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建立放电室模型的方法、装置、电子设备及存储介质

文献发布时间:2023-06-19 10:51:07


建立放电室模型的方法、装置、电子设备及存储介质

技术领域

本发明涉及臭氧发生领域,尤其涉及一种建立放电室模型的方法、装置、电子设备及存储介质。

背景技术

臭氧是一种强氧化剂,其很容易被分解为氧气,不产生二次污染,是一种无公害无污染无残留的氧化和消毒剂。目前,臭氧被大量应用于有机合成、无机化工、冶金、造纸、印染、食品保鲜和医疗器具及餐具消毒等领域,涉及到人们生活的各个方面,并被广泛应用于自来水净化和工业、生活污废水的处理。

产生臭氧有很多种方法,介质阻挡放电法(DBD)具有能耗相对较低、臭氧产量大、气源选择范围广等优点,被大量应用于大规模臭氧生产。而DBD臭氧发生的关键就在于电源控制。DBD臭氧发生装置的电源是一种串联谐振式变频电源,主要通过模拟和数字电路实现对工频电源的AC-DC-AC的一系列变换,产生DBD放电室所需要的谐振频率电压信号,进而产生臭氧。

在制备臭氧时,放电室存在放电和非放电两个工作阶段,同时电路还存在非线性,因此通过传统的分析方法无法实现放电室模型的准确建立。然而在实际的工程中我们需要根据放电室模型来设计和选择相关元件,如变压器参数的设计和选择,控制器频率的确定,功率大小的选择等。只有放电室模型准确可靠,才能使臭氧发生器工作效率达到最高,保证系统长期稳定的工作,同时也对控制系统的设计提供了充足的保障,有利于简化控制系统的统计,降低成本的同时还能提高系统的稳定性。

综上,提供一种能够对臭氧发生器的放电室进行准确地模型辨识的方法显得尤为必要。

发明内容

针对现有技术中的问题,本发明实施例提供一种建立放电室模型的方法、装置、电子设备及存储介质,用以解决现有技术中的不容易确定测量电容Cm、不安全、得到的放电模型不准确的缺陷,实现安全、可靠,精确地建立放电室模型的效果。

具体地,本发明实施例提供了以下技术方案:

第一方面,本发明实施例提供了一种建立放电室模型的方法,包括:

基于实际的放电室和/或仿真的放电室的电压、电流和放电维持电压,计算所述放电室模型的参数的初始值,其中,所述参数包括气隙电容Cg和介质阻挡电容Cd。

进一步地,所述基于实际的放电室和/或仿真的放电室的电压、电流和放电维持电压,计算所述放电室模型的参数的初始值包括:

基于如下公式来计算所述放电室模型的参数的初始值,

C·ΔV=i

其中,C为放电室放电时或不放电时的等效电容,ΔV为放电室放电时或不放电时的电压与放电维持电压U

当放电室两端的电压大于或等于预定阈值时,气隙电容Cg被击穿而放电,此时放电室的等效电容为介质阻挡电容Cd,Cd满足如下:

CdΔV=i

当放电室两端的电压小于预定阈值时,气隙电容Cg未被击穿,气隙电容Cg不放电,此时的放电室的等效电容为相互串联的气隙电容Cg和介质阻挡电容Cd构成的电容,Cg和Cd满足如下:

其中,i

进一步地,所述基于实际的放电室和/或仿真的放电室的电压、电流和放电维持电压,计算所述放电室模型的参数的初始值还包括:

基于实际的放电室和/或仿真的放电室的电压和电流随时间变化的正弦曲线图,计算所述放电室模型的参数的初始值。

进一步地,所述基于实际的放电室和/或仿真的放电室的电压和电流随时间变化的正弦曲线图,计算所述放电室模型的参数的初始值包括:

计算放电室的电压和电流随时间变化的正弦曲线图的一个放电周期内的放电室放电时的电流和放电时间构成的面积和不放电时的电流和不放电时间构成的面积的比值;

