发光基板及其制备方法、显示装置

技术领域

本文涉及但不限于显示技术，尤指一种发光基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

半导体发光二极管(Light Emitting Diode，LED)技术发展了近三十年，从最初的固态照明电源到显示领域的背光源再到LED显示屏，为其更广泛的应用提供了坚实的基础。其中，随着芯片制作及封装技术的发展，采用亚毫米量级甚至微米量级的微LED的背光源得到了广泛的应用。

发明内容

以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

本公开实施例提供一种发光基板及其制备方法、显示装置。

一方面，本公开实施例提供一种发光基板，包括：衬底基板、设置在所述衬底基板上的挡墙以及多个发光二极管。所述挡墙在衬底基板上隔离出多个分区，至少一个分区内设置有至少一个发光二极管。

在一些示例性实施方式中，在所述挡墙的平行于所述衬底基板所在平面的两个截面中，靠近所述衬底基板的截面的面积大于远离所述衬底基板的截面的面积。

在一些示例性实施方式中，所述挡墙的材料包括反光材料。

在一些示例性实施方式中，所述挡墙为网状结构，所述网状结构包括至少一个网格，至少一个网格围绕多个相邻的发光二极管。

在一些示例性实施方式中，在第一平面内，两个相邻发光二极管在第一方向上的相邻边缘之间的距离与所述挡墙在第一方向的最大长度之间的比值约为4.0至5.5。所述第一平面垂直于所述衬底基板所在平面且经过两个相邻发光二极管的出光面的中心线，所述第一方向平行于第一平面且与所述发光二极管的出光面的中心线交叉。

在一些示例性实施方式中，在所述第一平面内，所述挡墙在第二方向的最大长度与所述挡墙在第一方向的最大长度之间的比值约为0.5至0.8，所述第二方向平行于所述第一平面且与所述第一方向交叉。

在一些示例性实施方式中，所述发光基板还包括：透光保护层，所述透光保护层覆盖所述多个发光二极管。

在一些示例性实施方式中，所述透光保护层具有远离所述衬底基板的第一表面，所述第一表面具有多个凹面结构。

在一些示例性实施方式中，所述多个凹面结构与多个发光二极管中的每个一一对应，一个凹面结构在所述衬底基板上的正投影包含一个发光二极管在所述衬底基板上的正投影。

在一些示例性实施方式中，所述凹面结构的形状为半球形，所述发光二极管的出光面的中心位于所述半球形的中轴线上。

在一些示例性实施方式中，所述透光保护层在所述衬底基板上的正投影与所述挡墙在所述衬底基板上的正投影部分交叠。

在一些示例性实施方式中，所述透光保护层的最大厚度小于所述挡墙的最大厚度，其中，厚度为远离所述衬底基板一侧表面与靠近所述衬底基板一侧表面之间的距离。

在一些示例性实施方式中，所述发光基板还包括：沿远离所述衬底基板一侧依次设置在所述透光保护层上的扩散膜、颜色转换膜和亮度增益膜。

另一方面，本公开实施例提供一种显示装置，包括如上所述的发光基板。

另一方面，本公开实施例提供一种发光基板的制备方法，用于制备如上所述的发光基板，包括：在衬底基板上排布多个发光二极管；在所述衬底基板上形成隔离出多个分区的挡墙，至少一个分区内设置有至少一个发光二极管。

在一些示例性实施方式中，所述制备方法还包括：形成覆盖所述多个发光二极管的透光保护层，并在所述透光保护层远离所述衬底基板的第一表面形成多个凹面结构。

在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其它方面。

附图说明

附图用来提供对本公开技术方案的理解，并且构成说明书的一部分，与本公开实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开技术方案的限制。附图中一个或多个部件的形状和大小不反映真实比例，目的只是示意说明本公开内容。

