一种显示面板及制作方法

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及制作方法。

背景技术

Mini LED(mini Light Emitting Diode)即次毫米发光二极管，特点是轻薄、功耗低、柔性好、可弯曲度高、能精细调节调光分区、可实现局部调光、窄边框……

一般采用薄膜晶体管来驱动Mini LED的拼接屏技术对未来实现高分辨率。MiniLED的发光层阵列排列在基板上，并位于同一层。Mini LED灯之间存在不可避免的间隙，当屏幕点亮时，屏幕上出现暗点及暗条纹。如果要实现更高的屏幕分辨率和更精细的调节调光分区，减小Mini LED灯的尺寸和缩小Mini LED灯珠之间的间距是较为主要的方向，缩小Mini LED之间的间隙可以实现更小的像素间距显示，进而提高面板画面的清晰度和解析度。

发明内容

为此，需要提供一种显示面板及制作方法，解决如何缩小显示面板的像素之间的间距的问题。

为实现上述目的，本实施例提供了一种显示面板制作方法，包括如下步骤：

在基板上制作通孔，所述基板上的通孔连通基板的正面和基板的背面；

在基板的正面上制作薄膜晶体管和第二电极层，在制作薄膜晶体管中的绝缘层时，在位于所述基板上的通孔区域的绝缘层上制作孔，绝缘层上的孔连通所述基板上的通孔，使得薄膜晶体管露出基板上的通孔，第二电极层和薄膜晶体管中的源极同层设置，所述第二电极层连接源极或者漏极，所述第二电极层、所述源极和所述漏极均透光，所述第二电极层通过绝缘层上的孔侧壁和基板上的通孔侧壁延伸至基板的背面；

制作平坦层，所述平坦层覆盖所述薄膜晶体管和第二电极层；

在平坦层上制作第一孔，所述第一孔的孔底为所述源极或者所述漏极；

制作第一电极层，所述第一电极层通过所述第一孔连接源极或者漏极；

制作第一像素定义层，并在第一像素定义层上制作第二孔，第二孔的孔底为第一电极层；

在基板的背面上制作第二像素定义层，并在第二像素定义层上制作第三孔，所述第三孔连通基板上的通孔，所述第三孔中设置所述第二电极层；

在第二孔中制作第一发光层，所述第一发光层连接第一电极层，在第三孔中制作第二发光层，所述第二发光层连接第二电极层。

进一步地，在制作第二电极层时，使得位于绝缘层上的孔区域的第二电极层为中空结构；

在制作平坦层时，蚀刻平坦层形成第四孔，所述第四孔连通第二电极层的中空区域，所述第四孔位于所述第二孔的下方；

在第二孔中制作第一发光层时，将第一发光层的灯珠引脚通过锡膏和第一电极层连接，所述第一发光层为Mini LED；

在第三孔中制作第二发光层时，将第二发光层的灯珠引脚通过锡膏和第二电极层连接，所述第二发光层为Mini LED，第二孔中的锡膏还通过第四孔和第二电极层的中空区域连接第二发光层。

进一步地，还包括如下步骤：

在第一像素定义层上制作封装层，所述封装层覆盖第一发光层；或者：

在第二像素定义层上制作封装层，所述封装层覆盖第二发光层。

进一步地，还包括如下步骤：

在第二像素定义层上制作反光层，所述反光层覆盖第二发光层和第二像素定义层。

进一步地，在制作平坦层前，还包括步骤：

制作缓冲层，所述缓冲层覆盖所述薄膜晶体管和第二电极层；

制作遮光层，所述遮光层置于缓冲层上，薄膜晶体管中的有源层的投影位于遮光层的投影中，所述投影的方向垂直于基板的正面；

所述缓冲层的上表面和遮光层的上表面均承载所述平坦层。

本实施例提供一种显示面板，包括基板、薄膜晶体管、第二电极层、平坦层、第一电极层、第一像素定义层、第一发光层、第二像素定义层和第二发光层；

基板上设置通孔，所述基板上的通孔连通基板的正面和基板的背面；

所述薄膜晶体管设置在基板的正面上，薄膜晶体管中的绝缘层设置孔，绝缘层上的孔连通所述基板上的通孔，使得薄膜晶体管露出基板上的通孔，第二电极层和薄膜晶体管中的源极同层设置，所述第二电极层连接源极或者漏极，所述第二电极层、所述源极和所述漏极均透光，所述第二电极层通过绝缘层上的孔侧壁和基板上的通孔侧壁延伸至基板背面的第三孔中；

