化合物半导体装置

技术领域

本公开涉及化合物半导体装置。

背景技术

化合物半导体装置是使用了化合物半导体的各种装置。作为化合物半导体装置，例如有专利文献1中记载的量子型红外线检测元件。专利文献1中记载的化合物半导体装置通过传感器部分的化合物半导体的层叠构造和元件构造来抑制扩散电流。再者，通过改良信号放大用IC(Integrated Circuit：集成电路)和传感器的封装，从而实现了能够进行室温操作且小型的红外线检测元件。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2005/027228号

发明内容

发明要解决的问题

像这样，正在进行用于化合物半导体装置的特性改良的研究开发，期望进一步提高SNR(Signal to Noise Ratio：信噪比)特性。

鉴于上述内容而完成的本公开的目的在于提供一种SNR较高的化合物半导体装置。

用于解决问题的方案

(1)本公开的一实施方式的化合物半导体装置具备：

绝缘性基板；

多个台面型化合物半导体层叠部，该多个台面型化合物半导体层叠部形成于所述绝缘性基板的一个主面上，该多个台面型化合物半导体层叠部通过依次层叠具有第1导电型的第1化合物半导体层、由化合物半导体材料构成的活性层以及具有第2导电型的第2化合物半导体层而成；

第1保护膜，其形成为与所述台面型化合物半导体层叠部的侧面直接接触；

第2保护膜，其形成于所述第1保护膜上，由膜密度比所述第1保护膜的膜密度大的材料构成；以及

凹部，其具有至少一部分与所述第1化合物半导体层的侧面的一部分相对的凹部侧面和至少一部分与所述绝缘性基板的所述第1化合物半导体层侧的表面的一部分相对的凹部底面，该凹部将所述多个台面型化合物半导体层叠部分离开，

