具有盖体的保护元件

技术领域

本发明是有关于一种保护元件，指用于电路中与其余电子元件连接，来对瞬间过电流提供保护效果的保护元件。

背景技术

充电电路通常会设置有一保护元件，使该充电电路于电池发生过电流或过电压等异常状况时，该保护元件能够切断该充电电路的充电回路，保护该充电电路。现有技术的保护元件包含有设置于本体上的低熔点合金层，低熔点合金层连接电极层，当电路通路时，电流通过电极层来通过低熔点合金层，当过电流或过电压时，低熔点合金层将因过热而熔断，来使得电路断路以保护电路。

在现有技术中，低熔点合金层上多半会涂覆助熔剂，助熔剂除了能够协助低熔点合金层熔化，并且能在一般时候保护低熔点合金层，使其不易氧化。然而，均匀涂覆助熔剂于低熔点合金层上，往往费时费工，故现有技术确有其须改进之处。

发明内容

有鉴于此，本发明针对保护元件的结构加以改良，以期能够省时省力的将助熔剂均匀涂覆在低熔点合金层上。

为达到上述发明目的，本发明提供一种保护元件，其包括：

一本体，该本体包含有：

一基座，其为电绝缘材质并具有一第一表面及一第二表面；

一内连接层，其形成于该基座的第一表面；

一外连接层，其形成于该基座的第二表面且与该内连接层形成电连接；

一低熔点合金层，其设置于该基座的第一表面，且与该内连接层形成电连接，该低熔点合金层上具有至少一熔断区；

一盖体，其盖设于该本体上，该盖体的内侧面设有一容置槽及至少一引道，该容置槽与所述引道相连通，各所述引道对应于该低熔点合金层的其中一熔断区；

一助熔剂，其点设于该盖体的容置槽中，当该保护元件温度开始上升时，该助熔剂进入熔融状态而由该容置槽流入所述引道中，而使得助熔剂能对应设置于该低熔点合金层的熔断区上。

本发明的优点在于，借由盖体上容置槽与引道的设计，来使得助熔剂在熔融状态下能维持在低熔点合金层的熔断区上，而生产时也仅需要将助熔剂点设于该容置槽上，可有效减少生产步骤，则可节省生产步骤及成本。

为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合附图详细说明如下，但不作为对本发明的限定。

附图说明

图1为本发明的立体图；

图2为本发明的元件分解图；

图3为图2中的基座沿A-A割面线的剖面图；

图4为图2中的基座沿B-B割面线的剖面图；

图5为本发明另一视角的元件分解图；

图6为本发明在助熔剂未熔融之前的侧视剖面图；

图7为本发明在助熔剂未熔融之前的端视剖面图；

图8为本发明在助熔剂熔融之后的侧视剖面图；

图9为本发明在助熔剂熔融之后的端视剖面图；

图10为本发明在助熔剂熔融之后的立体透视图，其中盖体为透明显示。

其中，附图标记：

10:本体11:基座

111:第一表面 112:第二表面

12:内连接层121:内回路电极

13:外连接层131:外回路电极

14:发热层15:低熔点合金层

151:熔断区 16:发热电极单元

161:内发热电极 162:外发热电极

20:盖体21:内侧面

22:容置槽221:侧挡墙

222:容置空间 23:引道

231:凸肋 232:阶级部

233:矮壁 234:长侧壁

30:助熔剂

具体实施方式

以下配合附图及本发明的实施例，进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段，其中附图仅为了说明目的而已被简化，并通过描述本发明的元件和组件之间的关系来说明本发明的结构或方法发明，因此，图中所示的元件不以实际数量、实际形状、实际尺寸以及实际比例呈现，尺寸或尺寸比例已被放大或简化，借此提供更好的说明，已选择性地设计和配置实际数量、实际形状或实际尺寸比例，而详细的元件布局可能更复杂。

请参阅图1所示，本发明包含有一本体10及一盖体20。

请参阅图1至图4所示，前述的本体10包含有一基座11、一内连接层12、一外连接层13、一发热层14、一低熔点合金层15。该基座11为单一电绝缘材质，并包含一第一表面111及一第二表面112。该内连接层12形成于该基座11的第一表面111。该外连接层13形成于该基座11的第二表面112，并与该内连接层12形成电连接，该外连接层13用以和外部充电回路形成电连接。该发热层14埋设于该基座11内且被该基座11所包覆，该发热层14与该外连接层13形成电连接。该低熔点合金层15形成于该基座11的第一表面111，并与该内连接层12及该发热层14形成电连接，该低熔点合金层15上具有至少一熔断区151，所述熔断区151邻近于与该内连接层12电连接处。

