域之间的方式位于所述基板上，覆盖所述残膜控制坝的一部分，并且高于所述残膜控制坝的高度。

所述薄膜晶体管层可以包括：第一半导体层，布置于所述基板上；第一栅极绝缘层，覆盖所述第一半导体层；以及第一栅极层，布置于所述第一栅极绝缘层上。

所述残膜控制坝可以包括包含与所述第一栅极绝缘层相同的物质的第一无机绝缘层，所述第一无机绝缘层的厚度可以大于所述第一栅极绝缘层的厚度。

所述第一无机绝缘层与所述第一栅极绝缘层可以为一体。

所述薄膜晶体管层还可以包括：第一层间绝缘层，覆盖所述第一栅极层。

所述残膜控制坝可以包括包含与所述第一层间绝缘层相同的物质的第二无机绝缘层，所述第二无机绝缘层的厚度可以大于所述第一层间绝缘层的厚度。

所述第二无机绝缘层与所述第一层间绝缘层可以为一体。

所述薄膜晶体管层还可以包括：导电层，布置于所述第一层间绝缘层上；以及第二层间绝缘层，覆盖所述导电层。

所述残膜控制坝可以包括包含与所述第二层间绝缘层相同的物质的第三无机绝缘层，所述第三无机绝缘层的厚度可以大于所述第二层间绝缘层的厚度。

所述第三无机绝缘层与所述第二层间绝缘层可以为一体。

所述薄膜晶体管层还可以包括：第二半导体层，布置于所述第二层间绝缘层上；第二栅极绝缘层，覆盖所述第二半导体层；以及第二栅极层，布置于所述第二栅极绝缘层上。

所述残膜控制坝可以包括包含与所述第二栅极绝缘层相同的物质的第四无机绝缘层，所述第四无机绝缘层的厚度可以大于所述第二栅极绝缘层的厚度。

所述第四无机绝缘层与所述第二栅极绝缘层可以为一体。

所述薄膜晶体管层还可以包括：第三层间绝缘层，覆盖所述第二栅极层。

所述残膜控制坝可以包括包含与所述第三层间绝缘层相同的物质的第五无机绝缘层，所述第五无机绝缘层的厚度可以大于所述第三层间绝缘层的厚度。

所述第五无机绝缘层与所述第三层间绝缘层可以为一体。

所述残膜控制坝可以包括：第一无机绝缘层，包括与所述第一栅极绝缘层相同的物质；第二无机绝缘层，包括与所述第一层间绝缘层相同的物质；第三无机绝缘层，包括与所述第二层间绝缘层相同的物质；第四无机绝缘层，包括与所述第二栅极绝缘层相同的物质；以及第五无机绝缘层，包括与所述第三层间绝缘层相同的物质，其中，所述第一无机绝缘层至所述第五无机绝缘层的厚度的总和可以大于所述第一栅极绝缘层、所述第一层间绝缘层、所述第二层间绝缘层、所述第二栅极绝缘层以及所述第三层间绝缘层的厚度的总和。

所述第一无机绝缘层与所述第一栅极绝缘层可以为一体，所述第二无机绝缘层与所述第一层间绝缘层可以为一体，所述第三无机绝缘层与所述第二层间绝缘层可以为一体，所述第四无机绝缘层与所述第二栅极绝缘层可以为一体，所述第五无机绝缘层与所述第三层间绝缘层可以为一体。

所述残膜控制坝可以在上表面具有沿着所述显示区域的外侧延伸的至少一个凹槽。

所述残膜控制坝可以围绕所述显示区域一周。

当从垂直于所述基板的方向观察时，所述显示区域可以包括拐角部，所述残膜控制坝可以沿着所述拐角部延伸。

根据本发明的一观点可以提供一种显示装置的制造方法，包括如下步骤：在具有显示区域和周边区域的基板上形成具有与所述显示区域对应的薄部和与所述周边区域对应的厚部的无机绝缘层；在所述基板上形成位于所述厚部的朝所述显示区域方向的一侧的第一坝部和位于所述厚部的另一侧的第二坝部；以及向所述厚部照射激光束来去除所述第二坝部以及位于所述第二坝部外侧的下部的所述基板的一部分。

所述制造方法还可以包括如下步骤：在所述基板上形成第一半导体层，其中，形成所述无机绝缘层的步骤可以为形成覆盖所述第一半导体层的无机绝缘层的步骤。

所述制造方法还可以包括如下步骤：在所述基板上形成第一半导体层；以及在所述第一半导体层上部形成第一栅极层，其中，形成所述无机绝缘层的步骤可以为形成覆盖所述第一栅极层的无机绝缘层的步骤。

所述制造方法还可以包括如下步骤：在所述基板上形成第一半导体层；在所述第一半导体层上部形成第一栅极层；以及在所述第一栅极层上部形成导电层，其中，形成所述无机绝缘层的步骤可以为形成覆盖所述导电层的无机绝缘层的步骤。

所述制造方法还可以包括如下步骤：在所述基板上形成第一半导体层；在所述第一半导体层上部形成第一栅极层；在所述第一栅极层上部形成导电层；以及在所述导电层上部形成第二半导体层，其中，形成所述无机绝缘层的步骤可以为形成覆盖所述第二半导体层的无机绝缘层的步骤。

所述制造方法还可以包括如下步骤：在所述基板上形成第一半导体层；在所述第一半导体层上部形成第一栅极层；在所述第一栅极层上部形成导电层；在所述导电层上部形成第二半导体层；以及在所述第二半导体层上部形成第二栅极层，其中，形成所述无机绝缘层的步骤可以为形成覆盖所述第二栅极层的无机绝缘层的步骤。

所述制造方法还可以包括如下步骤：在所述基板上形成第一半导体层；在所述第一半导体层上部形成第一栅极层；在所述第一栅极层上部形成导电层；在所述导电层上部形成第二半导体层；以及在所述第二半导体层上部形成第二栅极层，其中，形成所述无机绝缘层的步骤可以包括如下步骤：形成覆盖所述第一半导体层的第一无机绝缘层；形成覆盖所述第一栅极层的第二无机绝缘层；形成覆盖所述导电层的第三无机绝缘层；形成覆盖所述第二半导体层的第四无机绝缘层；以及形成覆盖所述第二栅极层的第五无机绝缘层。

除了上述内容之外的其他方面、特征、优点将从以下的附图、权利要求书及发明的详细说明得以明确。

根据如上所述的根据本发明的显示装置的制造方法的一实施例，可以提供一种在制造过程中能够降低不良发生可能性的显示装置以及其制造方法。当然，本发明的保护范围并不会被该效果所限定。