图1为本公开至少一实施例的发光基板的平面示意图；

图2为本公开至少一实施例的发光基板的局部剖面示意图；

图3为本公开至少一实施例的光线传输示意图；

图4为本公开至少一实施例的发光基板的制备过程示意图；

图5A为一种发光基板的结构示意图；

图5B为图5A所示的发光基板的匀光效果的仿真示意图；

图6为本公开至少一实施例的发光基板的匀光效果的仿真示意图；

图7为本公开至少一实施例的显示装置的示意图。

具体实施方式

下面将结合附图对本公开的实施例进行详细说明。实施方式可以以多个不同形式来实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是方式和内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为一种或多种形式。因此，本公开不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。

在附图中，有时为了明确起见，夸大表示了一个或多个构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的一个方式并不一定限定于该尺寸，附图中一个或多个部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的一个方式不局限于附图所示的形状或数值等。

本公开中的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置，而不是为了在数量方面上进行限定的。本公开中的“多个”表示两个及以上的数量。

在本公开中，为了方便起见，使用“中部”、“上”、“下”、“前”、“后”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示方位或位置关系的词句以参照附图说明构成要素的位置关系，仅是为了便于描述本说明书和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本公开的限制。构成要素的位置关系根据描述构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于在说明书中说明的词句，根据情况可以适当地更换。

在本公开中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。例如，可以是固定连接，或可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或通过中间件间接相连，或两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据情况理解上述术语在本公开中的含义。其中，“电连接”包括构成要素通过具有某种电作用的元件连接在一起的情况。“具有某种电作用的元件”只要可以进行连接的构成要素间的电信号的传输，就对其没有特别的限制。“具有某种电作用的元件”的例子不仅包括电极和布线，而且还包括晶体管等开关元件、电阻器、电感器、电容器、其它具有一种或多种功能的元件等。

在本公开中，“平行”是指两条直线形成的角度为-10°以上且10°以下的状态，因此，可以包括该角度为-5°以上且5°以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80°以上且100°以下的状态，因此，可以包括85°以上且95°以下的角度的状态。

在本公开中，“膜”和“层”可以相互调换。例如，有时可以将“导电层”换成为“导电膜”。与此同样，有时可以将“绝缘膜”换成为“绝缘层”。

本公开中的“约”、“大致”，是指不严格限定界限，允许工艺和测量误差范围内的情况。

本公开至少一实施例提供一种发光基板，包括：衬底基板、设置在衬底基板上的挡墙以及多个发光二极管。挡墙在衬底基板上隔离出多个分区，至少一个分区内设置有至少一个发光二极管。

本实施例提供的发光基板，通过挡墙在衬底基板上隔离出多个分区，对多个发光二极管进行划分隔离，可以减小分区之间的光线串扰，从而减轻光晕(Halo)现象，达到较佳的匀光效果。

在一些示例性实施方式中，发光二极管可以为微发光二极管(LED)。微LED可以包括微型发光二极管(Micro LED，Micro Light Emitting Diode)和次毫米发光二极管(MiniLED，Mini Light Emitting Diode)。然而，本实施例对此并不限定。

在一些示例性实施方式中，本实施例的发光基板可以作为显示装置的背光源。以发光二极管为微LED为例，由于微LED具有尺寸小、亮度高等优点，利用微LED背光源的显示产品的画面对比度可以达到有机发光二极管(OLED，Organic Light-Emitting Diode)显示产品的水平，可以使产品保留液晶显示(LCD，Liquid Crystal Display)的技术优势，进而提升画面的显示效果，为用户提供更优质的视觉体验。

在一些示例性实施方式中，在挡墙的平行于衬底基板所在平面的两个截面中，靠近衬底基板的截面的面积大于远离衬底基板的截面的面积。在本示例中，挡墙的平行于衬底基板所在平面的截面面积可以沿着远离衬底基板的方向逐渐减小。然而，本实施例对此并不限定。

在一些示例性实施方式中，挡墙的材料可以包括反光材料。例如，挡墙的材料可以为反射率大于95％以上的白色胶水。通过采用高反射率材料制备挡墙可以提升发光基板的光利用率。然而，本实施例对此并不限定。

在一些示例性实施方式中，挡墙为网状结构，网状结构包括至少一个网格，至少一个网格围绕多个相邻的发光二极管。在本示例中，一个网格可以作为一个分区。然而，本实施例对此并不限定。例如，挡墙可以包括非连续的多个条状结构。

