封装结构及其制作方法

技术领域

本发明涉及半导体发光结构领域，尤其涉及一种封装结构及其制作方法。

背景技术

半导体照明(Semiconductor Lighting)是一种新兴的照明技术，其基本器件由发光二极管(Light-emitting diode，简称LED)，或与荧光发光材料封装，形成半导体固体发光器件，直接或间接发出各种可见及不可见光。微发光二极管(Micro-LED)是新一代显示技术，具有自发光显示特性，相较于现有的有机发光二极管(Organic Light-EmittingDiode，OLED)技术，Micro LED显示装置具有亮度更高、发光效率更好、功耗更低的优点。

然而，推动Micro-LED产业化在巨量转移和全彩化等方面仍存在技术挑战，目前Micro-LED全彩化主要为巨量转移RGB三原色LED和蓝光LED配合荧光物质颜色转化。目前基于AlGaInP材料体系的红光Micro-LED在常规芯片尺寸下的外量子效率高达60％以上，但是当芯片尺寸缩小到微米量级时，受制于芯片侧壁的高表面复合效应和高载流子寿命，其外量子效率会急剧降低到1％以下。

红光Micro-LED因为发光效率低且发光效率受温度影响比较大，而且价格比较高，影响着Micro-LED显示的产品化，在封装结构处于微米量级状态下如何提高红光Micro-LED的发光效率，是目前技术发展所面临的难点。

发明内容

本发明的目的在于提供一种封装结构及其制作方法，以解决现有技术中存在随着尺寸减小导致发光效率降低的发光芯片的发光效率问题。

为实现上述发明目的之一，本发明一实施方式提供一种封装结构，包括相互连接的发光器件和光转换结构，所述发光器件的光发射方向朝向所述光转换结构，在靠近所述发光器件方向上，所述光转换结构包括依次设置的光转换层、特定光线透过层和透光基板，所述光转换层用于将所述发光器件发射的光线转换成具有特定波段的光线，所述特定光线透过层仅允许所述具有特定波段的光线透过；

其中，所述发光器件发射的光线波段和经过所述光转换层之后的光线波段不同。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述光转换层材料为量子点。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述特定光线透过层为滤光片，所述滤光片用于使得所述具有特定波段的光线透过且吸收其他波段的光线。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述特定光线透过层为第一反射层，所述第一反射层用于使得所述具有特定波段的光线透过且反射其他波段的光线。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述发光器件为蓝色发光器件，所述光转换层用于将发光器件发射的蓝色光线转换为红色光线，所述特定光线透过层仅允许红色光线透过。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述光转换结构还包括遮光层、第一胶层和第二胶层，所述透光基板设置有所述特定光线透过层的一侧面定义为透光基板上表面；

所述遮光层围绕所述特定光线透过层设置于所述透光基板未被遮蔽的上表面，且所述遮光层背离所述透光基板的上表面和所述光转换层背离所述透光基板的上表面处于同一水平面；

所述第一胶层覆盖所述遮光层和所述光转换层背离所述透光基板的上表面，并延伸至所述遮光层背离所述光转换层的侧表面；

所述第二胶层覆盖所述第一胶层背离所述光转换层的上表面和侧表面。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述第一胶层还设置于所述光转换层和所述遮光层之间、以及所述光转换层和所述特定光线透过层之间。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述光转换结构还包括第一胶层和第二胶层，所述透光基板设置有所述特定光线透过层的一侧面定义为透光基板上表面；

所述第一胶层覆盖所述光转换层背离所述透光基板的上表面，并沿所述光转换层侧表面延伸至所述透光基板上表面；

所述第二胶层覆盖所述第一胶层背离所述光转换层的上表面和侧表面。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述封装结构还包括遮光层，所述遮光层设置于所述透光基板未被遮蔽的上表面，并包围所述第二胶层背离所述光转换层的侧表面，且所述遮光层背离所述透光基板的上表面和所述发光器件背离所述光转换结构的上表面处于同一水平面。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述第一胶层的材料包括氧化硅、氮化硅、氧化铝中的一种或几种的组合物，所述第二胶层的材料为硅胶、或聚酰亚胺、或硅胶和聚酰亚胺形成的组合物。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述遮光层在垂直于所述透光基板上表面方向上的厚度设置为3μm-12μm。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述发光器件为Mini-LED芯片或Micro-LED芯片，其包括芯片本体和多个电性焊盘，所述芯片本体与所述光转换结构连接，所述电性焊盘设置于所述芯片本体背离所述光转换结构的上表面的周边区域；