附图说明

图1是用于说明根据本发明的一实施例的显示装置的制造方法的流程图。

图2是示意性地图示在借由根据本发明的一实施例的显示装置的制造方法而制造中的显示装置的平面图。

图3是示意性地图示沿图2的I-I’线截取的截面的剖视图。

图4是用于说明根据比较例的显示装置的制造方法的剖视图。

图5是用于说明根据比较例的显示装置的制造方法的剖视图。

图6是示意性地图示在借由根据本发明的一实施例的显示装置的制造方法而制造中的显示装置的一部分的剖视图。

图7是示意性地图示在借由根据本发明的一实施例的显示装置的制造方法而制造中的显示装置的一部分的剖视图。

图8是示意性地图示在借由根据本发明的一实施例的显示装置的制造方法而制造中的显示装置的一部分的剖视图。

图9是示意性地图示在借由根据本发明的一实施例的显示装置的制造方法而制造中的显示装置的一部分的剖视图。

图10是示意性地图示在借由根据本发明的一实施例的显示装置的制造方法而制造中的显示装置的一部分的剖视图。

图11是示意性地图示在借由根据本发明的一实施例的显示装置的制造方法而制造中的显示装置的剖视图。

图12是示意性地图示在借由根据本发明的一实施例的显示装置的制造方法而制造中的显示装置的剖视图。

图13是示意性地图示根据本发明的一实施例的显示装置的平面图。

图14是示意性地图示沿图13的III-III’线截取的截面的剖视图。

图15是示意性地图示根据本发明的一实施例的显示装置的一部分的剖视图。

附图标记说明：

DA：显示区域               PA：周边区域

2：显示装置                100：基板

C1、C2、C3、C4：拐角部        TFT：薄膜晶体管层

113：第一栅极绝缘层        114：第一层间绝缘层

115：第二层间绝缘层        116：第二栅极绝缘层

117：第三层间绝缘层        210：第一半导体层

220：第一栅极层            230：导电层

240：第二半导体层          250：第二栅极层

300、500：残膜控制坝        310、510：第一无机绝缘层

320、520：第二无机绝缘层    330、530：第三无机绝缘层

340、540：第四无机绝缘层    350、550：第五无机绝缘层

400：第一坝部              560：第五凹槽

具体实施方法

本发明可以进行多种变换，且可以具有多个实施例，在附图中举例示出特定实施例，并在具体实施方式中进行详细说明。若参考与附图一起在后面详细描述的实施例，则本发明的效果与特征以及达成所述效果与特征的方法将会变得明确。然而，本发明并不限于以下公开的实施例，可以以多种形态实现。

以下，将参照附图详细说明本发明的实施例，且在参照附图进行说明时，对相同或者对应的构成要素赋予相同的附图标记并省略对它们的重复说明。

在以下的实施例中，提及层、膜、区域、板等的各种构成要素位于另一构成要素“上”时，不仅包括在另一构成要素的“紧邻的上方”的情形，还包括在其之间介设有其他构成要素的情形。为了便于说明，附图中的构成要素的大小可以被夸大或者缩小。例如，为了便于说明，在附图中示出的各个构成的大小以及厚度被任意地示出，因此本发明并不一定限于图示的内容。

在以下的实施例中，x轴、y轴以及z轴不限于直角坐标系上的三个轴，可以被解释为包括其的宽泛的含义。例如，x轴、y轴以及z轴虽然也可以彼此垂直，但也可以指代彼此不垂直的彼此不同的方向。

在以下实施例中，第一、第二等术语并不被使用为限定性含义，而是被使用为将一个构成要素与其他构成要素进行区分的目的。

在以下的实施例中，只要在上下文中没有明确表示其他含义，则单数的表述包括复数的表述。

在以下的实施例中，“包括”或者“具有”等术语表示说明书中记载的特征或者构成要素的存在，并不预先排除一个以上的其他特征或者构成要素的附加可能性。

在本说明书中，“A和/或B”表示A，或者B，或者A和B的情形。并且，“A和B中的至少一个”表示A，或者B，或者A和B的情形。

在以下的实施例中，当提及连接有膜、区域、构成要素等时，还包括膜、区域、构成要素直接连接的情形和/或在膜、区域、构成要素之间介设有其他膜、区域、构成要素而间接地连接的情形。例如，在本说明书中，当提及电连接有膜、区域、构成要素等时，表示膜、区域、构成要素直接电连接的情形和/或在其中间介设有其他膜、区域、构成要素而间接地电连接的情形。

图1是用于说明根据本发明的一实施例的显示装置的制造方法的流程图。图2是示意性地图示在借由根据本发明的一实施例的显示装置的制造方法而制造中的显示装置1的平面图，图3是示意性地图示沿图2的I-I’线截取的截面的剖视图。

在步骤S110中，可以在具有显示区域DA和周边区域PA的基板100上形成具有与显示区域DA对应的薄部和与周边区域PA对应的厚部的无机绝缘层。当然，也可以在形成无机绝缘层之前进行其他工艺。例如，可以执行在基板100的整个表面上形成缓冲层111的工艺。并且，为了保护第一半导体层210，可以执行形成屏蔽层200的工艺以及形成绝缘层112以覆盖屏蔽层200的工艺。

基板100可以包括具有柔性或可弯曲特性的多种材料。例如，基板100可以包括玻璃、金属或高分子树脂。并且，基板100可以包括诸如聚醚砜(polyethersulfone)、聚丙烯酸酯(polyacrylate)、聚醚酰亚胺(polyetherimide)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylenenaphthalate)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate)、聚苯硫醚(polyphenylene sulfide)、聚芳酯(polyarylate)、聚酰亚胺(polyimide)、聚碳酸酯(polycarbonate)或醋酸丙酸纤维素(cellulose acetate propionate)之类的高分子树脂。当然，基板100能够实现多种变形，例如，也可以实现为具有包括分别包含如上所述的高分子树脂的两个层和介于所述两个层之间的包含无机物(氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等)的阻挡层的多层结构等。