在一实施例中，该内连接层12包含有两个内回路电极121，分别设置于该第一表面111上邻近于两长侧处，该外连接层13包含有两个外回路电极131，分别设置于该第二表面112上邻近于两长侧处，且分别与所述内回路电极121形成电连接，该低熔点合金层15跨接于所述两个内回路电极121，该低熔点合金层15的熔断区151的数量为二，分别邻近于所述两个内回路电极121，当外连接层13通过外回路电极131与外部充电回路相连接时，电流经由外回路电极131、内回路电极121及低熔点合金层15而形成通路。

请参阅图2及图5至图7所示，该盖体20盖设于该本体10上，该盖体20的内侧面21设有一容置槽22及至少一引道23，该容置槽22与所述引道23相连通，各所述引道23对应于该低熔点合金层15的其中一熔断区151，一助熔剂30点设于该容置槽22中，该助熔剂30为黏稠度高的物质，当通电后整体温度开始上升时，助熔剂30进入熔融状态(如图8至图10所示)，助熔剂30基于虹吸原理将由容置槽22流入所述引道23中，而使得助熔剂30能自然设置于低熔点合金层15的熔断区151上，以保护低熔点合金层15，并促进熔断区151有效熔断。在一实施例中，该盖体20的引道23的数量为二，所述两个引道23分别位于该容置槽22的两侧，并各引道23对应于其中一熔断区151，所述两个引道23呈平行设置，并与该容置槽22呈垂直设置，各引道23的长度大于容置槽22的长度。

在一实施例中，该容置槽22由两侧挡墙221及一容置空间222所构成，两侧挡墙221分别设置于该容置空间222的两侧，各引道23包含有一凸肋231，该凸肋231垂直设置于所述侧挡墙221的其中一端部，该凸肋231具有一阶级部232，亦即连续且厚度不同的凹槽，使该凸肋231相邻于所述侧挡墙221的矮壁233的厚度小于侧挡墙221的厚度，该阶级部232相邻于该容置槽22的容置空间222并与其相连通，该阶级部232远离于该容置空间222之侧为一长侧壁234。请参阅图8至10所示，侧挡墙221及容置空间222有助于点设助熔剂30时，可轻松对位，并维持助熔剂30的初始位置，而当助熔剂30开始熔融而由容置空间222流入阶级部232时(如图8至图10所示)，长侧壁234可有效控制助熔剂30的流动，而使得助熔剂30能维持于熔断区151上。在一实施例中，该长侧壁234的下缘可呈连续弧部，则该长侧壁234贴近该低熔点合金层15时，连续弧部的下缘可减少接触面积而避免对低熔点合金层15造成损伤。

当外部充电回路开始运作时，电流自外连接层13导入，而流经内连接层12及低熔点合金层15，由于熔断区151相邻于内连接层12及低熔点合金层15相连接处，故当过电流情形发生而电路温度上升时，熔断区151首先反应温度上升，且助熔剂30有效通过引道23的设置而维持于熔断区151上，则能有助于熔断区151加速熔断，而能迅速达到断路效果，以保护外部充电回路。

在一实施例中，请参阅图2至图4所示，该发热层14与一发热电极单元16形成电连接，该发热电极单元16分别与该外连接层13及该低熔点合金层15形成电连接，以使得外部充电回路的电流流经该发热层14，来使得发热层因而发热，使得埋设于基座11中的发热层14能加以蓄热，并通过该基座11将热传递至低熔点合金层15，以加速该低熔点合金层15过热熔断的效应。在一实施例中，该发热电极单元16包含有一内发热电极161及两外发热电极162，该内发热电极161设置于该基座11的第一表面111上，该低熔点合金层15覆盖于其上，该内发热电极161分别与该发热层14及该低熔点合金层15形成电连接，所述外发热电极162分别设置于该基座11的第一表面111及第二表面112上(或一外发热电极162设置于该第二表面112上)，所述外发热电极162分别与该发热层14及该外连接层13形成电连接，则外部充电回路的电流通过外连接层13流入该发热层14，并通过外发热电极162、发热层14、内发热电极161及低熔点合金层15来构成发热回路。

在一实施例中，所述外回路电极131与所述内回路电极121的电连接、所述内发热电极161与所述发热层14的电连接、所述外发热电极162与外连接层13及发热层14的电连接，通过基座11中所设置的多个导电贯孔来构成电连接。

以上所述仅是本发明的实施例而已，并非对本发明做任何形式上的限制，虽然本发明已以实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明技术方案的范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。