所述平坦层设置在所述薄膜晶体管上，所述平坦层覆盖所述薄膜晶体管和第二电极层；

所述第一电极层设置在所述平坦层上，所述第一电极层通过平坦层上的第一孔连接源极或者漏极；

所述第一像素定义层设置在平坦层和第一电极层上，所述第一发光层设置在所述第一像素定义层的第二孔中，所述第一发光层通过第二孔连接第一电极层；

所述第二像素定义层设置在基板的背面上，所述第二发光层设置在所述第二像素定义层的第三孔中，所述第二发光层通过第三孔连接第二电极层。

进一步地，位于绝缘层上的孔区域的第二电极层为中空结构，平坦层上的第四孔连通第二电极层的中空区域，所述第二孔连通所述第四孔；

所述第一发光层和所述第二发光层均为Mini LED，第一发光层的灯珠引脚通过锡膏和第一电极层连接，第二发光层的灯珠引脚通过锡膏和第二电极层连接，第二孔中的锡膏还通过第四孔和第二电极层的中空区域连接第二发光层。

进一步地，还包括封装层，所述封装层设置在第一像素定义层上，所述封装层覆盖第一发光层；或者：

所述封装层设置在第二像素定义层上，所述封装层覆盖第二发光层。

进一步地，还包括反光层，所述反光层覆盖第二发光层和第二像素定义层。

进一步地，还包括遮光层，所述遮光层设置在所述薄膜晶体管和平坦层之间，薄膜晶体管中的有源层的投影位于遮光层的投影中，所述投影的方向垂直于基板的正面。

区别于现有技术，上述技术方案中第一发光层和第二发光层均由同一个薄膜晶体管来驱动点亮，两发光层分别在基板的正反面上排列，实现光的在竖直方向上的无间隙发射。将两个发光层的像素叠加，增加了显示面板的解析度和分辨率，提高了显示面板的亮度。上述技术方案还可以实现透明显示或者双面显示，提高产品的竞争力。

附图说明

图1为本实施例在基板上制作蚀刻阻挡层的剖面结构示意图；

图2为本实施例在基板上制作遮光层的剖面结构示意图；

图3为本实施例在基板上制作平坦层的剖面结构示意图；

图4为本实施例在基板上制作第一电极层的剖面结构示意图；

图5为本实施例在基板上制作第一像素定义层和第二像素定义层的剖面结构示意图；

图6为本实施例在基板上制作第一发光层、第二发光层和反光层的剖面结构示意图。

附图标记说明：

1、基板；

11、通孔；

2、薄膜晶体管；

21、栅极；22、栅极绝缘层；23、有源层；24、蚀刻阻挡层；25、源极；26、漏极；27、缓冲层；

3、第二电极层；

4、遮光层；

5、平坦层；

51、第一孔；52、第四孔；

6、第一电极层；

7、第一像素定义层；

71、第一发光层；711、灯珠引脚；72、第二孔；

8、第二像素定义层；

81、第二发光层；82、第三孔；

9、锡膏；

10、反光层。

具体实施方式

为详细说明技术方案的技术内容、构造特征、所实现目的及效果，以下结合具体实施例并配合附图详予说明。

请参阅图1至图6，本实施例一种显示面板制作方法，该制作方法可以在玻璃基板、塑料基板等类型的基板1上进行制作，基板1用于承载各个膜层。显示面板制作方法包括如下步骤：在基板1上制作通孔11。所述通孔11可以是通过激光打孔或者蚀刻的方式制作。所述基板上的通孔11连通基板1的正面和基板1的背面，用于作为第二电极层3和第二发光层81的连接点。所述通孔11的横截面的形状为圆形、三角形、矩形、五边形等。