在一些示例性实施方式中，在第一平面内，两个相邻发光二极管在第一方向上的相邻边缘之间的距离与挡墙在第一方向的最大长度之间的比值约为4.0至5.5，例如，可以约为4.5。第一平面垂直于衬底基板所在平面且经过两个相邻发光二极管的出光面的中心线。第一方向平行于第一平面且与发光二极管的出光面的中心线交叉。例如，第一方向与发光二极管的出光面的中心线垂直。

在一些示例性实施方式中，在第一平面内，挡墙在第二方向的最大长度与挡墙在第一方向的最大长度之间的比值约为0.5至0.8，例如约为0.625。第二方向平行于第一平面且与第一方向交叉。例如，第二方向与第一方向垂直。

在一些示例性实施方式中，发光基板还可以包括：透光保护层。透光保护层覆盖多个发光二极管。在本示例中，通过透光保护层覆盖发光二极管，实现发光二极管的保护和封装。

在一些示例性实施方式中，透光保护层具有远离衬底基板的第一表面，第一表面具有多个凹面结构。在本示例中，通过在透光保护层的第一表面形成多个凹面结构，可以改变发光二极管发出的光线路径，以提高匀光效果。

在一些示例性实施方式中，多个凹面结构与多个发光二极管中的每个一一对应，一个凹面结构在衬底基板上的正投影包含一个发光二极管在衬底基板上的正投影。

在一些示例性实施方式中，凹面结构的形状为半球形，发光二极管的出光面的中心位于半球形的中轴线上。然而，本实施例对此并不限定。例如，发光二极管的出光面的中心可以与半球形的中轴线存在偏差。

在一些示例性实施方式中，透光保护层在衬底基板上的正投影与挡墙在衬底基板上的正投影部分交叠。然而，本实施例对此并不限定。

在一些示例性实施方式中，透光保护层的最大厚度小于挡墙的最大厚度，其中，厚度为远离衬底基板一侧表面与靠近衬底基板一侧表面之间的距离。

在一些示例性实施方式中，发光基板还可以包括：沿远离衬底基板一侧依次设置在透光保护层上的扩散膜、颜色转换膜和亮度增益膜。然而，本实施例对此并不限定。

下面通过一些示例对本实施例的方案进行举例说明。

图1为本公开至少一实施例的发光基板的平面示意图。图2为本公开至少一实施例的发光基板的局部剖面示意图。图2为图1中沿P-P方向的局部剖面示意图。图2所示为第一平面的截面示意图。其中，第一平面垂直于衬底基板10所在平面且经过两个相邻发光二极管11的出光面的中心线。在本示例中，第一平面平行于发光二极管阵列的行方向。然而，本实施例对此并不限定。例如，第一平面可以平行于发光二极管阵列的列方向。在一些示例中，发光二极管11可以为长方体，发光二极管11的出光面为远离衬底基板10一侧的表面，出光面的中心线垂直于衬底基板10所在平面。

在一些示例性实施方式中，如图1和图2所示，本实施例的发光基板包括：衬底基板10、设置在衬底基板10上的挡墙12和多个发光二极管11。挡墙12和多个发光二极管11位于衬底基板10的相同侧。图1中仅示意出若干发光二极管11，本实施例对于发光基板包括的发光二极管11的数目并不限定。

在一些示例性实施方式中，如图1所示，在平行于发光基板的平面内，衬底基板10可以包括发光区域A1和绑定区域A2。绑定区域A2可以位于发光区域A1的一侧。然而，本实施例对此并不限定。例如，绑定区域A2可以位于发光区域A1的多侧。衬底基板10的发光区域包括多个驱动电路。驱动电路与发光二极管11连接，配置为控制发光二极管11的出光亮度。在一些示例中，驱动电路可以为尺寸在微米量级的微型集成电路(micro IC，microIntegrated Circuit)或者为包括薄膜晶体管(TFT，Thin film transistor)的像素电路。绑定区域A2可以包括多条引线32和绑定焊盘区31。至少一条引线32的一端与发光区域A1的驱动电路连接，另一端与绑定焊盘区31中的绑定焊盘连接。例如，绑定焊盘可以配置为通过柔性电路板(FPC，Flexible Printed Circuit)与外部控制电路连接，由外部控制电路控制向发光二极管11提供信号以实现发光二极管11的发光。在一些示例中，发光区域A1的形状可以根据需要设置，例如，发光区域A1的轮廓可以为矩形。然而，本实施例对此并不限定。

