显示面板及显示面板的制备方法

技术领域

本发明涉及显示面板的制造技术领域，尤其涉及一种显示面板及显示面板的制备方法。

背景技术

随着显示面板制备技术的发展，人们对显示面板的显示效果以及综合性能均提出了更高的要求。

在制备显示面板过程中，通常需要制备一阵列基板，并在阵列基板内形成多个薄膜晶体管。当显示面板正常工作时，不同的薄膜晶体管向显示面板提供对应的驱动控制信号，进而保证显示面板的正常工作。因此，阵列基板内薄膜晶体管性能的好坏，对显示性能有较大影响。现有技术中，在形成薄膜晶体管时，通常需要使用多道次不同的光罩与蚀刻工艺，而上述蚀刻工艺会对薄膜晶体管的氧化物半导体层造成蚀刻损伤，进而降低了薄膜晶体管内的驱动电流，降低了薄膜晶体管的性能，最终导致显示面板性能下降，不利于面板综合性能的进一步提高。

综上所述，在形成显示面板内的薄膜晶体时，在对各膜层进行蚀刻处理过程中，容易对氧化物半导体层造成蚀刻损伤，进而降低薄膜晶体管内的驱动电流，不利于显示面板综合性能的进一步提高。

发明内容

本发明实施例提供一种显示面板及显示面板的制备方法，以有效的改善制备显示面板的过程容易对氧化物半导体层造成损伤，并提高了薄膜晶体管的驱动电流的问题。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种显示面板，包括：

衬底；

源/漏金属层，设置于所述衬底上，所述源/漏金属层包括至少一源极以及至少一漏极，所述源极设置在相邻两所述漏极之间，或所述漏极设置在相邻两所述源极之间；

有源层，所述有源层设置在相邻的所述源极与所述漏极之间，并与所述源极以及所述漏极电性连接；以及，

栅极，所述栅极绝缘设置于所述源/漏金属层上。

根据本发明一实施例，所述源极包括第一源极与第二源极；

其中，所述第一源极、所述第二源极以及所述漏极同层设置，所述有源层设置在所述第一源极与所述漏极之间，且所述有源层设置在所述第二源极与所述漏极之间，并与所述第一源极、所述第二漏极以及所述漏极电性连接。

根据本发明一实施例，所述第一源极与所述漏极之间的间隔长度，与所述第二源极与所述漏极之间的间隔长度相同。

根据本发明一实施例，所述第一源极、所述第二源极以及所述漏极的厚度相同。

根据本发明一实施例，所述漏极的宽度小于所述第一源极以及所述第二源极的宽度，且所述第一源极与所述第二源极的宽度相同。

根据本发明一实施例，所述显示面板还包括钝化层以及像素电极；

其中，所述钝化层设置在所述栅极上，并覆盖部分所述源/漏金属层以及所述栅极，且所述像素电极通过对应的过孔与所述源极或所述漏极电性连接。

根据本发明一实施例，所述漏极包括第一漏极以及第二漏极；

其中，所述源极设置在所述第一漏极与所述第二漏极之间，且所述有源层对应设置在所述第一漏极与所述源极之间，且所述有源层对应设置在所述第二漏极与所述源极之间。

根据本发明一实施例，所述有源层位于所述栅极在所述衬底上的正投影内。

根据本发明一实施例，所述第一漏极与所述第二漏极的长度相同，且均大于所述源极的长度。

根据本发明实施例的第二方面，还提供一种显示面板的制备方法，包括如下步骤：

提供一衬底，在所述衬底上沉积源/漏金属层，并对所述源/漏金属层图案化处理；

在所述衬底上沉积有源层，并将所述有源层沉积在所述源/漏金属层之间对应位置处；

在所述源极金属层上沉积栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上沉积栅极，并对所述栅极绝缘层以及所述栅极图案化处理；

沉积一钝化层，并在所述钝化层上蚀刻形成过孔；

在所述钝化层上沉积一像素电极，其中，所述像素电极通过过孔与所述源/漏金属层电性连接。

本发明实施例的有益效果：相比现有技术，本申请实施例提供一种显示面板及显示面板的制备方法。显示面板包括衬底、源/漏金属层、栅极以及有源层，其中，该源/漏金属层包括至少一源极以及至少一漏极，源极设置在相邻两漏极之间，或漏极设置在相邻两源极之间，且该有源层对应设置在源极与漏极之间，并与源极与漏极电性连接。本申请实施例中，通过直接在衬底上制备图案化的源/漏金属层，同时将有源层设置在相邻的源极与漏极之间，并通过像素电极将两侧的源极或漏极串联，形成双薄膜晶体管结构，进而有效的提高了薄膜晶体管内的驱动电流，同时，由于该有源层与源/漏金属层同层设置，且有源层对应设置在源/漏金属层的图案化结构之间对应位置处，进而减少了在制备过程中对有源层的蚀刻，并有效的提高了显示面板的综合性能。