在基板的正面上制作薄膜晶体管2和第二电极层3，结构如图1和图2所示。第二电极层3和薄膜晶体管2中的源极25同层设置，所述第二电极层3连接所述源极25或者所述漏极26。所述第二电极层3、所述源极25和所述漏极26均透光，使得位于基板背面的第二发光层81发出的光可以照射到基板正面方向。所述第二电极层3通过绝缘层上的孔侧壁和基板上的通孔侧壁延伸至基板的背面。

在制作薄膜晶体管2中的绝缘层(栅极绝缘层22、蚀刻阻挡层24)时，在位于所述基板上的通孔区域的绝缘层上制作孔，绝缘层上的孔以所述基板上的通孔为底，使得薄膜晶体管2露出基板上的通孔，方便后续第二电极层3的制作。

薄膜晶体管2作为开关来驱动的显示面板可以达到高速度、高亮度、高对比度的特点。薄膜晶体管2可以是顶栅结构或者底栅结构，在此以制作底栅结构的薄膜晶体管为例。

在基板的正面上制作栅极21，结构如图1所示。具体的，在基板上涂布光阻，对光阻进行曝光和显影，使得要制作栅极的部位开口，接着镀上栅极金属到基板的正面上，进而在基板上形成栅极21。栅极21制作完毕后，清除光阻即可。需要说明的是，栅极金属可以通过物理气相沉积的方式镀到基板上。栅极金属为不透光，不透光的栅极用于保护上层的有源层23不被基板背面的第二发光层81所照射，避免有源层23被光照射而失效。

栅极金属可以为铝、钼、铜、金中的一种或者多种的组合，但不局限于此。例如，栅极金属为钼(Mo)/铜(Cu)的组合，其中铜膜层厚度为0.4um(微米)～0.5um(微米)，钼膜层厚度为0.1um(微米)～0.2um(微米)。优选的，Mo/Cu组合的栅极金属中铜膜层的厚度为0.42um，钼膜层的厚度为0.15um。

栅极21制作完毕后，为了实现栅极21与有源层23之间的隔离，在栅极21上制作栅极绝缘层22，结构如图1所示。具体的，可以在栅极上采用等离子体增强化学气相淀积法镀上绝缘材料，而后通过蚀刻得到适宜的栅极绝缘层22。其中，绝缘材料如氮化物(氮化硅等)、氧化物(氧化硅等)等，但不局限于此。为了起到有效的隔离作用，栅极绝缘层22是覆盖栅极21的，还可以覆盖基板的一整面。需要说明的是，栅极绝缘层的厚度为0.2um～0.4um。优选的，栅极绝缘层的厚度为0.3um。

需要说明的是，可以蚀刻栅极绝缘层形成孔，栅极绝缘层上的孔以基板上的孔为底，即栅极绝缘层上的孔连通基板上的孔。

栅极绝缘层22制作完毕后，在栅极绝缘层22上制作有源层23，结构如图1所示。具体的，可以采用溅射的方式沉积有源层材料到栅极绝缘层22上，这些附着在栅极绝缘层22上的有源层材料经过曝光、显影、蚀刻和脱膜后形成有源层23。其中，有源层材料可以为氧化物半导体，例如铟镓锌氧化物(indiumgallium zinc oxide,IGZO)、铟锌锡氧化物(indium zinc tin oxide,IZTO)、铟镓锌钛氧化物(indium gallium zinc tioxide,IGZTO)等，但不局限于此。

需要说明的是，有源层的厚度为0.03um～0.06um。优选的，有源层的厚度为0.04um。

有源层23制作完毕后，在有源层23上制作蚀刻阻挡层24，蚀刻阻挡层24具有保护有源层23不被蚀刻液和剥离液的腐蚀影响，结构如图1所示。具体的，可以采用等离子体增强化学气相淀积法镀上绝缘材料，而后通过蚀刻得到适宜的蚀刻阻挡层24。其中，绝缘材料如氮化物(氮化硅等)、氧化物(氧化硅等)等，但不局限于此。为了起到有效的保护作用，蚀刻阻挡层24不仅覆盖有源层23，还可以覆盖栅极绝缘层22。在某些实施例中，蚀刻阻挡层可以无需制作。

