基板保持部件

技术领域

本发明涉及对基板进行吸附保持的基板保持部件。

背景技术

一直以来，在半导体制造装置等中，使用对硅片、玻璃基板等基板进行支撑的基板保持部件。

专利文献1公开了一种基板保持装置，具备硅片、卡盘座、真空卡盘、真空泵、真空路径、阀，卡盘座具备真空路径，通过硅片的下表面、真空卡盘的上表面及堤部的内周面和卡盘座的上表面、真空卡盘的下表面、堤部的内周面及堤部的外周面形成了密闭的空间，利用真空泵对这些密闭的空间进行减压，由此对硅片及真空卡盘进行保持。

另外，专利文献2公开了一种基板保持装置，在形成了开口于上表面的通气孔的平板状的基体上形成从基体的上表面向上方突出的多个凸部，开口于下表面并与通气孔连通的槽形成于基体，形成有向槽的下方突出的多个凸部。

在先技术文献

专利文献1：日本特开2003-152060号公报

专利文献2：日本特开2017-212343号公报

吸附的基板不一定是平面的，有时具有挠曲或翘曲等变形，即使是这样的基板，也需要平坦地吸附。近年来，对于基板的平面度的要求基准不断提高，并且出现了平坦性优异地吸附具有比较大的翘曲的基板的要求，存在改善的余地。

然而，在专利文献1和专利文献2所记载的基板保持装置的情况下，有时对于这种基板无法给与充分的吸附力而不充分。

发明内容

本发明鉴于这种情况而完成，其目的在于提供一种即便是具有挠曲或翘曲的基板也能够平坦性优异地吸附的基板保持部件。

(1)为了达成上述的目的，本发明的基板保持部件的特征在于，具备：平板状的基体，具有开口于上表面的一个或多个通气孔和与上述通气孔连通并开口于下表面的槽部；多个上表面凸部，从上述基体的上表面向上方突出地形成；及上表面环状凸部，从上述基体的上表面向上方突出，并沿着上述上表面的外周呈环状地形成，上述槽部的与流路方向垂直的方向的截面积为1.2mm

这样，通过使槽部的与流路方向垂直的方向的截面积为1.2mm

(2)另外，在本发明的基板保持装置中，其特征在于，上述基板保持部件还具备多个第一下表面凸部，上述多个第一下表面凸部从上述槽部的上端面向下方突出地形成。

由此，抑制因截面积较大的槽部而基体呈凹状地变形，进而也抑制保持于基体的基板的变形。

(3)另外，在本发明的基板保持装置中，其特征在于，将上述槽部的宽度设为W，在W/2为1.0mm以上时配置上述第一下表面凸部。

这样，通过根据槽部的宽度来决定是否配置第一下表面凸部，能够抑制基体变呈凹状地变形，并且能够充分地降低由形成第一下表面凸部所产生的压力损失的影响。

(4)另外，本发明的基板保持装置的特征在于，还具备：第一下表面环状凸部，以沿着上述槽部的边缘包围上述槽部的方式从上述基体的下表面向下方突出地形成；第二下表面环状凸部，以包围上述第一下表面环状凸部的方式从上述基体的下表面向下方突出地形成；及多个第二下表面凸部，至少配置于上述第一下表面环状凸部与上述第二下表面环状凸部之间的区域，从上述基体的下表面向下方突出地形成。