所述凹部侧面和所述凹部底面被所述第1保护膜和所述第2保护膜覆盖。

(2)作为本公开的一实施方式，在(1)的基础上，

所述活性层至少包含第III主族元素。

(3)作为本公开的一实施方式，在(1)或(2)的基础上，

所述活性层在300K时为4.1×10

(4)作为本公开的一实施方式，在(1)至(3)中的任一者的基础上，所述活性层至少包含In和Sb或In和As。

(5)作为本公开的一实施方式，在(1)至(4)中的任一者的基础上，

Al组成占所述活性层的层内的所有第III主族元素的比例为n[％](0≤n＜18)。

(6)作为本公开的一实施方式，在(1)至(5)中的任一者的基础上，

Al组成占所述活性层的层内的所有第III主族元素的比例为n[％](0≤n＜9.8)。

(7)作为本公开的一实施方式，在(1)至(6)中的任一者的基础上，所述第1保护膜由膜密度比2.25g/cm

(8)作为本公开的一实施方式，在(1)至(7)中的任一者的基础上，所述第1保护膜为氧化硅。

(9)作为本公开的一实施方式，在(1)至(8)中的任一者的基础上，所述第2保护膜为氮化硅。

(10)作为本公开的一实施方式，在(1)至(9)中的任一者的基础上，所述第2保护膜的膜厚比第1保护膜的膜厚大。

(11)作为本公开的一实施方式，在(10)的基础上，

所述第2保护膜的膜厚为第1保护膜的膜厚的两倍以上。

(12)作为本公开的一实施方式，在(1)至(11)中的任一者的基础上，

所述第1保护膜的膜厚比所述凹部的深度小。

(13)作为本公开的一实施方式，在(1)至(12)中的任一者的基础上，

所述第1保护膜和所述第2保护膜的总膜厚比所述凹部的深度小。

(14)作为本公开的一实施方式，在(1)至(13)中的任一者的基础上，

与所述凹部底面相对的所述绝缘性基板的表面的一部分通过所述绝缘性基板的一部分被切削而构成。

(15)作为本公开的一实施方式，在(1)至(14)中的任一者的基础上，

所述第1保护膜和所述第2保护膜的总膜厚比所述绝缘性基板的被切削了的部分和未被切削的部分的最大深度小。

(16)作为本公开的一实施方式，在(1)至(15)中的任一者的基础上，

所述绝缘性基板的另一个主面是光入射面或光出射面。

发明的效果

根据本公开，能够提供一种SNR较高的化合物半导体装置。

附图说明

图1是实施例1和实施例2的化合物半导体装置所相关的剖视图。

图2是表示实施例1和实施例2的化合物半导体装置的剖视图。

图3是表示实施例3的化合物半导体装置的剖视图。

图4是表示比较例1的化合物半导体装置的剖视图。

图5是表示比较例2的化合物半导体装置的剖视图。

图6是表示实施例1～3和比较例1～2的化合物半导体装置的无偏压附近的电阻的图表。

图7是例示多个台面型化合物半导体层叠部的配置的图。

图8A是表示第1保护膜和第2保护膜的膜厚的结构例的图。

图8B是表示第1保护膜和第2保护膜的膜厚的另一结构例的图。

图8C是表示第1保护膜和第2保护膜的膜厚的另一结构例的图。

图9是表示化合物半导体装置的另一结构例的剖视图。

附图标记说明

1、化合物半导体装置；10、绝缘性基板；10b、表面；20、台面型化合物半导体层叠部；21、第1导电型半导体层；21a、侧面；22、第1宽带隙层；23、活性层；24、第2宽带隙层；25、第2导电型半导体层；31、第1保护膜；32、第2保护膜；40、凹部；40a、凹部侧面；40b、凹部底面；50、电极部。

具体实施方式

[化合物半导体装置]

本公开的一实施方式的化合物半导体装置具备绝缘性基板、台面型化合物半导体层叠部、第1保护膜和第2保护膜。台面型化合物半导体层叠部具备：第1化合物半导体层，其形成于绝缘性基板上且具有第1导电型；活性层，其形成于第1化合物半导体层上且由化合物半导体材料构成；以及第2化合物半导体层，其形成于活性层上且具有第2导电型。在台面型化合物半导体层叠部，依次层叠第1化合物半导体层、活性层和第2化合物半导体层。在此，“依次层叠第1化合物半导体层、活性层和第2化合物半导体层”是指，在这些层的关系中，只要是第1化合物半导体层、活性层、第2化合物半导体层的层叠顺序即可。在“依次层叠第1化合物半导体层、活性层和第2化合物半导体层”这样的结构的形态中，例如包括在第1化合物半导体层与活性层之间插入其他层的情况。另外，在“依次层叠第1化合物半导体层、活性层和第2化合物半导体层”这样的结构的形态中，包括在活性层与第2化合物半导体层之间插入其他层的情况。另外，台面型化合物半导体层叠部配置于绝缘性基板的一个主面上。在此，主面是指与绝缘性基板的板厚方向垂直的表面，是形成绝缘性基板的6个面中面积为最大的面。在本实施方式中，第1保护膜形成为与台面型化合物半导体层叠部的侧面直接接触。第2保护膜由膜密度比第1保护膜的膜密度大(高)的材料构成，形成于第1保护膜上。本实施方式的化合物半导体装置具有绝缘性基板的一部分至少为底面的凹部。换言之，化合物半导体装置具有凹部，凹部的底面的至少一部分与绝缘性基板接触。凹部的侧面和凹部的底面被第1保护膜和第2保护膜覆盖。

[台面型化合物半导体层叠部]

台面型化合物半导体层叠部具有台面构造。台面型化合物半导体层叠部的结构只要包括基于PN接合或PIN接合的二极管构造就没有特别限制。第1导电型半导体层和第2导电型半导体层具有相反的导电型。例如，若第1导电型半导体层为p型，则第2导电型半导体层为n型。例如，若第1导电型半导体层为n型，则第2导电型半导体层为p型。作为第1导电型半导体层和第2导电型半导体层的材料，有InSb、InAsSb、AlInSb等，但不限于此。另外，第1导电型半导体层和第2导电型半导体层可以由基于多个材料的层叠构造构成。

在此，化合物半导体装置的SNR相对于在红外线入射到台面型化合物半导体层叠部时产生的光电流Ip和化合物半导体装置的元件电阻R0的平方根之积成比例。即，SNR如式子(1)那样表示。

【数学式1】

因此，在不使光电流Ip降低的情况下增大元件电阻R0，由此，化合物半导体装置的SNR特性提高。

已知化合物半导体装置的元件电阻R0由于通过蚀刻工序而被电分离的台面型化合物半导体层叠部之间的泄漏电流而劣化。图7是例示多个台面型化合物半导体层叠部的配置的图。通常地，化合物半导体装置构成为包括多个台面型化合物半导体层叠部。通过对化合物半导体装置中的多个台面型化合物半导体层叠部之间的泄漏电流进行抑制，能够增大元件电阻R0。本实施方式的化合物半导体装置能够通过后述的构造抑制泄漏电流。