假设i

基于上述公式(2)和(3)以及上述假设得到如下公式(4):

基于上述公式(4)得到Cd和Cg的倍数关系;

利用Cd和Cg的倍数关系计算所述放电室模型的参数的初始值。

进一步地,所述利用Cd和Cg的倍数关系计算所述放电室模型的参数的初始值包括:

基于上述公式(2)或(3)和Cd和Cg的倍数关系计算出Cd和Cg的初始值。

进一步地,所述方法还包括:

将所计算出的放电室模型的参数的初始值设定为所述放电室模型的参数的初始值;

基于实际的放电室的电压和电流数据对所述放电室模型的参数的初始值进行调整。

进一步地,所述基于实际的放电室的电流和电压数据对所述放电室模型的参数的初始值进行调整包括:

对比实际的放电室和所述放电室模型的电压和电流;

当实际的放电室和所述放电室模型的电压和电流的差值小于预定阈值时,保存此时的放电室模型的参数Cd和Cg;

当差值大于或等于预定阈值时,调整所述放电室模型的参数Cd和Cg。

进一步地,所述放电室模型为臭氧发生器放电室模型。

第二方面,本发明提供一种建立放电室模型的装置,包括:

计算参数的初始值单元,用于基于实际的放电室和/或仿真的放电室的电压、电流和放电维持电压,计算放电室模型的参数的初始值,其中,所述参数包括气隙电容Cg和介质阻挡电容Cd。

第三方面,本发明提供一种电子设备,包括存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序,所述处理器执行所述程序时实现如上所述建立放电室模型的方法的步骤。

第四方面,本发明提供一种非暂态计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,该计算机程序被处理器执行时实现如上所述建立放电室模型的方法的步骤。

本发明提供的建立放电室模型的方法、装置、电子设备及存储介质,基于实际的放电室和/或仿真的放电室的电压、电流、电压和电流随时间变化的正弦曲线图以及放电室的放电维持电压,计算放电室模型的参数的初始值,其中,所述参数包括气隙电容Cg和介质阻挡电容Cd。通过本发明的方法简化了臭氧发生器建模的复杂度,提升了实际操作的安全性;提高了臭氧发生器建模的精确性,有利于简化控制器的设计、提升系统的可靠性;方便设计臭氧发生器的外围电路和相关元件参数的选取,提升了工作效率;节省了测算放电室模型所需的成本。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为目前的李萨如图的测量原理示意图;

图2为目前的李萨如图的测量结果示意图;

图3为本发明一实施例提供的建立放电室模型的方法中的计算模型参数的初始值的方法的示意图;

图4为本发明一实施例提供的建立放电室模型的方法的流程图;

图5为本发明一实施例提供的的放电室模型的示意图;

图6为本发明一实施例提供的由实际的或仿真的放电室的电压和电流数据绘制的电压和电流的正弦曲线图;

图7为本发明一实施例提供的放电室模型辨识装置的结构示意图;以及

图8为本发明一实施例提供的用于放电室模型辨识的电子设备的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。

产生臭氧有很多种方法,介质阻挡放电法(DBD)具有能耗相对较低、臭氧产量大、气源选择范围广等优点,被大量应用于大规模臭氧生产。而DBD臭氧发生的关键就在于电源控制。DBD臭氧发生装置的电源是一种串联谐振式变频电源,主要通过模拟和数字电路实现对工频电源的AC-DC-AC的一系列变换,产生DBD放电室所需要的谐振频率电压信号,进而产生臭氧。

在制备臭氧时,放电室存在放电和非放电两个工作阶段,同时电路还存在非线性,因此通过传统的分析方法无法实现放电室模型的准确建立。然而在实际的工程中我们需要根据放电室模型来设计和选择相关元件,如变压器参数的设计和选择,控制器频率的确定,功率大小的选择等。只有放电室模型准确可靠,才能使臭氧发生器工作效率达到最高,保证系统长期稳定的工作,同时也对控制系统的设计提供了充足的保障,有利于简化控制系统的统计,降低成本的同时还能提高系统的稳定性。

