晶圆加工装置及晶圆加工方法

技术领域

本申请涉及半导体加工技术领域，特别是涉及一种晶圆加工装置及晶圆加工方法。

背景技术

随着半导体行业技术的飞速发展，在半导体加工制造的整个工艺流程中，晶圆边缘加工处于前段工序，极大程度上影响后续划片及刻蚀等工艺的加工精度。在相关技术中，在对晶圆的边缘进行加工时，通常使用车削的工艺，每次只能加工单片晶圆，效率低且不能适应多种尺寸晶圆。

发明内容

基于此，有必要提供一种晶圆加工装置及晶圆加工方法，以提高晶圆的加工效率。

一种晶圆加工装置，包括磨削组件和至少两个沿所述磨削头的周向间隔分布的转动组件；所述磨削组件包括磨削头和磨削驱动件，所述磨削头设有磨削面，用于磨削晶圆的边缘，所述磨削面沿所述磨削头的周向环设；所述磨削头与所述磨削驱动件连接，所述磨削驱动件能够驱动所述磨削头绕所述磨削头的轴线转动；各个所述转动组件包括支撑件和连接于所述支撑件的转动驱动件，所述转动驱动件能够带动所述支撑件转动，所述支撑件的支撑面能够与所述晶圆接触并承载所述晶圆。

可以理解的是，磨削驱动件为磨削头的转动提供动力来源，磨削头通过磨削面对晶圆的边缘进行磨削，以加工出晶圆的倒角或圆角。转动驱动件可以驱动支撑件转动，进而带动晶圆转动，使晶圆沿自身周向的边缘均可以得到加工。设置至少两个转动组件，配合以沿磨削头周向环设的磨削面，可以实现通过一个磨削头对至少两个晶圆同时进行加工，利于提高加工效率。

在其中一个实施例中，所述磨削头设有磨削槽，所述磨削槽沿所述磨削头的径向凹陷，并沿所述磨削头的周向呈环形设置，所述磨削槽沿所述磨削头轴向两侧的槽壁沿所述磨削头的径向朝内渐缩设置；所述磨削槽的槽壁形成所述磨削面。

可以理解的是，磨削槽的槽壁能够形成上下分设的磨削面，以分别与晶圆的上下两侧的边缘对应进行接触并同时磨削，利于提高生产效率。同时，沿磨削头轴向两侧的槽壁沿磨削头的径向朝内渐缩，以便于对晶圆待加工的边缘产生挤压力，利于形成倒角或圆角的结构。

在其中一个实施例中，所述磨削槽沿所述磨削头轴向的截面设置为圆弧形、V字形或者梯形。

可以理解的是，磨削槽这样设置结构简单，便于加工。

在其中一个实施例中，所述晶圆加工装置还包括移动组件，所述移动组件与所述转动组件连接；所述移动组件用于驱动所述转动组件靠近或远离所述磨削头；和/或，所述移动组件用于调节所述支撑面相对基准面的平行度。

可以理解的是，通过移动组件可以实现对晶圆平行度的调节，以使晶圆位于准确的磨削位置，确保晶圆加工时的精度。同时，移动组件还可以驱动晶圆靠近或远离磨削头，进而可以通过控制晶圆与磨削头之间的距离来调节磨削头对晶圆的磨削进给量。

在其中一个实施例中，所述移动组件包括第一支撑平台和多个伸缩结构，多个伸缩结构沿所述第一支撑平台的周向间隔设置，各个所述伸缩结构与所述第一支撑平台转动连接，所述伸缩结构能够沿自身轴向往复伸缩，以带动所述第一支撑平台移动或转动；所述第一支撑平台的底部安装有所述转动组件，所述第一支撑平台开设有安装孔，所述支撑件穿设于所述安装孔。

可以理解的是，多个伸缩结构可以能够自身的伸缩来带动第一支撑平台的移动和转动，第一支撑平台上安装有转动组件，进而同时带动转动组件的移动和转动，利于实现对晶圆平行度的调节、以及实现晶圆靠近或远离磨削头的控制。