活性层是光接收层或光发射层。作为活性层的材料，由化合物半导体材料构成，只要是接收或发射光而产生光电流的材料就没有特别限制。特别优选为接收或发射2.5μm～6.0μm波长的红外线而产生光电流的材料。另外，活性层可以是基于多个材料的层叠构造。优选的是，活性层至少包含第III主族元素，从特性和量产性的观点出发，优选的是使用Al

台面型化合物半导体层叠部可以在第1导电型半导体层与活性层之间还具备带隙比第1导电型半导体层的带隙大的第1宽带隙层。另外，台面型化合物半导体层叠部可以在第2导电型半导体层与活性层之间还具备带隙比第2导电型半导体层的带隙大的第2宽带隙层。宽带隙层作为防止来自活性层的扩散电流的层而发挥功能。宽带隙层只要能相对于活性层获得充分的能带偏移即可，优选的是，选择带隙较宽的材料。宽带隙层的材料没有特别限定，但能举出AlInAsSb、AlInSb等来作为一例。

(Al组成的测量方法)

台面型化合物半导体层叠部的各层的Al组成能够通过二次离子质谱(SIMS：Secondary Ion Mass Spectrometry)法来求出。测量可以使用CAMECA公司制的磁场型SIMS装置“IMS 7f”。该方法是这样进行的方法：通过向固体表面照射光束状的一次离子种，利用溅射现象向进深方向进行挖掘，并且检测同时产生的二次离子，由此，进行组成分析。在此，各层的Al组成是指Al元素相对于各层所含的所有第III主族元素(第13族元素)的比率。

具体而言，能够将一次离子种设为铯离子(Cs

在此，通过使溅射进行至目标层的深度，能够进行目标层的组成分析。目标层的深度能够根据通过后述的剖面TEM测量而得到的各层的厚度来求出。SIMS分析中的溅射的时间基于到目标层的深度、以及溅射速率来求出。溅射速率能够使用例如试样(后述的标准材料等)的测量时的溅射时间、以及使用触针式分析仪测量得到的试样的深度等来求出。

各层的Al组成根据上述的MCs

在此，通过分析求出的Al组成定量值能伴随相对于真值的偏离。为了校正相对于该真值的偏离，准备了求出由X射线衍射(XRD：X-ray Diffraction)法获得的晶格常数值的其他样品，并用作Al组成值为已知的标准试样。然后，使用关于第1化合物半导体层所具有的各层的Al组成的测量条件来进行SIMS分析，由此，能够求出Al组成相对于信号强度的灵敏度系数。第1化合物半导体层所具有的各层的Al组成能够通过对各层的SIMS信号强度乘以灵敏度系数来更准确地求出。

作为标准试样用的其他样品，能够使用层叠于GaAs基板上的膜厚为800nm的Al

进行基于X射线衍射的2θ-ω扫描，由此，根据与基板表面的面取向对应的面的晶面指数的2θ-ω扫描中的峰值位置来求出台面型化合物半导体层叠部的各层相对于基板表面的法线方向的晶格常数。并且，作为不存在Al

【数学式2】

a

在此，a

作为SIMS测量所使用的标准试样，可以使用Al组成x为0.10＜x＜0.15的试样。

[第1保护膜]

第1保护膜是由形成为与台面型化合物半导体层叠部的侧面直接接触的绝缘材料构成的保护膜，该第1保护膜将台面型化合物半导体层叠部的侧面覆盖。本实施方式的化合物半导体装置中的第1保护膜不仅将侧面覆盖，还将设于相邻的台面型化合物半导体层叠部之间的凹部覆盖。作为第1保护膜的材料，从使对台面型化合物半导体层叠部的应力最小化并抑制特性劣化的观点出发，需要使用膜密度比第2保护膜的膜密度小的材料。期望的是，第1保护膜由膜密度比2.25g/cm

[第2保护膜]

第2保护膜是由形成于第1保护膜上的绝缘材料构成的保护膜，吸湿性比第1保护膜的材料的吸湿性低。即，第2保护膜的特征在于：由膜密度比第1保护膜的膜密度大的材料构成。具体而言，期望的是，膜密度比2.35g/cm

(保护膜的膜厚的测量方法)

