基板处理方法

技术领域

本申请公开的技术涉及与基板处理相关的技术。在此，成为处理对象的基板例如包括半导体晶圆、液晶显示设备用玻璃基板、有机EL(electroluminescence，电致发光)显示设备等平面显示器(flat panel display，FPD)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用玻璃基板、陶瓷基板、场致发射显示器(field emission display，FED)用基板或者太阳能电池用基板等。

背景技术

以往，已知有一种使用磷酸蚀刻基板中的氮化硅膜的批次(batch)式的处理装置(以下，也称为批次处理部)(例如，参照专利文献1)。批次处理装置能够一并地处理多个基板，因此吞吐量(throughput)较高。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特表2016-502275号公报。

发明内容

发明所要解决的课题

在上述的批次处理装置中清洗经过药液处理后的基板且进一步使基板干燥时，若形成于基板的表面图案为复杂的图案(例如，三维结构)，则有时干燥处理变得不充分。

另一方面，若是以逐片地处理基板的叶片式的处理装置(以下，也称为叶片处理部)，则干燥能力高，因此能够适当地进行上述的干燥处理。

在通过叶片处理部进行干燥处理的情况下，在通过批次处理部进行处理后的基板通过叶片处理部进行处理为止的等待时间变长时，基板处理整体的效率降低。

本发明公开的技术是鉴于以上所记载的问题而提出的，用于在使用批次处理部和叶片处理部的基板处理中有效率地进行基板处理整体。

用于解决课题的手段

本发明公开的技术的第一方式的基板处理方法使用批次处理部和至少一个叶片处理部进行基板处理，所述批次处理部进行包含针对多个基板的药液处理的所述基板处理，至少一个所述叶片处理部进行包含针对一片所述基板的干燥处理的所述基板处理，所述基板处理方法具备如下工序：根据待机片数计算所述基板结束所述叶片处理部中的所述基板处理为止所耗费的时间即所需时间，所述待机片数是在所述批次处理部中进行所述药液处理后、且在所述叶片处理部中进行所述干燥处理前的所述基板的片数；以及控制所述批次处理部中的所述药液处理的开始时刻，以使所述所需时间变得比所述批次处理部中的所述药液处理所耗费的时间短。

本发明所公开的技术的第二方式的基板处理方法涉及第一方式的基板处理方法，所述所需时间包含进行中的所述基板处理的剩余时间。

本发明所公开的技术的第三方式的基板处理方法使用批次处理部和至少一个叶片处理部进行基板处理，所述批次处理部进行包含针对多个基板的药液处理的所述基板处理，至少一个所述叶片处理部进行包含针对一片所述基板的干燥处理的所述基板处理，所述基板处理方法具备如下工序：根据待机片数计算所述基板结束所述叶片处理部中的所述基板处理为止所耗费的时间即所需时间，所述待机片数是在所述批次处理部中进行所述药液处理后、且在所述叶片处理部中进行所述干燥处理前的所述基板的片数；以及变更所述批次处理部中的所述基板的处理片数，以使所述所需时间变得比所述批次处理部中的所述药液处理所耗费的时间短。

本发明所公开的技术的第四方式的基板处理方法涉及第一至第三方式中的任一方式的基板处理方法，所述基板处理方法还具备如下工序：在所述批次处理部中，使进行所述药液处理后的多个所述基板浸渍于清洗槽而进行清洗处理，计算所述所需时间的工序为如下工序：根据浸渍于所述清洗槽的所述基板的所述待机片数，计算包含所述清洗处理所耗费的时间的所述所需时间。

本发明所公开的技术的第五方式的基板处理方法涉及第一至第三方式中的任一方式的基板处理方法，所述基板处理方法还具备如下工序：在所述叶片处理部中，对进行所述干燥处理前的所述基板进行清洗处理。

本发明所公开的技术的第六方式的基板处理方法涉及第五方式的基板处理方法，计算所述所需时间的工序为如下工序：根据从所述批次处理部移动至所述叶片处理部前的所述基板的所述待机片数，计算包含所述清洗处理所耗费的时间的所述所需时间。

本发明所公开的技术的第七方式的基板处理方法涉及第一至第六方式中的任一方式的基板处理方法，所述基板处理方法还具备如下工序：使所述基板浸渍于药液槽而进行所述批次处理部中的所述药液处理；以及在所述批次处理部中，使进行所述药液处理后的多个所述基板浸渍于清洗槽而进行清洗处理，所述药液槽具备：第一区域，其在第一开始时刻开始所述药液处理；以及第二区域，其在与所述第一开始时刻不同的时刻即第二开始时刻开始所述药液处理，所述清洗槽具备：第三区域，其对在所述第一区域进行所述药液处理后的所述基板进行所述清洗处理；以及第四区域，其对在所述第二区域进行所述药液处理后的所述基板进行所述清洗处理。

本发明所公开的技术的第八方式的基板处理方法涉及第一至第七方式中的任一方式的基板处理方法，所述所需时间包含所述基板从所述批次处理部移动至所述叶片处理部为止所耗费的时间。

本发明所公开的技术的第九方式的基板处理方法涉及第一至第八方式中的任一方式的基板处理方法，所述所需时间包含在所述批次处理部中进行所述基板处理后的所述基板为了在所述叶片处理部中进行所述基板处理的姿势变换所耗费的时间。

本发明所公开的技术的第十方式的基板处理方法涉及第一至第九方式中的任一方式的基板处理方法，所述所需时间包含将所述待机片数的所述基板分配至多个所述叶片处理部时在一个所述叶片处理部中反复进行的所述基板处理所耗费的时间。

发明效果

根据本公开所示的技术的至少第一方式和第三方式，能够抑制进行批次处理部中的药液处理后到在叶片处理部中进行干燥处理为止待机的基板的片数增加。因此，能够有效率地进行通过批次处理部和叶片处理部进行的基板处理整体。

此外，通过以下所示的详细的说明以及附图，能够使本公开所公开的技术所涉及的目的、特征、局面、有点变得更明确。

附图说明

图1是概略性地表示实施方式中的基板处理装置的结构的一例的平面图。

图2是局部性且概略性地表示形成于基板的三维结构的例子的图。

图3是概略性地表示实施方式中的针对基板的处理工序的一例的流程图。

图4是概略性地表示批次处理部的结构的一例的图。

图5是概略性地表示搬运机器人的结构的一例的图。

图6是概略性地表示搬运机器人的结构的一例的图。

图7是概略性地表示叶片处理部的结构的一例的图。

图8是概略性地表示搬运机器人及其周边的结构的一例的图。

图9是示意性地表示式(1)的关系的概念图。

图10是示意性地表示式(2)的关系的概念图。

图11是概略性地表示实施方式中的基板处理装置的结构的一例的平面图。

图12是示意性地表示式(3)的关系的概念图。

图13是示意性地表示式(4)的关系的概念图。

具体实施方式

以下，参照附图说明实施方式。虽然在以下的实施方式中为了说明技术而示出了详细的特征等，但这些是例示，这些并不是为了执行实施方式而必须的特征。

此外，附图是概略性地示出的，为了方便说明，在附图中适当地进行了结构的省略或者结构的简化。此外，在不同的附图分别示出的结构等的大小以及位置的相互关系并未正确地记载，适当地进行了变更。此外，为了容易理解实施方式的内容，在非截面图的平面图等附图中，有时还赋予了阴影线。