由此，能够减少基板保持部件与载台之间的接触面积，抑制由微粒等的夹入而引起的平面度的恶化。

附图说明

图1是示出本发明的实施方式的基板保持部件的上表面的一例的示意图。

图2是示出本发明的实施方式的基板保持部件的下表面的一例的示意图。

图3是示出图1及图2中的I-I线处的截面的基板保持部件的截面图。

图4是图3的局部的放大图。

图5的(a)是示出本发明的实施方式的基板保持部件的下表面的槽部的变形例的局部的示意图。(b)是示出(a)中的II-II线处的截面的基板保持部件的局部的截面图。

图6的(a)、(b)分别是示出本发明的实施方式的基板保持部件的下表面的槽部的变形例的局部的示意图。

图7是示出本发明的实施方式的变形例的基板保持部件的下表面的一例的示意图。

图8是示出图7中的III-III线处的截面的基板保持装置的截面图。

图9是图8的局部的放大图。

图10是示出实施例及比较例的槽部的条件及评价结果的表。

具体实施方式

接着，参照附图来对本发明的实施方式进行说明。为了使说明容易理解，在各附图中对于相同的构成要素标注相同的参考编号，并省略重复的说明。另外，在结构图中，概念性地表示各构成要素的大小，并不一定是表示实际的尺寸比率。

[实施方式]

参照图1至图3来对本发明的实施方式的基板保持部件进行说明。图1是示出本发明的实施方式的基板保持部件的上表面的一例的示意图。图2是示出本发明的实施方式的基板保持部件的下表面的一例的示意图。图3是示出图1及图2中的I-I线处的截面的基板保持部件的截面图。图3还示出了放置基板保持部件100的载台40及放置的基板。

基板保持部件100具备用于对基板(晶片)进行吸附保持的基体10。基体10由陶瓷烧结体形成为大致平板状。基体10除了大致圆板状以外，也可以为多边形板状或椭圆板状等各种各样的形状。除后述的凸部和槽部以外的基体10的厚度优选为1.0mm以上且3.0mm以下。

基体10具有开口于上表面12的一个或多个通气孔16。通气孔16与开口于下表面14的槽部18连通。通气孔16及槽部18也可以经由在基体10的内部通过的通气路径而连通。槽部18在连接部20连接载台40的吸引孔(省略图示)，通过这样而与真空吸引装置(省略图示)连接。通气孔16的宽度或直径优选为0.5mm以上且2.0mm以下。

在图1至图3中，在基体10的上表面12上存在20个通气孔16的开口，且呈圆环状地配置。不过，通气孔16的开口的个数及配置并不限定于此，例如也可以存在位于基体10的中心的通气孔。

通过在基体10上形成线状的槽部18，而能够分隔为在基板保持部件100上吸附基板的系统与在载台40上吸附基板保持部件100的系统。由此，能够减少吸附后的基板表面的挠曲和位置偏差。

在图1至图3中，槽部18由沿着基体10的周向形成的圆弧状的两条构成，不过槽部18的个数也可以为一条，还可以为三条以上。另外，槽部18的配置及形状也可以为从基体10的中心附近沿着径向延伸的直线状、沿着周向延伸的弧状、其他直线状、曲线状或者它们的组合。另外，槽部18也可以在中途进行分支。

槽部18的与流路方向垂直的方向的截面积为1.2mm

图4是图3的局部的放大图。例如如图4所示，基体10的下表面14与载台40的上表面抵接，在槽部18的与流路方向垂直的方向的截面为大致矩形的情况下，槽部18的与流路方向垂直的方向的截面积能够用槽部18的宽度W与槽部18的深度的积来算出。另外，在槽部18的与流路方向垂直的方向的截面形状为除矩形以外的形状的情况下，将由槽部的上端面18a、槽部18的侧面和载台40的上表面围成的空间的截面的面积设为槽部18的截面积。

槽部18的深度优选设计成包含于相对于基体10的厚度的0.4～0.6的比率的范围内。例如，在基体10的厚度为1mm的情况下，槽部18的深度优选设计成包含于0.4mm～0.6mm的范围内。由此，在槽部18较浅时，有时难以产生能够充分地吸附具有挠曲或翘曲的基板的程度的负压力。另一方面，在槽部18较深的情况下，导致基体10的强度下降，基体10的破损的风险变大。因此，优选设计在上述的范围内。槽部18的深度除了连接部20等以外优选为恒定的值。

