基站天线

技术领域

本公开涉及通信技术领域，尤其涉及一种基站天线。

背景技术

传统基站天线中辐射单元与移相器通过同轴线缆相连，为了降低重量及成本，辐射单元与移相器均采用铝。但是铝在实现金属焊接连接时其性能不优，所以在其外表面需进行电镀工艺处理，再与同轴线缆用锡线焊接。但是，电镀焊锡工艺步骤复杂，导致成本较高且不利于环保。此外，辐射单元与移相器通过同轴线缆进行连接的结构，在阵列天线中容易出现线缆多、装配复杂，馈电网络布局困难的问题。

发明内容

为了解决上述技术问题，本公开提供了一种基站天线。

本公开提供了一种基站天线，包括：

辐射单元，所述辐射单元的底部设置有馈电端口，所述馈电端口包括外导体和内导体；

反射板，所述辐射单元设置在所述反射板的一侧，至少部分所述馈电端口穿过所述反射板；

移相器，所述移相器位于所述反射板背离所述辐射单元的一侧，所述移相器包括腔体和移相电路，所述内导体与所述移相电路电连接；

中转部件，所述中转部件的一端与所述外导体可拆卸电连接，另一端与所述腔体可拆卸电连接，用以将所述外导体与所述腔体连接接地。

可选地，所述中转部件还包括转接板，所述转接板适应性折弯连接于所述外导体与所述腔体之间。

可选地，所述转接板包括第一连接部和第二连接部，所述第一连接部和所述外导体之间通过所述第一连接件可拆卸电连接，所述第二连接部与所述腔体之间通过所述第二连接件可拆卸电连接。

可选地，所述第二连接部为U型板件，所述U型板件卡设于所述腔体上并与所述腔体通过所述第二连接件连接。

可选地，所述第二连接件为螺栓。

可选地，所述第一连接部为L型折弯板件，所述折弯板件包括与所述馈电端口的底部对应的第一板件和沿所述第一板件向下延伸的第二板件，所述第二板件与所述U型板件相连，所述第一板件用于连接所述外导体并与所述U型板件错位设置。

可选地，所述第一连接件包括螺纹安装座和螺纹紧固件。

可选地，所述螺纹安装座设于与所述外导体一侧并与所述外导体一体成型，所述螺纹紧固件穿过所述第一连接部与所述螺纹安装座连接。

可选地，所述辐射单元、所述腔体、所述转接板分别为一体成型的铝制件。

可选地，所述辐射单元包括第一辐射单元和第二辐射单元，所述第一辐射单元和所述第二辐射单元嵌套设置。

可选地，所述第一辐射单元的底部和所述第二辐射单元的底部均设置有所述馈电端口；所述移相器包括分别对应为所述第一辐射单元和所述第二辐射单元馈电的两个所述移相电路；

两个所述馈电端口的所述内导体分别穿过所述反射板和所述腔体后与相应的所述移相电路连接；

所述第一连接部的数量为两个，两个所述第一连接部分别与两个所述馈电端口一一对应连接。

可选地，所述移相器内还包括多个副瓣调节介质板，每个所述移相电路旁侧层叠设置有至少一个所述副瓣调节介质板，且所述副瓣调节介质板与所述移相电路至少部分重叠。

可选地，每个所述移相电路两侧均设置有所述副瓣调节介质板。

可选地，所述移相器还包括连接销，每个所述副瓣调节介质板上均设置有开孔，多个所述开孔同轴设置并与所述连接销穿插接配合。

可选地，每个所述移相电路沿所述移相电路的延伸方向设置有多个过孔，所述连接销与所述开孔和所述过孔插接配合，用以连接所述移相电路和所述副瓣调节介质板。

可选地，所述移相器的腔体壁上开设有通槽，所述连接销的端部通过所述通槽延伸至所述移相器外。

可选地，所述移相器内设置有相位调节介质板，用于调节所述基站天线下倾角。

本公开提供的基站天线中，反射板的一侧设置有辐射单元，另一侧设置有移相器，辐射单元的底部设置有馈电端口，至少部分馈电端口穿过反射板与移相器连接。馈电端口包括外导体和内导体，移相器包括腔体和移相电路，内导体与移相电路连接。外导体通过中转部件与移相器腔体连接。中转部件的一端与外导体可拆卸电连接，另一端与腔体可拆卸电连接。通过设置中转部件，使外导体与移相器的腔体可通过中转部件实现电连接，实现了外导体与腔体连接接地，避免了对辐射单元和移相器进行电镀工艺处理以及焊接连接，内导体直接与移相电路连接，整体可以实现免线缆高效率的馈电，有利于实现环保、简化馈电网络布局并降低装配难度，并且可以灵活适用于辐射单元和移相器之间的安装。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。