此外，在以下所示的说明中，对同样的构成要素赋予相同的符号来图标，这些构成要素的名称以及功能也是相同的。因此，为了避免重复，有时省略这些构成要素的详细说明。

此外，在以下所记载的说明中，在记载了“具备”、“包含”或“具有”等的情况下，只要没有特别说明，并不是排除其他构成要素的存在的排他式表现。

此外，在以下所记载的说明中，即使在使用了“第一”或者“第二”等序数的情况下，这些用语是为了容易理解实施方式的内容而适宜使用的用语，实施方式的内容并不限定这些序数产生的顺序等。

此外，在本申请书所记载的说明中，“…轴正方向”或者“…轴负方向”等表现是将图示的沿着…轴的箭头的方向设为正方向，将图示的与…轴的箭头相反侧的方向设负方向。

此外，在本申请书所记载的说明中，即使在使用了表示“上”、“下”、“左”、“右”、“侧”、“底”、“表”或“背”等特定的位置或者方向的用语的情况下，这些用语也是为了容易理解实施方式的内容而适宜使用的用语，与实际执行实施方式时的位置或者方向无关。

＜第一实施方式＞

以下，说明本实施方式的基板处理方法。

＜针对基板处理装置的整体结构＞

图1是概略性地表示本实施方式的基板处理装置10的结构的一例的平面图。在图1中，Z轴方向为铅锤上方向。基板处理装置10是用于对基板W进行湿式(wet)处理的装置。

基板W例如是半导体基板，在其表面形成有表面图案(pattern)。作为表面图案的具体的例子，例举在三维NAND(Not-AND；与非)闪存的制造中途形成的三维结构。

图2是局部性且概略性地表示形成于基板W的三维结构的例子的图。在图2的例子中，基板W包含支撑层93。支撑层93例如是硅层。而且，在支撑层93的上表面形成有层叠结构90。

层叠结构90包含多个绝缘膜91以及多个牺牲膜92。绝缘膜91以及牺牲膜92在Z轴方向上交替地层叠。绝缘膜91例如是二氧化硅膜，牺牲膜92例如是氮化硅膜。绝缘膜91以及牺牲膜92的厚度例如是1nm以上且50nm以下。

此外，在层叠结构90形成有沟槽(trench)94。沟槽94沿着基板W的厚度方向贯通层叠结构90。此外，在层叠结构90设置有未图示的柱(pillar)。在牺牲膜92被去除的情况下，柱支撑绝缘膜91。柱的宽度(与基板W的主面平行的宽度)例如是1nm以上且50nm以下。

作为具体的一例，在本实施方式中，针对基板处理装置10蚀刻牺牲膜92的情况进行了说明，然而基板处理装置10也可以对基板W进行其他处理。以下，概略地说明基板处理装置10的整体结构的一例，之后再详细说明各个结构的一例。

如图1的例子所示，基板处理装置10具备：批次处理部30，其对多个基板W一并进行处理(即，进行批次式的基板处理)；叶片处理部50，其逐片地处理基板W(即，进行叶片式的基板处理)；批次间搬运部60；以及批次叶片间搬运部70。

此外，在图1的例子中，基板处理装置10包含壳体100，壳体100至少收纳批次处理部30、叶片处理部50、批次间搬运部60以及批次叶片间搬运部70。即，在图1的例子中，基板处理装置10是将批次处理部30以及叶片处理部50混合存在于同一个壳体100内的混合(hybrid)式的基板处理装置。

在图1的例子中，在基板处理装置10还设置有作为从外部搬入多个基板W的搬入端口的装载端口11。在装载端口11搬入有用于收纳多个基板W的可搬动型的收纳器(以下，称为承载器(carrier)C1)。在图1的例子中，在装载端口11中，多个承载器C1沿着Y轴方向载置成一列。

作为承载器C1，也可以采用将基板W收纳至密闭空间的FOUP(Front OpeningUnified Pod，前开放式晶圆传输盒)、SMIF(Standard Mechanical Inter Face，标准机械接口)盒或者将基板W暴露于外部空气的OC(Open Cassette，开放式匣)。在此，多个基板W以其表面朝向Z侧正方向的水平姿势且在Z轴方向上排列的状态下被收纳至承载器C1。这里的水平姿势是基板W的厚度方向沿着Z轴方向的姿势。收纳至承载器C1内的基板W的片数并未特别限定，例如是25片。

在图1的例子中，在基板处理装置10还设置有分度器搬运部20，该分度器搬运部20在各个承载器C1与批次间搬运部60之间搬运多个基板W。分度器搬运部20设置于壳体100内。分度器搬运部20从各个承载器C1一并取出多个基板W，将基板W的姿势从水平姿势变换成立起姿势，将立起姿势的多个基板W搬运至批次间搬运部60。这里的立起姿势是基板W的厚度方向沿着水平方向的姿势。

分度器搬运部20例如以基板W的表面朝向Y轴负方向的立起姿势，将多个基板W传递至批次间搬运部60。

批次间搬运部60从分度器搬运部20一并接受立起姿势的多个基板W，并将所接受的多个基板W一并依序搬运至批次处理部30。

批次处理部30是对多个基板W一并进行湿式处理的批次式的处理装置。具体而言，批次处理部30包含后述的处理槽31。在处理槽31贮存有处理液。多个基板W浸渍于处理槽31内的处理液，从而批次处理部30能够对多个基板W一并进行与处理液相应的处理。

在图1的例子中，多个批次处理部30沿着X轴方向排列成一列。此外，在图1的例子中，设置有药液用的批次处理部30a以及冲洗液用的批次处理部30b作为多个批次处理部30。

批次处理部30a的处理槽31贮存药液。在基板处理装置10蚀刻基板W的牺牲膜92的情况下，药液包含能够去除牺牲膜92的蚀刻液(例如，高温的磷酸)。多个基板W浸渍于药液，由此药液能够通过各个基板W的沟槽94作用于牺牲膜92并蚀刻牺牲膜92。

批次处理部30b的处理槽31贮存冲洗液。冲洗液例如包含纯水。药液处理后的多个基板W浸渍于冲洗液，由此能够将附着于多个基板W的药液置换成冲洗液。

首先，批次间搬运部60从分度器搬运部20接受立起姿势的多个基板W，并将所接受的多个基板W搬运至批次处理部30a。该多个基板W通过批次处理部30a一并进行药液处理。由此，例如去除各个基板W的牺牲膜92。通过牺牲膜92的去除，绝缘膜91变得不被牺牲膜92支撑。因此，绝缘膜91容易崩坏。

