一种减少非必要NFC识别次数的SOC芯片

技术领域

本发明涉及SOC芯片技术领域，特别涉及一种减少非必要NFC识别次数的SOC芯片。

背景技术

目前，NFC（Near Field Communication）近场通信技术广泛应用于智能终端。NFC技术通过智能终端上的SOC芯片实现。

外部设备发射的射频信号在达到一定强度时，均会唤起SOC芯片的近场通讯进程。但是，当用户不需要进行近场通信时，终端也未直接对准外部设备，一些外部设备直接发出或反射的射频信号入射到SOC芯片上时，也可能唤起芯片的进场通信进程，导致终端能耗增加。

因此，针对上述不足，急需一种减少非必要NFC识别次数的SOC芯片。

发明内容

本发明实施例提供了一种减少非必要NFC识别次数的SOC芯片，能够减少非必要NFC识别次数。

本发明实施例提供一种减少非必要NFC识别次数的SOC芯片，包括：

芯片主体，用于将接收到的射频信号转换为反馈信号以完成近场通信；

筛选结构，设置在所述芯片主体用于接收信号和发射信号的一侧，所述筛选结构用于使部分穿过所述筛选结构的射频信号发生全反射；

所述芯片主体和所述筛选结构之间设置屏蔽结构，所述屏蔽结构用于屏蔽信号强度低于预设值的射频信号；

所述芯片主体和所述屏蔽结构之间设置信号增大器，所述信号增大器用于增强穿过所述屏蔽结构传输向所述芯片主体的信号。

在一种可能的设计中，所述筛选结构为层状，所述筛选结构的制备材料的折射率小于空气的折射率。

在一种可能的设计中，所述筛选结构为球形，所述筛选结构的制备材料的折射率大于空气的折射率。

在一种可能的设计中，所述屏蔽结构的制备材料包括导电材料。

在一种可能的设计中，所述屏蔽结构包括金属板。

在一种可能的设计中，所述屏蔽结构沿厚度方向依次包括屏蔽层和调节层，所述屏蔽层为金属板，所述调节层为层状铁氧体。

在一种可能的设计中，所述屏蔽结构沿厚度方向包括绝缘的基底层和阻抗层，所述阻抗层包括多个设置在所述基底层上的、互不接触的环状单元，所述环状单元包括导体部和半导体部，所述导体部的两端通过所述半导体部连接，所述屏蔽结构包括正面和背面，看向所述正面时，所述环状单元上的半导体部沿顺时针方向为通路，沿逆时针方向为断路，所述正面为所述屏蔽结构朝向所述芯片主体的一面。

在一种可能的设计中，由所述正面向所述背面，所述屏蔽结构依次包括基底层和阻抗层。

在一种可能的设计中，所述环状单元为导体形成的正方形环，所述导体的直径为0.01~0.02mm，所述环状单元的边长为0.35~0.4mm。

本发明与现有技术相比至少具有如下有益效果：

在本实施例中，筛选结构能够将一些入射到其上的射频信号全反射，从而对射频信号进行一个筛选。只有入射到筛选结构的中心位置的射频信号或以较小入射角入射到筛选结构的射频信号才能通过筛选结构。需要说明的是，筛选结构并不会降低射频信号的强度，只是对射频信号入射到筛选层的位置或入射角度进行筛选。综上，只有接近垂直筛选结构的射频信号或入射到筛选结构中心的射频信号才能被识别，防止了其他非目标设备发生的射频信号或其他方位反射的射频信号唤醒NFC识别进程。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例提供的一种SOC芯片的结构示意图；

图2是本发明实施例提供的另一种SOC芯片的结构示意图；

图3是本发明实施例提供的一种屏蔽结构的结构示意图；

图4是本发明实施例提供的另一种屏蔽结构的结构示意图；

图5是本发明实施例提供的一种环状单元的结构示意图。

图中：

1-芯片主体；

2-筛选结构；

3-屏蔽结构；

31-屏蔽层；

32-调节层；

33-阻抗层；

331-环状单元；

331a-导体部；

331b-半导体部；

34-基底层；

4-信号增大器。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明实施例的描述中，除非另有明确的规定和限定，术语“第一”、“第二”仅用于描述的目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性；除非另有规定或说明，术语“多个”是指两个或两个以上；术语“连接”、“固定”等均应做广义理解，例如，“连接”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接，或电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

本说明书的描述中，需要理解的是，本发明实施例所描述的“上”、“下”等方位词是以附图所示的角度来进行描述的，不应理解为对本发明实施例的限定。此外，在上下文中，还需要理解的是，当提到一个元件连接在另一个元件“上”或者“下”时，其不仅能够直接连接在另一个元件“上”或者“下”，也可以通过中间元件间接连接在另一个元件“上”或者“下”。

本发明实施例提供一种减少非必要NFC识别次数的SOC芯片，包括：

芯片主体1，用于将接收到的射频信号转换为反馈信号以完成近场通信；

筛选结构2，设置在芯片主体1用于接收信号和发射信号的一侧，筛选结构2用于使部分穿过筛选结构2的射频信号发生全反射；

芯片主体1和筛选结构2之间设置屏蔽结构3，屏蔽结构3用于屏蔽信号强度低于预设值的射频信号；

芯片主体1和屏蔽结构3之间设置信号增大器4，信号增大器4用于增强穿过屏蔽结构3传输向芯片主体1的信号。

在本实施例中，筛选结构2能够将一些入射到其上的射频信号全反射，从而对射频信号进行一个筛选。只有入射到筛选结构2的中心位置的射频信号或以较小入射角入射到筛选结构2的射频信号才能通过筛选结构2。需要说明的是，筛选结构2并不会降低射频信号的强度，只是对射频信号入射到筛选层的位置或入射角度进行筛选。综上，只有接近垂直筛选结构2的射频信号或入射到筛选结构2中心的射频信号才能被识别，防止了其他非目标设备发生的射频信号或其他方位反射的射频信号唤醒NFC识别进程。