在一些示例性实施方式中，衬底基板10包括基底以及驱动电路层。驱动电路层位于衬底基板10的发光区域。基底可以为硬质基底(例如，玻璃、石英)或柔性基底(例如，聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸类塑料(PET)等柔性材料)。驱动电路层可以包括阵列排布的多个驱动电路。

在一些示例性实施方式中，衬底基板10可以为印刷电路板。然而，本实施例对此并不限定。

在一些示例性实施方式中，发光基板包括的每个发光二极管11可以由衬底基板10上的驱动电路控制出光亮度。在一些示例中，发光基板可以作为被动式显示面板的光源，以提高发光基板所应用的显示装置的对比度。

在一些示例性实施方式中，多个发光二极管11可以规则排布在衬底基板10的发光区域A1。如图1所示，多个发光二极管11以阵列方式排布在发光区域A1。在图1中，水平方向X可以为发光二极管阵列的行方向，竖直方向Y可以为发光二极管阵列的列方向。水平方向X垂直于竖直方向Y。多个发光二极管11可以与衬底基板10上的驱动电路连接。例如，多个发光二极管11与多个驱动电路中的每个一一对应连接。

在一些示例性实施方式中，如图2所示，衬底基板10的表面设置有反光层14。示例性地，反光层14可以通过涂覆白色油墨形成。反光层14可以暴露出待与发光二极管11连接的驱动电路的焊盘引脚，以实现驱动电路和发光二极管11的电连接。在本示例中，反光层14可以覆盖衬底基板10上除待与发光二极管11连接的位置以外的区域。反光层14可以朝向远离衬底基板10的一侧反射光线，从而提高光的利用率。在一些示例中，在垂直于发光基板的平面内，反光层14的边缘与相邻的发光二极管11的边缘之间的距离可以约为150微米。然而，本实施例对此并不限定。

在一些示例性实施方式中，发光二极管11的出光方向朝向远离衬底基板10一侧。例如，发光二极管11可以为发出蓝光的无机发光二极管，该无机发光二极管的尺寸可以小于500微米(um)，例如尺寸可以在80um至300um左右。可以理解的是，发光二极管11包括半导体材料叠层构成的发光结构和电极引脚，图中没有区分示意。

每个发光二极管11可以作为一个点光源，多行多列排布的发光二极管11形成面光源。然而，本实施例对此并不限定。例如，发光二极管11的表面还可以包括设置在其出光侧的光转换材料层，例如荧光粉层或者量子点膜层，荧光粉层中的荧光粉材料或者量子点膜层中的量子点材料可以被蓝光激发而发出其他颜色的光(例如，白光)。

在一些示例性实施方式中，挡墙12可以将发光基板的发光区域A1划分为多个分区，每个分区内设置有至少一个发光二极管11。如图1所示，衬底基板10的发光区域A1设置有阵列排布的多个发光二极管11，由挡墙12隔离出的每个分区内可以设置以2*2阵列排布的四个发光二极管11。在本示例中，由挡墙12分隔出的多个分区内排布相同数目的发光二极管11。然而，本实施例对此并不限定。例如，由挡墙12隔离出的多个分区内设置的发光二极管11的数目可以不同。

在一些示例性实施方式中，挡墙12的材料可以包括反光材料。本示例的挡墙12可以具有光线反射作用，从而提高光的利用率。然而，本实施例对此并不限定。

在一些示例性实施方式中，如图1所示，挡墙12可以为网状结构，网状结构包括至少一个网格。在本示例中，一个网格即为一个分区。每个网格包围的发光二极管11的数目并不限定，例如，至少一个网格围绕四个相邻的发光二极管11。在一些示例中，挡墙12可以包括沿水平方向X延伸的多个条状结构，或者，可以包括沿竖直方向Y延伸的多个条状结构。