所述封装结构还包括第二反射层，所述第二反射层设置于所述芯片本体上表面未被所述电性焊盘遮蔽的区域。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述第二反射层为全反射层。

为实现上述发明目的，本发明还提供一种封装结构的制作方法，所述制作方法制作形成如上所述的封装结构，包括：

提供一透光基板；

于所述透光基板上表面依次形成特定光线透过层和光转换层，制作形成光转换结构；

提供一发光器件，将所述发光器件面向所述光转换层一侧与所述光转换结构连接，使得所述发光器件的光发射方向朝向所述光转换结构。

作为本发明一实施方式的进一步改进，“于所述透光基板上表面依次形成特定光线透过层和光转换层，制作形成光转换结构”具体包括：

于所述透光基板上表面部分区域处形成所述特定光线透过层；

围绕所述特定光线透过层，于所述透光基板未被遮蔽的上表面形成遮光层，并使得所述遮光层上表面高于所述特定光线透过层上表面；

于所述遮光层的内侧表面和所述特定光线透过层的上表面形成部分第一胶层，部分所述第一胶层形成为具有一开口的空腔结构；

于所述空腔结构内形成光转换层；

于所述遮光层上表面和所述光转换层上表面形成另一部分第一胶层，并使得另一部分所述第一胶层延伸至所述遮光层的外侧表面；

于所述第一胶层的外侧表面形成第二胶层。

作为本发明一实施方式的进一步改进，“于所述透光基板上表面依次形成特定光线透过层和光转换层，制作形成光转换结构”具体包括：

于所述透光基板上表面部分区域处形成所述特定光线透过层；

于所述特定光线透过层上表面形成光转换层；

于所述光转换层上表面形成第一胶层，并控制所述第一胶层于所述光转换层上表面周缘侧沿所述光转换层侧表面延伸至所述透光基板上表面部分区域；

于所述第一胶层上表面形成第二胶层，并控制所述第二胶层于所述第一胶层上表面周缘侧沿所述第一胶层侧表面延伸至所述透光基板上表面部分区域。

作为本发明一实施方式的进一步改进，在“将所述发光器件面向所述光转换层一侧与所述光转换结构连接”之后，还包括：

围绕所述第二胶层的侧表面，于所述透光基板未被遮蔽的上表面形成遮光层，并使得所述遮光层延伸至所述发光器件的侧表面。

作为本发明一实施方式的进一步改进，该制作方法还包括：

于所述发光器件设置有所述电性焊盘的上表面形成第二反射层，并使得所述第二反射层暴露出所述电性焊盘。

本发明的有益效果在于：本发明将发光器件和光转换结构封装，将发光器件发射的光线通过光转换结构，光转换层将发光器件发射的光线转换成具有特定波段的光线，以解决现有技术中具有特定波段的发光芯片当其尺寸减小时，具有特定波段的发光芯片发光效率降低的问题。

附图说明

图1为本发明实施例1中的一种封装结构示意图；

图2为本发明一实施方式中的第一反射层或第二反射层的结构示意图；

图3为本发明一实施方式中的第一反射层的反射光谱曲线图；

图4为本发明一实施方式中的第二反射层的反射光谱曲线图；

图5为本发明实施例2中的一种封装结构示意图；

图6为本发明一实施方式中的一种封装结构的制作方法的流程示意图；

图7a-图7g为本发明对应实施例1中封装结构的制作工艺步骤结构图；

图8a-图8e为本发明对应实施例2中封装结构的制作工艺步骤结构图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明具体实施方式及相应的附图对本发明技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施方式仅是本发明一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本发明中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本发明保护的范围。

下面详细描述本发明的实施方式，实施方式的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

为方便说明，本文使用表示空间相对位置的术语来进行描述，例如“上”、“下”、“后”、“前”等，用来描述附图中所示的一个单元或者特征相对于另一个单元或特征的关系。空间相对位置的术语可以包括设备在使用或工作中除了图中所示方位以外的不同方位。例如，如果将图中的装置翻转，则被描述为位于其他单元或特征“下方”或“上方”的单元将位于其他单元或特征“下方”或“上方”。因此，示例性术语“下方”可以囊括下方和上方这两种空间方位。

本发明提供一种封装结构，包括相互连接的发光器件和光转换结构，发光器件的光发射方向朝向光转换结构，在靠近发光器件方向上，光转换结构包括依次设置的光转换层、特定光线透过层和透光基板，光转换层用于将发光器件发射的光线转换成具有特定波段的光线，特定光线透过层仅允许所述具有特定波段的光线透过。

