半导体激光器及其制备方法

技术领域

本公开涉及光通信领域，特别是涉及一种半导体激光器及其制备方法。

背景技术

半导体激光器在通讯、激光器雷达和传感等领域作为不可或缺的单色光源有着广泛的应用，但是传统的激光器由于自身的正反馈放大过程，对反射尤为敏感，即便是-20dB的外部反射进入激光器也会导致相干坍缩。目前，在实际应用中，多数半导体激光器需要隔离器才能够稳定工作，但是采用隔离器会使得封装更加复杂，器件的尺寸增大，成本增加。

因此，如何不需要隔离器来提升半导体激光器的抗反射能力，使激光器在较大的反射下也能够稳定工作，是亟需解决的问题。

发明内容

基于此，有必要提供一种半导体激光器及其制备方法，不需要隔离器即可有效提升半导体激光器的抗反射能力，使激光器在较大的反射下也能够稳定工作。

根据本公开实施例的一个方面，提供一种半导体激光器。半导体激光器包括：光波导、光栅层、模场调节层、第一接触层以及第二接触层。光波导包括层叠设置的第一型限制层、有源增益层和第二型限制层。光栅层设置于第二型限制层向上背离有源增益层的一侧，用于实现光分布反馈，以及调节外部反射光。模场调节层设置于第一型限制层向下背离有源增益层的一侧，用于调节半导体激光器的模场向下远离光栅层。第一接触层设置于光栅层向上背离第二型限制层的一侧。第二接触层设置于模场调节层向下背离第一型限制层的一侧。

本公开实施例中，光波导作为半导体激光器中光传输主体，于光波导的上下两侧分别设置模场调节层和光栅层之后，可以基于模场调节层和光栅层的互相配合，通过模场调节层调节半导体激光器的模场背离光栅层。如此，本公开实施例可以基于光栅层对半导体激光器腔内的反射光予以调节，有效降低半导体激光器腔内的空间烧孔效应，使得半导体激光器的工作更稳定，从而对外部反射光有更好的容忍度，提升了半导体激光器的抗反射能力。而且，在此基础上，本公开实施例还可以基于模场调节层调节半导体激光器的模场背离光栅层，以有效减小反射光对半导体激光器谐振腔的影响，从而减低半导体激光器对反射光的敏感度，以进一步降低反射光对半导体激光器的影响。

此外，本公开实施例还可以基于模场调节层有效扩大光波导的模场，从而减小半导体激光器的远场发散角。

由上，本公开实施例在半导体激光器的光波导两侧分别设置模场调节层和光栅层，可以基于模场调节层和光栅层二者之间的相互影响，有效降低半导体激光器对反射光的敏感度，从而有效提升了半导体激光器的抗反射能力，使得半导体激光器即使不需要隔离器，也能在较大的反射光影响下也能够稳定工作，以用于高速光通信传输。

在一些实施例中，光栅层包括啁啾光栅。啁啾光栅的光栅周期、光栅耦合系数或厚度中的至少一种沿光波导的光传输方向变化。

在一些实施例中，啁啾光栅的光栅周期、光栅耦合系数或厚度中的至少一种沿光波导的光传输方向呈阶梯变化。

在一些实施例中，模场调节层的折射率大于第一型限制层。

在一些实施例中，模场调节层包括无源波导扩展层。

在一些实施例中，模场调节层的材料包括金属氧化物、金属氮化物或金属氮氧化物。

在一些实施例中，光波导还包括：上包覆层和下包覆层。上包覆层设置于所述第二型限制层和所述光栅层之间。下包覆层设置于所述第一型限制层和所述模场调节层之间。其中，半导体激光器还包括：衬底、缓冲层和盖层。模场调节层设置于衬底的上侧，第二接触层设置于衬底的下侧。缓冲层设置于衬底和模场调节层之间。盖层设置于上包覆层向上背离第二型限制层的一侧，并覆盖光栅层并填充光栅层内的各狭缝。