保护膜的膜厚能够通过剖面TEM(TEM：Transmission Electron Spectroscopy)法来测量。具体而言，能够使用日立高新技术公司制的FIB装置“FB-2100”。使用日立制的STEM装置“HD-2300A”对在通过FIB法进行测量的同时制作的500nm以下的厚度的试样在加速电压200kV下利用透射像进行剖面观察，测量了保护膜的膜厚。

[绝缘性基板]

优选的是，在本实施方式的化合物半导体装置中，台面型化合物半导体层叠部配置于绝缘性基板的一个主面上，绝缘性基板的另一个主面是光入射面或光出射面。作为绝缘性基板的一例，能举出半导体基板，具体而言能举出GaAs基板、Si基板、InP基板、InSb基板、InAs基板，但不限于此，可以是除此以外的绝缘性基板。作为一例，能举出陶瓷等。

在台面型化合物半导体层叠部的上表面设有用于将电流向外部取出的电极。使未设有电极的另一个主面为光入射面或光射出面，由此，能够有效地使红外线向台面型化合物半导体层叠部入射或有效地使红外线从台面型化合物半导体层叠部射出。此时，从绝缘性基板侧入射光或从绝缘性基板侧射出光，因此优选的是，使用带隙比活性层的带隙大的材料的绝缘性基板。在该情况下，带隙比活性层的带隙大且化合物半导体的结晶生长是容易的，因此GaAs基板是优选的。

绝缘性基板没有基于施主杂质或受主杂质的掺杂的限制。

为了将在绝缘性基板上形成的多个台面型化合物半导体层叠部串联或并联连接，需要对各台面型化合物半导体层叠部进行电分离。为了进行电分离，通过蚀刻等去除各台面型化合物半导体层叠部之间的导电材料，以使各台面型化合物半导体层叠部不与其他台面型化合物半导体层叠部电连接且物理连接即可。另外，为了防止蚀刻不足所引起的导通，优选的是，在各台面型化合物半导体层叠部之间形成至少以绝缘性基板为底面的凹部。作为去除导电材料和形成凹部的方法，例如使用干蚀刻法即可。然后，使用PCVD等成膜由在整个表面上均匀的绝缘材料构成的保护膜来作为第1保护膜。再者，为了防止由第1保护膜的吸湿引起的变质和破坏，成膜第2保护膜。因此，本实施方式的化合物半导体装置具备凹部，凹部的侧面(凹部侧面)和凹部的底面(凹部底面)被第1保护膜和第2保护膜覆盖。在此，在本实施方式中，第1保护膜的膜厚比凹部的深度小，第1保护膜被埋入到凹部内。

[带通滤波器]

本实施方式的化合物半导体装置可以还具备使至少包含于2.5μm～6.0μm的波长范围的任意的波长带的光透射50％以上的带通滤波器。通过具备带通滤波器，能够限制化合物半导体装置的灵敏度波长区域，在用作气体传感器时，不易受到在其他波长区域具有吸收带的干扰气体的影响。

[电极部]

本实施方式的化合物半导体装置还具备：第1电极，其电连接于台面型化合物半导体层叠部的第1导电型半导体层；以及第2电极，其电连接于台面型化合物半导体层叠部的第2导电型半导体层。作为电极的构成材料，优选为与化合物半导体层叠部的接触电阻较低的材料且电阻较低的材料。具体而言能举出Ti、Ni、Pt、Cr、Al、Cu等。另外，电极可以由多个电极材料的层叠体构成。

以下，参照附图对本实施方式的化合物半导体装置的结构例进行说明。作为本实施方式的化合物半导体装置的具体的结构例，以下说明实施例1、实施例2和实施例3。另外，为了确认本实施方式的化合物半导体装置的效果，以下说明比较例1和比较例2来作为局部不同的比较方式的结构例。

图1和图2是实施例1和实施例2的化合物半导体装置1的剖面示意图。图1表示局部去除第1保护膜31和第2保护膜32且设有电极部50之前的状态。即，自图1的状态，在台面型化合物半导体层叠部20的顶部的局部和第1导电型半导体层21的下部21b的上表面的局部形成接触孔，设置电极部50，成为实施例1和实施例2的化合物半导体装置1的剖面(图2)。在此，如图2所示，有时将第1导电型半导体层21分为台阶部分，区分上部21t和下部21b。