目前生产设计主要是根据李萨如图进行模型参数的求取,通过李萨如图方法可以获得放电室的两个动态电容和击穿电压。然后根据这两个电容和击穿电压确定所需的变压器参数、漏感参数、同时据此确定控制器的工作频率,以及选择合适的驱动元件。李萨如图的测量原理如图1所示。

李萨如图的测量原理如下图所示,其中Cm为测量电容,Rm为电阻分压。通过示波器可以测得一个封闭的平行四边形,通过计算这个平行四边形的相应坐标就可以得到放电模型的各个参数。示波器的测量结果如图2所示。

通过如下公式可计算出相应的等效电容:

其中,Cg为气隙电容,Cd为介质阻挡电容,Ux为线段AB与横坐标的交点,Uz为放电维持电压。

当Cm>>Cd、Cg的时候可以忽略Cm对测量结果的影响,即有如下公式:

通过李萨如图和上述公式即可算出相应的放电室模型。

通过李萨如图测量和计算放电模型,存在如下缺点:

1、测量电容Cm的选择不容易确定,同时对不同规格的放电室其测量电容的参数都要重新选择,一旦参数选择不合适可能导致电容烧毁,甚至产生安全事故。

2、由于在主电路中串接了测量电容Cm,这无疑增加了接线的复杂程度,同时也影响系统的可靠性。

3、因为测量电容的引入这肯定会对放电模型的参数测量带来影响,无法得到准确的放电模型。

因此,改进的建立放电室模型的方法将为放电室建模带来提高建模准确性和可靠性,提升实际操作的安全性,提升工作效率;节省测算放电室模型所需的成本的有益效果。为此,本发明提供了一种建立放电室模型的方法、装置、电子设备及介质,下面将通过具体实施例对本发明提供的内容进行详细解释和说明。

图3示出了建立放电室模型的方法中的计算模型参数的初始值的方法的示意图;图4示出了本发明实施例提供的建立放电室模型的方法的流程图。如图3和图4所示,本发明实施例提供的建立放电室模型的方法包括如下步骤:

步骤110:基于实际的放电室和/或仿真的放电室的电压、电流和放电维持电压,计算放电室模型的参数的初始值,其中,所述参数包括气隙电容Cg和介质阻挡电容Cd。

通过放电室的电压、电流和放电维持电压来计算放电室模型的气隙电容Cg和介质阻挡电容Cd的初始值。

臭氧发生器的等效模式如图5所示。其中Cd为介质阻挡电容,Cg为气隙电容,Uz为放电维持电压。当负载的电压低于Uz时,放电间隙不会发生放电现象其等效电路为未放电阶段,当负载电压大于Uz时会发生放电现象,其为放电阶段。

图4中示出了建立放电室模型的方法的整体的流程图,图3的步骤属于图4中的设定初始参数这一步骤。如图4所示,建立电室模型的方法包括:首先,在软件中搭建放电室的仿真系统,并启动仿真系统,将步骤110计算出的模型的参数的初始值设定为放电室模型的初始参数,基于实际的放电室的电压情况(放电的起始电压和相位)来修改仿真系统的电压参数;其次,同步采集仿真系统的输出电压和输出电流,将实际的放电室的与仿真系统的输出数据进行比较,当二者的差值满足误差要求时,保存仿真参数,当不满足误差要求时,调整放电模型的参数,并调整参数后的放电室模型重新得到的输出数据与实际放电室的电压和电流数据进行比较,经过上述的几次参数调整后,便得到精准的放电室模型。