其中，发光器件发射的光线波段和经过光转换层之后的光线波段不同。

实施例1

如图1所示，为本发明实施例1中的一种封装结构，包括相互连接的发光器件100和光转换结构200，该发光器件100的光发射方向朝向光转换结构200。

发光器件100为Mini-LED芯片或Micro-LED芯片，其包括芯片本体110和多个电性焊盘120，芯片本体110与光转换结构200连接，电性焊盘120设置于芯片本体110背离光转换结构200的上表面的周边区域。

在靠近发光器件100方向上，光转换结构200包括依次设置的光转换层210、特定光线透过层220和透光基板230，光转换层210用于将发光器件100发射的光线转换成具有特定波段的光线，特定光线透过层220仅允许具有特定波段的光线透过。

在本发明一实施方式中，光转换层210材料为量子点。通过调控量子点粒径大小来改变光转换层210转换出射的光线波段或光线颜色，当量子点粒径越小，光转换层210转换出射的光线颜色越偏蓝色；当量子点粒径越大，光转换层210转换出射的光线颜色越偏红色。

在本发明其他实施方式中，光转换层210材料也可以为荧光粉。

在本发明一实施方式中，特定光线透过层220为滤光片，该滤光片用于使得光转换层210转换出射的具有特定波段的光线透过，并且吸收其他波段的光线。在实际应用中，由于光转换层210很难将发光器件100发射的光线全部转换成具有特定波段的光线，则通过在光转换层210下方设置滤波片，将具有特定波段的光线透过并通过透光基板230发射出去，其他未转换成功的光线吸收。

在本发明另一实施方式中，特定光线透过层220为第一反射层，该第一反射层用于使得光转换层210转换出射的具有特定波段的光线透过，并且反射其他波段的光线。同样的，在实际应用中，由于光转换层210很难将发光器件100发射的光线全部转换成具有特定波段的光线，则通过在光转换层210下方设置第一反射层，将具有特定波段的光线透过并通过透光基板230发射出去，其他未转换成功的光线朝发光器件100方向反射。

具体的，第一反射层为第一DBR反射层，DBR(Distributed Bragg Reflection)又叫分布式布拉格反射镜，是由具有高折射率的材料和低折射率的材料以ABAB的方式交替排列组成的周期结构，一般采用TiO

在现有技术中，红色发光器件，比如红光Micro-LED，当芯片尺寸缩小到微米量级时，受制于芯片侧壁的高表面复合效应和高载流子寿命，其发光效率相较于同尺寸的蓝光Micro-LED和绿光Micro-LED的发光效率明显降低。优选的，将发光器件100设置为蓝色发光器件，光转换层210用于将发光器件100发射的蓝色光线转换为红色光线，特定光线透过层220仅允许红色光线透过。通过本实施方式中的封装结构，即可将发光效率高的蓝色发光器件发出的蓝光转换为红光发出，即使封装结构尺寸缩小，也可保证红光的发射效率。

具体的，发光器件100发射的蓝色光线波段为455nm-492nm，光转换层210为红色量子点，当蓝色光线入射进入红色量子点后，该红色量子点能够受蓝色光线激发而发出红光，即光转换层210出射波段为622nm-770nm的红色光线。此时，将特定光线透过层220设置为红色滤光片，仅允许红色光线透过从透光基板230发射出去，其他波段下的光线(比如蓝色光线)均被红色滤光片吸收；或者，将特定光线透过层220设置为第一DBR反射层，通过控制调整第一DBR反射层的周期结构使得第一DBR反射层的反射光谱如图3所示，以使得第一DBR反射层仅能允许红色光线透过，其他波段的光线均被反射。

当然，本发明也不限于此，也可将发光器件100设置为蓝色发光器件，光转换层210用于将发光器件100发射的蓝色光线转换为绿色光线(设置绿色量子点即可)，特定光线透过层220仅允许绿色光线透过，或是其他波段光线之间的转换，根据实际需要进行设计调整即可。

在本发明一实施方式中，透光基板230为透光玻璃基板。

在本发明其他实施方式中，透光基板230也可为其他高透过率的透光基板，比如透明PI基板、高透光pc板等。

进一步的，光转换结构200还包括遮光层240、第一胶层250和第二胶层260。

具体的，将透光基板230设置有特定光线透过层220的一侧面定义为透光基板上表面。

遮光层240围绕特定光线透过层220设置于透光基板230未被遮蔽的上表面，且遮光层240背离透光基板230的上表面和光转换层210背离透光基板230的上表面处于同一水平面。遮光层240用于防止封装结构外界杂乱光线进入光转换结构200内，影响封装结构出光效果。