如图2所示，基板100可以包括显示区域DA、显示区域DA外侧的周边区域PA以及周边区域PA外侧的切割区域CA。显示区域DA的边缘整体上可以具有与矩形或正方形相似的形状。但是，如图2所示，显示区域DA的边缘也可以不具有尖锐的部分。具体地，显示区域DA可以包括彼此面对的第一边缘部E1和第二边缘部E2以及彼此面对且位于第一边缘部E1与第二边缘部E2之间的第三边缘部E3及第四边缘部E4。垫区域PADA可以与第一边缘部E1至第四边缘部E4中的第二边缘部E2相邻。第一边缘部E1和第三边缘部E3可以相接而形成第一拐角部C1，并且第一拐角部C1可以具有圆滑的形状。第一边缘部E1可以与第四边缘部E4相接而形成第二拐角部C2，第二边缘部E2可以与第三边缘部E3相接而形成第三拐角部C3，并且第二边缘部E2可以与第四边缘部E4相接而形成第四拐角部C4。当然，第二拐角部C2、第三拐角部C3和第四拐角部C4也可以具有圆滑的形状。

在基板100的显示区域DA和周边区域PA的整个表面上可以形成无机绝缘层，无机绝缘层可以包括多个无机绝缘层113、114、115、116、117。无机绝缘层113、114、115、116、117中的至少一个可以包括厚度较薄的薄部和厚度比薄部厚的厚部。在图3中图示了无机绝缘层113、114、115、116、117中的每一个包括厚度较薄的薄部和厚度比薄部厚的厚部的情形。无机绝缘层113、114、115、116、117的薄部可以形成为与显示区域DA对应。即，无机绝缘层113、114、115、116、117的薄部可以形成为与显示区域DA重叠。无机绝缘层113、114、115、116、117的厚部可以形成为与周边区域PA对应。即，无机绝缘层113、114、115、116、117的厚部可以形成为与周边区域PA重叠。这种具有薄部和厚部的无机绝缘层113、114、115、116、117可以利用半色调(half-tone)掩模来形成。

如图3所示，在显示区域DA除了显示元件280之外还可以设置有与显示元件280电连接的薄膜晶体管层TFT。在图3中图示了作为显示元件280的有机发光元件位于显示区域DA的情形。这种有机发光元件与薄膜晶体管层TFT电连接可以理解为像素电极281与薄膜晶体管层TFT电连接。当然，根据需要也可以在显示区域DA外侧的周边区域PA布置有薄膜晶体管(未图示)。位于这种周边区域PA的薄膜晶体管可以是例如用于控制施加于显示区域DA内的电信号的电路部的一部分。

这种薄膜晶体管层TFT可以包括第一半导体层210、第一栅极层220、导电层230、第二半导体层240以及第二栅极层250。并且，薄膜晶体管层TFT为了确保包括在薄膜晶体管层TFT的层之间的绝缘性而可以包括多个无机绝缘层113、114、115、116、117。

可以在基板100上形成第一半导体层210，并且在第一半导体层210上形成第一栅极层220。为了确保第一半导体层210与第一栅极层220之间的绝缘性，在第一半导体层210与第一栅极层220之间可以形成覆盖第一半导体层210的第一栅极绝缘层113。

第一半导体层210可以包括硅半导体。例如，第一半导体层210可以包括非晶硅或多晶硅。具体地，第一半导体层210可以包括在低温下结晶的多晶硅。根据需要，在第一半导体层210的至少一部分可以注入离子。

第一栅极层220可以包括金属、合金、导电金属氧化物或透明导电物质等。例如，第一栅极层220可以包括银(Ag)、含银合金、钼(Mo)、含钼合金、铝(Al)、含铝合金、氮化铝(AlN)、钨(W)、氮化钨(WN)、铜(Cu)、镍(Ni)、铬(Cr)、氮化铬(CrN)、钛(Ti)、钽(Ta)、铂(Pt)、钪(Sc)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等。这种第一栅极层220可以形成为具有多层结构，例如，第一栅极层220可以形成为具有Mo/Al的双层结构或Mo/Al/Mo的三层结构。

第一栅极绝缘层113可以是包含氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅等的无机物的无机绝缘层。这种第一栅极绝缘层113可以是上述无机绝缘层中的一个的薄部。这种第一栅极绝缘层113可以通过化学气相沉积法(CVD：Chemical Vapor Deposition)或原子层沉积法(ALD：atomic layer deposition)形成。这在后述的实施例及其变形例中也相同。

在第一栅极层220上可以以覆盖第一栅极层220的方式形成第一层间绝缘层114。第一层间绝缘层114可以是包含氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅等的无机物的无机绝缘层。这种第一层间绝缘层114可以是上述的无机绝缘层中的一个的薄部。这种第一层间绝缘层114可以通过CVD或ALD形成。这在后述的实施例及其变形例中也相同。

可以在第一层间绝缘层114上形成导电层230，并且以覆盖导电层230的方式形成第二层间绝缘层115。第二层间绝缘层115可以是包含氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅等的无机物的无机绝缘层。这种第二层间绝缘层115可以是上述的无机绝缘层中的一个的薄部。这种第二层间绝缘层115可以通过CVD或ALD形成。这在后述的实施例及其变形例中也相同。

导电层230可以包括金属、合金、导电金属氧化物或透明导电物质等。例如，导电层230可以包括银(Ag)、含银合金、钼(Mo)、含钼合金、铝(Al)、含铝合金、氮化铝(AlN)、钨(W)、氮化钨(WN)、铜(Cu)、镍(Ni)、铬(Cr)、氮化铬(CrN)、钛(Ti)、钽(Ta)、铂(Pt)、钪(Sc)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等。这种导电层230可以形成为具有多层结构，例如，导电层230可以形成为具有Mo/Al的双层结构或Mo/Al/Mo的三层结构。

并且，可以在导电层230上部形成第二半导体层240，并且在第二半导体层240上部形成第二栅极层250。为了确保第二半导体层240与第二栅极层250之间的绝缘性，可以在第二半导体层240与第二栅极层250之间形成覆盖第二半导体层240的第二栅极绝缘层116。

第二半导体层240可以包括氧化物半导体，并且第二栅极层250可以包括金属、合金、导电金属氧化物或透明导电物质等。例如，第二栅极层250可以包括银(Ag)、含银合金、钼(Mo)、含钼合金、铝(Al)、含铝合金、氮化铝(AlN)、钨(W)、氮化钨(WN)、铜(Cu)、镍(Ni)、铬(Cr)、氮化铬(CrN)、钛(Ti)、钽(Ta)、铂(Pt)、钪(Sc)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等。这种第二栅极层250可以形成为具有多层结构，例如，第二栅极层250可以形成为具有Mo/Al的双层结构或Mo/Al/Mo的三层结构。