接着，批次间搬运部60从批次处理部30a接受药液处理完毕的多个基板W，并将所接受的多个基板W搬运至批次处理部30b。在该搬运中，多个基板W在附着有处理液(在此为药液)的状态下被搬运。因此，在该搬运中，能够抑制因干燥导致的基板W的三维结构(例如，绝缘膜91)的崩坏。

被搬运至批次处理部30b的多个基板W通过批次处理部30b一并进行冲洗处理。由此，附着于各个基板W的药液被置换成冲洗液。

在图1的例子中，批次叶片间搬运部70相对于批次处理部30b设置于Y轴负方向。批次叶片间搬运部70通过批次间搬运部60接受从批次处理部30b取出的多个基板W，并将多个基板W逐片地搬运至叶片处理部50。

批次叶片间搬运部70从批次间搬运部60取出附着有冲洗液的状态的基板W。然后，批次叶片间搬运部70将水平姿势的基板W分别逐片地搬运至叶片处理部50。

在图1的例子中，叶片处理部50相对于批次叶片间搬运部70设置于Y轴负方向。此外，在图1的例子中，俯视观看时多个叶片处理部50排列成行列状。作为具体的一例，4个叶片处理部50排列成2行2列的行列状。批次叶片间搬运部70逐片地将基板W搬运至各个叶片处理部50。

叶片处理部50对基板W至少进行干燥处理。干燥处理并没有特别限定，例如也可以是旋转干燥(spin drying)。即，叶片处理部50也可以使基板W绕着通过基板W的中心部且沿着Z轴的旋转轴线Q1旋转，由此使基板W干燥。叶片处理部50逐片地使基板W干燥，因此能够以更高的干燥性能使基板W干燥。因此，能够抑制因干燥导致的基板W的三维结构的崩坏。

此外，作为干燥处理之前的处理，叶片处理部50也可以适当地将冲洗液(纯水)或者IPA(isopropyl alcohol；异丙醇)等供给至基板W的主面。

批次叶片间搬运部70从各个叶片处理部50取出干燥处理完毕的基板W，通过中继单元12将该基板W搬运至分度器搬运部20。中继单元12包含以将多个基板W沿着Z轴方向排列的状态收纳多个基板W收纳器(未图示)。

批次叶片间搬运部70从叶片处理部50逐片地将基板W搬运至中继单元12。在每次搬运时，收纳至中继单元12的基板W的片数增加。当在中继单元12收纳有预定片数(例如25片)的基板W时，分度器搬运部20从中继单元12一并取出多个基板W，并将该多个基板W搬运至装载端口11的承载器C1。

＜针对基板处理装置的动作的例子＞

图3是概略性地表示本实施方式中的针对基板W的处理工序的一例的流程图。如图3的例子所示，首先，对多个基板W进行批次式的药液处理(步骤ST1)。

接着，对多个基板W进行批次式的冲洗处理(步骤ST2)。此外，如后述般，该冲洗处理也可以是叶片式的冲洗处理。

接着，对各个基板W进行叶片式的干燥处理(步骤ST3)。

通过叶片处理部50干燥后的基板W经由批次叶片间搬运部70、中继单元12以及分度器搬运部20被搬运至承载器C1。

此外，对于依序进行的批次处理部中的药液处理的开始时刻的控制以及在批次处理部中进行药液处理的基板W的片数的控制，进行后述。

如上所述，根据基板处理装置10，批次处理部30能够对多个基板W一并进行处理(步骤ST1以及步骤ST2)。由此，能够以较高的吞吐量处理基板W。

接着，在批次式的处理后，多个基板W成为附着有冲洗液的状态，因此从批次处理部30b朝向叶片处理部50搬运的期间能够抑制基板W干燥。因此，能够抑制因该干燥导致的基板W的三维结构的崩坏。

此外，通过叶片处理部50逐片地对基板W实施干燥处理(步骤ST3)。即，在本实施方式中，在批次式的湿式处理之后，进行叶片式的干燥处理而不是进行批次式的干燥处理。因此，能够以较高的干燥性能使基板W干燥。因此，能够抑制因干燥导致的基板W的三维结构的崩坏。

＜针对各个结构的具体例＞

以下，说明基板处理装置10的各个结构的具体的一例。

＜针对分度器搬运部＞

在图1的例子中，分度器搬运部20包含搬运机器人21。搬运机器人21被设置成在比装载端口11靠X轴正方向上能够沿着Y轴方向移动。搬运机器人21能够在X轴方向上与载置于装载端口11的各个承载器C1相对的位置停止。

在图1的例子中，搬运机器人21包含多个(例如，25个)手部211和立起支撑部件212。多个手部211在Z轴方向上排列地设置。搬运机器人21使多个手部211移动，由此从承载器C1取出未处理的多个基板W。由此，在各个手部211上载置有1片基板W。

在各个手部211设置有在其根部支撑基板W的立起支撑部件212。立起支撑部件212被设置成能够在X轴方向上移动，在手部211上保持有基板W的状态下朝X轴负方向移动，由此在其厚度方向上夹持基板W的X轴负方向的端部。

在此，搬运机器人21具有将多个基板W的姿势从水平姿势变换成立起姿势的姿势变换功能。具体而言，搬运机器人21使多个手部211绕着沿着Y轴方向的旋转轴线旋转90度。该旋转例如通过马达等来实现。由此，基板W的厚度方向沿着X轴方向。此外，搬运机器人21使多个手部211绕着沿着Z轴方向的旋转轴线旋转90度。该旋转例如也通过马达等来实现。由此，基板W的厚度方向沿着Y轴方向。在此，搬运机器人21以基板W的表面朝向Y轴负方向的方式变换基板W的姿势。然后，搬运机器人21在保持多个基板W的状态下朝其移动路径的Y轴正方向的端部移动，并将多个基板W传递至批次间搬运部60。

如上所述，分度器搬运部20从承载器C1取出未处理的多个基板W，将基板W的姿势变换成立起姿势，并将立起姿势的多个基板W搬运至批次间搬运部60。

此外，搬运机器人21在其移动路径的预定位置从中继单元12一并地取出处理完毕的多个基板W。接着，搬运机器人21将处理完毕的多个基板W收纳至装载端口11的承载器C1。

＜针对批次处理部＞

接着，说明批次处理部30。在图1的例子中，多个批次处理部30沿着X轴方向排列成一列。

图4是概略性地表示批次处理部30的结构的一例的图。批次处理部30包含处理槽31以及升降器32。处理槽31具有在Z轴正方向上开口的箱形状，用于贮存处理液。

升降器32包含：多个(在图中为3个)保持部件33，其以立起姿势保持多个基板W；基座34，其支撑保持部件33；以及升降机构35，其使基座34升降。各个保持部件33具有在Y轴方向上延伸的长条状的形状，其Y轴正方向的基端部安装于基座34。在各个保持部件33的Y轴方向排列地形成有多个沟(未图示)。该沟的间距与多个基板W的间距相等。基板W的端部被插入至保持部件33的各个沟，由此多个保持部件33以立起姿势保持多个基板W。基座34具有板状的形状，其厚度方向以沿着Y轴方向的姿势设置。升降机构35使基座34升降，由此使被保持部件33保持的多个基板W升降。以下，有时将升降机构35进行升降的主体作为升降器32来进行说明。