需要说明的是，蚀刻阻挡层的厚度为0.15um～0.3um。优选的，蚀刻阻挡层的厚度为0.02um。

在制作源极25和漏极26前，先在蚀刻阻挡层24上制作第五孔，结构如图1所示。第五孔的孔底为有源层的表面，第五孔不仅作为有源层和源极25之间的连接点，还作为有源层23和漏极26之间的连接点。同时，还可以在蚀刻阻挡层24上制作第六孔，所述第六孔连通栅极绝缘层上的孔，第六孔、栅极绝缘层上的孔和基板上的孔三者贯通，这样薄膜晶体管2就露出基板上的通孔，方便后续第二电极层3的制作。

蚀刻阻挡层24、第五孔和第六孔制作完毕后，在蚀刻阻挡层24上制作源极25、漏极26和第二电极层3，结构如图2所示。可以通过溅射的方式镀上源漏极金属，源漏极金属经过曝光、显影、蚀刻和脱膜后形成源极25、漏极26和第二电极层3。所述源极25和所述漏极26均通过第五孔连接有源层，源极25和漏极26均与下层的有源层形成欧姆接触。源极25、漏极26、有源层23和栅极21作为薄膜晶体管2的组成部分。需要说明的是，源漏极金属将第六孔的内部也镀上一层薄膜，该层薄膜一直延续到基板的背面，形成双面覆膜的第二电极层3。所述第二电极层3连接所述源极25或者所述漏极26，使得薄膜晶体管2可以通过第二电极层3来控制第二发光层81。

为了让位于基板背面的第二发光层81发出的光穿透到基板正面方向，源漏极金属为透光的材料，使得所述第二电极层3、所述源极25和所述漏极26均透光，光线可穿透第二电极层3、源极25和漏极26到上方去。源漏极金属可以为叠层薄膜结构，例如Al/Mo或者Cu/MoTi的组成。在此以Al/Mo的组成举例，Al/Mo结构中Al膜层的厚度为0.3um～0.4um，优选为0.33um；Mo膜层的厚度为0.02um～0.08um，优选为0.06um。

需要说明的是，第二电极层和源极一起制备是可以节省工艺的步骤，当然第二电极也可以单独制备，或者和第一电极层6一起制备。

为了保护薄膜晶体管2，使薄膜晶体管2不被外部的电路所破坏，在薄膜晶体管2上制作缓冲层27，结构如图2所示。具体的，可以在薄膜晶体管2上采用等离子体增强化学气相淀积法镀上绝缘材料，而后通过蚀刻得到适宜的缓冲层27。其中，绝缘材料如氮化物(氮化硅等)、氧化物(氧化硅等)等，但不局限于此。缓冲层27覆盖薄膜晶体管2和第二电极层3，外部的结构会被缓冲层27所阻挡，并不会接触到位于缓冲层27下方的薄膜晶体管2和第二电极层3。

薄膜晶体管中的有源层容易受到光照的影响，这影响到薄膜晶体管的稳定性，为了避免有源层被光线照射，在缓冲层27上制作遮光层4，结构如图2所示。所述遮光层4置于缓冲层27上，薄膜晶体管中的有源层的投影位于遮光层4的投影中，所述投影的方向垂直于基板的正面。遮光层可以为不透光的材料制成，例如金属、黑色树脂、遮光胶带等。当光线要照射到有源层上时，会被遮光层所遮挡，有源层便不会被光线所照射，进而保证了薄膜晶体管的性能。需要说明的是，遮光层的厚度为0.1um～0.2um。优选的，遮光层的厚度为0.15um。