根据本公开实施例的另一个方面，提供了一种半导体激光器的制备方法，用于制备获得上述一些实施例中的半导体激光器。该制备方法包括：提供衬底，于衬底的上侧形成模场调节层；于模场调节层向上背离衬底的一侧形成光波导；所述光波导包括沿向上背离模场调节层的方向层叠设置的第一型限制层、有源增益层和第二型限制层；于第二型限制层向上背离有源增益层的一侧形成光栅层；于衬底的下侧形成第二接触层。其中，模场调节层用于调节半导体激光器的模场向下远离光栅层。光栅层用于实现光分布反馈，以及调节外部反射光。

本公开实施例中，半导体激光器的制备方法如上，该半导体激光器的制备方法所能实现的技术效果与前述实施例中半导体激光器所能具有的技术效果相同，此处不再详述。

在一些实施例中，光栅层包括啁啾光栅。于第二型限制层向上背离有源增益层的一侧形成光栅层，包括步骤如下：

于第二型限制层向上背离有源增益层的一侧形成光栅材料层；

于光栅材料中形成光栅曝光图案，光栅曝光图案包括间隔排布的多个狭缝投影；

对衬底进行分区域加热，使得位于不同区域的光栅材料层分别具有不同的温度；

基于各狭缝投影，对不同区域具有不同温度的光栅材料层进行湿法刻蚀，以使保留的光栅材料层构成啁啾光栅。

在一些实施例中，所述对衬底进行分区域加热，使得位于不同区域的光栅材料层分别具有不同的温度，包括：将衬底向下背离光栅材料层的表面放置于具有温度梯度的加热板表面，使得光栅材料层的温度沿各区域的排列方向具有温度梯度。

在一些实施例中，所述于光栅材料层中形成光栅曝光图案，还包括：采用全息曝光或者电子束曝光的方式，于光栅材料层中形成均匀分布的多个狭缝投影；其中，不同区域的啁啾光栅的光栅周期相同。

本公开实施例中，光栅材料层的温度梯度可以由加热板上不同区域的不同的热源来控制。如此，通过控制加热板上的温度梯度，可以在湿法刻蚀光栅材料层时对应控制光栅材料层的刻蚀厚度，以得到光栅耦合系数不同的啁啾光栅。本公开实施例提供的半导体激光器的制备方法实现简单，容易控制，且不需要执行改变光栅周期、改变波导的宽度及弯曲波导等操作。

附图说明

为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为一实施例中提供的一种半导体激光器的剖面示意图；

图2为一实施例中提供的一种啁啾光栅的光栅周期变化图；

图3为一实施例中提供的一种方案一的结构示意图；

图4为一实施例中提供的一种方案二的结构示意图；

图5为一实施例中提供的一种方案三的结构示意图；

图6为一实施例中提供的一种半导体激光器的制备方法的流程图；

图7为一实施例中提供的另一种半导体激光器的制备方法的流程图；

图8为一实施例中提供的一种啁啾光栅的制备方法的流程示意图；

图9为一实施例中提供的一种光栅材料层的刻蚀示意图；

图10为一实施例中提供的一种半导体激光器的噪声检测图；

图11为一实施例中提供的另一种半导体激光器的噪声检测图。

附图标记说明：

100-半导体激光器；1-光波导，11-有源增益层；12-第一型限制层；13-第二型限制层，14-下包覆层，15-上包覆层；

2-模场调节层；3-光栅层；4-衬底；5-缓冲层；6-盖层；71-第一接触层；72-第二接触层；M-加热板；N-形成光栅材料层之后的所得结构；E-湿法刻蚀溶液。

具体实施方式

为了便于理解本公开，下面将参照相关附图对本公开进行更全面的描述。附图中给出了本公开的实施例。但是，本公开可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使本公开的公开内容更加透彻全面。

除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本公开的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本公开的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本公开。

应当明白，当元件被称为与其它元件“连接”或“耦接”时，其可以直接地连接或耦接到其它元件，或者可以存在居间的元件。相反，当元件被称为“直接连接到”或“直接耦接到”其它元件时，则不存在居间的元件。

应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，但这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本公开教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。

在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也可以包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应当理解的是，术语“包括/包含”或“具有”等指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的存在，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的可能性。同时，在本说明书中，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。