在一些示例性实施方式中，如图1所示，每个分区内的发光二极管11被挡墙12包围。然而，本实施例对此并不限定。例如，挡墙12可以部分包围至少一个发光二极管11来形成分区。

在一些示例性实施方式中，在挡墙12的平行于衬底基板10所在平面的两个截面中，靠近衬底基板10的截面的面积大于远离衬底基板10的截面的面积。如图2所示，在第一平面内，挡墙12沿第一方向的长度自衬底基板10向远离衬底基板10一侧逐渐减小。其中，第一方向平行于第一平面且与发光二极管11的出光面的中心线垂直，第一方向还可以垂直于挡墙12的延伸方向。在本示例中，第一方向平行于水平方向X。例如，在第一平面内，挡墙12远离衬底基板10的一侧表面可以为圆弧面。如图2所示，挡墙12在第一平面的截面形状可以为半圆形。挡墙12靠近相邻发光二极管11的侧面可以为弧面。然而，本实施例对此并不限定。例如，挡墙12在第一平面的截面形状可以为梯形。挡墙12靠近相邻发光二极管11的侧面可以为斜面。

在一些示例性实施方式中，如图2所示，在第一平面内，两个相邻发光二极管11在第一方向上的相邻边缘之间的距离为W3，挡墙12在第一方向上的最大长度为W1，挡墙12在第二方向Z的最大长度为H1。第二方向Z与第一方向位于同一平面内，并与第一方向垂直。在本示例中，第二方向Z即为垂直于衬底基板10的方向。阵列排布的多个发光二极管11中任两个相邻发光二极管在第一方向上的相邻边缘之间的距离均相同。然而，本实施例对此并不限定。

在一些示例中，W3与W1的比值可以约为4.0至5.5，例如约为4.5；H1与W1的比值可以约为0.5至0.8，例如约为0.625。本示例提供的发光基板的挡墙的尺寸可以达到较佳匀光效果。然而，本实施例对此并不限定。

在一些示例性实施方式中，如图2所示，在第一平面内，挡墙12沿第一方向的最大长度W1可以约为0.72mm至0.88mm，例如，可以约为0.8mm。挡墙12沿第二方向Z的最大长度H1可以约为0.45mm至0.55mm，例如约为0.5mm。本示例提供的发光基板的挡墙的尺寸可以达到较佳匀光效果。然而，本实施例对此并不限定。

在一些示例性实施方式中，如图1和图2所示，在多个发光二极管11上覆盖有透光保护层13。在一些示例中，透光保护层13在衬底基板10上的正投影与挡墙12在衬底基板10上的正投影部分交叠。例如，透光保护层13可以位于由挡墙12隔离出的分区内，覆盖分区内的四个发光二极管11。如图2所示，在第一平面内，挡墙12的最大厚度即为在第二方向Z的最大长度H1。透光保护层13的最大厚度H2小于挡墙12的最大厚度H1。在本公开中，厚度为远离衬底基板10一侧表面与靠近衬底基板10一侧表面之间的距离。

在一些示例性实施方式中，如图2所示，透光保护层13具有远离衬底基板10的第一表面130，第一表面130具有多个凹面结构131。如图1所示，多个凹面结构131与多个发光二极管11中的每个一一对应。即一个凹面结构131与一个发光二极管11对应。一个凹面结构131在衬底基板10上的正投影包含一个发光二极管11在衬底基板10上的正投影。在一些示例中，发光二极管11在衬底基板10上的正投影可以为矩形，凹面结构131在衬底基板10上的正投影可以为圆形。然而，本实施例对此并不限定。例如，发光二极管11和凹面结构131在衬底基板10上的正投影的形状可以相同。

在一些示例性实施方式中，如图2所示，在第一平面内，凹面结构131的表面可以为圆弧面。例如，凹面结构131的形状可以为半球形，且发光二极管11的出光面的中心可以位于半球形的中轴线上。然而，本实施例对此并不限定。例如，发光二极管11的出光面的中心与半球形的中轴线之间可以具有偏差。