穿过筛选结构2的射频信号入射到屏蔽结构3，屏蔽结构3能够将信号强度低于预设值的射频信号屏蔽，高于预设值的射频信号被削弱后进入信号增大器4，射频信号经过信号增大器4增强后进入芯片主体1。如此设置，射频信号低于预设值的射频信号无法穿过屏蔽结构3，也就无法唤醒芯片主体1的NFC识别功能。只有强度高于预设值的射频信号才能穿过屏蔽结构3，但是，其信号强度会降低。信号强度降低会导致部分穿过屏蔽结构3的射频信号达不到芯片主体1接收射频信号的接收灵敏度，为了便于提取射频信号中的信息，需要信号增大器4增强信号的强度。

综上，通过屏蔽结构3，将低于预设值的射频信号直接屏蔽。因此，只有强度足够高的射频信号才能穿过屏蔽结构3，即只有当芯片主体1和发射射频信号的外部设备距离足够近时，才可能唤醒芯片主体1的近场通信功能。如此避免了不需要进行近场通信时，因芯片主体1距离发射射频信号的外部设备较近而引起的功能唤醒。

可以理解的是，根据屏蔽结构3的屏蔽效果可以灵活调节信号增大器4的功率，若屏蔽效果的需求较低时，也可以不设置信号增大器4。

请参考图1，在本发明的一些实施例中，筛选结构2为层状，筛选结构2的制备材料的折射率小于空气的折射率。

在本实施例中，当筛选结构2为层状，且筛选结构2的制备材料的折射率低于空气的折射率时，入射角度大于临界角的射频信号会被全反射。需要说明的是，可以通过调节筛选结构2与空气之间的折射率差来调整临界角度。

请参考图2，在本发明的一些实施例中，筛选结构2为球形，筛选结构2的制备材料的折射率大于空气的折射率。

在本实施例中，当筛选结构2为球形，且筛选结构2的制备材料的折射率大于空气的折射率时，入射到筛选结构2边缘的射频信号会被全反射，只有入射到筛选结构2中心的射频信号能够穿过。需要说明的是，可以通过调节筛选结构2与空气之间的折射率差来调整边缘全反射的范围。

在本发明的一些实施例中，屏蔽结构3的制备材料包括导电材料。

在本实施例中，导电材料具有电感和电阻，因此，能够衰减入射到其上的射频信号，进而达到屏蔽射频信号的效果。除此之外，入射到导电材料上的射频信号会被部分反射，进而起到部分屏蔽射频信号的效果。

在本发明的一些实施例中，屏蔽结构3包括金属板。

在本实施例中，金属板作为屏蔽结构3具有结构简单成本低的优势。

如图3所示，在本发明的一些实施例中，屏蔽结构3沿厚度方向依次包括屏蔽层31和调节层32，屏蔽层31为金属板，调节层32为层状铁氧体。

在本实施例中，屏蔽层31为整块的金属板，这样会导致屏蔽层31与终端中的其他金属材料产生电磁感应，进而会形成涡电流，导致终端发热。为了避免屏蔽层31产生涡流效应，在屏蔽层31的一侧设置由铁氧体制备的调节层32，铁氧体一方面能够削弱射频信号，另一方面能够抑制涡电流。

需要说明的是，为了防止屏蔽层31和调节层32的削弱能力过强而导致芯片主体1无法接收射频信号，需要控制屏蔽层31和调节层32的厚度在一个较薄的范围。优选调节层32的平面尺寸和屏蔽层31的尺寸相同。

如图4和图5所示，在本发明的一些实施例中，屏蔽结构3沿厚度方向包括绝缘的基底层34和阻抗层33，阻抗层33包括多个设置在基底层34上的、互不接触的环状单元331，环状单元331包括导体部331a和半导体部331b，导体部331a的两端通过半导体部331b连接，屏蔽结构3包括正面和背面，看向正面时，环状单元331上的半导体部331b沿顺时针方向为通路，沿逆时针方向为断路，正面为屏蔽结构3朝向芯片主体1的一面。

在本实施例中，屏蔽结构3的阻抗层33为多个互不接触的环状单元331，当射频信号入射到环状单元331上时，环状单元331上的电流可以穿过半导体部331b流动，多个环状单元331形成损耗阵列，进而实现削弱射频信号的效果。由于反馈信号的传播方向和射频信号的传播方向相反，因此，当反馈信号入射到环状单元331时，半导体部331b使环状单元331无法形成通路，进而也就难以形成损耗阵列。

综上，不考虑信号的反射时，射频信号穿过屏蔽结构3时，会被削弱，反馈信号穿过屏蔽结构3时，削弱效果不明显。因此，反馈信号穿过屏蔽结构3后依然能够保持较高的强度，以完成与外部设备的近场通信。

在本发明的一些实施例中，由正面向背面，屏蔽结构3依次包括基底层34和阻抗层33。

在本实施例中，基底层34的制备材料为绝缘材料，例如，绝缘材料可以是聚酰亚胺。绝缘材料的介电常数与空气较为接近，因此，反馈信号入射到基底层34时被反射的部分较少。能够进一步保证穿出屏蔽结构3的反馈信号的强度。

需要说明的是，为了进一步提升反馈信号的强度，还可以利用信号增大器4配合上述实施例中的方案。

在本发明的一些实施例中，环状单元331为导体形成的正方形环，导体的直径为0.01~0.02mm，环状单元331的边长为0.35~0.4mm。

在本实施例中，通过对上述参数的限定，能够使多个环状单元331形成针对射频信号频率的损耗阵列。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。