半导体激光器在通讯、激光器雷达和传感等领域作为不可或缺的单色光源有着广泛的应用，但是传统的激光器由于自身的正反馈放大过程，对反射尤为敏感，即便是-20dB的外部反射进入激光器也会导致相干坍缩。这个问题在过去的三十年中，一直困扰着业界，因此在实际应用中，多数半导体激光器需要隔离器才能够稳定工作。

例如半导体激光器在没有反射的情况下，激光器稳定工作，相对强度噪声很小，在0～20GHz范围内，相对强度噪声低于-140dB/Hz。但是在-20dB反射下，激光器的相对强度噪声显著增加，最坏情况达到-100dB/Hz，此时激光器是无法用于高速光通信传输的。因此，在高速光通信传输中，为了避免光纤链路带来的反射对激光器性能的影响，一个通用的做法是采用光学隔离器阻隔反射光，避免其进入激光器中。虽然这样是行之有效的方法，但是采用光学隔离器会使得封装更加复杂，器件的尺寸增大，成本增加。

为了解决激光器对反射敏感的问题，人们对激光器的增益材料，谐振腔设计和分布反馈光栅等进行了深入的研究，并且找到了一些有效的解决办法，比如采用量子点增益材料，采用腔内无源反射或者采用部分光栅等设计，可以提升半导体激光器的抗反射能力，但是因为种种原因，比如量子点激光器增益低，阈值电流高，材料生长控制复杂等等，这些方法都没有得到广泛的应用。

因此，如何不需要隔离器来提升半导体激光器的抗反射能力，使激光器在较大的反射下也能够稳定工作，是亟需解决的问题。

基于此，请参阅图1，本公开实施例提供了一种半导体激光器100。半导体激光器100包括：光波导1、模场调节层2、光栅层3、第一接触层71以及第二接触层72。光波导1包括层叠设置的第一型限制层12、有源增益层11和第二型限制层13。光栅层3设置于第二型限制层13向上背离有源增益层11的一侧，用于实现光分布反馈，以及调节外部反射光。模场调节层2设置于第一型限制层12向下背离有源增益层11的一侧，用于调节半导体激光器100的模场向下远离光栅层3。第一接触层71设置于光栅层3向上背离第二型限制层13的一侧。第二接触层72设置于模场调节层2向下背离第一型限制层12的一侧。

本公开实施例中，光波导1作为半导体激光器100中光传输主体，于光波导1的上下两侧分别设置模场调节层2和光栅层3之后，可以基于模场调节层2和光栅层3的互相配合，通过模场调节层2调节半导体激光器100的模场背离光栅层3。如此，本公开实施例可以基于光栅层3对半导体激光器100腔内的反射光予以调节，有效降低半导体激光器100腔内的空间烧孔效应，使得半导体激光器100的工作更稳定，从而对外部反射光有更好的容忍度，提升了半导体激光器100的抗反射能力。而且，在此基础上，本公开实施例还可以基于模场调节层2调节半导体激光器100的模场背离光栅层3，以有效减小反射光对半导体激光器100谐振腔的影响，从而减低半导体激光器100对反射光的敏感度，以进一步降低反射光对半导体激光器100的影响。

此外，本公开实施例可以基于模场调节层2有效扩大光波导1的模场，从而减小半导体激光器100的远场发散角。

由上，本公开实施例在半导体激光器100的光波导1两侧分别设置模场调节层2和光栅层3，可以基于模场调节层2和光栅层3二者之间的相互影响，有效降低半导体激光器100对反射光的敏感度，从而有效提升了半导体激光器100的抗反射能力，使得半导体激光器100即使不需要隔离器，也能在较大的反射光(例如-20dB～-100dB)影响下也能够稳定工作，以用于高速光通信传输。

可以理解，半导体激光器100可以为分布式反馈激光器，即Distributed FeedbackLaser，简称DFB激光器。DFB激光器属于侧面发射，且其活性区域通常设置有衍射光栅，即：半导体激光器100还包括有光栅层。

在一些实施例中，请继续参阅图1，光栅层包括啁啾光栅。

示例地，啁啾光栅的光栅周期、光栅耦合系数或厚度中的至少一种沿光波导1的光传输方向变化。

此处，需要说明的是，在啁啾光栅的光栅周期、光栅耦合系数及厚度三个参数中，可以择一存在变化，或者同时存在变化，或者也可以因其中一个参数变化而使得另一参数发生关联变化等。本公开实施例对此不作限定。