第二栅极绝缘层116可以是包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅等的无机物的无机绝缘层。这种第二栅极绝缘层116可以是上述无机绝缘层中的一个的薄部。这种第二栅极绝缘层116可以通过CVD或ALD形成。这在后述的实施例及其变形例中也相同。

可以以覆盖第二栅极层250的方式形成第三层间绝缘层117。第三层间绝缘层117可以是包含氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅等的无机物的无机绝缘层。这种第三层间绝缘层117可以是上述的无机绝缘层中的一个的薄部。这种第三层间绝缘层117可以通过CVD或ALD形成。这在后述的实施例及其变形例中也相同。

如图3所示，在周边区域PA残膜控制坝300可以位于。残膜控制坝300可以包括第一无机绝缘层310、第二无机绝缘层320、第三无机绝缘层330、第四无机绝缘层340、第五无机绝缘层350。第一无机绝缘层310可以利用与包括在薄膜晶体管层TFT的第一栅极绝缘层113相同的物质同时形成为一体。即，第一无机绝缘层310可以是作为无机绝缘层的第一栅极绝缘层113的厚部。包括在薄膜晶体管层TFT的第一栅极绝缘层113的厚度与第一无机绝缘层310的厚度不同，从而如上所述地形成为一体且厚度不同的第一栅极绝缘层113和第一无机绝缘层310可以利用半色调掩模来形成。

第二无机绝缘层320可以利用与包括在薄膜晶体管层TFT的第一层间绝缘层114相同的物质同时形成为一体。即，第二无机绝缘层320可以是作为无机绝缘层的第一层间绝缘层114的厚部。包括在薄膜晶体管层TFT的第一层间绝缘层114的厚度与第二无机绝缘层320的厚度不同，从而如上所述地形成为一体且厚度不同的第一层间绝缘层114和第二无机绝缘层320可以利用半色调掩模来形成。第三无机绝缘层330可以利用与包括在薄膜晶体管层TFT的第二层间绝缘层115相同的物质同时形成为一体。即，第三无机绝缘层330可以是作为无机绝缘层的第二层间绝缘层115的厚部。包括在薄膜晶体管层TFT的第二层间绝缘层115的厚度与第三无机绝缘层330的厚度不同，从而如上所述地形成为一体且厚度不同的第二层间绝缘层115和第三无机绝缘层330可以利用半色调掩模来形成。

第四无机绝缘层340可以利用与包括在薄膜晶体管层TFT的第二栅极绝缘层116相同的物质同时形成为一体。即，第四无机绝缘层340可以是作为无机绝缘层的第二栅极绝缘层116的厚部。包括在薄膜晶体管层TFT的第二栅极绝缘层116的厚度与第四无机绝缘层340的厚度不同，从而如上所述地形成为一体且厚度不同的第二栅极绝缘层116和第四无机绝缘层340可以利用半色调掩模来形成。第五无机绝缘层350可以利用与包括在薄膜晶体管层TFT的第三层间绝缘层117相同的物质同时形成为一体。即，第五无机绝缘层350可以是作为无机绝缘层的第三层间绝缘层117的厚部。包括在薄膜晶体管层TFT的第三层间绝缘层117的厚度与第五无机绝缘层350的厚度不同，从而如上所述地形成为一体且厚度不同的第三层间绝缘层117和第五无机绝缘层350可以利用半色调掩模来形成。

残膜控制坝300可以形成为环绕显示区域DA一周。然而，本发明不限于此。由于第一坝部400和第二坝部600之间的距离在与显示区域DA的边缘部E1、E2、E3、E4相邻的区域中较窄，并且第一无机封装层291和第二无机封装层293覆盖第一坝部400和第二坝部600，因此，与相邻于显示区域DA的拐角部C1、C2、C3、C4的区域相比，第一坝部400与第二坝部600之间的谷的深度可以更浅。

如作为用于说明根据比较例的显示装置的制造方法的剖视图的图4所示，在与对应于图2的I-I’线的显示区域DA的拐角部相邻的区域中，第二坝部600形成为从第一坝部400隔开第一距离L1。因此，在没有形成残膜控制坝300的情况下，第二谷VA2具有第二深度D2。然而，如作为用于说明根据比较例的显示装置的制造方法的剖视图的图5所示，在与对应于图2的II-II’线的显示区域DA的边缘部相邻的区域中，第二坝部600形成为从第一坝部400隔开比第一距离L1短的第二距离L2。因此，即使没有形成残膜控制坝300，第三谷VA3也具有比第二深度D2浅的第三深度D3。

因此，如果需要，残膜控制坝300可以与包括在显示区域DA的拐角部C1、C2、C3、C4对应地沿着拐角部C1、C2、C3、C4延伸，并且可以不存在于拐角部C1、C2、C3、C4之间。

在步骤S120中，在基板100上，可以在残膜控制坝300的朝显示区域DA方向的一侧形成第一坝部400，并且在残膜控制坝300的另一侧形成第二坝部600。如上所述，残膜控制坝300包括作为无机绝缘层113、114、115、116、117的厚部的第一无机绝缘层310至第五无机绝缘层350。

如图3所示，在第三层间绝缘层117上可以形成包括源极电极261和漏极电极262的第一连接电极层260，并且可以以覆盖第一连接电极层260的方式形成第一平坦化层118。第一平坦化层118可以包括有机绝缘物质。例如，第一平坦化层118可以包括光刻胶、苯并环丁烯(BCB：Benzocyclobutene)、聚酰亚胺(polyimide)、六甲基二硅氧烷(HMDSO：Hexamethyldisiloxane)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA：Polymethylmethacrylate)、聚苯乙烯(Polystyrene)、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸类高分子、酰亚胺类高分子、芳基醚类高分子、酰胺类高分子、氟类高分子、对二甲苯类高分子、乙烯醇类高分子或其混合物等。

在第一平坦化层118上可以形成第二连接电极层270，并且可以以覆盖第二连接电极层270的方式形成第二平坦化层119。第二平坦化层119可以包括有机绝缘物质。例如，第二平坦化层119可以包括光刻胶、苯并环丁烯(BCB：Benzocyclobutene)、聚酰亚胺(polyimide)、六甲基二硅氧烷(HMDSO：Hexamethyldisiloxane)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA：Polymethylmethacrylate)、聚苯乙烯(Polystyrene)、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸类高分子、酰亚胺类高分子、芳基醚类高分子、酰胺类高分子、氟类高分子、对二甲苯类高分子、乙烯醇类高分子或其混合物等。