为了更清楚地说明本公开实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本公开提供的辐射单元为单频辐射单元的基站天线的示意图；

图2为本公开提供的单频辐射单元与移相器的连接示意图；

图3为本公开提供的中转部件的一种结构示意图；

图4为本公开提供的辐射单元为多频辐射单元的基站天线的示意图；

图5为本公开提供的中转部件的另一种结构示意图；

图6为本公开提供的基站天线的结构示意图；

图7为图6中A处的局部放大图；

图8为本公开提供的移相电路与副瓣调节介质板连接的示意图；

图9为本公开实施例所述连接销与副瓣调节介质板分离的示意图。

其中，1、辐射单元；11、馈电端口；111、外导体；112、内导体；12、第一辐射单元；13、第二辐射单元；2、反射板；3、移相器；31、腔体：32、移相电路；33、副瓣调节介质板；34、开孔；35、连接销；36、通槽；37、相位调节介质板；4、中转部件；41、第一板件；42、第二连接部；421、连接部本体；422、侧板；43、第二板件；5、第一连接件；51、螺纹安装座；52、螺纹紧固件。

具体实施方式

为了能够更清楚地理解本公开的上述目的、特征和优点，下面将对本公开的方案进行进一步描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本公开，但本公开还可以采用其他不同于在此描述的方式来实施；显然，说明书中的实施例只是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。

如图1至图5所示，本公开实施例提供了一种基站天线，包括：

辐射单元1，辐射单元1的底部设置有馈电端口11，馈电端口11包括外导体111和内导体112；

反射板2，辐射单元1设置在反射板2的一侧，至少部分馈电端口11穿过反射板2；

移相器3，移相器3位于反射板2背离辐射单元1的一侧，所述移相器3包括腔体31和移相电路32，所述内导体112与所述移相电路32电连接；

中转部件4，中转部件4的一端与外导体111可拆卸电连接，另一端与腔体31可拆卸电连接，用以将外导体111与腔体31连接接地。

本公开实施例提供的基站天线中，反射板2的一侧设置有辐射单元1，另一侧设置有移相器3，辐射单元1的底部设置有馈电端口11，至少部分馈电端口11穿过反射板2与移相器3连接。馈电端口11包括外导体111和内导体112，移相器3包括腔体31和移相电路32，内导体112与移相电路32连接。外导体111通过中转部件4与移相器3腔体31连接。中转部件4的一端与外导体111可拆卸电连接，另一端与腔体31可拆卸电连接。通过设置中转部件4，使外导体111与移相器3的腔体31可通过中转部件4实现电连接，实现了外导体111与腔体31连接接地，避免了对辐射单元1和移相器3进行电镀工艺处理以及焊接连接，且内导体112直接与移相电路32连接，整体可以实现免线缆高效率的馈电，有利于实现环保、简化馈电网络布局并降低装配难度，并且可以灵活适用于辐射单元和移相器之间的安装。

现有技术中，为了避免电镀和焊锡，在金属反射板2上开长槽将移相器3穿过金属反射板2与辐射单元1直接连接，此长槽导致金属反射板2强度降低易产生变形，且长槽的设置导致辐射单元1辐射性能较差。

本实施例中，在反射板2上只需开设用于供馈电端口11通过的通孔，有效减小了反射板2上开槽的尺寸，提高了反射板2的结构强度，并保证了辐射单元1的辐射性能，从而提高了本基站天线的性能。

在一些实施例中，上述中转部件4还包括转接板，转接板适应性折弯连接于第一连接部与第二连接部42之间。如此，可以灵活适应辐射单元与移相器之间的安装空间，使用更加方便。

转接板包括第一连接部和第二连接部42，第一连接部和外导体111之间设置有第一连接件5，第一连接部与外导体111之间通过第一连接件5可拆卸电连接，第二连接部42与腔体31通过第二连接件可拆卸电连接。该第二连接件优选采用螺栓。