基板上因为多个制程形成凹凸不平的平面，为了使基板平整，以方便后续膜层的制作，在缓冲层27上制作平坦层5，结构如图3所示。具体的，可以在缓冲层上采用等离子体增强化学气相淀积法镀上绝缘材料，而后通过蚀刻得到适宜的平坦层5。其中，绝缘材料如氮化物(氮化硅等)、氧化物(氧化硅等)、聚酰亚胺等，但不局限于此。所述平坦层5位于缓冲层27上，所述平坦层5覆盖所述薄膜晶体管2和第二电极层3。所述平坦层5具有一定的厚度，平坦层5的上表面为平面，且平行于基板的正面。

为了实现第一电极层6和薄膜晶体管的连接，在平坦层5上制作第一孔51，结构如图3所示。所述第一孔51的孔底为所述源极25或者所述漏极26，如果第一电极层6需要和源极25连接，那么第一孔51的孔底为源极25；如果第一电极层6需要和漏极26连接，那么第一孔51的孔底为漏极26。

平坦层5制作完毕后，制作第一电极层6，结构如图4所示。具体的，可以通过溅射、蒸镀的方式镀上电极层金属，电极层金属经过曝光、显影、蚀刻和脱膜后形成第一电极层6。其中，电极层金属可以为金属、金属氧化物，例如金属氧化物可以为氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等。所述第一电极层6通过所述第一孔连接源极或者漏极，实现第一电极层和薄膜晶体管的连接。需要说明的是，第一电极层的厚度为0.06um～0.08um。优选的，第一电极层的厚度为0.075um。

第一电极层6制作完毕后，进行第一像素定义层7的制作，结构如图5所示。第一像素定义层7是定义显示面板的每一个独立子像素单元。第一像素定义层7覆盖第一电极层6和平坦层5。并在第一像素定义层7上制作第二孔72，所述第二孔72的孔底为第一电极层6。第二孔72作为第一电极层6和第一发光层71之间的连接点。

同理，翻至基板的背面，在基板的背面上制作第二像素定义层8，结构如图5所示。并在第二像素定义层8上制作第三孔82，所述第三孔82连通基板上的通孔，第三孔82露出第二电极层3，第三孔82作为第二电极层3和第二发光层81之间的连接点。

然后在第二孔72中制作第一发光层71，所述第一发光层71连接第一电极层6，在第三孔82中制作第二发光层81，所述第二发光层81连接第二电极层3，结构如图6所示。

需要说明的是，第一发光层71可以为OLED(OrganicLight-Emitting Diode)的发光层或者Mini LED的发光层。第二发光层81和第一发光层71相同。OLED的发光层使得显示面板为OLED显示面板，OLED(OrganicLight-Emitting Diode)又称为有机电激光显示、有机发光半导体。Mini LED的发光层使得显示面板为Mini LED显示面板。Mini LED显示面板在保持着出色的显示效果和柔性的同时，拥有更快的响应速度、更高的高温可靠性和使用寿命。

请参阅图6，在此以制作Mini LED的第一发光层71为例，采用锡膏9将Mini LED的第一发光层71的灯珠引脚711和所述第一电极层6相绑定，第一发光层71位于第二孔72中。薄膜晶体管通过第一电极层6来控制第一发光层71的发光情况。此时绑定好的Mini LED的第一发光层的基板是一块具有显示功能的屏幕。

同理，采用锡膏9将Mini LED的第二发光层81的灯珠引脚711和所述第二电极层3相绑定，第二发光层81位于第三孔82中。薄膜晶体管2通过第二电极层3来控制第二发光层81的发光情况。

在进一步的实施例中，第三孔位于第二孔的区域下方，第一发光层和第二发光层在垂直于基板的正面方向上是部分重叠的，使得第一发光层和第二发光层在竖直方向上排列是无间隙的。

请参阅图5和图6，在更进一步的实施例中，在制作第二电极层3时，使得位于绝缘层上的孔区域的第二电极层为中空结构，第二电极层的中空区域为第二电极层上的通孔，第二电极层上的通孔连通所述第二像素定义层8上的第三孔82，且第二电极层上的通孔还连通到基板背面的第三孔82。在制作平坦层5时，蚀刻平坦层5形成第四孔52，所述第四孔52连通第二电极层3的中空区域，所述第二孔72连通所述第四孔52。需要说明的是，如果平坦层下设置缓冲层27这一膜层，那么第四孔贯穿下方的缓冲层27，直到连通第二电极层的中空区域，第四孔也连通到基板背面的第三孔82。之后制备的第二孔72是连接第四孔的，第二孔72中的锡膏9还通过第四孔和第二电极层的中空区域来连接第二发光层81的底部，增加第二发光层81的稳定性。