升降器32使多个基板W在比处理槽31靠Z轴正方向的传递位置与处理槽31内的处理位置之间升降。传递位置是在升降器32与批次间搬运部60之间进行多个基板的传递的位置。在图4的例子中，用实线示出了位于传递位置的升降器32。处理位置是多个基板W浸渍于处理液的位置。升降器32使多个基板W移动至处理位置，从而对多个基板W进行处理。在图4的例子中，也可以用双点划线示意性地表示位于处理位置的升降器32以及基板W。

在此，在处理槽31中处理的基板W的数量并未限定于相当于与能够收容于处理槽31的全部容量对应的基板W的数量，例如也可以是与能够收容于处理槽31的全部容量的一半对应的基板W的数量。

在该情况下，也可以将处理槽31区分成多个区域，并在各个区域进行不同开始定时(包含药液处理以及冲洗处理)的基板处理。例如，能够在图1中的批次处理部30a的处理槽31中设置2个区域，在各个区域进行药液处理；在批次处理部30b的处理槽31中也设置对应的2个区域，在各个区域进行冲洗处理。

此外，在批次处理部30设置有：供给部，其对处理槽31供给处理液；以及排出部，其从处理槽31排出处理液。此外，也可以根据需要，在批次处理部30设置有气体供给部以及循环部中的至少任一个，气体供给部对处理槽31内的处理液供给气体，循环部使从处理槽31的Z轴正方向溢出的处理液再次返回至处理槽31。

＜针对批次间搬运部＞

批次间搬运部60包含搬运机器人65以及搬运机器人66。在图4的例子中，批次间搬运部60的搬运机器人65包含一对保持部件611和开闭机构613。

保持部件611是保持立起姿势的多个基板W的部件。保持部件611在X轴方向上排列地设置，且以能够相对于未图示的基座部件位移的方式安装。

开闭机构613使保持部件611在各自的关闭位置与开放位置的间位移。关闭位置是2个保持部件611的间隔狭窄的位置，且是保持部件611夹持多个基板W的位置。在图4的例子中，用双点划线示意性地示出了位于关闭位置的保持部件611。开放位置是2个保持部件611的间隔比在关闭位置的间隔宽的位置，且是保持部件611解除多个基板W的保持的位置。开闭机构613例如具有马达或者汽缸。

搬运机器人65以能够在X轴方向移动的方式设置于批次处理部30a与批次处理部30b的正上方。搬运机器人65的移动机构(例如，滚珠丝杠机构)设置于比批次处理部30靠Y轴正方向。搬运机器人65在其移动路径内的X轴负方向的端部，从分度器搬运部20(例如，搬运机器人21)接受立起姿势的多个基板W。在此，搬运机器人65以基板W的表面朝向Y轴正方向的立起姿势接受多个基板W。而且，搬运机器人65将该多个基板W依序搬运至批次处理部30a以及批次处理部30b。

搬运机器人66以能够沿着X轴方向移动的方式设置于批次处理部30b的正上方。搬运机器人66从批次处理部30b接受立起姿势的多个基板W，并将该多个基板W搬运至批次叶片间搬运部70。

此外，搬运机器人66从批次处理部30b接受立起姿势的多个基板W，并将多个基板W的姿势从立起姿势变换成水平姿势。

图5以及图6是概略性地表示搬运机器人66的结构的一例的图。图5是表示沿着Y轴方向观看时的搬运机器人66，图6是表示沿着Z轴方向观看时的搬运机器人66。

如图5以及图6的例子所示，搬运机器人66包含一对保持部件661、基座662、开闭机构663以及旋转机构664。保持部件661是保持多个基板W的部件。

保持部件661包含接触部件6611、支撑部件6612以及旋转部件6613。各个支撑部件6612例如具有Y轴方向较长的长条状的形状，且其Y轴正方向的基端部以能够相对于基座662位移的方式安装。2个支撑部件6612在X轴方向上彼此隔着间隔地设置。

开闭机构663使支撑部件6612分别在开放位置与关闭位置之间位移。关闭位置是2个支撑部件6612的间隔狭窄的位置，且是保持部件661支撑多个基板W的位置。开放位置是2个支撑部件6612的间隔宽的位置，且是保持部件661解除多个基板W的保持的位置。开闭机构663例如具有马达或者汽缸等。

各个旋转部件6613以能够绕着旋转轴线Q5旋转的方式安装于支撑部件6612。旋转轴线Q5是沿着X轴方向的轴。2个旋转部件6613设置于同轴上。

在旋转部件6613的彼此接近的侧的端部设置有接触部件6611。即，在X轴负方向的旋转部件6613的X轴正方向端部设置有位于X轴负方向的接触部件6611，在X轴正方向的旋转部件6613的X轴负方向端部设置有位于X轴正方向的接触部件6611。

接触部件6611与支撑部件6612以及旋转部件6613一体地相对于基座662位移。因此，当开闭机构663使支撑部件6612移动至关闭位置时，接触部件6611彼此之间的间隔变狭窄。在该关闭位置处，接触部件6611支撑立起姿势的多个基板W。

在图5的例子中，接触部件6611具有接触部件6611彼此之间的间隔随着朝向Z轴负方向变窄的弧状形状。在关闭位置处，各个接触部件6611的Z轴负方向的部分与多个基板W的侧面接触而支撑多个基板W。此外，在接触部件6611的彼此相对的面形成有多个沟，多个沟沿着Y轴方向排列地形成。该沟的间距与多个基板W的间距相等。基板W的端部被插入至各个沟，由此各个基板W也在Y轴方向上被各个接触部件6611支撑。由此，维持基板W的立起姿势。

此外，接触部件6611的各个沟具有能够将各个基板W从接触部件6611朝Z轴正方向取出的形状。以下，有时将在立起姿势中的接触部件6611的Z轴正方向的端部称为存取侧端部。

旋转机构664使旋转部件6613相对于支撑部件6612绕着旋转轴线Q5旋转90度。由此，由接触部件6611保持的多个基板W也绕着旋转轴线Q5旋转90度，从而基板W的姿势从立起姿势变换成水平姿势。在此，旋转机构664以基板W的表面朝向Z轴正方向且接触部件6611的存取侧端部朝向Y轴负方向的方式使多个基板W旋转90度。