化合物半导体装置1具备绝缘性基板10、第1导电型半导体层21、第1宽带隙层22、活性层23、第2宽带隙层24和第2导电型半导体层25。第1导电型半导体层21、第1宽带隙层22、活性层23、第2宽带隙层24和第2导电型半导体层25成为台面型化合物半导体层叠部20。另外，在实施例1和实施例2的化合物半导体装置1中，还具备以与台面型化合物半导体层叠部20的侧面直接接触的方式形成的第1保护膜31。第1保护膜31也与台面型化合物半导体层叠部20的最上表面以及第1导电型半导体层21的下部21b的上表面直接接触。实施例1和实施例2的化合物半导体装置1具有凹部40。凹部40具有凹部侧面40a和凹部底面40b。凹部侧面40a的至少一部分与第1导电型半导体层21(第1化合物半导体层)的侧面21a的一部分相对。凹部底面40b的至少一部分与绝缘性基板10的第1导电型半导体层21侧的表面10b的一部分相对。另外，凹部底面40b是将凹部40的两个凹部侧面40a连接的底面。凹部40使多个台面型化合物半导体层叠部分离(参照图7)。实施例1和实施例2的化合物半导体装置1在第1保护膜31的上表面还具备第2保护膜32。作为另一例，化合物半导体装置1可以是不具备第2保护膜32而第1保护膜31与凹部底面40b直接接触的结构。通过利用氧化硅的第1保护膜31将凹部40的凹部侧面40a和凹部底面40b覆盖，能够抑制在与隔着凹部40而相邻的台面型化合物半导体层叠部20之间产生泄漏电流的情况。再者，通过利用膜密度较大且吸湿性较低的氮化硅的第2保护膜32将第1保护膜31覆盖，能够抑制第1保护膜31的吸湿膨胀。即，进一步优选的是，凹部侧面40a和凹部底面40b被第1保护膜31和第2保护膜32覆盖。

另外，第1保护膜31的膜厚(图1的t1)比凹部40的深度(图1的d)小，第1保护膜31被埋入到凹部40内，第1保护膜31的上表面比凹部40的上表面(上端)低。即，与凹部底面40b相对的绝缘性基板10的表面的一部分通过绝缘性基板10的一部分被切削而构成。图1的ds表示绝缘性基板10的被切削了的部分和未被切削的部分的最大深度。ds为0以上，但在第1保护膜31被埋入到凹部40内的结构的情况下为比0大的值。通过这样的结构，能抑制第1保护膜31的吸湿膨胀。再者，即使在由于放置于长期的湿润环境而使第1保护膜31吸湿了的情况下，凹部40的未设有第1保护膜31的空间也作为缓冲区域发挥功能，能够防止第1保护膜31的膜剥落，保持绝缘性良好的状态。在此，可以使第2保护膜的膜厚(图1的t2)比第1保护膜的膜厚大。例如如图8A所示，在第2保护膜的膜厚(t2)为第1保护膜31的膜厚(t1)的两倍以上的情况下，电极部50的龟裂(c)的数量为1，能够将龟裂深度抑制到113nm。另外，例如如图8B所示，在第2保护膜的膜厚(t2)为第1保护膜31的膜厚(t1)的1倍以上且小于两倍的情况下，电极部50的龟裂(c)的数量增加到了2，但能够将龟裂深度抑制到121nm。另一方面，例如如图8C所示，在第2保护膜的膜厚(t2)比第1保护膜31的膜厚(t1)小的情况下，电极部50的龟裂(c)的数量为2，龟裂深度还变成了316nm。如从图8A～图8C的实验例的比较可知那样，得到了如下结果：越使第1保护膜31的膜厚(t1)比第2保护膜的膜厚(t2)小，越使电极覆膜性提高，越能获得高品质的化合物半导体装置1。在此，图8A～图8C对应于图2的r所示的区域。

再者，可以构成为，使第1保护膜31和第2保护膜32相加而得到的膜厚(t1+t2)比凹部40的深度小。即，可以是，在凹部40中，第2保护膜32也被埋入到凹部40内，第2保护膜32的上表面比凹部40的上表面低。另外，可以是，如图9所示，第1保护膜和第2保护膜的总膜厚(t1+t2)比绝缘性基板10的被切削了的部分和未被切削的部分的最大深度(ds)小。即，可以构成为，第2保护膜32的上表面比绝缘性基板10和第1导电型半导体层21的边界低。

