解决单面研削凹坑的治具及其控制方法

技术领域

本发明涉及硅片加工设备技术领域，具体涉及一种解决单面研削凹坑的治具及其控制方法。

背景技术

目前，半导体硅片经线切割呈片状后需使用研磨设备对表面进行减薄，同时去除表面的损伤层，研磨工序常涉及粗研及精研两次加工。

DISCO机台对硅片进行单面研磨加工过程中，硅片会产生崩边和碎片不良，此不良模式产生的一些硅粉和颗粒会溅到机台内部的定位台上，当加工过程硅片转移定位台时,定位台真空吸附硅片时会导致颗粒被深压入硅片正背面，而现有的DISCO机台存在明显缺陷，无法在定位台表面进行有效的清洗，硅渣较小，肉眼无法识别判断只能通过显微镜或黑田300TT观察发现凹坑或dimple缺陷。

定位台产生真空吸附时，硅片与定位台接触，硅渣易嵌入硅片正背面，在硅片正背面造成6-30μm的凹坑缺陷，造成产品质量问题严重的导致产品报废。

发明内容

本发明主要解决现有技术中存在的不足，提供了一种解决单面研削凹坑的治具及其控制方法，其具有结构简单、操作便捷和稳定性好的特点。解决了硅片加工工程中产生凹坑和划伤的不良问题。提升了加工过程中的良率，同时减低了生产成本。

本发明的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的：

一种解决单面研削凹坑的治具，包括研削治具，所述的研削治具下端设有与研削治具相连通的真空泵，所述的真空泵与研削治具间设有真空吸附管，所述的真空吸附管与研削治具间设有真空连接接头座。所述的研削治具包括治具安装法兰盘，所述的治具安装法兰盘内设有真空腔，所述的真空腔上设有与真空吸附管相连通的真空排气孔，所述的治具安装法兰盘与真空腔间设有硅片定位槽，所述的硅片定位槽上设有与硅片定位槽相卡槽式嵌套连接的内橡胶圈。通过扩大真空排气孔，减少定位台与硅片实际接触范围。

作为优选，所述的内橡胶圈与治具安装法兰盘间设有与硅片定位槽相卡槽式嵌套连接的外橡胶圈。通过在硅片定位槽上增加内橡胶圈和外橡胶圈，减少硅片在接触研削治具真空吸附时的接触面积。

作为优选，所述的外橡胶圈内圈侧、内橡胶圈内圈侧均设有若干与内橡胶圈、外橡胶圈相连通的橡胶圈更换抠槽。

作为优选，所述的内橡胶圈与外橡胶圈间设有若干脱料气孔，所述的硅片定位槽下端设有若干与脱料气孔相连通的出料进气管。

作为优选，所述的真空吸附管上设有与真空吸附管相连通的减压阀。

一种解决单面研削凹坑的治具的控制方法，包括如下操作步骤：

第一步：用空压枪将研削治具的上端面吹干净。

第二步：在硅片定位槽上放置内橡胶圈和外橡胶圈。

第三步：将待研削的硅片放置到硅片定位槽内，此时出料进气管不进气。

第四步：真空泵运行，通过真空连接接头座与真空吸附管连接的真空排气孔将真空腔内的空气抽出并形成真空负压将硅片吸附在硅片定位槽上。

第五步：对硅片进行单面研削，完成单面研削过程后，真空泵停止运行，真空腔内负压消除，接着出料进气管进气，通过脱料气孔将硅片顶出。

作为优选，通过减压阀将真空泵施加的-89Kpa压力值，缩小到-60Kpa压力值。

本发明能够达到如下效果：

本发明提供了一种解决单面研削凹坑的治具及其控制方法，与现有技术相比较，具有结构简单、操作便捷和稳定性好的特点。解决了硅片加工工程中产生凹坑和划伤的不良问题。提升了加工过程中的良率，同时减低了生产成本。

附图说明

图1是本发明的侧视结构示意图。

图2是本发明的俯视结构示意图。

图中：研削治具1，真空连接接头座2，真空吸附管3，减压阀4，真空泵5，出料进气管6，治具安装法兰盘7，脱料气孔8，硅片定位槽9，内橡胶圈10，外橡胶圈11，真空腔12，真空排气孔13，橡胶圈更换抠槽14。

具体实施方式

下面通过实施例，并结合附图，对发明的技术方案作进一步具体的说明。

实施例：如图1和图2所示，一种解决单面研削凹坑的治具，包括研削治具1，研削治具1下端设有与研削治具1相连通的真空泵5，真空泵5与研削治具1间设有真空吸附管3，真空吸附管3上设有与真空吸附管3相连通的减压阀4。真空吸附管3与研削治具1间设有真空连接接头座2。研削治具1包括治具安装法兰盘7，治具安装法兰盘7内设有真空腔12，真空腔12上设有与真空吸附管3相连通的真空排气孔13，治具安装法兰盘7与真空腔12间设有硅片定位槽9，硅片定位槽9上设有与硅片定位槽9相卡槽式嵌套连接的内橡胶圈10，内橡胶圈10与治具安装法兰盘7间设有与硅片定位槽9相卡槽式嵌套连接的外橡胶圈11。外橡胶圈11内圈侧、内橡胶圈10内圈侧均设有2个呈对称式分布且与内橡胶圈10、外橡胶圈11相连通的橡胶圈更换抠槽14。内橡胶圈10与外橡胶圈11间设有4个脱料气孔8，硅片定位槽9下端设有4根与脱料气孔8相连通的出料进气管6。

一种解决单面研削凹坑的治具的控制方法，包括如下操作步骤：

第一步：用空压枪将研削治具1的上端面吹干净。

第二步：在硅片定位槽9上放置内橡胶圈10和外橡胶圈11。

第三步：将待研削的硅片放置到硅片定位槽9内，此时出料进气管6不进气。

第四步：真空泵5运行，通过真空连接接头座2与真空吸附管3连接的真空排气孔13将真空腔12内的空气抽出并形成真空负压将硅片吸附在硅片定位槽9上。通过减压阀4将真空泵5施加的-89Kpa压力值，缩小到-60Kpa压力值。

第五步：对硅片进行单面研削，完成单面研削过程后，真空泵5停止运行，真空腔12内负压消除，接着出料进气管6进气，通过脱料气孔8将硅片顶出。

减少了硅片定位槽9与硅片的整体接触面积，硅片定位槽9上增加了内橡胶圈10和外橡胶圈11，真空腔12内的真空排气孔13范围增大，通过在机台下方加装减压阀4降低吸附压力，减少硅片定位槽9与橡胶圈的接触，解决了研削治具1表面残留的硅渣与硅片接触产成的凹坑问题。

综上所述，该解决单面研削凹坑的治具及其控制方法，具有结构简单、操作便捷和稳定性好的特点。解决了硅片加工工程中产生凹坑和划伤的不良问题。提升了加工过程中的良率，同时减低了生产成本。

以上所述仅为本发明的具体实施例，但本发明的结构特征并不局限于此，任何本领域的技术人员在本发明的领域内，所作的变化或修饰皆涵盖在本发明的专利范围之中。