并且，上述啁啾光栅任一参数的变化，可以匹配需求有多种可能的实施，例如可以呈线性变化、呈阶梯变化、呈波动型变化等。本公开实施例对此不作限定。

在一些示例中，啁啾光栅的光栅周期、光栅耦合系数或厚度中的至少一种沿光波导1的光传输方向呈阶梯变化。

示例地，请参阅图2,啁啾光栅的光栅周期沿光波导1的光传输方向逐渐减小。

可以理解，啁啾光栅的光栅周期可以采用如下公式予以表述：

Λ(z)＝Λ

其中，z为沿着光波导1的光传输方向(即半导体激光器出光方向)的位置坐标，Λ

根据上述表达式可知，啁啾光栅的光栅周期可以随位置坐标z呈线性变化。但在实际应用中，啁啾光栅的光栅周期可以不是线性变化的，比如光栅周期的变化可以是z的二次函数：Λ(z)＝Λ

由此，于位置坐标z处选取合适的光栅周期Λ(z)，就可以有效减小半导体激光器腔内的空间烧孔效应，使得半导体激光器的工作状态更为稳定，且有效增加半导体激光器的抗反射能力。

请结合图2理解，当啁啾光栅的啁啾系数c

在本公开一些实施例中，啁啾光栅的光栅周期保持不变，啁啾光栅的厚度沿光波导1的光传输方向变化。如此，啁啾光栅的制备难度可以有效降低，以提升生产效率及降低生产成本。本实施例中的啁啾光栅的制备方法可参考后续一些实施例中的相关描述。

在一些实施例中，请继续参阅图1，光波导1包括：有源增益层11、第一型限制层12以及第二型限制层13。第一型限制层12设置于有源增益层11和模场调节层2之间。第二型限制层13设置于有源增益层11和光栅层3之间。

示例地，第一型限制层12和第二型限制层13例如为对应型的分离限制异质结构(Separate Confinement Heterostructure，简称SCH)层。

示例地，模场调节层2的折射率大于第一型限制层12，有利于扩大光波导1的模场。

示例地，有源增益层11包括量子阱或量子点层。

示例地，模场调节层2包括无源波导扩展层。模场调节层2的材料包括金属氧化物、金属氮化物或金属氮氧化物。

进一步示例地，模场调节层2的折射率大于有源增益层11。如此，模场调节层2不提供光增益，可以进一步扩大光波导1的模场及减小半导体激光器100的远场发散角。

在一些实施例中，请继续参阅图1，光波导1还包括：设置于第二型限制层13和光栅层3之间的下包覆层14，以及设置于第一型限制层12和模场调节层2之间的上包覆层15。

在一些实施例中，请继续参阅图1，半导体激光器100还包括：衬底4。模场调节层2设置于衬底4的上侧，第二接触层72设置于衬底4的下侧。

示例地，衬底4包括但不限于化合物半导体衬底，例如磷化铟(InP)衬底。

在一些实施例中，请继续参阅图1，半导体激光器100还包括：缓冲层5。缓冲层5设置于衬底4和模场调节层2之间，有利于提升模场调节层2及光波导1等膜层的成膜质量。

在一些实施例中，请继续参阅图1，半导体激光器100还包括：盖层6。盖层6位于上包覆层向上背离第二型限制层的一侧，并覆盖光栅层3并填充光栅层3内的各狭缝。

示例地，第一接触层71和第二接触层72分别为接触电极，例如为金属电极。

示例地，第一接触层71可以为P型接触层，第二接触层72可以为n型接触层。相应地，衬底4可以为n型磷化铟衬底或者砷化镓衬底。

此外，值得一提的是，匹配光波导1的结构，光栅层3可以有包含啁啾光栅在内的多种具体实现，例如可以采用弯曲光波导叠加均匀光纤光栅的方案一，或者采用渐变宽度光波导叠加均匀光纤光栅的方案二，或者采用均匀光波导叠加基于重构等效啁啾技术的采样光栅的方案三，或者采用改变光栅厚度形成的啁啾光栅的方案四，等等。