移动机构665使基座662沿着X轴方向移动。由此，能够使由保持部件661保持的多个基板W沿着X轴方向移动。

在此，说明从批次间搬运部60朝向批次叶片间搬运部70的搬运的顺序。首先，移动机构665使搬运机器人66移动至与批次处理部30b对应的传递位置。接着，开闭机构663使保持部件661移动至开放位置，升降器32使多个基板W上升。由此，多个基板W位于2个保持部件661之间。接着，开闭机构663使保持部件661移动至关闭位置。由此，保持部件661保持多个基板W。接着，升降器32下降至待机位置，旋转机构664使旋转部件6613旋转90度。由此，多个基板W的表面朝向Z轴正方向，保持部件661的存取侧端部朝向Y轴负方向。

接着，将基板W搬运至批次叶片间搬运部70，批次叶片间搬运部70还能够将水平姿势的基板W搬运至各个叶片处理部50。

＜针对叶片处理部＞

图7是概略性地表示叶片处理部50的结构的一例的图。叶片处理部50包含基板保持部51。基板保持部51以水平姿势保持基板W。在图7的例子中，基板保持部51包含工作台(stage)511以及多个卡盘销(chuck pin)512。工作台511具有圆板形状，并设置于比基板W靠Z轴负方向。工作台511以其厚度方向沿着Z轴方向的姿势设置。

多个卡盘销512设置于工作台511的Z轴正方向的主面(即，上表面)。各个卡盘销512设置成能够在与基板W的周缘接触的卡盘位置和从基板W的周缘离开的解除位置之间位移。当多个卡盘销512移动至各自的卡盘位置时，多个卡盘销512保持基板W。当多个卡盘销512移动至各自的解除位置时，解除基板W的保持。

在图7的例子中，基板保持部51还包含旋转机构513，使基板W绕着旋转轴线Q1旋转。旋转轴线Q1是通过基板W的中心部且沿着Z轴方向的轴。例如，旋转机构513包含轴514以及马达515。轴514的Z轴正方向的端部(即，上端)连结于工作台511的Z轴负方向的主面(即，下表面)，并从工作台511的下表面沿着旋转轴线Q1延伸。马达515使轴514绕着旋转轴线Q1旋转，并使工作台511以及多个卡盘销512一体地旋转。由此，由多个卡盘销512保持的基板W绕着旋转轴线Q1旋转。这样的基板保持部51也被称为自旋卡盘(spin chuck)。

基板保持部51使基板W绕着旋转轴线Q1高速旋转，由此使附着于基板W的液体从基板W的周缘飞散，从而能够使基板W干燥(所谓的自旋干燥(spin dry))。

在图7的例子中，叶片处理部50还包含防护罩(guard)52。防护罩52具有筒状的形状，围绕由基板保持部51保持的基板W。防护罩52接住从基板W的周缘飞散的液体。

在图7的例子中，叶片处理部50还包含喷嘴53。喷嘴53使用于朝基板W供给纯水或者异丙醇等。喷嘴53设置成能够通过移动机构54在喷嘴处理位置与喷嘴待机位置之间移动。喷嘴处理位置例如是在Z轴方向上与基板W的表面的中央部相对的位置，喷嘴待机位置例如是比基板W靠径方向外侧的位置。

移动机构54例如具有滚珠丝杠机构等机构或者臂部回旋机构。喷嘴53在位于喷嘴处理位置的状态下对旋转中的基板W喷出纯水或者异丙醇等。由此，附着于基板W的表面的液体接受离心力而扩展至基板W的表面整面，从基板W的周缘飞散至外侧。

＜针对批次叶片间搬运部＞

在图1的例子中，批次叶片间搬运部70包含搬运机器人74和搬运机器人73。

搬运机器人74设置成能够在X轴方向上移动。搬运机器人74能够移动至与批次处理部30c彼此相对的位置。搬运机器人74包含手部741，使手部741移动，由此从搬运机器人66取出水平姿势的基板W。

搬运机器人74也可以包含多个手部741。在该情况下，搬运机器人74也可以通过手部741取出多个基板W。在设置有搬运机器人66所保持的基板W的片数以上的手部741的情况下，搬运机器人74也可以取出由搬运机器人66保持的全部的基板W。

虽然搬运机器人73可以直接从搬运机器人74取出基板W，但在图1的例子中设置有中继单元75。中继单元75设置于比搬运机器人74靠Y轴负方向。中继单元75包含在Z轴方向上排列地收纳水平姿势的多个基板W的固定式的收纳器(未图示)。

搬运机器人74将水平姿势的多个基板W收纳至中继单元75的收纳器。

搬运机器人73设置于比中继单元75靠Y轴负方向。搬运机器人73包含手部731，通过使手部731移动，从中继单元75依序取出基板W，并将该基板W搬运至各个叶片处理部50。搬运机器人73也可以包含多个手部731。

搬运机器人73设置成能够沿着Y轴方向移动，分别在其搬运路径的两侧，多个叶片处理部50沿着Y轴方向排列配置。

此外，搬运机器人73从各个叶片处理部50依序取出干燥处理完毕的基板W并依序搬运至中继单元75。由此，中继单元75内的全部的基板W均被置换成干燥处理完毕的基板W。

搬运机器人74从中继单元75一并取出干燥处理完毕的多个基板W，将该多个基板W经由中继单元12搬运至搬运机器人21。接着，搬运机器人21将多个基板W搬运至承载器C1。

＜针对切断板＞

图8是概略性地表示搬运机器人66及其周边的结构的一例的图。如图8所例示的那样，也可以在比搬运机器人66靠Z轴正方向、且比风扇过滤单元(Fan Filter Unit)80靠Z轴负方向上设置有遮蔽板81。风扇过滤单元80具备设置于壳体100的上部、且用于取入无尘室内的空气并将该空气输送至壳体100内的叶片处理部50等的风扇以及过滤器(例如，HEPA(High Efficiency Particulate Air；高效率粒子空气)过滤器)。

遮蔽板81设置于在Z轴方向上与由搬运机器人66保持的多个基板W对置的位置，且俯视观看时覆盖由搬运机器人66保持的多个基板W。即，俯视观看时的遮蔽板81的轮廓围绕即将姿势变换前的多个基板W以及刚姿势变换后的多个基板W双方。

由此，因来自风扇过滤单元80的气流被遮蔽板81遮蔽，因此能够抑制气流作用于由搬运机器人66保持的多个基板W。因此，能够抑制因气流导致的基板W干燥，因此能抑制因干燥导致的基板W的三维结构的崩坏。

遮蔽板81也可以与搬运机器人66一体地移动。例如，遮蔽板81也可以经由未图示的固定部件安装于搬运机器人66的基座662。由此，不论搬运机器人66的位置如何，由于遮蔽板81位于由搬运机器人66保持的多个基板W的正上方，因此能够更确实地抑制气流碰撞至多个基板W。