在本实施例中，为了实现对第一发光层的保护，避免水汽和氧气接触第一发光层，在第一像素定义层上制作封装层。附图未展示封装层的结构。所述封装层覆盖第一发光层。同理，在第二像素定义层上制作封装层，所述封装层覆盖第二发光层。所述封装层可以是透明的硅胶。

在本实施例中，为了将第二发光层发出的光反射到基板的正面出光，在第二像素定义层8上制作反光层10，结构如图6所示。所述反光层10覆盖第二发光层、第二像素定义层、封装层等。反光层的材不限于银、铜、箔等具有反射率的金属，其厚度范围为0.1um～0.2um，优选为0.15um。

需要说明的是，在显示面板上第一发光层和第二发光层在垂直于基板的正面方向可以部分重叠或者彼此紧挨着，以实现光的在竖直方向上的无间隙发射。

上述技术方案中，第一发光层和第二发光层均由同一个薄膜晶体管来驱动点亮，两发光层分别在基板的正反面上排列，实现光的在竖直方向上的无间隙发射。将两个发光层的像素叠加，增加了显示面板的解析度和分辨率，提高了显示面板的亮度。上述技术方案还可以实现透明显示或者双面显示，提高产品的竞争力。

请参阅图1至图6，本实施例还提供一种显示面板，包括基板、薄膜晶体管2、第二电极层3、平坦层5、第一电极层6、第一像素定义层7、第一发光层71、第二像素定义层8和第二发光层81。

基板1上设置通孔11，结构如图1所示。所述基板1上的通孔11连通基板1的正面和基板1的背面，用于作为第二电极层3和第二发光层的连接点。所述通孔11的横截面的形状为圆形、三角形、矩形、五边形等。

所述薄膜晶体管2设置在基板的正面上，结构如图1和图2所示。薄膜晶体管2中的绝缘层设置孔，绝缘层上的孔连通所述基板上的通孔，使得薄膜晶体管2露出基板上的通孔。

第二电极层3和薄膜晶体管2中的源极25同层设置，所述第二电极层3连接所述源极25或者所述漏极26，结构如图2所示。所述第二电极层3通过绝缘层上的孔侧壁和基板上的通孔侧壁延伸至基板的背面，之后第二电极层3位于第三孔82中。所述第二电极层3、所述源极25和所述漏极26均透光，使得位于基板背面的第二发光层81发出的光可以照射到基板正面方向。

所述平坦层5设置在所述薄膜晶体管2上，所述平坦层5覆盖所述薄膜晶体管2和第二电极层3，结构如图3所示。所述平坦层5具有一定的厚度，平坦层5的上表面为平面，且平行于基板的正面。

所述第一电极层6设置在所述平坦层5上，所述第一电极层6通过平坦层5上的第一孔51连接源极25或者漏极26，结构如图4所示。需要说明的是，第一电极层的厚度为0.06um～0.08um。优选的，第一电极层的厚度为0.075um。

第一像素定义层7是定义显示面板的每一个独立子像素单元，所述第一像素定义层7设置在平坦层5和第一电极层6上，结构如图5所示。所述第一发光层71设置在所述第一像素定义层7的第二孔72中，所述第一发光层71通过第二孔72连接第一电极层6，结构如图6所示。

同理，所述第二像素定义层8设置在基板的背面上，结构如图5所示。所述第二发光层81设置在所述第二像素定义层的第三孔82中，结构如图6所示。所述第二发光层81通过第三孔82连接第二电极层3。