为了使槽部18的截面积为上述那样的值，优选对槽部18的宽度W进行调整。槽部18的宽度W优选为1.7mm以上且4.0mm以下，更优选为2.0mm以上且3.5mm以下。由此，在槽部18的宽度W较窄的情况下，在与上述的优选的槽部18的深度的组合下，无法达成目标的截面积，有时难以产生能够充分地吸附具有挠曲或翘曲的基板的程度的负压力。另一方面，在槽部18的宽度过大的情况下，导致由薄壁部分的体积增加引起的基体10的强度下降，基体10的破损的风险变大。根据这些，槽部18的截面积优选为2.8mm

在基体10上，多个上表面凸部22从基体10的上表面12向上方突出地形成。多个上表面凸部22对基板进行支撑。多个上表面凸部的上端22a(顶上的点或面)大致同面地形成。由此，上表面凸部的上端22a与基板抵接，对基板进行支撑。另外，在多个上表面凸部22中，也可以存在上端不与基板抵接的上表面凸部。这是因为即便存在那样的凸部，通过周围的上表面凸部22的配置，也能够对基板进行支撑。另外，在图3中，上表面凸部的上端22a整面与基板抵接，不过也可以仅上表面凸部的上端22a的一部分与基板抵接。

上表面凸部22的形状既可以为圆柱形、棱柱形、圆锥梯形、棱锥梯形等，也可以为与下部相比上部的截面积变小的那种带阶梯的形状。另外，上表面凸部22也可以为高纵横比的急剧变化的圆锥梯形状。上表面凸部22能够通过例如喷射加工、激光加工或它们的组合来形成。

上表面凸部22的配置除了三角形格子状、正方形格子状、同心圆状等规则的配置以外，也可以为局部产生了疏密的那种不规则的配置。上表面凸部22的高度优选为50μm以上且200μm以下。另外，上表面凸部22的高度是指从上表面12到上表面凸部的上端22a为止的距离。另外，上表面凸部的上端22a的最大直径优选为500μm以下。相邻的上表面凸部22的间隔优选中心之间的距离为8mm以下。

在基体10上，上表面环状凸部24从基体10的上表面12向上方突出，沿着上表面12的外周呈环状地形成。上表面环状凸部24包围多个上表面凸部22。在图1中，上表面环状凸部24从基体10的外周面稍微偏靠中心侧，在从上方观察时呈圆环状地连续形成。也可以在上表面环状凸部24的外侧配置一部分的上表面凸部22。上表面环状凸部的上端面24a也可以形成于比上表面凸部的上端22a更靠近基体10的上表面12的位置。即，上表面环状凸部24的高度也可以比上表面凸部22的高度低。此时，上表面环状凸部24的高度优选比上表面凸部22的高度低1～5μm。由此，减少基体10与基板的接触面积，因此能够降低由微粒的产生及咬入引起的面精度下降的风险。另外，上表面环状凸部24的高度也可以为与上表面凸部22的高度大致同面的关系。在上表面环状凸部24与多个上表面凸部22大致同一水平面的情况下，负压空间变成密闭状态，因此吸引力提高。因此，能够平坦性优异地吸附挠曲或翘曲更大的基板。

图5的(a)是示出本发明的实施方式的基板保持部件的下表面的槽部的变形例的局部的示意图。图5的(b)是示出图5的(a)中的II-II线处的截面的基板保持部件的局部的截面图。如图5的(a)及(b)所示，优选在槽部18的内部形成多个第一下表面凸部32，该多个第一下表面凸部32从槽部的上端面18a向下方突出地形成。此时，多个第一下表面凸部的下端32a(顶上的点或面)优选以与下表面14处于大致同面的高度形成。由此，即便在槽部18之间，也通过第一下表面凸部32来抵接并支撑基体10和载台40，因此能够抑制基体10的局部的变形，使基板的平坦性精度提高。另外，在形成有后述的多个第二下表面凸部34的情况下，多个第一下表面凸部的下端32a优选以与多个第二下表面凸部的下端34a处于大致同面的高度形成。