具体的，遮光层240为黑色光刻胶，其在垂直于透光基板230上表面方向上的厚度设置为3μm-12μm。

当然，本发明对遮光层240的具体制作材料和具体厚度不作限制，可根据实际产品需求设计调整，保证遮光层240背离透光基板230的上表面和光转换层210背离透光基板230的上表面处于同一水平面即可。

第一胶层250完全覆盖遮光层240和光转换层210背离透光基板230的上表面，并延伸至遮光层240背离光转换层210的侧表面。则第一胶层250、遮光层240和特定光线透过层220围设形成密闭空腔结构，将光转换层210密封至该空腔结构中，防止光转换层210与外界空气接触，影响其转换出射光的效果。

进一步的，第一胶层250还设置于光转换层210和遮光层240之间、以及光转换层210和特定光线透过层220之间。

当然，第一胶层250也可于遮光层240的侧表面延伸至透光基板230上表面部分区域。

第一胶层250的材料包括氧化硅、氮化硅、氧化铝中的一种或几种的组合物，本发明对第一胶层250的具体材料和具体厚度不作限制，保证第一胶层250具有高水氧阻隔特性即可。

第二胶层260设置为具有粘附力、且耐高温耐碱性溶液的胶材，用于将发光器件100与光转换结构200固定连接，具体的，第二胶层260完全覆盖第一胶层250背离光转换层210的上表面和侧表面。

第二胶层260的材料为硅胶、或聚酰亚胺、或硅胶和聚酰亚胺形成的组合物等具有粘附力的有机硅树脂材料，本发明对第二胶层260的具体材料和具体厚度不作限制，保证发光器件100与光转换结构200连接的稳定性即可。

进一步的，封装结构还包括第二反射层300，该第二反射层300设置于芯片本体110上表面未被电性焊盘120遮蔽的区域。

第二反射层300为全反射层。

具体的，第二反射层300为第二DBR反射层，通过控制形成第二DBR反射层的周期结构(比如控制两种材料交替排列形成的层数和每一层的厚度)来调整第二DBR反射层的反射光谱，以使得第二DBR反射层能够反射所有光线。比如，发光器件100设置为蓝色发光器件，光转换层210为红色量子点将蓝色光线转换为红色光线，而由于实际应用中红色量子点很难将蓝色光线全部转换成红色光线，则此时若特定光线透过层220为第一反射层时，转换成的红色光线从第一反射层透过，未转换的蓝色光线可由第一反射层朝发光器件100方向上反射至第二反射层300，通过控制调整第二反射层300的周期结构使得第二反射层的反射光谱如图4所示，以使得第二反射层300将蓝色光线全部反射回光转换结构200，再次通过光转换层210进行转换，提高光转换效率和发光效率。

实施例2

如图5所示，为本发明实施例2中的一种封装结构，包括相互连接的发光器件100和光转换结构200，该发光器件100的光发射方向朝向光转换结构200。

发光器件100的结构与实施例1中发光器件结构相同，在此不再重复描述。

在靠近发光器件100方向上，光转换结构200包括依次设置的光转换层210、特定光线透过层220和透光基板230，光转换层210、特定光线透过层220和透光基板230的结构和材料设置与实施例1相同，在此不再重复描述。

将透光基板230设置有特定光线透过层220的一侧面定义为透光基板上表面，与实施例1不同的是，光转换结构200还包括第一胶层250和第二胶层260，第一胶层250完全覆盖光转换层210背离透光基板230的上表面，并沿光转换层210侧表面延伸至透光基板230上表面，也就是说，第一胶层250与透光基板230之间围设形成一密闭空腔，光转换层210和特定光线透过层220位于该空腔内。第二胶层260完全覆盖第一胶层250背离光转换层210的上表面和侧表面。

第一胶层250的材料包括氧化硅、氮化硅、氧化铝中的一种或几种的组合物，本发明对第一胶层250的具体材料和具体厚度不作限制，保证第一胶层250具有高水氧阻隔特性即可。

第二胶层260设置为具有粘附力、且耐高温耐碱性溶液的胶材，用于将发光器件100与光转换结构200固定连接，第二胶层260的材料为硅胶、或聚酰亚胺、或两者的组合物等具有粘附力的有机硅树脂材料，本发明对第二胶层260的具体材料和具体厚度不作限制，保证发光器件100与光转换结构200连接的稳定性即可。