在显示区域DA内，具有像素电极281、对向电极283以及夹设于像素电极281与对向电极283之间且包括发光层的中间层282的有机发光元件可以位于第二平坦化层119上。如图3所示，像素电极281可以通过第一连接电极层260以及第二连接电极层270而与源极电极261及漏极电极262中的一个接触，从而与薄膜晶体管层TFT电连接。

在第二平坦化层119上可以形成像素定义膜120。该像素定义膜120具有与各子像素对应的开口(即，至少使像素电极281的中央部暴露的开口)，从而起到定义像素的作用。并且，在图3所示的情况下，像素定义膜120起到通过增加像素电极281的边缘与像素电极281上部的对向电极283之间的距离来防止在像素电极281的边缘产生电弧等的作用。这种像素定义膜120可以利用例如聚酰亚胺或六甲基二硅氧烷(HMDSO：Hexamethyldisiloxane)等的有机物形成。

在周边区域PA的像素定义膜120上可以形成间隔部121。间隔部121可以配备为从像素定义膜120朝封装层290方向突出，并且可以用于防止在工序期间由于掩模磕碰等而导致的不良。间隔部121可以利用诸如聚酰亚胺或六甲基二硅氧烷等的有机物形成。

有机发光元件的中间层282可以包含低分子或高分子物质。在包含低分子物质的情况下，空穴注入层(HIL：Hole Injection Layer)、空穴传输层(HTL：Hole TransportLayer)、发光层(EML：Emission Layer)、电子传输层(ETL：Electron Transport Layer)、电子注入层(EIL：Electron Injection Layer)等可以具有层叠为单一或复合的结构的结构，并且可以包括诸如铜酞菁(CuPc：copper phthalocyanine)、N,N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(NPB：N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine)、三-8-羟基喹啉铝(Alq3：tris-8-hydroxyquinoline aluminum)之类的多种有机物质。这些层可以利用真空沉积的方法形成。

在中间层282包含高分子物质的情况下，大致可以具有包括空穴传输层及发光层的结构。此时，空穴传输层可以包含聚(3,4-乙撑二氧噻吩)(PEDOT)，发光层可以包含聚-苯撑乙烯撑(PPV：Poly-Phenylenevinylene)类及聚芴(Polyfluorene)类等高分子物质。这种中间层282可以通过丝网印刷、喷墨印刷、激光诱导热成像(LITI：Laser induced thermalimaging)等形成。

当然，中间层282并非必须限定于此，也可以具有多样的结构。此外，中间层282可以包括跨过多个像素电极281的一体的层，或者也可以包括与多个像素电极281中的每一个对应地图案化的层。

对向电极283可以布置于显示区域DA上部，并且如图3所示，可以布置为覆盖显示区域DA。即，在多个有机发光元件中，对向电极283可以形成为一体，并且可以对应于多个像素电极281。

由于这种有机发光元件可能容易被来自外部的水分或氧气等受损，因此封装层290可以覆盖这种有机发光元件而保护有机发光元件。封装层290可以覆盖显示区域DA并延伸到显示区域DA外侧。如图3所示，封装层290可以包括第一无机封装层291、有机封装层292和第二无机封装层293。

第一无机封装层291可以覆盖对向电极283，并且可以包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。当然，根据需要，可以在第一无机封装层291与对向电极283之间设置诸如覆盖层之类的其他层。由于这种第一无机封装层291沿着其下部的结构物形成，因此第一无机封装层291的上表面如图3所示地不平坦。有机封装层292可以覆盖这种第一无机封装层291，然而与第一无机封装层291不同，有机封装层292的上表面可以大致平坦。具体地，有机封装层292的上表面可以在与显示区域DA对应的部分大致平坦。这种有机封装层292可以包括选自由聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸酯、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷组成的组中的一种以上的材料。第二无机封装层293可以覆盖有机封装层292，并且可以包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。这种第二无机封装层293可以在位于显示区域DA外侧的其边缘处与第一无机封装层291接触，从而可以防止有机封装层292暴露于外部。

如此，由于封装层290包括第一无机封装层291、有机封装层292以及第二无机封装层293，从而即使在封装层290内产生裂纹，也可以通过上述多层结构防止此种裂纹在第一无机封装层291与有机封装层292之间或在有机封装层292与第二无机封装层293之间连接。由此，可以防止或最小化形成来自外部的水分或氧气等渗透到显示区域DA的路径。

如上所述，在周边区域PA可以形成第一坝部400。具体地，可以以如下方式形成第一坝部400：使得第一坝部400覆盖电源供应线263的至少一部分，并位于残膜控制坝300的显示区域DA方向上的一侧，并且围绕显示区域DA。第一坝部400可以包括靠近显示区域DA的第一坝410和位于第一坝410与残膜控制坝300之间的第二坝420。

第一坝410可形成于电源供应线263上部。第一坝410可以具有第一层119a和第二层120a层叠的结构。第一层119a可以在形成第二平坦化层119时利用相同的物质同时形成，并且第二层120a可以在形成像素定义膜120时利用相同的物质同时形成。与电源供应线263上表面直接接触的第一层119a可以利用与金属的粘合力更加优秀的有机物质形成，而不是利用无机物质形成，从而第一坝410可以稳定地形成于电源供应线263上。然而，本发明并不局限于此，第一坝410可以利用其他材料形成为其他高度。

第二坝420可以以覆盖电源供应线263的一端的方式形成于第一坝410的外侧。第二坝420可以具有第一层118b、第二层119b及第三层120b层叠的结构。第一层118b可以在形成第一平坦化层118时利用相同的物质同时形成，第二层119b可以在形成第二平坦化层119时利用相同的物质同时形成，并且第三层120b可以在形成像素定义膜120时利用相同的物质同时形成。第二坝420的高度可以高于第一坝410的高度。

第二坝420的第一层118b可以覆盖电源供应线263端部，从而可以防止电源供应线263在使用热或药品的背板(backplane)制造工序中受损。并且，第二坝420可以在形成有机封装层292的过程中防止或最小化用于形成有机封装层292的物质泄漏到第一坝部400外部。同时，由于第二坝420形成得比第一坝410高，从而在利用金属掩模(未图示)形成封装层290的制造工艺中可以防止金属掩模与对向电极283的表面接触而使对向电极283的表面受损。