即，中转部件4包括与外导体111连接的第一连接部，第一连接部与外导体111之间通过第一连接件5实现了第一连接部与外导体111之间的可拆卸电连接，从而有效避免了对具有外导体111的辐射单元1的电镀工艺处理，以简化工艺，降低成本，符合环保要求。中转部件4还包括第二连接部42，第二连接部42通过与移相器的腔体31螺栓连接，实现了第二连接部42与腔体31的电连接，避免了对移相器腔体31进行电镀工艺处理，实现了简化工艺，降低成本，符合环保要求的效果。通过设置中转部件4实现了外导体111与移相器腔体31的电连接。

上述辐射单元1可以为单频辐射单元1，也可以为多频辐射单元1。也就是说，辐射单元1可以为低频辐射单元或高频辐射单元，或者，辐射单元1包括低频辐射单元和高频辐射单元。

如图4至图5所示，在辐射单元1包括低频辐射单元和高频辐射单元时，可以理解为辐射单元1包括第一辐射单元12和第二辐射单元13，其中第一辐射单元12为低频辐射单元，第二辐射单元为高频辐射单元，第一辐射单元12和第二辐射单元13嵌套设置。第一辐射单元12的底部和第二辐射单元13的底部均设置有馈电端口11；移相器3包括分别对应为第一辐射单元12和第二辐射单元13馈电的两个移相电路；两个馈电端口11的内导体112分别穿过反射板2和腔体31后与相应的移相电路32连接；第一连接部的数量为两个，两个第一连接部分别与两个馈电端口11一一对应连接。

也就是说，在辐射单元1包括低频辐射单元和高频辐射单元时，两种辐射单元1底部均设置有馈电端口11，移相器3内设置有两个移相电路，即为高频移相电路和低频移相电路，低频辐射单元的内导体与低频移相电路连接，高频辐射单元的内导体与高频移相电路连接，以实现不同辐射单元与对应的移相电路的连接。

中转部件4中包括两个第一连接部，以与馈电端口11一一对应，以将每个馈电端口11与中转部件4连接。即通过两个第一连接部与外导体111连接，形成了与低频辐射单元对应的电流通道和与高频辐射单元对应的电流通道，从而保证了基站天线电流稳定传输。

如图1至图3所示，在辐射单元1为低频辐射单元或高频辐射单元的单频辐射单元1时，第一连接部的数量为一个，用以将该辐射单元1与中转部件4连接。

通过设置上述中转部件4，可通过设置一个或两个第一连接部，实现单频辐射单元1、多频辐射单元1与移相器3的连接，提高了本装置的通用性和实用性。

在一些实施例中，第一连接件5包括螺纹安装座51和螺纹紧固件52。通过设置螺纹安装座51和螺纹紧固件52，实现了第一连接部和外导体111的螺纹连接，螺纹紧固件52在与螺纹安装座51连接的同时可实现电连接。

具体的，螺纹安装座51与外导体111紧邻设置并与外导体111一体成型。

也就是说，螺纹安装座51设置在外导体111旁侧并与外导体111一体成型，通过螺纹紧固件52将第一连接部与螺纹安装座51连接，实现了中转部件4与辐射单元1的结构连接，同时实现了外导体111与中转部件4电连接，从而实现接地，有效避免了对辐射单元1和移相器3进行电镀和焊接的同时，简化了馈电端口11与移相器3之间的装配步骤，降低了装配难度，提高了装配效率。

在一些实施例中，第二连接部42为U型板件，U型板件卡设于腔体31上并与腔体31通过上述第二连接件连接。具体而言，U型板件包括连接部本体421和两个相对设置在连接部本体421两侧的侧板422，两个侧板422相对设置在移相器3两侧并与移相器3通过螺栓连接。

上述第二连接部42中通过设置两个侧板422，每个侧板422均与移相器3通过螺栓连接，提高了移相器3与中转部件4连接的稳定性。

在一些实施例中，上述第一连接部为L型折弯板件，折弯板件包括与馈电端口的底部对应的第一板件41和沿第一板件41向下延伸的第二板件43，第二板件43与上述U型板件相连，第一板件41用于连接外导体111并与U型板件错位设置。具体在本实施例中，第一板件41所在平面与连接部本体421所在平面平行，使得第一连接部与连接部本体421之间具有设定距离。采用错位设置，更加方便灵活安装。