在其中一个实施例中，所述移动组件还包括第二支撑平台；沿所述第一支撑平台轴向，所述第一支撑平台和所述第二支撑平台间隔设置，所述伸缩结构沿自身轴向远离所述第一支撑平台的一端与所述第二支撑平台转动连接。

可以理解的是，第二支撑平台能够为各个伸缩结构的活动提供稳定支撑，确保稳定性。

在其中一个实施例中，所述伸缩结构包括伸缩驱动件和连接于所述伸缩驱动件的第一驱动杆，所述伸缩驱动件与所述第一驱动杆连接，并能够驱动所述第一驱动杆沿所述第一驱动杆的轴向往复移动；所述伸缩驱动件与所述第二支撑平台转动连接，所述第一驱动杆与所述第一支撑平台转动连接。

可以理解的是，伸缩驱动件能够为第一驱动杆提供驱动力，通过第一驱动杆的往复移动以实现第一支撑台的移动或转动。

在其中一个实施例中，所述伸缩结构还包括第二驱动杆；所述伸缩驱动件沿自身轴线的一端设有第一驱动端，另一端设有第二驱动端，所述第一驱动端处连接有所述第一驱动杆，所述第二驱动端处连接有所述第二驱动杆，所述伸缩驱动件能够驱动所述第二驱动杆沿装置第二驱动杆的轴向往复移动；所述第二驱动杆与所述第二支撑平台转动连接。

可以理解的是，伸缩驱动件设置两个驱动端可以实现沿自身轴向两侧的任意一端均可以进行驱动，且分别配合以第一驱动杆和第二驱动杆来实现伸缩，利于延长第一支撑平台的移动范围并增大第一支撑平台的转动角度范围，增强对不同尺寸晶圆和不同尺寸磨削头的适应性。

在其中一个实施例中，所述晶圆加工装置还包括感应件，所述感应件设置于所述支撑件的上方，所述感应件能够检测所述晶圆表面至少三个不共线的点，所述移动组件被配置为响应于所述感应件的检测信号来调节所述支撑面与基准面平行。

可以理解的是，通过感应件对晶圆表面检测以获取晶圆所在平面，以便于移动组件根据感应件的检测信号来调节晶圆表面的平行度，提高晶圆的位置精度和加工精度，且，利于晶圆的边缘加工时受力均匀，减少或避免晶圆破碎的情况。

在其中一个实施例中，所述晶圆加工装置还包括连接组件；所述连接组件包括连接板和多个间隔布设的连接杆，所述连接板承载所述转动组件，各个所述连接杆的一端连接于所述连接板，另一端连接于所述第一支撑平台的底部。

可以理解的是，通过连接组件将转动组件安装于第一支撑平台，结构简单，装配简便。

在其中一个实施例中，所述支撑件设有多个间隔布设的吸附孔，所述晶圆加工装置还包括抽气动力源，所述抽气动力源与所述吸附孔连通，用于吸附所述晶圆。

可以理解的是，利用真空吸附的方式可以实现装夹固定晶圆的同时，避免对晶圆表面造成挤压干涉，利于保护晶圆结构。

在其中一个实施例中，所述晶圆加工装置还包括限位结构，所述限位结构具有安装盘和限位挡板，所述安装盘套设于所述支撑件，并固定于所述第一支撑平台，所述限位挡板连接于所述安装盘并与所述安装盘成角度设置，所述限位挡板沿所述安装盘的周向延伸，用于围设在所述晶圆的外周。

可以理解的是，限位结构对晶圆具有沿该晶圆径向的限位作用，避免晶圆转动时发生偏移。

一种晶圆加工方法，应用于上述的晶圆加工装置；所述晶圆加工方法包括以下步骤：将至少两个晶圆分别放置在对应的支撑件上并固定；确定基准面，并检测各个所述晶圆所在实际平面；将各个所述晶圆调节至与所述基准面平行；磨削头与至少两个所述晶圆同时反向转动，并逐渐靠近直至所述磨削头与各个所述晶圆接触；调节所述磨削头相对各个所述晶圆的进给量，在所述磨削头达到预设进给量的情况下，将所述磨削头和各个所述晶圆分离并分别停止转动。