另外，遮蔽板81也可以固定成无法相对于基板处理装置10的壳体100移动。在该情况下，遮蔽板81也可以设置于搬运机器人66的移动区域整体。

此外，在本实施方式中，搬运机器人66具有姿势变换的功能，但搬运机器人66也可以不具有姿势变换的功能，而是搬运机器人74具有姿势变换的功能，也可以另外设置用于进行姿势变换的结构(姿势变换部)。姿势变换部中的姿势变换用的机构例如可以通过与搬运机器人66中的保持部件661同样的机构来实现。

通过姿势变换部来实现姿势变换的功能的情况下，使遮蔽板81位于姿势变换部的上方(例如，作成覆盖姿势变换部的上方的盖形状)，从而与上述同样地，能够确实地抑制气流碰撞至多个基板W。

＜针对药液处理的开始时刻＞

以下，说明药液处理的开始时刻，该药液处理用于一边抑制等待时间一边将在批次处理部30进行过药液处理以及冲洗处理后的基板W搬运至叶片处理部50并在叶片处理部50中进行干燥处理。

在进行了批次处理部30中的基板处理后的定时，叶片处理部50正在进行基板处理的情况下(在设置有多个叶片处理部50时所有的叶片处理部50均正在进行基板处理的情况)，即在没有空置的叶片处理部50的情况下，已结束批次处理部30中的基板处理的基板W需要在预定的场所待机。

在本实施方式中，这样的基板W的待机场所在冲洗液用的批次处理部30b的处理槽31内。基板W在冲洗液用的批次处理部30b的处理槽31内待机，由此能够在待机的期间抑制基板W干燥，从而能够抑制形成于基板W的表面的图案损伤(崩坏)。

在此，在批次处理部30中的基板处理、叶片处理部50中的基板处理以及上述的待机时间之间以下的关系成立。

[数式1]

TR+TTL+TSL+CN×TS＝TP+TD…(1)

其中，TR表示批次处理部30b中的冲洗处理的剩余时间；TTL表示基板W从待机场所(在本实施方式中为批次处理部30b的处理槽31内)移动至叶片处理部50所耗费的时间，；TSL表示在多个叶片处理部50中正在进行中的基板处理(在本实施方式中为干燥处理)的剩余时间中的最长的基板处理的时间(在叶片处理部50为一个的情况下为该一个叶片处理部50中正在进行中的基板处理的剩余时间)；CN表示以叶片处理部50的数量来除以在待机场所中待机的基板W的片数后的值的进位整数值(即，在小数点以下不是0的情况下，进行了将整数部分加1且将小数点以下设定成0的端数处理后的值)；TS表示各个叶片处理部50中的基板处理(在本实施方式中为干燥处理)所需的时间；TP表示批次处理部30中的药液处理所需的时间；TD表示基板W在待机场所(在本实施方式中为批次处理部30b的处理槽31内)中的等待时间。在此，将在进行药液处理后且在叶片处理部50进行干燥处理之前的基板W的片数作为待机片数。在本实施方式中，待机片数为在待机场所待机的基板W的片数。图9是示意性地表示式(1)的关系的概念图。

在此，将直至在待机场所中待机的基板W结束叶片处理部50中的基板处理为止所耗费的时间设为所需时间。在上述式(1)中，左边的合计与所需时间对应。

此外，上述式(1)中的CN相当于直至结束已被分配至叶片处理部50的全部的基板W处理为止所需的基板处理的反复次数。此外，虽然在本实施方式中叶片处理部50的数量为4个，然而叶片处理部50的数量只要为1个以上即可。

此外，在TTL还包含有通过搬运机器人66进行的基板W的姿势变换所耗费的时间，TTL是基板W从待机场所移动至叶片处理部50的时间。

参照上述式(1)，也可以计算已结束批次处理部30中的药液处理的基板W在待机场所等待的等待时间(TD)。反之，使批次处理部30中的药液处理的开始时刻延迟达至参照上述式(1)计算出的等待时间(TD)以上，则所需时间(左边的合计)变得比批次处理部30中的药液处理所耗费的时间(TP)短。因此，在延迟后的该定时开始了药液处理的基板W不在批次处理部30b中待机，而是顺畅地被搬运至叶片处理部50且在叶片处理部50中进行干燥处理。即，若使批次处理部30中的药液处理的开始时刻延迟达至参照上述式(1)计算出的等待时间(TD)以上，则至少能够抑制在待机场所等待的基板W的增加。

根据以上，使批次处理部30中的药液处理的开始时刻延迟达至所计算出的等待时间(TD)以上，从而能够抑制在待机场所等待的基板W的增加，并能够有效地推进通过批次处理部30以及叶片处理部50进行的基板处理整体。

＜针对进行药液处理的基板W的片数＞

以下，说明进行药液处理的基板W的片数，该药液处理用于一边抑制等待时间一边将在批次处理部30进行药液处理以及冲洗处理后的基板W搬运至叶片处理部50并在叶片处理部50中进行干燥处理。

如上所述，在批次处理部30中的基板处理、叶片处理部50中的基板处理以及基板W的等待时间之间式(1)那样的关系成立，但即使控制进行批次处理部30中的药液处理的基板W的片数(处理片数WI)，也能够抑制在待机场所等待的基板W增加。

在此，当在式(1)中将等待时间(TD)设为0、且设为在叶片处理部50中没有正在进行中的基板处理时，式(1)如以下述那样变形。图10是示意性地表示以下的式(2)的关系的概念图。

[数式2]

TR+TTL+CN×TS＝TP…(2)

接着，通过计算上述式(2)成立的CN，能够计算将等待时间(TD)设为0的基板W的处理片数WI。在此，由于CN为用叶片处理部50的数量除以基板W的待机片数后的值的进位整数值，因此对计算出的CN乘上叶片处理部50的数量，由此能够计算出基板W的大致的处理片数WI。

将在批次处理部30中进行药液处理的基板W的处理片数设定成以上述方式计算出的处理片数WI以下，从而上述所需时间变得比在批次处理部30中进行药液处理所耗费的时间短。

根据以上，对计算出的处理片数WI以下的基板W进行批次处理部30中的药液处理，因此能够抑制在待机场所等待的基板W增加，从而能够有效率地进行由批次处理部30以及叶片处理部50进行的基板处理整体。

＜第二实施方式＞

说明本实施方式的基板处理方法。此外，在以下的说明中，对与以上所记载的实施方式所说明的构成要素相同的构成要素附上相同的符号来图标，并适当地省略其详细的说明。

＜针对基板处理装置的整体结构＞

图11是概略性地表示本实施方式的基板处理装置10A的结构的一例的平面图。在图1中，Z轴方向是铅锤上方向。基板处理装置10A是对基板W进行湿式处理的装置。

如图11的例子所示，基板处理装置10A具备对多个基板W一并进行处理的批次处理部130、叶片处理部50、批次间搬运部60以及批次叶片间搬运部70。

在图11的例子中，设置有药液用的批次处理部30a以及待机用的批次处理部30c作为多个批次处理部130。

与批次处理部30a同样地，批次处理部30c包含处理槽31以及升降器32，但在批次处理部30c的处理槽31未贮存有药液，或者贮存有对基板W不具有反应性的处理液(例如，常温的磷酸)。药液处理后的多个基板W在直至被搬运至叶片处理部50为止的期间在批次处理部30c待机。