实际的放电室的放电的起始电压和相位是通过如下步骤来计算的:启动臭氧发生系统,同步采集放电室的电压和电流,存储采集到的数据,绘制电流、电压曲线,基于电流、电压曲线计算放电的起始电压和相位。

在上述实施例中,通过放电室的电压、电流和放电维持电压来计算放电室模型的气隙电容Cg和介质阻挡电容Cd的初始值,使得臭氧发生器放电室建模的精确性得以提高。

基于上述实施例,在本发明另一实施例提供的建立放电室模型的方法中,所述基于实际的放电室和/或仿真的放电室的电压、电流和放电维持电压,计算所述放电室模型的参数的初始值包括:

基于如下公式来计算放电室模型的参数的初始值,

C·ΔV=i

其中,C为放电室放电时或不放电时的等效电容,ΔV为放电室模放电时或不放电时的电压与放电维持电压U

当放电室两端的电压大于或等于预定阈值时,气隙电容Cg被击穿而放电,此时放电室的等效电容为介质阻挡电容Cd,Cd满足如下:

C

当放电室两端的电压小于预定阈值时,气隙电容Cg未被击穿,气隙电容Cg不放电,此时的放电室的等效电容为相互串联的气隙电容Cg和介质阻挡电容Cd构成的电容,Cg和Cd满足如下:

其中,i

在一个示例中,将通过测出的放电室放电时的电流i

在另一个示例中,将公式(2)或公式(3)的左右两边相除,将放电室的电压和电流随时间变化的正弦曲线图的一个放电周期内的放电时的电流和放电时间构成的面积和不放电时的电流和不放电时间构成的面积的比值作为等式相除后所得到的新的等式的右边的结果,这样就得到Cd和Cg的倍数关系,通过公式(2)求出Cd的数值,再通过Cd和Cg的倍数关系求出Cg的数值。

当然,本领域技术人员可知晓,可以灵活的运用上述公式(1)、公式(2)和公式(3)来计算Cd和Cg的数值,具体的计算方式不限于上述的示例。

在上述实施例中,通过上述公式(1)、(2)和(3)来计算放电室模型的气隙电容Cg和介质阻挡电容Cd初始值,使得计算出的参数初始值更加准确,使得关于臭氧发生器放电室模型的建模的精确性得以提高。

基于上述实施例,在本发明另一实施例提供的建立放电室模型的方法中,所述基于实际的放电室和/或仿真的放电室的电压、电流和放电维持电压,计算所述放电室模型的参数的初始值还包括:

基于实际的放电室和/或仿真的放电室的电压和电流随时间变化的正弦曲线图,计算放电室模型的参数的初始值。

图6示出了实际的放电室和/或仿真的放电室的电压和电流随时间变化的正弦曲线图。其中一条是电压的正弦曲线图,一条是电流的正弦曲线图,图中的Tp为放电室放电的时间(时长),Tn为放电室不进行放电的时间(时长),x轴为时间,y轴为相位。

在上述实施例中,通过放电室的电压随时间变化的正弦曲线图和电流随时间变化的正弦曲线图来计算放电室模型的气隙电容Cg和介质阻挡电容Cd的初始值,使得简化了臭氧发生器建模的复杂度,提升实际操作的安全性;提高臭氧发生器建模的精确性。

基于上述实施例,在本发明另一实施例提供的建立放电室模型的方法中,所述基于实际的放电室和/或仿真的放电室的电压和电流随时间变化的正弦曲线图,计算放电室模型的参数的初始值包括:

计算放电室的电压和电流随时间变化的正弦曲线图的一个放电周期内的放电室放电时的电流和放电时间构成的面积和不放电时的电流和不放电时间构成的面积的比值;

假设i

基于上述公式(2)和(3)以及上述假设得到如下公式(4):

基于上述公式(4)得到Cd和Cg的倍数关系;