可以理解的是，各个晶圆固定后，对各个晶圆相对基准面的平行度进行调节，以使各个晶圆与基准面平行，确保各个晶圆的加工精度。至少两个晶圆和磨削头同时转动以便于各个晶圆整个周向的边缘均得到磨削加工，通过调节磨削头相对各个晶圆的进给量，以确保各个晶圆边缘的尺寸精度。磨削头对至少两个晶圆进行加工，以提高晶圆的加工效率，利于节约时间、减少成本。

在其中一个实施例中，所述检测所述晶圆所在平面包括：在所述晶圆表面选取至少三个不共线的检测点；感应获取至少三个所述检测点的坐标信息；根据至少三个所述检测点的坐标信息得出晶圆所在实际平面。

可以理解的是，通过至少三个不共线的检测点可以得到晶圆所在平面，操作简单，利于进一步将晶圆调节至与基准面平行。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本申请提供的晶圆加工装置的结构示意图；

图2为本申请提供的晶圆加工装置的剖视图；

图3为图2中A处的局部放大图。

附图标记：100、晶圆加工装置；200、晶圆；10、磨削组件；11、磨削头；101、磨削面；111、磨削槽；12、磨削驱动件；20、转动组件；21、支撑件；211、支撑面；22、转动驱动件；23、转动支撑结构；30、移动组件；31、第一支撑平台；311、安装孔；32、第二支撑平台；33、伸缩结构；331、伸缩驱动件；3311、第一驱动端；3312、第二驱动端；332、第一驱动杆；333、第二驱动杆；40、感应件；41、探测头；50、连接组件；51、连接板；52、连接杆；60、限位结构；61、安装盘；62、限位挡板；71、机架；72、安装柱。

具体实施方式

为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请。但是本申请能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似改进，因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制。

需要说明的是，当组件被称为“固定于”或“设置于”另一个组件，它可以直接在另一个组件上或者也可以存在居中的组件。当一个组件被认为是“连接”另一个组件，它可以是直接连接到另一个组件或者可能同时存在居中组件。本申请的说明书所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“上”、“下”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。

此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征“上”、“下”可以是第一特征直接和第二特征接触，或第一特征和第二特征间接地通过中间媒介接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅表示第一特征水平高度小于第二特征。

除非另有定义，本申请的说明书所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本申请。本申请的说明书所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

请参阅图1至图3，本申请提供一种晶圆加工装置100，该晶圆加工装置100包括磨削组件10和至少两个沿磨削头11的周向间隔分布的转动组件20；磨削组件10包括磨削头11和磨削驱动件12，磨削头11设有磨削面101，用于磨削晶圆200的边缘，磨削面101沿磨削头11的周向环设；磨削头11与磨削驱动件12连接，磨削驱动件12能够驱动磨削头11绕磨削头11的轴线转动；各个转动组件20包括支撑件21和连接于支撑件21的转动驱动件22，转动驱动件22能够带动支撑件21转动，支撑件21的支撑面211能够与晶圆200接触并承载晶圆200。

如此，磨削组件10中，磨削驱动件12可以驱动磨削头11转动，磨削头11通过磨削面101来对晶圆200的边缘进行磨削，以便于形成晶圆200的倒角或圆角。晶圆200可以放置于支撑件21上进行固定，由转动驱动件22驱动支撑件21转动进而带动晶圆200转动，以使晶圆200沿自身周向的边缘均可以得到磨削加工，并形成倒角或圆角。进一步的，磨削面101沿磨削头11的周向环设，与至少两个转动组件20的设置相配合，利于对至少两个晶圆200同时进行磨削加工，以提高生产效率。在实际应用的过程中，可以根据晶圆200的尺寸、数量来设置对应的磨削头11的尺寸，在此不作具体限定。