第一下表面凸部32优选为不会妨碍槽部18内的抽真空的那样的形状。例如，第一下表面凸部32优选形成为底角为70°以上且85°以下、优选75°以上且80°以下的高纵横比的急剧变化的圆锥梯形状。这样的第一下表面凸部32能够通过激光加工来形成。不过，第一下表面凸部32并不限定于圆锥梯形状，也可以为圆柱、棱锥等形状。在槽部18形成第一下表面凸部32的情况下，槽部18的宽度W设为用没有形成第一下表面凸部32的位置来求出。

将槽部18的宽度设为W，优选在W/2为1.0mm以上时配置第一下表面凸部32。即，优选在能够使槽部18的侧面与第一下表面凸部32的中心之间的槽部18的宽度W方向上的距离为1.0mm以上的情况下形成第一下表面凸部32。这样，通过根据槽部18的宽度来决定是否配置第一下表面凸部32，能够抑制基体10变形成凹状，并且能够充分地降低由形成第一下表面凸部32所产生的压力损失的影响。另外，第一下表面凸部32的形成变容易。

图6的(a)、(b)分别是示出本发明的实施方式的基板保持部件的下表面的槽部的变形例的局部的示意图。如图6的(a)或(b)所示，在槽部18的宽度W足够宽的情况下，也可以在槽部18的内部形成两列以上的第一下表面凸部32。在形成两列以上的第一下表面凸部32的情况下，既可以为如图6的(a)那样第一下表面凸部32在槽部18的宽度W方向上排列的配置，也可以为如图6的(b)那样在槽部18的宽度W方向上第一下表面凸部32不排列的配置。另外，在图5的(a)或图的6(a)、(b)中，第一下表面凸部32沿着槽部18的中心线方向排列，不过第一下表面凸部32的配置既可以为以后述的第二下表面凸部34的配置为基础的配置，也可以为随机的配置。

图7是示出本发明的实施方式的基板保持部件的下表面的变形例的示意图。图8示出图7中的III-III线处的截面的基板保持部件的截面图。图8还示出了放置基板保持部件100的载台40。

如图7或图8所示，优选在基体10上多个第二下表面凸部34从基体10的下表面14向下方突出地形成。多个第二下表面凸部的下端34a(顶上的点或面)大致同面地形成。由此，第二下表面凸部的下端34a与载台40的上表面抵接，基板保持部件100支撑在载台40上。另外，在多个第二下表面凸部34中，也可以存在下端不与载台40抵接的第二下表面凸部。这是因为即便存在那样的凸部，通过周围的第二下表面凸部34的配置，也能够对基板保持部件100进行支撑。另外，在图8中，第二下表面凸部的下端34a整面与载台40抵接，不过也可以仅第二下表面凸部的下端34a的一部分与载台40抵接。

第二下表面凸部34的形状既可以为圆柱形、棱柱形、圆锥梯形、棱锥梯形等，也可以为与基体10的下表面14侧相比前端侧的截面积变小的那种带阶梯的形状。另外，第二下表面凸部34也可以为高纵横比的急剧变化的圆锥梯形状。第二下表面凸部34能够通过例如喷射加工、激光加工或它们的组合来形成。

第二下表面凸部34的配置除了三角形格子状、正方形格子状、同心圆状等规则的配置以外，也可以为局部产生了疏密的那种不规则的配置。第二下表面凸部34的高度优选为50μm以上且200μm以下。另外，第二下表面凸部34的高度是指从基体10的下表面14到第二下表面凸部的下端34a为止的距离。另外，第二下表面凸部的下端34a的最大直径优选为500μm以下。相邻的第二下表面凸部34的间隔优选中心之间的距离为8mm以下。