图3是实施例3的化合物半导体装置1的剖面示意图。与实施例1和实施例2的化合物半导体装置1相比，实施例3的化合物半导体装置1不具备第1宽带隙层22。

图4是比较例1的化合物半导体装置1的剖面示意图。与实施例3的化合物半导体装置1相比，比较例1的化合物半导体装置1在凹部40不具备第1保护膜31。

图5是比较例2的化合物半导体装置1的剖面示意图。与实施例3的化合物半导体装置1相比，比较例2的化合物半导体装置1不仅在凹部40不具备第1保护膜31，整体上都不具备第1保护膜31。

以下，分别说明实施例1～3和比较例1～2的详细内容。

[实施例1]

在作为绝缘性基板10的GaAs基板上，使用MBE装置依次层叠有第1导电型半导体层21、第1宽带隙层22、活性层23、第2宽带隙层24、第2导电型半导体层25。在该层叠工序中，形成了掺杂7×10

接下来，在上述的化合物半导体的层叠构造上形成抗蚀图案，实施蚀刻，由此，制作出台面型化合物半导体层叠部20。然后，再次形成抗蚀图案，进行用于元件分离的蚀刻，以使多个台面型化合物半导体层叠部20分别电独立，由此，形成了凹部40。在去除抗蚀图案之后，使用PCVD在整个表面(GaAs基板和形成于GaAs基板上的台面型化合物半导体层叠部20)上形成了70nm的氧化硅层来作为第1保护膜31。使用PCVD在该氧化硅层上形成了200nm的氮化硅层来作为第2保护膜32。第1保护膜31和第2保护膜32的膜密度分别为2.18g/cm

[实施例2]

在作为绝缘性基板10的GaAs基板上，使用MBE装置依次层叠有第1导电型半导体层21、第1宽带隙层22、活性层23、第2宽带隙层24、第2导电型半导体层25。在该层叠工序中，形成了掺杂7×10

[实施例3]

在实施例3中形成为，形成了掺杂3×10

[比较例1]

在作为绝缘性基板10的GaAs基板上，使用MBE装置依次层叠有第1导电型半导体层21、活性层23、第2宽带隙层24、第2导电型半导体层25。在该层叠工序中，形成了掺杂7×10

接下来，在上述的化合物半导体的层叠构造上形成抗蚀图案，实施蚀刻，由此，制作出台面型化合物半导体层叠部20。然后，以350nm的厚度形成了氧化硅的硬掩模，并进行了用于元件分离的蚀刻，以使多个台面型化合物半导体层叠部20分别电独立。通过用于元件分离的蚀刻，被蚀刻到200nm左右的氧化硅的硬掩模直接成为第1保护膜31。然后，使用PCVD在整个表面(GaAs基板和形成于台面型化合物半导体层叠部20上的氧化硅层)上以200nm的厚度形成了氮化硅层来作为第2保护膜32。第1保护膜31和第2保护膜32的膜密度分别为2.25g/cm

[比较例2]

在比较例2中设为，未形成第1保护膜31，氮化硅的第2保护膜32与台面型化合物半导体层叠部20的侧面直接接触，除此以外，利用与比较例1相同的方法获得了化合物半导体装置1。

＜评价＞

测量了在实施例1～3和比较例1～2中获得的化合物半导体装置1的无偏压附近区域的电阻。化合物半导体装置1的无偏压附近区域的电阻对应于上述的式(1)中的化合物半导体装置1的元件电阻R0，因此以下标记为“R0”。

图6表示基于实施例1～3和比较例1～2的测量结果而获得的化合物半导体装置1的无偏压附近区域的电阻(R0)。

如图6所示，实施例1～3的化合物半导体装置1的无偏压附近区域的电阻相较于比较例1～2较大。即，示出了如下内容：通过具有上述的实施方式中已说明的化合物半导体装置1的构造，能够提高SNR特性。

在此，说明了本公开的化合物半导体装置1主要为光接收元件，但能够以相同的构造制作光发射元件。作为具有相同的构造的光发射元件的化合物半导体装置1，与光接收元件的情况同样地起到台面型化合物半导体层叠部20之间的泄漏电流抑制效果。在作为光发射元件的化合物半导体装置1中，通过抑制泄漏电流，能改善电荷向活性层23的注入效率。即能够实现光发射效率较高的化合物半导体装置1。