图3中示出了第一坝部400利用第一坝410和第二坝420构成(即，由两个坝构成)的情形，但本发明不限于此。坝的数量、高度、材料等可以进行多种变形。

并且，如上所述，在周边区域PA可以形成第二坝部600。具体地，可以以使第二坝部600位于残膜控制坝300与基板100的一端之间并围绕显示区域DA的方式形成第二坝部600。第二坝部600可以具有第一层118c、第二层119c、第三层120c及第四层121c堆叠的结构。第一层118c可以在形成第一平坦化层118时利用相同的物质同时形成，第二层119c可以在形成第二平坦化层119时利用相同的物质同时形成。第三层120c可以在形成像素定义膜120时利用相同的物质同时形成，并且第四层121c可以在形成间隔部121时利用相同的物质同时形成。第二坝部600的高度可以高于第一坝部400的高度。

如此，随着形成第一坝部400和第二坝部600，在周边区域PA可以形成对应于第一坝部400与第二坝部600之间的第一谷VA1。具体地，由于第一坝部400和第二坝部600形成得比与第一坝部400及第二坝部600相邻的区域高，从而可以形成对应于第一坝部400与第二坝部600之间的第一谷VA1。

在封装层290上部可以形成用于起到触摸屏功能的触摸传感器层(未示出)。触摸传感器层可以包括无机膜和/或有机膜。包括在触摸传感器层的无机膜和/或有机膜形成在显示区域DA和周边区域PA的整个表面，形成在周边区域PA的无机膜和/或有机膜可以通过干式蚀刻(dry etching)工艺或湿式蚀刻(wet etching)工艺等去除。

作为用于说明根据比较例的显示装置的制造方法的剖视图的图4所示，在没有形成残膜控制坝300的情况下，在周边区域PA，形成于第一坝部400与第二坝部600之间的第二谷VA2以第一坝部400的上表面为基准具有相当深的第二深度D2。据此，如上所述，当通过干式蚀刻工艺或湿式蚀刻工艺来去除形成于周边区域PA的无机膜和/或有机膜时，形成于第二谷VA2内的无机膜和/或有机膜的一部分可能不被去除。因此，如图4所示，在第二谷VA2内可能残留有未被去除的残膜700。

然而，对根据本实施例的显示装置2的方法而言，如图3所示，在第一坝部400与第二坝部600之间形成有残膜控制坝300。因此，在周边区域PA形成有具有低于第二深度D2的第一深度D1的第一谷VA1。因此，通过干式蚀刻或湿式蚀刻工艺可以完全去除形成于第一谷VA1内的无机膜和/或有机膜，或可以使残膜的厚度最小化。

在步骤S130中，可以向基板100照射激光束来切割基板100。具体地，可以向基板100照射激光束来去除第二坝部600以及位于第二坝部600外侧的下部的基板100的一部分。例如，可以向形成在周边区域PA的第一谷VA1照射激光束来去除包括第二坝部600以及第二坝部600外侧的基板100的切割区域。沿着如图2所示的切割线CL向基板100照射激光束，从而可以去除切割区域CA。如此，通过从制造中的显示装置1去除切割区域CA，从而可以制造具有期望的形状的显示装置2。

在切割基板100的一部分的过程中，为了防止裂纹向不希望的方向生长，可以向位于坝与坝之间的谷照射激光束来切割基板100的一部分。然而，对根据参照图4前述的实施例的显示装置的制造方法的情况而言，在第二谷VA2内将残留有包括有机物的具有相当厚的厚度的残膜700。包括这种有机物的残膜700在为了切割基板100而照射激光束的过程中被激光束碳化而引起不良。然而，对根据本实施例的显示装置2的制造方法的情况而言，在第一谷VA1上不残留残膜700，或者即使残留有残膜700，其厚度也可以被最小化。因此，可以防止或最小化在基板100的切割过程中发生不良的情况。

虽然，图3示出了残膜控制坝300包括第一无机绝缘层310、第二无机绝缘层320、第三无机绝缘层330、第四无机绝缘层340及第五无机绝缘层350全部的情形，然而，残膜控制坝300能够实现多种变形，例如，残膜控制坝300也可以仅包括第一无机绝缘层310、第二无机绝缘层320、第三无机绝缘层330、第四无机绝缘层340及第五无机绝缘层350中的一个等。

例如，图6是示意性地图示在借由根据本发明的一实施例的显示装置的制造方法来制造中的显示装置1的剖视图，如图6所示，残膜控制坝300可以包括第一无机绝缘层310、第一层间绝缘层114、第二层间绝缘层115、第二栅极绝缘层116以及第三层间绝缘层117。此时，第一无机绝缘层310可以对应于作为无机绝缘层的第一栅极绝缘层113的厚部。作为残膜控制坝300所包括的其他无机绝缘层的第一层间绝缘层114、第二层间绝缘层115、第二栅极绝缘层116及第三层间绝缘层117的厚度可以与在显示区域DA中的厚度相同。由于第一无机绝缘层310对应于作为无机绝缘层的第一栅极绝缘层113的厚部，因此在本实施例中的第四谷VA4的第四深度D4可以比参照图4前述的第二谷VA2的第二深度D2小。据此，与第一谷VA1一样，在第四谷VA4上可以不残留有残膜700，或者即使残留有残膜700，其厚度也可以被最小化。因此，可以防止或最小化在基板100的切割过程中发生不良的情况。

作为示意性地图示在借由根据本发明的一实施例的显示装置的制造方法而制造中的显示装置1的剖视图的图7所示，残膜控制坝300可以包括第一栅极绝缘层113、第二无机绝缘层320、第二层间绝缘层115、第二栅极绝缘层116以及第三层间绝缘层117。此时，第二无机绝缘层320可以对应于作为无机绝缘层的第一层间绝缘层114的厚部。作为残膜控制坝300所包括的其他无机绝缘层的第一栅极绝缘层113、第二层间绝缘层115、第二栅极绝缘层116及第三层间绝缘层117的厚度可以与在显示区域DA中的厚度相同。由于第二无机绝缘层320对应于作为无机绝缘层的第一层间绝缘层114的厚部，因此在本实施例中的第五谷VA5的第五深度D5可以比参照图4前述的第二谷VA2的第二深度D2小。据此，与第一谷VA1一样，在第五谷VA5上可以不残留有残膜700，或者即使残留有残膜700，其厚度也可以被最小化。因此，可以防止或最小化在基板100的切割过程中发生不良的情况。