进一步的，本实施例中封装结构还包括遮光层240，与实施例1中结构不同的是，本实施例中遮光层240设置于透光基板230未被遮蔽的上表面，并包围第二胶层260背离光转换层210的侧表面，且遮光层240背离透光基板230的上表面和发光器件100背离光转换结构200的上表面处于同一水平面。

具体的，遮光层240包围第二胶层260背离光转换层210的侧表面和芯片本体110的侧表面，遮光层240背离透光基板230的上表面和芯片本体110背离光转换结构200的上表面处于同一水平面。

具体的，遮光层240为黑色光刻胶，其在垂直于透光基板230上表面方向上的厚度设置为3μm-12μm。

当然，本发明对遮光层240的具体制作材料和具体厚度不作限制，可根据实际产品需求设计调整，保证遮光层240背离透光基板230的上表面和芯片本体110背离光转换结构200的上表面处于同一水平面即可。

进一步的，封装结构还包括第二反射层300，该第二反射层300设置于芯片本体110上表面未被电性焊盘120遮蔽的区域。本实施例中第二反射层300的结构和材料与实施例1相同，在此不再重复描述。

如图6所示，本发明还提供一种封装结构的制作方法，该制作方法制作形成如上任意一实施方式中的封装结构，包括：

S1：提供一透光基板。

S2：于透光基板上表面依次形成特定光线透过层和光转换层，制作形成光转换结构。

S3：提供一发光器件，将发光器件面向光转换层一侧与光转换结构连接，使得发光器件的光发射方向朝向光转换结构。

对应于实施例1中的封装结构，在步骤S2中，“于透光基板上表面依次形成特定光线透过层和光转换层，制作形成光转换结构”具体包括：

于透光基板上表面部分区域处形成特定光线透过层。

围绕特定光线透过层，于透光基板未被遮蔽的上表面形成遮光层，并使得遮光层上表面高于特定光线透过层上表面。

于遮光层的内侧表面和特定光线透过层的上表面形成部分第一胶层，部分第一胶层形成为具有一开口的空腔结构。

于空腔结构内形成光转换层。

于遮光层上表面和光转换层上表面形成另一部分第一胶层，并使得另一部分第一胶层延伸至遮光层的外侧表面。

于第一胶层的外侧表面形成第二胶层。

如图7a所示，于透光基板230上表面部分区域处形成特定光线透过层220，可以利用膜材或胶水形成仅允许具有特定波段的光线透过的滤光片，或是制作形成仅允许具有特定波段的光线透过的第一DBR反射层。

如图7b所示，于透光基板230上方均匀涂覆3μm-12μm厚的黑色光刻胶，使得该黑色光刻胶的涂覆面积大于特定光线透过层220的表面面积，并使得黑色光刻胶完全覆盖特定光线透过层220。再对该黑色光刻胶部分区域进行刻蚀，暴露出特定光线透过层220上表面，制作形成围绕特定光线透过层220的遮光层240，使得遮光层240上表面高于特定光线透过层220上表面。

如图7c所示，利用成膜工艺，于遮光层240的内侧表面和特定光线透过层220的上表面形成部分第一胶层250，该部分第一胶层250形成为具有一开口的空腔结构。

如图7d所示，于空腔结构内形成光转换层210，使得光转换层210的上表面与遮光层240的上表面处于同一水平面。

光转换层210可以为量子点或荧光粉。

如图7e所示，于遮光层240上表面和光转换层210上表面形成另一部分第一胶层250，并使得该另一部分第一胶层250延伸至遮光层240的外侧表面。

第一胶层250的制作材料包括氧化硅、氮化硅、氧化铝中的一种或几种的组合物，本发明对第一胶层250的具体制作材料和具体形成厚度不作限制，保证第一胶层250具有高水氧阻隔特性即可。

如图7f所示，于第一胶层250的外侧表面涂覆形成第二胶层260。

第二胶层260的材料为硅胶、或聚酰亚胺、或硅胶和聚酰亚胺形成的组合物等具有粘附力的有机硅树脂材料，本发明对第二胶层260的具体制作材料和具体形成厚度不作限制，保证发光器件与光转换结构连接的稳定性即可。