由于第一连接部与螺纹安装座51之间连接时，螺纹紧固件52由第一连接部的一侧贯穿第一连接部与螺纹安装座51螺纹连接。为了在第一连接部一侧形成用于容纳螺栓帽的空间，第一连接部所在平面与连接部本体421所在平面平行，使得第一连接部与连接部本体421之间具有设定距离，从而形成用于容纳螺栓帽的空间，便于螺纹紧固件52在与螺纹安装座51装配。

上述辐射单元1、上述腔体31、上述转接板分别为一体成型的铝制件。具体而言，辐射单元1包括辐射臂、巴伦、底座，馈电端口的外导体可以与底座一体成型，辐射臂、巴伦、底座可以采用压铸工艺一体成型。此外，移相器3的腔体31和中转用的转接板都采用铝制件，有利于对其表面进行光滑处理，并且不需要进行电镀，并且有利于实现天线的轻量化、低成本设计。辐射单元1中馈电端口11的内导体112可以与辐射臂耦合连接，从而进一步避免了电镀。移相电路32可以采用离子束喷铜这种环保工艺，或者直接采用铜。

如图1所示，在一些实施例中，移相器3内设置有相位调节介质板37，用于调节基站天线下倾角。

上述移相器3包括腔体，腔体内设置有移相电路32以及相位调节介质板37，相位调节介质板37包围移相电路32都封装在腔体中，通过移动相位调节介质板37实现多路相位改变以实现天线阵下倾角电调。

上述馈电端口11的内导体112包括馈电芯，馈电芯与移相电路32电连接。

如图6至图9所示，在一些实施例中，移相器3内还包括多个副瓣调节介质板33，每个移相电路32旁侧层叠设置有至少一个副瓣调节介质板33，且副瓣调节介质板33与移相电路32至少部分重叠。

上述副瓣调节介质板33通过覆盖移相电路32的面积大小实现其等效相位的变化，副瓣调节介质板33采用高介电常数材料。

具体的，通过调节副瓣调节介质板33与移相电路32之间的重叠面积，调节每个辐射单元1馈入信号的相位小范围改变从而优化其垂直面副瓣，改变的最大相位约为±30度。例如，本实施例中可以采用四口移相器3，与四个辐射单元1相连，具有4个副瓣调节介质板33，可以通过分别调节4个副瓣调节介质板33的位置，对每个辐射单元1进行单独调节。

具体的，移相器3内设置连接销35，每个副瓣调节介质板33上均设置有开孔34，多个开孔34同轴设置并与连接销35插接配合，以实现对副瓣调节介质板33的限位。

为了便于对副瓣调节介质板33的位置进行调整，可以在腔体上设置通槽36，连接销35的端部通过通槽36延伸至移相器3外。在调节副瓣调节介质板33位置时，可通过拨动连接销35滑动实现对副瓣调节介质板33位置的调节。

以采用四口移相器3与四个辐射单元1相连为例，移相器3具有4个副瓣调节介质板33，故在移相器3的腔体上开设4个通槽36，以对4个辐射单元1分别进行控制。本发明可应用两个及以上多端口移相器3上。

在一些实施例中，副瓣调节介质板33还可以与移相电路32进行连接定位。即，每个移相电路32上沿移相电路32的延伸方向均设置有多个过孔，连接销35与开孔34和过孔插接配合，用以连接移相电路32和副瓣调节介质板33。

在该实施例中，调节副瓣调节介质板33位置时，需将连接销35拔出，移动副瓣调节介质板33的位置然后重新将连接销35与副瓣调节介质板33以及移相电路32插接连接。

为了增大调节范围，每个移相电路32两侧均设置有副瓣调节介质5板33。

也就是说，每个移相电路32均被夹持在两个副瓣调节介质板33之间，以增大移相电路32与副瓣调节介质板33之间的接触面积的调节范围，从而增大对相位的调节范围。

需要说明的是，在本文中，诸如“第一”和“第二”等之类的关0系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，

而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或

者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或5者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有

更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

以上所述仅是本公开的具体实施方式，使本领域技术人员能够理0解或实现本公开。对这些实施例的多种修改对本领域的技术人员来说

将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本公开的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本公开将不会被限制于本文所述的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。