批次间搬运部60从批次处理部30a接受药液处理完毕的多个基板W，并将接受的多个基板W搬运至批次处理部30c。在该搬运中，多个基板W在附着有处理液(在此为药液)的状态下被搬运。因此，在该搬运中，能够抑制因干燥导致的基板W的三维结构(例如，绝缘膜91)的崩坏。

在图11的例子中，批次叶片间搬运部70相对于批次处理部30c设置于Y轴负方向。批次叶片间搬运部70接受批次间搬运部60从批次处理部30c取出的多个基板W，并将各个基板W逐片地搬运至叶片处理部50。

叶片处理部50对基板W进行冲洗处理以及干燥处理。针对干燥处理，叶片处理部50逐片地使基板W干燥，因此能够以更高的干燥性能使基板W干燥。因此，能够抑制因干燥导致的基板W的三维结构的崩坏。

＜针对药液处理的开始时刻＞

以下，说明药液处理的开始时刻，该药液处理一边抑制等待时间一边将在批次处理部130进行药液处理后的基板W搬运至叶片处理部50并在叶片处理部50中进行冲洗处理以及干燥处理。

在进行了批次处理部130中的基板处理后的定时，叶片处理部50正在进行基板处理的情况下(在设置有多个叶片处理部50时所有的叶片处理部50均正在进行基板处理的情况)，即在没有空置的叶片处理部50的情况下，已结束批次处理部130中的基板处理的基板W需要在预定的场所待机。

在本实施方式中，这样的基板W的待机场所在冲洗液用的批次处理部30c的处理槽31内。由于在基板W待机的批次处理部30c的处理槽31内贮存有不具有反应性的药液的情况下，在待机的期间能够抑制基板W干燥，因此能够抑制形成于基板W的表面的图案损伤(崩坏)。

在此，在批次处理部130中的基板处理、叶片处理部50中的基板处理以及上述的等待时间之间以下的关系成立。

[数式3]

TTL+TSL+CN×TS＝TP+TD…(3)

其中，TTL表示基板W从待机场所(在本实施方式中为批次处理部30c的处理槽31内)移动至叶片处理部50所耗费的时间；TSL表示在多个叶片处理部50中正在进行的基板处理(在本实施方式中为冲洗处理以及干燥处理)的剩余时间中的最长的基板处理的时间(在叶片处理部50为1个的情况下为该一个叶片处理部50中正在进行的基板处理的剩余时间)；CN表示用叶片处理部50的数量除以在待机场所中待机的基板W的片数(待机片数)后的值的进位整数值(即，在小数点以下不是0的情况下，进行了将整数部分加1且将小数点以下设定成0的端数处理后的值)；TS表示各个叶片处理部50中的基板处理(在本实施方式中为冲洗处理以及干燥处理)所需的时间；TP表示批次处理部130中的药液处理所需的时间；TD表示基板W在待机场所(在本实施方式中为批次处理部30c的处理槽31内)中的等待时间。图12是示意性地表示式(3)的关系的概念图。

在此，直至在待机场所中待机的基板W结束叶片处理部50中的基板处理为止所耗费的所需时间对应于上述式(3)中的左边的合计。

参照上述式(3)，能够计算出已结束批次处理部130中的药液处理的基板W在待机场所等待的等待时间(TD)。因此，若使批次处理部130中的药液处理的开始时刻延迟达至参照上述式(3)计算出的等待时间(TD)以上，则所需时间(左边的合计)会变得比批次处理部130中的药液处理所耗费的时间(TP)短。因此，在延迟后的该定时开始药液处理的基板W不在批次处理部30c中待机，而是顺畅地被搬运至叶片处理部50且在叶片处理部50中进行冲洗处理以及干燥处理。

根据以上，通过使批次处理部130中的药液处理的开始时刻延迟达至所计算出的等待时间(TD)以上，能够抑制在待机场所等待的基板W的增加，并能够有效地进行由批次处理部30以及叶片处理部50进行的基板处理整体。

＜针对进行药液处理的基板W的片数＞

以下，说明进行药液处理的基板W的片数，该药液处理一边抑制等待时间一边将在批次处理部130进行药液处理后的基板W搬运至叶片处理部50并在叶片处理部50中进行冲洗处理以及干燥处理。

如上所述，在批次处理部130中的基板处理、叶片处理部50中的基板处理以及基板W的等待时间之间式(3)那样的关系成立，但即使控制进行批次处理部130中的药液处理的基板W的片数(处理片数WI)，也能够抑制在待机场所等待的基板W的增加。

在此，当在式(3)中将等待时间(TD)设为0、且设为在叶片处理部50中没有正在进行的基板处理时，式(3)如以下那样变形。图13是示意性地表示以下的式(4)的关系的概念图。

[数式4]

TTL+CN×TS＝TP…(4)

接着，通过计算出上述式(4)成立的CN，能够计算出能够将等待时间(TD)设为0的基板W的处理片数WI。

将在批次处理部130中进行药液处理的基板W的处理片数设为如上述那样计算出的处理片数WI以下，由此上述的所需时间变得比在批次处理部130中进行药液处理所耗费的时间短。

根据以上，对计算出的处理片数WI以下的基板W进行批次处理部130中的药液处理，由此能够抑制在待机场所等待的基板W的增加，从而能够有效率地进行由批次处理部130以及叶片处理部50进行的基板处理整体。

＜针对藉由以上所记载的实施方式所产生的功效＞

下面，表示由以上记载的实施方式产生的效果的例子。此外，在以下的说明中，根据以上所述的实施方式所例示的具体结构来记载所述效果，但是，在产生同样效果的范围内，也可以被本申请所例示的其他具体结构替换。即，以下为了方便，有时仅记载对应的具体结构中的任意一个作为代表，但作为代表所记载的具体结构也可以被置换为对应的其他具体结构。

另外，该置换也可以在多个实施方式上进行。即，也可以将不同的实施方式中例示的各个结构进行组合而产生同样的效果。

根据以上所记载的实施方式，基板处理方法使用批次处理部30(或者批次处理部130)以及至少一个叶片处理部50进行基板处理，批次处理部30进行包含针对多个基板W的药液处理的基板处理，至少一个叶片处理部50进行包含针对一片基板W的干燥处理的基板处理，基板处理方法具备如下工序。即，根据待机片数计算出基板W结束在叶片处理部50中的基板处理为止所耗费的时间的所需时间，该待机片数是在批次处理部30中进行药液处理后且在叶片处理部50中进行干燥处理前的基板W的片数；以及控制批次处理部30中的药液处理的开始时刻，以使所需时间变成比批次处理部30中的药液处理所耗费的时间短。