在步骤S3中，“提供一发光器件，将发光器件面向光转换层一侧与光转换结构连接，使得发光器件的光发射方向朝向光转换结构”具体包括：

如图7g所示，将发光器件100的发光面朝向第二胶层260上表面，通过第二胶层260将发光器件100与光转换结构200固定连接。

发光器件100为Mini-LED芯片或Micro-LED芯片，具体的，将发光器件100设置有芯片本体110的一侧朝向第二胶层260上表面，也就是说，发光器件100设置有电性焊盘120的一侧背离第二胶层260。通过将芯片本体110下表面与第二胶层260上表面连接，以实现发光器件100与光转换结构200的固定连接。

进一步的，该制作方法还包括：

于发光器件100设置有电性焊盘120的上表面形成第二反射层300，并使得第二反射层300暴露出电性焊盘120，制作形成如图1所示的封装结构。

对应于实施例2中的封装结构，在步骤S2中，“于透光基板上表面依次形成特定光线透过层和光转换层，制作形成光转换结构”具体包括：

于透光基板上表面部分区域处形成特定光线透过层。

于特定光线透过层上表面形成光转换层。

于光转换层上表面形成第一胶层，并控制第一胶层于光转换层上表面周缘侧沿光转换层侧表面延伸至透光基板上表面部分区域。

于第一胶层上表面形成第二胶层，并控制第二胶层于第一胶层上表面周缘侧沿第一胶层侧表面延伸至透光基板上表面部分区域。

如图8a所示，于透光基板230上表面部分区域处依次形成特定光线透过层220和光转换层210。

特定光线透过层220可以是利用膜材或胶水形成仅允许具有特定波段的光线透过的滤光片，或是制作形成仅允许具有特定波段的光线透过的第一DBR反射层。

光转换层210可以为量子点或荧光粉。

如图8b所示，利用成膜工艺，于光转换层210上表面形成第一胶层250，并控制第一胶层250于光转换层210上表面周缘侧沿光转换层210侧表面延伸至透光基板230上表面部分区域。

第一胶层250的制作材料包括氧化硅、氮化硅、氧化铝中的一种或几种的组合物，本发明对第一胶层250的具体制作材料和具体形成厚度不作限制，保证第一胶层250具有高水氧阻隔特性即可。

如图8c所示，于第一胶层250上表面形成第二胶层260，并控制第二胶层260于第一胶层250上表面周缘侧沿第一胶层250侧表面延伸至透光基板230上表面部分区域。

第二胶层260的材料为硅胶、或聚酰亚胺、或硅胶和聚酰亚胺形成的组合物等具有粘附力的有机硅树脂材料，本发明对第二胶层260的具体制作材料和具体形成厚度不作限制，保证发光器件100与光转换结构200连接的稳定性即可。

在步骤S3中，“提供一发光器件，将发光器件面向光转换层一侧与光转换结构连接，使得发光器件的光发射方向朝向光转换结构”具体包括：

如图8d所示，将发光器件100的发光面朝向第二胶层260上表面，通过第二胶层260将发光器件100与光转换结构200固定连接。

发光器件100为Mini-LED芯片或Micro-LED芯片，具体的，将发光器件100设置有芯片本体110的一侧朝向第二胶层260上表面，也就是说，发光器件100设置有电性焊盘120的一侧背离第二胶层260。通过将芯片本体110下表面与第二胶层260上表面连接，以实现发光器件100与光转换结构200的固定连接。

进一步的，该制作方法还包括：

围绕第二胶层的侧表面，于透光基板未被遮蔽的上表面形成遮光层，并使得遮光层延伸至发光器件的侧表面。

如图8e所示，于透光基板230上表面侧，围绕第二胶层260侧表面涂覆黑色光刻胶，制作形成遮光层240，并使得遮光层240延伸至发光器件100的侧表面。本发明对遮光层240于发光器件100的侧表面上的延伸长度不作限制，不影响发光器件100的电性焊盘120即可。

更进一步的，该制作方法还包括：

于发光器件100设置有电性焊盘120的上表面形成第二反射层300，并使得第二反射层300暴露出电性焊盘120，制作形成如图5所示的封装结构。

综上所述，本发明将发光器件和光转换结构封装，将发光器件发射的光线通过光转换结构，光转换层将发光器件发射的光线转换成具有特定波段的光线，以解决现有技术中具有特定波段的发光芯片当其尺寸减小时，具有特定波段的发光芯片发光效率降低的问题。

应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施方式中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

上文所列出的一系列的详细说明仅仅是针对本发明的可行性实施方式的具体说明，它们并非用以限制本发明的保护范围，凡未脱离本发明技艺精神所作的等效实施方式或变更均应包含在本发明的保护范围之内。