首先，对磨削组件10中的结构进行阐述。

如图1至图3所示，在一可选的实施例中，磨削头11设有磨削槽111，磨削槽111沿磨削头11的径向凹陷，并沿磨削头11的周向呈环形设置，磨削槽111沿磨削头11轴向两侧的槽壁沿磨削头11的径向朝内渐缩设置；磨削槽111的槽壁形成磨削面101。

如此，晶圆200沿自身厚度方向的两侧的边缘需要进行加工，磨削槽111沿磨削头11的轴向具有两个上下分设的槽壁，可以分别对晶圆200沿自身厚度方向两侧的边缘同时进行磨削，提高对晶圆200的加工效率。进一步的，磨削槽111的槽壁沿磨削头11的径向朝内渐缩设置，以形成倾斜的磨削面101，晶圆200在加工的初始状态与磨削面101线接触，倾斜的磨削面101对晶圆200锋锐的边缘进行磨削，以便于将晶圆200边缘磨削成倒角或圆角的形状。

在一具体的实施例中，磨削槽111沿磨削头11轴向的截面设置为圆弧形、V字形或者梯形，结构简单，便于加工。其中，圆弧形截面的磨削槽111的槽壁为圆弧面，较为圆滑，对晶圆200施加的应力较小，可以尽量避免晶圆200破碎。

如图1及图2所示，在实际应用时，晶圆加工装置100还包括安装柱72，磨削驱动件12固定在安装柱72上，以增加磨削头11的作业高度，可以将安装柱72设置为可升降的安装柱72，以适应不同的工况需求。

接着，对转动组件20作进一步说明。

在一可选的实施例中，支撑件21设有多个间隔布设的吸附孔，晶圆加工装置100还包括抽气动力源，抽气动力源与吸附孔连通，用于吸附晶圆200。如此，抽气动力源能够通过吸附孔抽走晶圆200与支撑件21之间的空气，通过大气的压力将晶圆200固定于支撑件21上，利于在实现装夹固定晶圆200的同时，不对晶圆200表面造成挤压干涉，利于保护晶圆200结构。

如图1及图2所示，在一可选的实施例中，晶圆加工装置100还包括限位结构60，限位结构60具有安装盘61和限位挡板62，安装盘61套设于支撑件21，并固定于第一支撑平台31，限位挡板62连接于安装盘61并与安装盘61成角度设置，限位挡板62沿安装盘61的周向延伸，用于围设在晶圆200的外周。如此，限位挡板62可以对晶圆200具有限位作用，避免晶圆200在转动的过程中偏心，确保晶圆200加工的尺寸精度。在具体实施例中，安装盘61可以通过与第一支撑平台31进行螺栓连接以实现固定，拆装便捷。

如图1及图2所示，在一可选的实施例中，晶圆加工装置100还包括移动组件30，移动组件30与转动组件20连接；移动组件30用于驱动转动组件20靠近或远离磨削头11；和/或，移动组件30用于调节支撑面211相对基准面的平行度。

如此，通过移动组件30驱动转动组件20与磨削头11之间的距离，进而可以控制晶圆200相对磨削头11的距离，利于调节磨削头11对晶圆200的磨削进给量，控制进给量均匀，避免晶圆200破碎。同时，通过移动组件30调节支撑面211相对基准面的平行度，以控制晶圆200表面相对基准面的平行度，确保晶圆200与基准面平行，使晶圆200的边缘与磨削槽111相对应，确保晶圆200加工位置的准确性。晶圆200在加工时沿自身厚度方向两侧的边缘均可以得到相同的受力，且确保这两侧边缘加工出的倒角或圆角的尺寸一致，利于提高加工精度。

故接着对移动组件30进行阐述。

如图1及图2所示，在进一步的实施例中，移动组件30包括第一支撑平台31和多个伸缩结构33，多个伸缩结构33沿第一支撑平台31的周向间隔设置，各个伸缩结构33与第一支撑平台31转动连接，伸缩结构33能够沿自身轴向往复伸缩，以带动第一支撑平台31移动或转动；第一支撑平台31的底部安装有转动组件20，第一支撑平台31开设有安装孔311，支撑件21穿设于安装孔311。