作为示意性地图示在借由根据本发明的一实施例的显示装置的制造方法而制造中的显示装置1的剖视图的图8所示，残膜控制坝300可以包括第一栅极绝缘层113、第一层间绝缘层114、第三无机绝缘层330、第二栅极绝缘层116以及第三层间绝缘层117。此时，第三无机绝缘层330可以对应于作为无机绝缘层的第二层间绝缘层115的厚部。作为残膜控制坝300所包括的其他无机绝缘层的第一栅极绝缘层113、第一层间绝缘层114、第二栅极绝缘层116及第三层间绝缘层117的厚度可以与在显示区域DA中的厚度相同。由于第三无机绝缘层330对应于作为无机绝缘层的第二层间绝缘层115的厚部，因此本实施例中的第六谷VA6的第六深度D6可以比参照图4前述的第二谷VA2的第二深度D2小。据此，与第一谷VA1一样，在第六谷VA6上可以不残留有残膜700，或者即使残留有残膜700，其厚度也可以被最小化。因此，可以防止或最小化在基板100的切割过程中发生不良的情况。

作为示意性地图示在借由根据本发明的一实施例的显示装置的制造方法而制造中的显示装置1的剖视图的图9所示，残膜控制坝300可以包括第一栅极绝缘层113、第一层间绝缘层114、第二层间绝缘层115、第四无机绝缘层340以及第三层间绝缘层117。此时，第四无机绝缘层340可以对应于作为无机绝缘层的第二栅极绝缘层116的厚部。作为残膜控制坝300所包括的其他无机绝缘层的第一栅极绝缘层113、第一层间绝缘层114、第二层间绝缘层115及第三层间绝缘层117的厚度可以与在显示区域DA中的厚度相同。由于第四无机绝缘层340对应于作为无机绝缘层的第二栅极绝缘层116的厚部，因此本实施例中的第七谷VA7的第七深度D7可以比参照图4前述的第二谷VA2的第二深度D2小。据此，与第一谷VA1一样，在第七谷VA7上可以不残留有残膜700，或者即使残留有残膜700，其厚度也可以被最小化。因此，可以防止或最小化在基板100的切割过程中发生不良的情况。

作为示意性地图示在借由根据本发明的一实施例的显示装置的制造方法而制造中的显示装置1的剖视图的图10所示，残膜控制坝300可以包括第一栅极绝缘层113、第一层间绝缘层114、第二层间绝缘层115、第二栅极绝缘层116以及第五无机绝缘层350。此时，第五无机绝缘层350可以对应于作为无机绝缘层的第三层间绝缘层117的厚部。作为残膜控制坝300所包括的其他无机绝缘层的第一栅极绝缘层113、第一层间绝缘层114、第二层间绝缘层115及第二栅极绝缘层116的厚度可以与在显示区域DA中的厚度相同。由于第五无机绝缘层350对应于作为无机绝缘层的第三层间绝缘层117的厚部，因此本实施例中的第八谷VA8的第八深度D8可以比参照图4前述的第二谷VA2的第二深度D2小。据此，与第一谷VA1一样，在第八谷VA8上可以不残留有残膜700，或者即使残留有残膜700，其厚度也可以被最小化。因此，可以防止或最小化在基板100的切割过程中发生不良的情况。

到目前为止，以残膜控制坝300包括多个无机绝缘层的情形进行了说明，但是本发明不限于此。例如，残膜控制坝300可以仅包括形成为比第一栅极绝缘层113的厚度厚的第一无机绝缘层310，或者可以仅包括形成为比第二层间绝缘层115的厚度厚的第二无机绝缘层320。并且，残膜控制坝300可以仅包括形成为比第二层间绝缘层115的厚度厚的第三无机绝缘层330，或者可以仅包括形成为比第二栅极绝缘层116的厚度厚的第四无机绝缘层340，或者可以仅包括形成为比第三层间绝缘层117的厚度厚的第五无机绝缘层350。

然而，在此情况下，残膜控制坝300所包括的层的厚度也应大于第一栅极绝缘层113、第一层间绝缘层114、第二层间绝缘层115、第二栅极绝缘层116及第三层间绝缘层117的厚度的总和。

并且，到目前为止，以如下情形进行了说明：第一无机绝缘层310的厚度形成为比第一栅极绝缘层113的厚度厚，第二无机绝缘层320的厚度形成为比第一层间绝缘层114的厚度厚，第三无机绝缘层330的厚度形成为比第二层间绝缘层115的厚度厚，第四无机绝缘层340的厚度形成为比第二栅极绝缘层116的厚度厚，并且第五无机绝缘层350的厚度形成为比第三层间绝缘层117的厚度厚，但本发明并不限于此。

例如，可以以第一无机绝缘层310至第五无机绝缘层350的厚度的总和大于第一栅极绝缘层113、第一层间绝缘层114、第二层间绝缘层115、第二栅极绝缘层116及第三层间绝缘层117的厚度的总和的方式形成第一无机绝缘层310至第五无机绝缘层350。具体地，在残膜控制坝300包括第一无机绝缘层310至第五无机绝缘层350的情况下，第一无机绝缘层310的厚度可以形成为比第一栅极绝缘层113的厚度厚，第二无机绝缘层320的厚度可以形成为比第一层间绝缘层114的厚度薄，第三无机绝缘层330的厚度可以形成为比第二层间绝缘层115的厚度薄，第四无机绝缘层340的厚度可以形成为比第二栅极绝缘层116的厚度薄，第五无机绝缘层350的厚度可以形成为比第三层间绝缘层117的厚度薄。

但是，在此情况下，第一无机绝缘层310至第五无机绝缘层350的厚度的总和也应当大于第一栅极绝缘层113、第一层间绝缘层114、第二层间绝缘层115、第二栅极绝缘层116及第三层间绝缘层117的厚度的总和。

另外，如图11所示，在残膜控制坝300的上表面可以形成沿着显示区域DA的外侧延伸的凹槽360、370。具体地，可以在残膜控制坝300所包括的第一无机绝缘层310至第五无机绝缘层350中的第五无机绝缘层350的上表面形成槽。凹槽360、370可以利用半色调掩模而形成。此时，在残膜控制坝300的上表面可以与第一坝部400相邻地形成第一凹槽360，在残膜控制坝300的上表面可以与第二坝部600相邻地形成第二凹槽370。包括在封装层290的第一无机封装层291以及第二无机封装层293可以形成为覆盖残膜控制坝300，并且由于第一无机封装层291以及第二无机封装层293沿着其下部的结构物形成，因此第二无机封装层293的上表面可以形成为类似于具有对应于凹槽360、370的凹槽。