示例地，请参阅图3，在方案一中，光波导1为弯曲光波导，光栅层3采用均匀光纤光栅，均匀光纤光栅是指纤芯折射率变化幅度和折射率变化的周期(也称光纤光栅的周期)均沿光纤轴向保持不变的光纤光栅。基于弯曲的光波导1，在叠加均匀光纤光栅的光栅层之后，可以获得等效光栅周期随位置改变而不同的效果。具体地，在弯曲光波导中，光场会沿着弯曲光波导的切线方向传播；那么随着位置的不同，光传播的方向和光栅之间的夹角会不同，相当于等效改变了光栅层的光栅周期。并且，在该方案一中，根据光栅层3所需要的光栅周期的变化，可以设计不同结构的弯曲光波导(如不同弯曲半径或者不同曲率)，以控制光栅层的等效光栅周期。

示例地，请参阅图4，在方案二中，光波导1为渐变宽度光波导，光栅层采用均匀光纤光栅。例如，光波导1的宽度随沿光波导1的光传输方向逐渐变大。如此，光波导1的宽度发生了改变，相应光波导1对光场的限制因子也会发生改变，光传输过程中光波导1的有效折射率也随之改变，这同时也就意味着光栅层的等效光栅周期会随着位置的变化而变化。并且，在方案二中，根据光栅层3所需要的光栅周期的变化，可以设计不同的波导宽度，以控制光栅层的等效光栅周期。

示例地，请参阅图5，在方案三中，光波导1为均匀光波导，光栅层采用基于重构等效啁啾技术或者等效相移的采样光栅，即啁啾光栅。该方案中，啁啾光栅实际上是通过在光栅周期中引入相移的方式来实现的。具体地，可以采用重构等效啁啾技术或者等效相移技术，以通过对种子光栅的采样来引入采样周期的突变，从而在光栅的+1级或者-1级引入等效的相移。

示例地，请结合图1理解，在方案四中，光栅层可以采用因改变光栅厚度而形成的啁啾光栅。也即，本公开实施例中，在制备啁啾光栅时，除了可以改变光栅周期或者引入相移之外，还可以通过改变光栅耦合系数的方式实现。其中，光栅耦合系数的改变通常可以通过改变光栅层在不同位置的厚度的方式来实现。

本公开实施例还提供了一种半导体激光器的制备方法，用于制备上述一些实施例中的半导体激光器。

请参阅图6，该半导体激光器的制备方法至少包括步骤S100～S400。

S100：提供衬底，于衬底的上侧形成模场调节层。

S200：于模场调节层向上背离衬底的一侧形成光波导；光波导包括沿向上背离模场调节层的方向层叠设置的第一型限制层、有源增益层和第二型限制层。

S300：于第二型限制层向上背离有源增益层的一侧形成光栅层。

S400：于衬底的下侧形成第二接触层。

本公开实施例中，模场调节层用于调节半导体激光器的模场向下远离光栅层。光栅层用于实现光分布反馈，以及调节外部反射光。

在一些实施例中，请参阅图7，步骤S100可以包括步骤S110和S120。

S110：提供衬底，于衬底的上侧形成缓冲层。

S120：于缓冲层向上背离衬底的一侧形成模场调节层。

在一些实施例中，光波导的结构例如前述一些实施例中的相关记载，还包括设置于第二型限制层和光栅层之间上包覆层，以及设置于第一型限制层和模场调节层之间的下包覆层。请继续参阅图4，步骤S200可以包括步骤S210～S250。

S210：于模场调节层向上背离衬底的一侧形成下包覆层。

S220：于下包覆层向上背离模场调节层的一侧形成第一型限制层。

S230：于第一型限制层向上背离下包覆层的一侧形成有源增益层。

S240：于有源增益层向上背离第一型限制层的一侧形成第二型限制层。

S250：于第二型限制层向上背离有源增益层的一侧形成上包覆层。

在一些实施例中，半导体激光器的结构例如前述一些实施例中的相关记载。请继续参阅图4，该半导体激光器的制备方法还可以包括步骤S500～S600。

S500：于光波导向上背离模场调节层的一侧形成覆盖光栅层并填充光栅层3内各狭缝的盖层。

S600：于盖层向上背离光波导的一侧形成第一接触层。

在一些实施例中，光栅层包括啁啾光栅。啁啾光栅例如采用了图1中所示的方案四。相应地，请参阅图8，步骤S300于第二型限制层向上背离有源增益层的一侧形成光栅层，可以包括如下步骤S310～S340。