在形成第二下表面凸部34的情况下，优选在基体10上以沿着槽部18的边缘以包围槽部18的方式形成从基体10的下表面14向下方突出的第一下表面环状凸部36。在图7中，第一下表面环状凸部36沿着槽部18的大致圆弧状的开口的边缘以在从下方观察时为端部带有圆角的形状的方式呈环状地连续形成。在槽部18存在角部的情况下，优选第二下表面凸部34的对应的角部带有圆角。第一下表面环状凸部36基本上沿着槽部18的边缘形成，不过也能够根据槽部18或通气孔16的形状等来以各种各样的形状形成，也可以局部不沿着槽部18的边缘。例如，将槽部18与载台40的真空吸引装置连接的连接部20所对应的第一下表面环状凸部36也可以形成为与载台40的真空吸引装置的连接部的形状相配合的形状。另外，第一下表面环状凸部36的宽度优选为0.2mm以上且0.5mm以下。

第一下表面环状凸部的下端面36a也可以形成于比第二下表面凸部的下端34a更靠近基体10的下表面14的位置。即，第一下表面环状凸部36的高度也可以比第二下表面凸部34的高度低。此时，第一下表面环状凸部36的高度优选比第二下表面凸部34的高度低1～5μm。由此，能够降低由微粒的咬入引起的平面度下降的风险。此时，第一下表面环状凸部36也可以形成有两重以上。由此，能够降低槽部18内的压力损失。另外，第一下表面环状凸部36的高度也可以为与第二下表面凸部34的高度大致同面的关系。在第一下表面环状凸部36与多个第二下表面凸部34大致同面的情况下，槽部18内的负压空间变成密闭状态，因此吸引力提高。因此，能够平坦性优异地吸附挠曲或翘曲较大的基板。

图9是图8的局部的放大图。例如图9所示，在基体10的下表面14上形成有第二下表面凸部34及第一下表面环状凸部36的情况下，将由槽部的上端面18a、槽部18的侧面和第一下表面环状凸部的侧面、载台40的上表面保卫的空间的截面的面积设为槽部18的截面积。此时，即便在第一下表面环状凸部的下端面36a没有与载台40的上表面抵接的情况下，也将从基体10的下表面14到载台40的上表面为止的长度视为用于求出槽部18的截面积的第一下表面环状凸部的侧面的长度。这是因为以求出实质上成为流路的部分的截面积为目的。

在形成有第二下表面凸部34的情况下，优选在基体10上包围第二下表面凸部34的第二下表面环状凸部38从基体10的下表面14向下方突出地形成。在图7中，第二下表面环状凸部38从基体10的外周面稍微偏靠中心侧，在从下方观察时呈圆环状地连续形成。也可以在第二下表面环状凸部38的外侧配置一部分的第二下表面凸部34。

第二下表面环状凸部的下端面38a也可以形成于比第二下表面凸部的下端34a更靠近基体10的下表面14的位置。即，第二下表面环状凸部38的高度也可以比第二下表面凸部34的高度低。此时，第二下表面环状凸部38的高度优选比第二下表面凸部34的高度低1～5μm。由此，减少基体10与载台40的接触面积，因此能够降低由微粒的产生及咬入引起的面精度下降的风险。另外，第二下表面环状凸部38的高度也可以为与第二下表面凸部34的高度大致同面的关系。在第二下表面环状凸部38与多个第二下表面凸部34大致同面的情况下，基体10的下表面14内的负压空间变成密闭状态，因此将基体10向载台40吸引的吸引力提高，能够防止基板保持部件100的位置偏差。

第一下表面环状凸部的下端面36a与第二下表面环状凸部的下端面38a既可以形成相同的面，也可以形成不同的面。即，第一下表面环状凸部36及第二下表面环状凸部38既可以为相同的高度，也可以为不同的高度。不过，第一下表面环状凸部的下端面36a及第二下表面环状凸部的下端面38a优选分别处于大致同面。

[基板保持装置的制造方法]

通过公知的方法，由原料粉末制作圆板形状的成形体，通过对该成形体进行烧制而获得陶瓷烧结体。本发明的基板保持装置由陶瓷烧结体构成为平板状的圆板形状，不过也可以为多边形形状、椭圆形状等任何的形状。作为陶瓷烧结体，使用碳化硅、氧化铝、氮化硅、氮化铝等。

