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一种三相角接可调控电抗器

文献发布时间:2023-06-19 11:21:00


一种三相角接可调控电抗器

技术领域

本发明涉及一种电抗器,特别涉及一种三相角接可调控电抗器。

背景技术

电力系统用三相可调电抗器,传统的磁控电抗器结构原理见图2,此连接结构的电抗器线圈抽头多,结构复杂,故障隐患多,材料消耗大,成本高。

因此,有必要做进一步改进。

发明内容

本发明的目的旨在提供一种线圈结构简单、接线简洁、可靠性高、材料消耗少、实用性强的三相角接可调控电抗器,以克服现有技术中的不足之处。

按此目的设计的一种三相角接可调控电抗器,包括A相线圈、B相线圈和C相线圈,其特征在于:所述A相线圈包括相互并联连接的线圈A1和线圈A2,B相线圈包括相互并联连接的线圈B1和线圈B2,C相线圈包括相互并联连接的线圈C1和线圈C2,线圈A1通过第一外部控制电路连接B相线圈,线圈B1通过第二外部控制电路连接C相线圈,线圈C1通过第三外部控制电路连接A相线圈。

所述第一外部控制电路包括晶闸管SCRA和二极管DA,线圈A1的首端和线圈A2的首端连接,线圈A1的尾端和线圈A2的尾端通过二极管DA连接。

所述线圈A1靠近尾端的位置抽头连接晶闸管SCRA阳极,线圈A1的尾端连接二极管DA阳极,晶闸管SCRA阴极和二极管DA阴极并接后接到B相线圈的首端。

所述第二外部控制电路包括晶闸管SCRB和二极管DB,线圈B1的首端和线圈B2的首端连接,线圈B1的尾端和线圈B2的尾端通过二极管DB连接。

所述线圈B1靠近尾端的位置抽头连接晶闸管SCRB阳极,线圈B1的尾端连接二极管DB阳极,晶闸管SCRB阴极和二极管DB阴极并接后接到C相线圈的首端。

所述第三外部控制电路包括晶闸管SCRC和二极管DC,线圈C1的首端和线圈C2的首端连接,线圈C1的尾端和线圈C2的尾端通过二极管DC连接。

所述线圈C1靠近尾端的位置抽头连接晶闸管SCRC阳极,线圈C1的尾端连接二极管DC阳极,晶闸管SCRC阴极和二极管DC阴极并接后接到A相线圈的首端。

所述A相线圈、B相线圈和C相线圈上均设有并联的双性磁路,双性磁路的其中一路为带间隙线性磁路、另外一路为非线性铁心磁路。

本发明的三相角接电抗器每相两线圈并联,中部不交叉,采用三只可控硅,三只二极管,双磁路并联,其中一磁路为带间隙线性磁路,另一磁路为非线性铁心磁路,简化了线圈结构,励磁方式更加简洁可靠,减少了故障隐患,降低了材料消耗,其具有结构简单、接线简洁、可靠性高、成本低的特点。

附图说明

图1为本发明一实施例中电抗器的接线原理图。

图2为传统电抗器的接线原理图。

具体实施方式

下面结合附图及实施例对本发明作进一步描述。

参见图1,本三相角接可调控电抗器,包括A相线圈1、B相线圈2和C相线圈3,A相线圈1包括相互并联连接的线圈A1和线圈A2,B相线圈2包括相互并联连接的线圈B1和线圈B2,C相线圈3包括相互并联连接的线圈C1和线圈C2,线圈A1通过第一外部控制电路连接B相线圈2,线圈B1通过第二外部控制电路连接C相线圈3,线圈C1通过第三外部控制电路连接A相线圈1。本电抗器由A、B、C三相角接构成,每相采用两绕组直并联,中部不交叉,简化了线圈结构,励磁方式更加简洁可靠,减少了故障隐患,降低了材料消耗。

第一外部控制电路包括晶闸管SCRA和二极管DA,线圈A1的首端和线圈A2的首端连接,线圈A1的尾端和线圈A2的尾端通过二极管DA连接。

线圈A1靠近尾端的位置抽头连接晶闸管SCRA阳极,线圈A1的尾端连接二极管DA阳极,晶闸管SCRA阴极和二极管DA阴极并接后接到B相线圈2的首端。

第二外部控制电路包括晶闸管SCRB和二极管DB,线圈B1的首端和线圈B2的首端连接,线圈B1的尾端和线圈B2的尾端通过二极管DB连接。

线圈B1靠近尾端的位置抽头连接晶闸管SCRB阳极,线圈B1的尾端连接二极管DB阳极,晶闸管SCRB阴极和二极管DB阴极并接后接到C相线圈3的首端。

第三外部控制电路包括晶闸管SCRC和二极管DC,线圈C1的首端和线圈C2的首端连接,线圈C1的尾端和线圈C2的尾端通过二极管DC连接。

线圈C1靠近尾端的位置抽头连接晶闸管SCRC阳极,线圈C1的尾端连接二极管DC阳极,晶闸管SCRC阴极和二极管DC阴极并接后接到A相线圈1的首端。

A相线圈1、B相线圈2和C相线圈3上均设有并联的双性磁路,采用双性磁路并联,双性磁路的其中一路为带间隙线性磁路,另外一路为非线性铁心磁路。

本三相角接可调控电抗器可取其中一相,或A相,或B相,或C相,即可成为单相可调控电抗器。

上述为本发明的优选方案,显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本领域的技术人员应该了解本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。

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技术分类

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