如此，支撑件21可以穿过安装孔311凸设于第一支撑平台31，以便于安装晶圆200，增大晶圆200与第一支撑平台31之间的距离，避免晶圆200转动时与第一支撑平台31表面产生磨损。在具体的实施例中，可以在安装孔311内设置转动支撑结构23，以减小支撑件21的转动摩擦，促进支撑件21的顺畅转动。示例性的，转动支撑结构23可以设置为轴承、衬套等。进一步的，多个伸缩结构33的设置可以通过自身的伸缩来实现第一支撑平台31上下移动，或者配合以伸缩结构33与第一支撑平台31的转动连接使第一支撑平台31转动。由于第一支撑平台31与支撑件21连接，而支撑件21上安装有晶圆200，故可以带动晶圆200进行上下的移动以及转动，利于调节晶圆200的平行度。

其中，在确定基准面时，可以通过移动组件30对第一支撑平台31处于水平面时的数据记录来确定基准面，例如，各个伸缩结构33与第一支撑平台31之间的角度相同，且各个伸缩结构33的伸缩长度相同，可以以该状态下的第一支撑平台31所在平面为基准面。

如图1及图2所示，在其中一个实施例中，移动组件30还包括第二支撑平台32；沿第一支撑平台31轴向，第一支撑平台31和第二支撑平台32间隔设置，伸缩结构33沿自身轴向远离第一支撑平台31的一端与第二支撑平台32转动连接。

如此，可以通过多个伸缩结构33相对第二支撑平台32的转动，配合以各个伸缩结构33的伸缩，进而带动第一支撑平台31沿自身径向的移动，进而带动晶圆200随之同步移动。例如，多个伸缩结构33均朝向磨削头11所在侧转动，分别减小与第二支撑平台32之间的角度，并通过自身的伸缩来使晶圆200表面始终与基准面平行，即靠近磨削头11的伸缩结构33适当缩短，而远离磨削头11的伸缩结构33适当伸长，便可以在保持晶圆200表面与基准面平行的情况下，带动晶圆200沿自身径向靠近磨削头11移动。反之，便可以实现晶圆200沿自身径向远离磨削头11移动，进而实现对晶圆200的磨削进给量的调节。

如图1及图2所示，在进一步的实施例中，晶圆加工装置100还包括连接组件50；连接组件50包括连接板51和多个间隔布设的连接杆52，连接板51承载转动组件20，各个连接杆52的一端连接于连接板51，另一端连接于第一支撑平台31的底部。如此，连接板51可以支撑转动组件20，连接杆52将连接板51与第一支撑平台31与连接板51连接，以便于第一支撑平台31通过连接组件50以与转动组件20同步移动或转动。

如图1及图2所示，在一可选的实施例中，伸缩结构33包括伸缩驱动件331和连接于伸缩驱动件331的第一驱动杆332，伸缩驱动件331与第一驱动杆332连接，并能够驱动第一驱动杆332沿第一驱动杆332的轴向往复移动，以此来实现伸缩，多个第一驱动杆332同时伸缩相同长度，以实现按第一支撑平台31沿自身轴向的移动；伸缩驱动件331与第二支撑平台32转动连接，第一驱动杆332与第一支撑平台31转动连接，配合第一驱动杆332的伸缩，以便于实现第一支撑平台31的转动。

如图1及图2所示，在进一步的实施例中，伸缩结构33还包括第二驱动杆333；伸缩驱动件331沿自身轴线的一端设有第一驱动端3311，另一端设有第二驱动端3312，第一驱动端3311处连接有第一驱动杆332，第二驱动端3312处连接有第二驱动杆333，伸缩驱动件331能够驱动第二驱动杆333沿装置第二驱动杆333的轴向往复移动；第二驱动杆333与第二支撑平台32转动连接。