在一些示例性实施方式中，如图2所示，在第一平面内，凹面结构131沿第一方向的长度W2可以约为0.72mm至0.88mm，例如可以约为0.8mm。透光保护层13的最大厚度H2可以约为0.36mm至0.44mm，例如约为0.4mm。透光保护层13的第一表面130除凹面结构131以外的平面与发光二极管11远离衬底基板10的表面之间的距离H3约为0.144mm至0.176mm，例如约为0.16mm。凹面结构131与发光二极管11之间留有间隙。凹面结构131在第二方向Z上的底面与发光二极管11之间存在间隙，而非直接接触。本示例的发光基板的透光保护层可以在保护发光二极管的同时，起到较佳的匀光效果。

图3为本公开至少一实施例的光线传输示意图。在一些示例性实施方式中，如图3所示，发光二极管11发出的一部分光线经过透光保护层13的凹面结构131折射后继续传输，一部分光线经透光保护层13传输到挡墙12，被挡墙12反射后从透光保护层13射出，或者被反光层14反射后继续传输。由图3所示，通过透光保护层13的凹面结构131，可以改变发光二极管11发出的光线路径(例如，将光线发散传输)，从而达到更好的匀光效果。在一些示例中，透光保护层13的折射率可以约为1.4至1.6，例如，可以约为1.5或1.53。然而，本实施例对此并不限定。

在一些示例性实施方式中，如图2所示，发光基板还包括：位于透光保护层13远离衬底基板10一侧且沿着远离衬底基板10的方向依次设置的扩散膜15、颜色转换膜16以及亮度增益膜117。颜色转换膜16位于扩散膜15和亮度增益膜17之间。在本示例中，扩散膜15起到匀光作用，可以将规则排布的发光二极管11形成的光点遮蔽掉，使发光基板的表面亮度整体均匀。颜色转换膜16可以将发光二极管11发出的蓝光转换为白光。例如，颜色转换膜可以为量子点(QD，Quantum Dots)膜。亮度增益膜17可以提升匀光后的背光亮度。例如，亮度增益膜17可以包括以下至少之一：棱镜膜(BEF，Brightness Enhancement Film)、反射型偏光增亮膜(DBEF，Dual Brightness Enhancement Film)。然而，本实施例对此并不限定。在一些示例中，在发光二极管发出白光时，可以不设置颜色转换膜。

下面通过发光基板的制备过程进行示例性说明。本公开示例性实施例中，“A的正投影包含B的正投影”，是指B的正投影的边界落入A的正投影的边界范围内，或者A的正投影的边界与B的正投影的边界重叠。

在一些示例性实施方式中，如图4所示，发光基板的制备过程可以包括如下操作。

(1)、制备衬底基板。

在一些示例性实施方式中，提供基底，并在基底上形成驱动电路层，然后，在驱动电路层上涂覆白色油墨形成反光层14。驱动电路层可以包括多个驱动电路。在一些示例中，基底可以为硬质基底或柔性基底。在一些示例中，可以通过涂布工艺在相邻两个发光二极管之间的衬底基板10上形成反光层14，露出待与发光二极管11的电极引脚连接的焊盘引脚。本示例性实施方式中，通过在衬底基板10上形成反光层14，可以提高发光二极管11的光利用率，从而提高发光基板的亮度。另外，在亮度要求一定的情况下，可以选择低亮度的发光二极管，能够降低发光基板的功耗。

(2)、将多个发光二极管转印到衬底基板上。

在一些示例性实施方式中，可以通过巨量转移技术将无机发光二极管批量转移到衬底基板10上。在一些示例中，无机发光二极管的电极引脚可以通过焊锡、银胶等导电物质与衬底基板10上由反光层14暴露的焊盘引脚进行键合。