利用Cd和Cg的倍数关系计算所述放电室模型的参数的初始值。

具体地,将通过将公式(2)和(3)的左右两边分别相除,令相除后的结果相等,便得到Cg和Cd的等式。将i

在上述实施例中,通过利用正弦曲线图中的面积的比值,使得计算Cg和Cd的过程更加简单、准确,通过利用电压和电流的正弦曲线图来求Cd和Cg的倍数关系,并通过Cd和Cg的倍数关系来计算Cd和Cg的具体数值,通过上述方式,简化了臭氧发生器放电室建模的复杂度,提高了计算Cd和Cg的准确度,进而提高臭氧发生器建模的精确性。

基于上述实施例,在本发明另一实施例提供的建立放电室模型的方法中,所述利用Cd和Cg的倍数关系计算所述放电室模型的参数的初始值包括:

基于上述公式(2)或(3)和Cd和Cg的倍数关系计算出Cd和Cg的初始值。

在一个示例中,假设Cg为Cd的x倍,基于上述公式(4)得到Cd和Cg的倍数关系。在另一个示例中,通过消掉公式(4)左右两边的共同的Cd和ΔV便得到Cg为Cd的倍数关系。

在上述实施例中,通过公式(2)或(3)和Cd和Cg的倍数关系计算出Cd和Cg的初始值,使得计算出的Cd和Cg的初始值更加准确,简化了臭氧发生器建模的复杂度,提升工作效率。

基于上述实施例,在本发明另一实施例提供的建立放电室模型的方法中,所述方法还包括:

将所计算出的放电室模型的参数的初始值设定为放电室模型的参数的初始值;

基于实际的放电室的电压和电流数据对放电室模型的参数的初始值进行调整。

通过将实际的放电室的电压和电流数据与本发明创建的放电室模型输出的电压和电流进行比较,自动调整参数Cd和Cg。具体地,当放电室模型输出的电压和电流与实际的放电室的电压和电流数据的差值小于预定阈值时,保存仿真参数Cd和Cg,当放电室模型输出的电压和电流与实际的放电室的电压和电流数据的差值大于或等于预定阈值时,调整放电室模型的参数Cd和Cg,通过上述的调整,使得放电室模型的内部参数Cd和Cg更加符合实际的放电室的内部参数Cd和Cg。

在上述实施例中,采集仿真系统的输出电压和输出电流,通过采集仿真系统的输出电压和输出电流并进行比较就可以实现对参数Cd和Cg的优化,相比于李萨如图方式,更加安全。

基于上述实施例,在本发明另一实施例提供的建立放电室模型的方法中,所述基于实际的放电室的电流和电压数据对放电室模型的参数的初始值进行调整包括:

对比实际的放电室和放电室模型的电压和电流;

其中,当实际的放电室和放电室模型的电压和电流的差值小于预定阈值时,保存此时的放电室模型的参数Cd和Cg,当差值大于或等于预定阈值时,调整放电室模型的参数Cd和Cg。

在一个示例中,将实际的放电室的放电时的电压和放电室模型的放电时的电压进行比较,将将实际的放电室的放电时的电流和放电室模型的放电时的电流进行比较。在一个示例中,将实际的放电室的不放电时的电压和放电室模型的不放电时的电压进行比较,将将实际的放电室的不放电时的电流和放电室模型的不放电时的电流进行比较。

在上述实施例中,通过比较电压和电流的数值就可以实现对参数Cd和Cg的优化,相比于李萨如图方式,本发明的计算和优化参数方式Cd和Cg更加安全。

基于上述实施例,在本发明另一实施例提供的建立放电室模型的方法中,所述放电室模型为臭氧发生器放电室模型。

在一个示例中,本发明的放电室模型为臭氧发生器的放电室模型,当然,本发明的放电室模型还可以为其它需要进行放电的装置或设备上的放电室模型。

在上述实施例中,通过臭氧发生器放电室模型进行建模和优化,使得能够方便设计臭氧发生器的外围电路和相关元件参数的选取。

本发明的关键点如下:

1、将系统辨识的方法应用于放电模型的建立。

2、通过真实的实验数据不断迭代,实现放电模型的精确建立。

3、通过电路仿真的方式动态修改放电室的参数,实现快速、安全、便捷地建立放电室模型。

本发明提供的建立放电室模型的方法、装置、电子设备及存储介质,基于实际的放电室和/或仿真的放电室的电压和电流随时间变化的正弦曲线图和放电室的放电维持电压,计算放电室模型的参数的初始值,其中,所述参数包括气隙电容Cg和介质阻挡电容Cd。通过本发明的方法简化了臭氧发生器建模的复杂度,提升了实际操作的安全性;提高了臭氧发生器建模的精确性,有利于简化控制器的设计、提升系统的可靠性;方便设计臭氧发生器的外围电路和相关元件参数的选取,提升了工作效率;节省了测算放电室模型所需的成本。

下面对本发明提供的放电室模型辨识装置进行描述,下文描述的放电室模型辨识装置与上文描述的建立放电室模型的方法可相互对应参照。

图7示例了一种建立放电室模型的装置实体结构示意图,如图7所示,该装置可以包括:

计算参数的初始值单元710,用于基于实际的放电室和/或仿真的放电室的电压、电流和放电维持电压,计算放电室模型的参数的初始值,其中,所述参数包括气隙电容Cg和介质阻挡电容Cd。

图8示例了一种电子设备的实体结构示意图,如图8所示,该电子设备可以包括:处理器(processor)810、通信接口(Communications Interface)820、存储器(memory)830和通信总线840,其中,处理器810,通信接口820,存储器830通过通信总线840完成相互间的通信。处理器810可以调用存储器830中的逻辑指令,以执行建立放电室模型的方法,该方法包括:

基于实际的放电室和/或仿真的放电室的电压、电流和放电维持电压,计算放电室模型的参数的初始值,其中,所述参数包括气隙电容Cg和介质阻挡电容Cd。

可以理解的是,所述计算机程序可以执行的细化功能和扩展功能可参照上面实施例的描述。

基于相同的发明构思,本发明又一实施例提供了一种非暂态计算机可读存储介质,该非暂态计算机可读存储介质上存储有计算机程序,该计算机程序被处理器执行时实现上述建立放电室模型的方法的全部步骤。

可以理解的是,所述计算机程序可以执行的细化功能和扩展功能可参照上面实施例的描述。

基于相同的发明构思,本发明又一实施例提供了一种计算机程序产品,所述计算机程序产品包括有计算机程序,该计算机程序被处理器执行时实现上述实现上述建立放电室模型的方法的全部步骤。

可以理解的是,所述计算机程序可以执行的细化功能和扩展功能可参照上面实施例的描述。

此外,上述的存储器中的逻辑指令可以通过软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时,可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解,本发明的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来,该计算机软件产品存储在一个存储介质中,包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机,服务器,或者网络设备等)执行本发明各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括:U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM,Read-Only Memory)、随机存取存储器(RAM,Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的,其中所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的,作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元,即可以位于一个地方,或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本发明实施例方案的目的。本领域普通技术人员在不付出创造性的劳动的情况下,即可以理解并实施。

通过以上的实施方式的描述,本领域的技术人员可以清楚地了解到各实施方式可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现,当然也可以通过硬件。基于这样的理解,上述技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来,该计算机软件产品可以存储在计算机可读存储介质中,如ROM/RAM、磁碟、光盘等,包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机,服务器,或者网络设备等)执行各个实施例或者实施例的某些部分所述的安全防御方法。

此外,在本发明中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

此外,在本发明中,参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外,在不相互矛盾的情况下,本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。

最后应说明的是:以上实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对其限制;尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

相关技术
  • 建立放电室模型的方法、装置、电子设备及存储介质
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技术分类

06120112707266