根据基板保持部件的设计，在成为陶瓷烧结体的上表面或下表面的面上形成多个凸部(上表面凸部、第一下表面凸部、第二下表面凸部)、环状凸部(上表面环状凸部、第一下表面环状凸部、第二下表面环状凸部)、通气孔，还形成包围下表面的通气孔的槽部。作为形成方法，能够通过喷射加工、铣削加工、激光加工等来形成。

形成于下表面的槽部经由载台而与真空吸引装置连接，与开口于基体的上表面的至少一个通气孔连通。槽部的与流路方向垂直的方向的截面积形成为1.2mm

多个上表面凸部或多个第二下表面凸部的配置、形状、突出高度等不作特别限定，只要为已知的方式或与之类似的方式即可。例如，配置除了三角形格子状、正方形格子状、同心圆状等规则的配置以外，也可以为局部产生了疏密的那种不规则的配置。另外，形状只要为柱形状、锥形状即可，还可以为与下部(基体的上表面侧或下表面侧)相比上部(上端或下端)的截面积变小的那种带阶梯的形状。另外，高度等能够在例如突出量为50μm～200μm、直径为500μm以下、凸部间隔为8mm以下的范围内根据吸附的基板等的条件来设计。

在形成有多个上表面凸部的上表面或形成有多个第二下表面凸部的下表面上形成有将它们包围的上表面环状凸部或第二下表面环状凸部。环状凸部(上表面环状凸部、第二下表面环状凸部)优选根据基板保持部件的设计而形成为比多个下表面凸部的高度低1μm以上且5μm以下或者形成为与多个凸部同面。另外，环状凸部的宽度优选形成为0.2mm以上且0.5mm以下。

优选从槽部的上端面形成多个第一下表面凸部。由此，抑制由基体的变形引起的基板的平坦性的恶化。多个第一下表面凸部根据是否形成有多个第二下表面凸部而形成在与基体的下表面或多个第二下表面凸部处于大致同面的高度。

在下表面上形成有多个第二下表面凸部的情况下，优选在槽部的周围形成包围槽部的第一下表面环状凸部。第一下表面环状凸部优选根据基板保持部件的设计而形成为比多个第二下表面凸部的高度低1μm以上且5μm以下，或者形成为与多个第二下表面凸部同一水平面。另外，第一下表面环状凸部的宽度优选形成为0.2mm以上且0.5mm以下。

能够这样制造本发明的基板保持部件。

[实施例及比较例]

(实施例1)

作为实施例1的基板保持部件，在由碳化硅的烧结体构成的直径φ310mm、厚度t1.2mm的大致圆板形状的基体的上表面(基板保持面)上形成多个上表面凸部及包围多个上表面凸部的大致圆环状的肋(上表面环状凸部)。形成为多个上表面凸部的高度为150μm、直径为φ300μm且各上表面凸部之间的间隔为4.0mm的三角形格子状。包围多个上表面凸部的大致圆环状的上表面环状凸部以比多个上表面凸部的高度低3μm的高度形成。

在基体的下表面形成了两条沿着周向延伸的圆弧状的长度300mm的槽部。两条槽部分别为宽度2.0mm、深度0.6mm。即，使槽部的与流路方向垂直的方向的截面积为1.2mm

(实施例2)

除了在槽部内形成有第一下表面凸部以外，以与实施例1相同的条件制作实施例2的基板保持部件。此时，第一下表面凸部配置成第一下表面凸部的中心出现在槽宽的中心线上，槽长度方向上的凸部之间的间隔为4mm。另外，第一下表面凸部的直径与形成于上表面的多个凸部相同，高度与槽深相同。

(实施例3)