在一些示例中，衬底基板10上设置的每个发光二极管11可以看作一个点光源。衬底基板10上设置多行多列排布的多个发光二极管11，可以形成面光源。

(3)、形成挡墙。

在一些示例性实施方式中，可以通过点胶或印刷工艺在衬底基板10上形成挡墙12。在一些示例中，挡墙12的材料可以采用高反射率(例如，反射率大于95％)的胶水材料，例如，有机硅胶、环氧和丙烯酸类等。然而，本实施例对此并不限定。

(4)、形成透光保护层。

在一些示例性实施方式中，采用点胶或灌注工艺在挡墙12隔离出的分区内形成透光保护层13。透光保护层13覆盖发光二极管11，以保护发光二极管11，防止发光二极管11被刮擦掉晶。透光保护层13的最大厚度可以小于挡墙12的最大厚度。

在一些示例性实施方式中，可以采用模压、转印、冲压等在透光保护层13远离衬底基板10的第一表面130形成多个凹面结构131，以改变发光二极管11发出的光线路径，达到更好的匀光效果。在一些示例中，凹面结构131的形状可以为半球形。然而，本实施例对此并不限定。

在一些示例性实施方式中，透光保护层13可以采用有机硅胶、环氧和丙烯酸类等材料。透光保护层13的透光率可以达到99％。

(5)、依次设置扩散膜、颜色转换膜和亮度增益膜。

在一些示例性实施方式中，可以依次在透光保护层13远离衬底基板10的一侧依次设置扩散膜15、颜色转换膜16和亮度增益膜17。扩散膜15、颜色转换膜16和亮度增益膜17可以覆盖衬底基板10的发光区域。在一些示例中，扩散膜15可以采用具有匀光功能的材料，以将发光二极管11形成的光点遮蔽掉，使得表面亮度整体均匀。颜色转换膜16可以将发光二极管11发出的蓝光转换为白光。亮度增益膜17可以为棱镜膜，用来提升匀光后的亮度。

本公开示例性实施例的发光基板的制备工艺可以很好地与现有制备工艺兼容，工艺实现简单，易于实施，生产效率高，生产成本低，良品率高。

图5A为相关技术中一种发光基板的结构示意图。图5A所示的发光基板包括：衬底基板20、设置在衬底基板20上的多个发光二极管21、覆盖多个发光二极管21的保护层23、在保护层23远离衬底基板20一侧依次设置的扩散膜25、颜色转换膜26和亮度增益膜27。衬底基板20的表面设置有反光层24。保护层23具有凸起的弧形表面结构。图5A所示的发光基板的发光二极管21由具有凸面结构的保护层23覆盖，且衬底基板10上未设置挡墙。图5B为图5A所示的发光基板的匀光效果的仿真示意图。图5A所示的发光基板的亮度均一性约为72.5％。

图6为本公开至少一实施例的发光基板的匀光效果的仿真示意图。如图6所示，本实施例的发光基板的亮度均一性可以达到85.4％。参照图5B和图6可见，本实施例的发光基板的亮度均一性有明显提升，可以改善匀光效果。

本公开至少一实施例还提供一种发光基板的制备方法，用于制备如上所述实施例的发光基板。本实施例的发光基板的制备方法，包括：在衬底基板上排布多个发光二极管；在衬底基板上形成隔离出多个分区的挡墙，至少一个分区内设置有至少一个发光二极管。

在一些示例性实施方式中，本实施例的制备方法还可以包括：形成覆盖发光二极管的透光保护层，并在透光保护层远离衬底基板的第一表面形成多个凹面结构。

关于本实施例的发光基板的制备方法如前所述，故于此不再赘述。

本公开至少一实施例还提供一种显示装置，包括前述示例性实施例的发光基板。

图7为本公开至少一实施例的显示装置的示意图。如图7所示，本实施例的显示装置可以包括：发光基板1和显示面板2。显示面板2位于发光基板1的出光侧。在本示例中，发光基板1可以作为显示面板2的直下式背光源。显示面板2可以为LCD显示面板。

本公开中的附图只涉及本公开涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。

本领域的普通技术人员应当理解，可以对本公开的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本公开技术方案的精神和范围，均应涵盖在本公开的权利要求的范围当中。