第一发光层71可以为OLED(OrganicLight-Emitting Diode)的发光层或者MiniLED的发光层。第二发光层和第一发光层71相同。OLED的发光层使得显示面板为OLED显示面板，OLED(OrganicLight-Emitting Diode)又称为有机电激光显示、有机发光半导体。MiniLED的发光层使得显示面板为Mini LED显示面板。Mini LED显示面板在保持着出色的显示效果和柔性的同时，拥有更快的响应速度、更高的高温可靠性和使用寿命。

请参阅图6，在此以Mini LED的第一发光层71为例，采用锡膏9将Mini LED的第一发光层71的灯珠引脚711和所述第一电极层6相绑定，第一发光层71位于第二孔72中。薄膜晶体管通过第一电极层6来控制第一发光层71的发光情况。此时绑定好的Mini LED的第一发光层71的基板是一块具有显示功能的屏幕。

同理，采用锡膏9将Mini LED的第二发光层的灯珠引脚711和所述第二电极层3相绑定，第二发光层位于第三孔82中。薄膜晶体管通过第二电极层3来控制第二发光层的发光情况。

在本实施例中，为了实现对第一发光层的保护，避免水汽和氧气接触第一发光层，还包括封装层。所述封装层设置在第一像素定义层上，所述封装层覆盖第一发光层；或者：所述封装层设置在第二像素定义层上，所述封装层覆盖第二发光层。

在本实施例中，为了将第二发光层发出的光反射到基板的正面出光，还包括反光层10，结构如图6所示。所述反光层10覆盖第二发光层、第二像素定义层、封装层等。反光层的材不限于银、铜、箔等具有反射率的金属，其厚度范围为0.1um～0.2um，优选为0.15um。

在本实施例中，为了有源层被光线照射，还包括遮光层4，结构如图2所示。所述遮光层4设置在所述薄膜晶体管2和平坦层5之间，薄膜晶体管中的有源层的投影位于遮光层4的投影中，所述投影的方向垂直于基板的正面。遮光层可以为不透光的材料制成，例如金属、黑色树脂、遮光胶带等。当光线要照射到有源层上时，会被遮光层所遮挡，有源层便不会被光线所照射，进而保证了薄膜晶体管的性能。需要说明的是，遮光层的厚度为0.1um～0.2um。优选的，遮光层的厚度为0.15um。

请参阅图5和图6，在更进一步的实施例中，位于绝缘层上的孔区域的第二电极层3为中空结构，第二电极层3的中空区域为第二电极层3上的通孔，第二电极层上的通孔连通所述第二像素定义层8上的第三孔82，且第二电极层上的通孔还连通到基板背面的第三孔82。在制作平坦层5时，蚀刻平坦层5形成第四孔52，所述第四孔52连通第二电极层3的中空区域，所述第二孔72连通所述第四孔52。需要说明的是，如果平坦层下设置缓冲层27这一膜层，那么第四孔贯穿下方的缓冲层27，直到连通第二电极层的中空区域，第四孔也连通到基板背面的第三孔82。之后制备的第二孔72是连接第四孔的，第二孔72中的锡膏9还通过第四孔和第二电极层的中空区域来连接第二发光层的底部，增加第二发光层的稳定性。

需要说明的是，薄膜晶体管作为开关来驱动的显示面板可以达到高速度、高亮度、高对比度的特点。薄膜晶体管可以是顶栅结构或者底栅结构。

需要说明的是，在显示面板上第一发光层和第二发光层在垂直于基板的正面方向可以部分重叠或者彼此紧挨着，以实现光的在竖直方向上的无间隙发射。

上述技术方案中，第一发光层和第二发光层均由同一个薄膜晶体管来驱动点亮，两发光层分别在基板的正反面上排列，实现光的在竖直方向上的无间隙发射。将两个发光层的像素叠加，增加了显示面板的解析度和分辨率，提高了显示面板的亮度。上述技术方案还可以实现透明显示或者双面显示，提高产品的竞争力。

需要说明的是，尽管在本文中已经对上述各实施例进行了描述，但并非因此限制本发明的专利保护范围。因此，基于本发明的创新理念，对本文所述实施例进行的变更和修改，或利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，直接或间接地将以上技术方案运用在其他相关的技术领域，均包括在本发明的专利保护范围之内。