S310：于第二型限制层向上背离有源增益层的一侧形成光栅材料层。

S320：于光栅材料中形成光栅曝光图案，光栅曝光图案包括间隔排布的多个狭缝投影。

S330：对衬底进行分区域加热，使得位于不同区域的光栅材料层分别具有不同的温度。

S340：基于各狭缝投影，对不同区域具有不同温度的光栅材料层进行湿法刻蚀，以使保留的光栅材料层构成啁啾光栅。

需要补充的是，对于目前半导体器件的制备工艺而言，光栅可以采用刻蚀工艺制作，但要想在不同的位置刻蚀形成不同厚度的啁啾光栅还是比较困难的。在此基础上，采用上述步骤形成光栅层，可以有效降低啁啾光栅的制备难度。

此处，可以理解，不同区域的光栅材料层具有不同温度，相应在进行湿法刻蚀时，不同温度的光栅材料层的刻蚀速度不同。这样就可以刻蚀出不同的光栅厚度，以改变不同位置下光栅的光栅耦合系数，获得啁啾光栅。

在一些实施例中，步骤S330中对衬底进行分区域加热，使得位于不同区域的光栅材料层分别具有不同的温度，可以包括：将衬底向下背离光栅材料层的表面放置于具有温度梯度的加热板表面，使得光栅材料层的温度沿各区域的排列方向具有温度梯度。

示例地，加热板为金属板。

示例地，金属板的不同区域可以设置有不同的热源，例如电热丝。

此处，温度梯度可以由金属板上不同区域的热源(如电热丝)来控制。相应地，通过控制金属板上的温度梯度，可以对应改变光栅材料层在进行湿法刻蚀时的刻蚀厚度，从而得到具有不同光栅耦合系数的啁啾光栅。

在一些实施例中，步骤S320中于光栅材料层中形成光栅曝光图案，还包括：采用全息曝光或者电子束曝光的方式，于光栅材料层中形成均匀分布的多个狭缝投影；其中，不同区域的啁啾光栅的光栅周期相同。

由上，请参阅图9，本公开实施例中，光栅材料层的温度梯度可以由加热板M上不同区域的不同的热源来控制。如此，在将形成光栅材料层之后的所得结构放置于加热板M上之后，通过控制加热板M上的温度梯度，可以在湿法刻蚀光栅材料层时对应控制光栅材料层的刻蚀厚度，以得到光栅耦合系数不同的啁啾光栅。图9中以刻蚀溶液E的流动位置示意了光栅材料层中狭缝的刻蚀深度。本公开实施例提供的半导体激光器的制备方法实现简单，容易控制，且不需要执行改变光栅周期、改变波导的宽度及弯曲波导等操作。

以下请结合图10和图11理解，图10中的(a)图为相关技术中半导体激光器在无外部反射光情况下的噪声检测图，图10中的(b)图为相关技术中半导体激光器在-20dB外部反射光情况下的噪声检测图，图11中的(a)图为本公开实施例提供的半导体激光器在无外部反射光情况下的噪声检测图，图11中的(b)图为本公开实施例提供的半导体激光器在-20dB外部反射光情况下的噪声检测图。

根据图11可知，对于本公开实施例提供的半导体激光器，相较于无外部反射光情况下的噪声，可以有效劣化-20dB外部反射光情况下的噪声，尤其是低频噪声；也即：本公开实施例提供的半导体激光器可以具有较佳的抗反射能力。

并且，与图10中所示的相关技术中的半导体激光器相比较，在-20dB外部反射光的情况下，本公开实施例提供的半导体激光器的抗反射能力有了明显提升。

在本说明书的描述中，上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本公开的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本公开构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本公开的保护范围。因此，本公开专利的保护范围应以所附权利要求为准。