二次倒角改善崩边率的方法

技术领域

本发明涉及半导体制备技术及使用设备，具体的，是一种二次倒角改善崩边率的方法。

背景技术

在晶片加工流转过程中，单晶硅片的边缘很容易受损，如碰撞、刮伤等，这会影响晶片的可靠性。

当加工成品厚度900μm以上，折算线切厚度为1000μm以上的厚片时，由于线切硅片厚度过厚，惯性大，导致硅片研磨过程中接触游星片时受到的力更大，出现研磨后的产品边缘崩边、立面粗糙的问题，严重影响良率。

因此，有必要提供一种二次倒角改善崩边率的方法来解决上述问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种二次倒角改善崩边率的方法。

技术方案如下：

一种二次倒角改善崩边率的方法，采用依次进行一次导角、研磨、二次导角的制备模式，改善厚片研磨后的边缘形貌，消除厚片研磨后的崩边、立面粗糙；具体步骤包括：

1)一次导角：以导角角度22°、导角幅长x1为680μm、导角幅长x2为680μm进行导角，导角采用粗研模式，单次去除余量400-600μm，一次导角后余量0.3μm；

2)研磨：进行双面去除余量；

3)二次导角以导角角度22°、导角幅长x1为580μm、导角幅长x2为580μm进行导角，导角采用粗研一次结合精研一次模式，粗研去除余量200-400μm，保留余量0.15μmm；精研去除剩余余量至保留0.05μm。

进一步的，步骤1)和步骤3)中，均使用R型0.48砂轮进行导角。

进一步的，用于1200μm厚度的硅片的研磨，硅片粗胚通过线切割后进行。

进一步的，步骤1)目标直径200.3±0.1mm。

进一步的，步骤2)中，研磨目标厚度1200μm，双面共去除余量80μm。

进一步的，步骤2)中，双面均去除余量40μm。

进一步的，步骤3)中，粗研目标直径200.15±0.1mm，精研目标直径200.05±0.05mm。

与现有技术相比，本发明有效避免厚片研磨加工后的崩边、立面粗糙问题的出现，提高了研磨后外观检验的良率，整体提高了产品的通线率。

附图说明

图1为应用本发明制备获得的硅片的对比示意图。

具体实施方式

实施例：

本实施例展示一种二次倒角改善崩边率的方法，采用依次进行一次导角、研磨、二次导角的制备模式，改善厚片研磨后的边缘形貌，消除厚片研磨后的崩边、立面粗糙；具体步骤包括：

1)一次导角：以导角角度22°、导角幅长x1为680μm、导角幅长x2为680μm进行导角，导角采用粗研模式，单次去除余量400-600μm，一次导角后余量0.3μm；

2)研磨：进行双面去除余量；

3)二次导角以导角角度22°、导角幅长x1为580μm、导角幅长x2为580μm进行导角，导角采用粗研一次结合精研一次模式，粗研去除余量200-400μm，保留余量0.15μmm；精研去除剩余余量至保留0.05μm。

步骤1)和步骤3)中，均使用R型0.48砂轮进行导角。

用于1200μm厚度的硅片的研磨，硅片粗胚通过线切割后进行。

步骤1)目标直径200.3±0.1mm。

步骤2)中，研磨目标厚度1200μm，双面共去除余量80μm。

步骤2)中，双面均去除余量40μm。

步骤3)中，粗研目标直径200.15±0.1mm，精研目标直径200.05±0.05mm。

应用本实施例，投入生产，并进行产品制备后状况拍照，对比应用本实施例前的生产产品，参阅图1，能够清楚的获得：本实施例有效避免厚片研磨加工后的崩边、立面粗糙问题的出现，提高了研磨后外观检验的良率，整体提高了产品的通线率。

以上所述的仅是本发明的一些实施方式。对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。