凹槽360、370可以环绕显示区域DA一周。据此，对根据本实施例的显示装置2的制造方法的情况而言，即使在切割基板100时在残膜控制坝300中产生裂纹并且该裂纹沿着残膜控制坝300生长，该裂纹也会沿朝向第一坝部400的方向生长且仅生长到第一凹槽360的部分，或者沿朝向第二坝部600的方向生长且仅生长到第二凹槽370的部分。据此，可以防止或最小化裂纹朝向显示区域DA生长的情况。

在图11中，图示了在残膜控制坝300的第五无机绝缘层350形成槽而形成凹槽360、370的情形，但是本发明不限于此。例如，如图12所示，第五无机绝缘层350可以被贯通而在残膜控制坝300的上表面形成第三凹槽380及第四凹槽390。这种凹槽的深度可以小于残膜控制坝300所包括的第一无机绝缘层310至第五无机绝缘层350的厚度的总和。

到目前为止，描述了显示装置2的制造方法，但是本发明不限于此。例如，借由这种制造方法而制造的显示装置2也应当属于本发明的权利要求的范围。以下，将对显示装置2进行说明。由于对通过上述方法而制造的显示装置2的效果已前述，因此将省略该部分内容，并且仅对这种显示装置2的结构进行说明。

例如，根据本发明的一实施例的显示装置2可以具有如图13所示的结构。根据本实施例的显示装置2包括位于基板100上的显示区域DA以及显示区域DA的外侧的周边区域PA。即，与图2中所示的制造中的显示装置1相比，显示装置2可以是从制造中的显示装置1去除切割区域CA的部分。以下，为了便于说明，将省略与参照图1至图12而前述的内容重复的内容。

如图14所示，薄膜晶体管层TFT可以位于基板100上。图14中示出了薄膜晶体管层TFT仅存在于显示区域DA，但根据需要，薄膜晶体管层TFT也可以位于显示区域DA外侧的周边区域PA。薄膜晶体管层TFT可以与位于显示区域DA的显示元件280电连接。

如图14所示，薄膜晶体管层TFT可以包括位于基板100上的第一半导体层210、覆盖第一半导体层210的第一栅极绝缘层113以及位于第一栅极绝缘层113上的第一栅极层220。薄膜晶体管层TFT还可以包括覆盖第一栅极层220的第一层间绝缘层114、位于第一层间绝缘层114上的导电层230以及覆盖导电层230的第二层间绝缘层115。并且，薄膜晶体管层TFT还可以包括位于第二层间绝缘层115上的第二半导体层240、覆盖第二半导体层240的第二栅极绝缘层116、位于第二栅极绝缘层116上的第二栅极层250以及覆盖第二栅极层250的第三层间绝缘层117。

并且，残膜控制坝500和第一坝部400可以位于基板100上。具体地，残膜控制坝500设置于位于显示区域DA的外侧的周边区域PA，并且第一坝部400位于残膜控制坝500与显示区域DA之间。第一坝部400可以覆盖残膜控制坝500的一部分，并且第一坝部400的高度可以高于残膜控制坝500的高度。残膜控制坝500可以环绕显示区域DA一周。然而，本发明不限于此，并且残膜控制坝500也可以沿着包括在显示区域DA的拐角部C1、C2、C3、C4延伸。具体地，残膜控制坝500可以与拐角部C1、C2、C3、C4对应地沿着拐角部C1、C2、C3、C4延伸，并且也可以不存在于拐角部C1、C2、C3、C4之间。

残膜控制坝500可以包括第一无机绝缘层510至第五无机绝缘层550。第一无机绝缘层510至第五无机绝缘层550可以是由于基板100的切割而被去除一部分的第一无机绝缘层310至第五无机绝缘层350。

第一无机绝缘层510可以包括与薄膜晶体管层TFT的第一栅极绝缘层113相同的物质。即，第一无机绝缘层510可以与第一栅极绝缘层113形成为一体。第二无机绝缘层520可以包括与薄膜晶体管层TFT的第一层间绝缘层114相同的物质。即，第二无机绝缘层520可以与第一层间绝缘层114形成为一体。

第三无机绝缘层530可以包括与薄膜晶体管层TFT的第二层间绝缘层115相同的物质。即，第三无机绝缘层530可以与第二层间绝缘层115形成为一体。第四无机绝缘层540可以包括与薄膜晶体管层TFT的第二栅极绝缘层116相同的物质。即，第四无机绝缘层540可以与第二栅极绝缘层116形成为一体。第五无机绝缘层550可以包括与薄膜晶体管层TFT的第三层间绝缘层117相同的物质。即，第五无机绝缘层550可以与第三层间绝缘层117形成为一体。

另外，第一无机绝缘层510的厚度可以大于第一栅极绝缘层113的厚度，第二无机绝缘层520的厚度可以大于第一层间绝缘层114的厚度。并且，第三无机绝缘层530的厚度可以大于第二层间绝缘层115的厚度，第四无机绝缘层540的厚度可以大于第二栅极绝缘层116的厚度，第五无机绝缘层550的厚度可以大于第三层间绝缘层117的厚度。据此，第一无机绝缘层510至第五无机绝缘层550的厚度的总和可以大于第一栅极绝缘层113、第一层间绝缘层114、第二层间绝缘层115、第二栅极绝缘层116及第三层间绝缘层117的厚度的总和。

尽管图14示出了残膜控制坝500包括多个无机绝缘层的情形，但是本发明不限于此，并且残膜控制坝500也可以包括第一无机绝缘层510至第五无机绝缘层550中的至少一个。但是，在此情况下，包括在残膜控制坝500的层的厚度的总和也应大于第一栅极绝缘层113、第一层间绝缘层114、第二层间绝缘层115、第二栅极绝缘层116及第三层间绝缘层117的厚度的总和。

如图15所示，残膜控制坝500可以包括沿着显示区域DA的外侧延伸的第五凹槽560。包括在封装层290的第一无机封装层291以及第二无机封装层293位于残膜控制坝500上部，然而由于第一无机封装层291以及第二无机封装层293沿着其下部结构物形成，因此第二无机封装层293的上表面可以形成为类似于具有与第五凹槽560对应的凹槽。第五凹槽560可以环绕显示区域DA一周。

如此，参照附图中所示的一实施例而说明了本发明，但这仅为示例性的，只要是在本技术领域中具有普通知识的人便可以据此而理解本发明可以进行多种变形且可以对实施例进行变形。因此，本发明的真正的技术保护范围应当根据所附的权利要求书的技术思想而被确定。