除了形成有包围槽部的周围的第一下表面环状凸部、呈环状地包围第一下表面环状凸部的第二下表面环状凸部及在第一下表面环状凸部与第二下表面环状凸部之间形成有第二下表面凸部以外，以与实施例2相同的条件制作实施例3的基板保持部件。此时，第二下表面凸部以与载台的上表面抵接的方式与第一下表面凸部的下端处于同面，第一下表面环状凸部及第二下表面环状凸部形成在比第一下表面凸部及第二下表面凸部低3μm的高度。

(实施例4)

除了设定槽部的宽度3.2mm、深度0.6mm(截面积1.92mm

(实施例5)

除了设定槽部的宽度4.1mm、深度0.6mm(截面积2.46mm

(比较例1)

除了设定槽部的宽度1.6mm、深度0.6mm(截面积0.96mm

(评价方法)

作为吸附的基板，准备φ300mm、厚度0.7mm的基板(硅片)。另外，准备吸附的基板具有0.4mm及0.8mm的平面度(翘曲)的基板。向制作的各个基板保持部件吸附各个基板，确认是否能够吸附。另外，使用非接触式的激光干涉仪来对吸附的基板的平面度进行确认。关于平面度，测定保持的基板的任意的一边20mm的正方形的区域的PV值，并将该PV值设为局部平整度(LF)。将LF为0.1μm以下的情况判断为具有特别良好的平面度(◎)，将LF超过0.1μm且为0.3μm以下的情况判断为具有良好的平面度(〇)，将LF超过了0.3μm的情况判断为平面度较差(×)。图10是示出实施例及比较例的槽部的条件及评价结果的表。

(评价结果)

在实施例1～实施例5中的任一基板保持部件中，都确认了能够吸附具有0.4mm的平面度(翘曲)的基板。并且，关于平面度，实施例1的基板保持部件在槽部的正上方部分中确认了平面度比其他部分差的部分，不过在基板的全部位置处平面度都为0.3μm以下。

与此相对，比较例1的基板保持部件无法吸附任何基板。这推定为是因为槽部的截面积小，无法施加能够吸附具有0.4mm的平面度(翘曲)的基板的程度的吸附力。

实施例2至实施例4的基板保持部件在基板的全部位置处平面度都为0.1μm以下，与实施例1相比整体的平面度更优异。这推定为是因为实施例1由于形成了宽度较宽的槽部而在槽部的正上方基体的少许的挠曲给基板的平坦性带来了影响，与此相对在实施例2至实施例4中，通过第一下表面凸部而充分地抑制了槽部的正上方处的基体的挠曲，基体的平坦性变好。

实施例5的基板保持部件确认了能够吸附基板，不过由于槽部的宽度较大，所以槽部正上方的薄壁部的体积较大，在一部分中确认到由挠曲引起的平面度较差的部分。由此，确认出槽部的宽度为4.0mm以下即可。

另外，在实施例4的基板保持部件中，确认了即便是具有0.8mm的平面度(翘曲)的基板，也能够平面度优异地吸附。由此，确认了通过槽部的截面积扩大，而具有挠曲或翘曲的基板的吸附效果。

根据以上的结果可知，本发明的基板保持部件即便是具有挠曲或翘曲的基板也能够平坦性优异地吸附。

本发明并不限定于上述实施方式，而扩大至本发明的思想和范围所包含的各种各样的变形及均等物，这是不言而喻的。另外，各附图中示出的构成要素的构造、形状、数目、位置、大小等是为了便于说明的内容，能够适当变更。

附图标记说明

10基体

12上表面

14下表面

16通气孔

18槽部

18a 槽部的上端面

22上表面凸部

22a 上表面凸部的上端

24上表面环状凸部

24a 上表面环状凸部的上端面

32第一下表面凸部

32a 第一下表面凸部的下端

34第二下表面凸部

34a 第二下表面凸部的下端

36第一下表面环状凸部

36a 第一下表面环状凸部的下端面

38第二下表面环状凸部

38a 第二下表面环状凸部的下端面

40载台

100 基板保持部件。