如此，伸缩驱动件331沿自身轴向两端均可以进行驱动伸缩，以延长伸缩结构33可伸长的长度范围，并且，由于伸缩结构33可以伸得更长，伸缩结构33与第二支撑平台32之间的夹角范围随之扩大，增大对第一支撑平台31的调节范围，调控更加灵活，以便于适应加工不同尺寸、数量的晶圆200。

如图1及图2所示，在一可选的实施例中，晶圆加工装置100还包括感应件40，感应件40设置于支撑件21的上方，感应件40能够检测晶圆200表面至少三个不共线的点，移动组件30被配置为响应于感应件40的检测信号来调节支撑面211与基准面平行。如此，感应件40通过检测晶圆200表面至少三个不共线的点，即检测点，可以计算得出晶圆200表面所在的实际平面，并可以得出晶圆200表面所在实际平面与基准面之间的差距。感应件40将这一信号反馈给移动组件30，移动组件30根据感应件40的检测信号对应对晶圆200的平行度进行调节，以使晶圆200表面与基准面平行，提高晶圆200的位置精度。

如图1及图2所示，在具体的实施例中，晶圆加工装置100包括机架71，感应件40安装在机架71上固定。感应件40包括探测头41，通过探测头41与晶圆200的表面接触，进而得出晶圆200表面所在实际平面，操作直接简便。进一步的，可以将探测头41与晶圆200接触的部分设置为软性材料，以避免划伤晶圆200。在本申请中，感应件40可以设置为力传感器。

在实际操作时，通过移动组件30中的伸缩结构33的伸缩、转动，以使晶圆200表面上至少三个不共线的点与感应件40接触，探测后，移动组件30将晶圆200移动至原位，再根据感应件40的检测信号对晶圆200表面的平行度进行调节。

需要说明的是，在上述实施例中，转动驱动件22和磨削驱动件12分别可以设置为电机，伸缩驱动件331可以设置为气缸、油缸等，在此仅做举例说明，不作具体限定。

一种晶圆200加工方法，应用于上述的晶圆加工装置100；晶圆200加工方法包括以下步骤：将至少两个晶圆200分别放置在对应的支撑件21上并固定；确定基准面，并检测各个晶圆200所在实际平面；将各个晶圆200调节至与基准面平行；磨削头11与至少两个晶圆200同时反向转动，并逐渐靠近直至磨削头11与各个晶圆200接触；调节磨削头11相对各个晶圆200的进给量，在磨削头11达到预设进给量的情况下，将磨削头11和各个晶圆200分离并分别停止转动。

如此，通过检测晶圆200所在平面，与基准面进行比较，根据比较结果将晶圆200所在实际平面调节至与基准面平行，确保晶圆200加工时的位置精度和尺寸精度。同时，磨削头11对至少两个晶圆200进行磨削，利于提高晶圆200的加工效率，缩短加工时长。进一步的，通过调节对各个晶圆200加工的进给量，以同时确保各个晶圆200的加工尺寸。在磨削头11和各个晶圆200分离并停止转动后，将加工好的晶圆200取下，以便于更换下一批晶圆200进行加工。

在进一步的实施例中，检测晶圆200所在平面包括：在晶圆200表面选取至少三个不共线的检测点；感应获取至少三个检测点的坐标信息；通过至少三个检测点的坐标信息得出晶圆200所在实际平面。如此，充分利用了三个不共线的点确定一个平面的原理，操作简便。在检测的过程中，可以通过移动组件30带动晶圆200与感应件40进行接触来实现检测。通过感应件40的探测头41分别接触晶圆200表面至少三个不共线的检测点即可探测得出各个检测点的坐标信息。感应件40获取晶圆200的平面数据后可以向移动组件30进行反馈，由移动组件30根据反馈来调节晶圆200的平行度。在磨削的过程中，也可以通过移动组件30调节晶圆200相对磨削头11的距离，而磨削头11保持在固定位置上转动，即可实现对晶圆200磨削进给量的控制，具体可以参照上述晶圆加工装置100中的相关阐述，在此不作赘述。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请的专利保护范围应以所附权利要求为准。