根据这样的结构，控制批次处理部30中的药液处理的开始时刻，从而能够抑制进行批次处理部30中的药液处理后到在叶片处理部50中进行干燥处理为止待机的基板W的片数增加。因此，无须另外准备用于收容待机中的基板W的待机槽等，能够有效率地进行由批次处理部30以及叶片处理部50进行的基板处理整体。

此外，在没有特别限定的情况下，能够变更进行各种处理的顺序。

此外，当在上述结构中适当追加了本申请中所示例的其他结构时，即，当适当追加了未作为上述结构提及的本申请中的其他结构时，也能够产生同样的效果。

此外，根据以上所记载的实施方式，所需时间包含进行中的基板处理的剩余时间。根据这样的结构，与叶片处理部50中的基板处理的开始定时无关地，能够考虑进行中的清洗处理、干燥处理的剩余时间来计算出所需时间，因此能够提高所需时间的计算精度。因此，能够缩短在批次处理部30中的基板处理后进行叶片处理部50中的基板处理的基板W的等待时间。

此外，根据以上所记载的实施方式，基板处理方法具备以下的工序。即，具备：根据待机片数计算基板W结束叶片处理部50中的基板处理为止所耗费的时间的所需时间，该待机片数是在批次处理部30中进行药液处理后、且在叶片处理部50中进行干燥处理的前的基板W的片数；以及变更批次处理部30中的基板W的处理片数，以使所需时间变得比批次处理部30中的药液处理所耗费的时间还短。

根据这样的结构，变更批次处理部中的基板的处理片数，由此能够抑制在进行了批次处理部中的药液处理后、且在叶片处理部中进行干燥处理为止的待机中的基板的片数增加。因此，无须另外准备用于收容待机中的基板W的待机槽等，而能够有效率地进行由批次处理部30以及叶片处理部50进行的基板处理整体。

此外，根据以上所记载的实施方式，基板处理方法具备下述工序：在批次处理部30中，使进行药液处理后的多个基板W浸渍于清洗槽并进行清洗处理。在此，清洗槽例如与批次处理部30b中的处理槽31等对应。而且，计算所需时间的工序为下述工序：根据浸渍于批次处理部30b中的清洗槽31的基板W的待机片数，计算包含清洗处理所耗费的时间的所需时间。根据这样的结构，由于进行药液处理后的基板W在贮存有冲洗液的处理槽31内等待叶片处理部50中的处理，因此能够抑制基板W干燥而导致形成于基板W的表面的图案崩坏。此外，由于在批次处理部30中对多个基板W一并进行冲洗处理，因此能够缩短冲洗处理所耗费的时间，从而还能够缩短基板处理整体的时间。

此外，根据以上所记载的实施方式，基板处理方法具备下述工序：在叶片处理部50中，对进行干燥处理前的基板W进行清洗处理。根据这样的结构，由于在叶片处理部50中进行冲洗处理，因此能够根据基板W的性质进行自由度高且抑制冲洗液的消耗量的冲洗处理。

此外，根据以上所记载的实施方式，计算所需时间的工序为下述工序：根据从批次处理部130移动至叶片处理部50前的基板W的待机片数，计算包含清洗处理所耗费的时间的所需时间。根据这样的结构，能有效率地进行由批次处理部30以及叶片处理部50进行的基板处理整体。

此外，根据以上所记载的实施方式，批次处理部30中的药液处理使基板W浸渍于药液槽后进行。在此，药液槽例如与批次处理部30a中的处理槽31等对应。而且，基板处理方法具备下述工序：在批次处理部30中，使进行药液处理后的多个基板W浸渍于批次处理部30b中的处理槽31而进行清洗处理。在此，批次处理部30a中的处理槽31具备：第一区域，其在第一开始时刻开始药液处理；以及第二区域，其在与第一开始时刻不同的时刻即第二开始时刻开始药液处理，批次处理部30b中的处理槽31具备：第三区域，其对在第一区域进行药液处理后的基板W进行清洗处理；以及第四区域，其对在第二区域进行过药液处理后的基板W进行清洗处理。根据这样的结构，在单一的处理槽31中的多个区域在不同的定时进行基板处理，由此针对基板W的处理片数或者基板处理的内容的自由度提高。此外，在批次处理部30中同时结束基板处理的基板W的片数变少，因此在叶片处理部50中被要求的基板W的最大处理片数变少。结果，能够有效地缩短在批次处理部30中的基板处理后进行在叶片处理部50中的基板处理的基板W的等待时间。

此外，根据以上所记载的实施方式，所需时间包含基板W从批次处理部30移动至叶片处理部50所耗费的时间。根据这样的，考虑使基板W从批次处理部30移动至叶片处理部50的时间，能够有效率地进行由批次处理部30以及叶片处理部50进行的基板处理整体。

此外，根据以上所记载的实施方式，所需时间包含在批次处理部30中进行基板处理后的基板W用于在叶片处理部50中进行基板处理的姿势变换所耗费的时间。根据这样的结构，考虑从适合批次处理的立起姿势(铅锤姿势)进行姿势变换成适合叶片处理的水平姿势的时间，能够有效率地进行由批次处理部30以及叶片处理部50进行的基板处理整体。

此外，根据以上所记载的实施方式，所需时间包含将待机片数的基板W分配至多个叶片处理部50时在一个叶片处理部50中反复进行的基板处理所耗费的时间。根据这样的结构，考虑将待机中的基板W分配至叶片处理部50而结束全部的基板W的处理为止所需的基板处理的反复次数，能够有效率地进行由批次处理部30以及叶片处理部50进行的基板处理整体。

＜针对以上所记载的实施方式的变形例＞

在以上记载的实施方式中，有时也记载各个构成要素的材质、材料、尺寸、形状、相对配置关系或实施的条件等，但这些在所有方面都是一个例子，并不是限定性的。

因此，在本文所公开的技术的范围内假设未示例的无数个变形例和均等物。例如，包括对至少一个构成要素进行变形的情况、追加或省略的情况、以及提取至少一个实施方式中的至少一个构成要素并与其他实施方式的构成要素进行组合的情况。

另外，在以上记载的实施方式中，没有特别指定地记载了材料名称等的情况下，只要不产生矛盾，则该材料中含有其他添加物例如包含合金等。

符号说明

10、10A基板处理装置

11装载端口

12、5中继单元

20分度器搬运部

21、65、66、73、74搬运机器人

30、30a、30b、30c、130批次处理部

31处理槽

32升降器

33、611、661保持部件

34、662基座

35升降机构

50叶片处理部

51基板保持部

52防护罩

53喷嘴

54、665移动机构

60批次间搬运部

70批次叶片间搬运部

80风扇过滤单元

81遮蔽板

90层叠结构

91绝缘膜

92牺牲膜

93支撑层

94沟槽

100壳体

211、731、741手部

212立起支撑部件

511工作台

512卡盘销

513、664旋转机构

514轴

515马达

613、663开闭机构

6611接触部件

6612支撑部件

6613旋转部件。