附图说明

图1为本申请实施例提供的一种显示面板的膜层结构示意图；

图2为本申请实施例中提供的该显示面板中薄膜晶体管对应的布线示意图；

图3为本申请实施例中提供的一种显示面板的制备方法；

图4-图8为本申请实施例中提供的该显示面板制备过程对应的膜层结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，下文的公开提供了不同的实施方式或例子来实现本发明的不同结构。为了简化本发明，下文对特定例子的部件和设置进行描述。此外，本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子，是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用。本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

随着显示面板制备技术的不断发展，人们对显示面板及显示装置的性能以及显示效果均提出了更高的要求。

显示面板的性能与内部的薄膜晶体管的性能相互关联，现有技术中，在制备形成薄膜晶体管结构时，一般通过多道次的光照蚀刻处理，而在蚀刻过程中，会对不同的膜层造成不同的影响，如会对氧化半导体层造成蚀刻损伤，进而降低了薄膜晶体管的驱动电流，并不利于面板综合性能的进一步提高。

本申请实施例提供一种显示面板及显示面板的制备方法，以对现有的制备工艺进行改进，同时对薄膜晶体管的结构进行改进，以有效的改善在制备形成显示面板过程中，对薄膜晶体管的损伤，并有效的提高显示面板的综合性能。

如图1所示，图1为本申请实施例提供的一种显示面板的膜层结构示意图。本申请实施例中，该显示面板中包括阵列基板，其中，该阵列基板为薄膜晶体管阵列基板。具体的，该显示面板可包括衬底102以及设置在该衬底102上的薄膜晶体管结构。

具体的，包括有源层22以及源/漏金属层21，其中，该有源层22以及源/漏金属层21均设置在衬底102上，且该有源层22与源/漏金属层21可同层设置。

进一步的，该源/漏金属层21在衬底102上图案化设置，其中，该源/漏金属层21可包括至少一源极以及至少一漏极。从而该源/漏金属层21在衬底102上形成多个分段结构。可选的，该源极设置在相邻的两漏极之间，或者，漏极设置在相邻的两源极之间。同时，相邻的源极与漏极之间设置一间隔，最终形成本申请实施例中提供的图案化的源/漏金属层21的结构。

本申请实施例中，该有源层22对应设置在相邻的源极与漏极之间对应的间隔区域内，这样，该有源层22与源/漏金属层21同层设置。且有源层22与源极以及漏极电性连接。

进一步的，以下实施例中，在设置本申请实施例中的源/漏金属层31时，漏极设置在两源极之间为例进行说明。可选的，该源极还可设置在两漏极之间，这里不再赘述，当源极与漏极位置对换后，其制备工艺与本申请实施例中提供的工艺相同。

具体的，该源极包括第一源极201、第二源极202。其中，该漏极203设置在该第一源极201与第二源极202之间，且漏极203与第一源极201之间设置一间隔，该漏极203与第二源极202之间也设置一间隔。

本申请实施例中，该漏极203与第一源极201之间设置的间隔的长度，与漏极203与第二源极202之间的间隔的长度相同。这样，漏极203到两侧的不同源极之间具有相同的距离，从而保证薄膜晶体管性能的稳定及一致性。

同时，该有源层包括第一有源层211以及第二有源层212。本申请实施例中，有源层22对应设置在源极与漏极之间的间隔位置处。具体的，该第一有源层211设置在第一源极201与漏极203之间的间隔区域内，该第二有源层212设置在第二源极202与漏极203之间的间隔区域内。同时，该第一有源层211的一端与第一源极201电性连接，第一有源层211的另一端与漏极203电性连接。

进一步的，该第二有源层的一端与漏极203电性连接，第二有源层212的另一端与第二源极202电性连接，并最终形成本申请实施例中，源/漏金属层与有源层相互间隔设置的结构。其中，在形成上述结构时，在对不同的膜层进行蚀刻处理时，不会对有源层造成损伤，从而有效的保证了该薄膜晶体管的性能。

本申请实施例中，在设置上述有源层以及对应的源/漏金属层时，该第一源极201以及第二源极201与第一有源层211以及第二有源层212均同层设置，且第一源极201以及第二源极201与第一有源层211以及第二有源层212的厚度相同。可选的，该第一源极201以及第二源极201与第一有源层211以及第二有源层212的厚度可设置为400埃-800埃。本申请实施例中，上述厚度可设置为400埃、500埃或者700埃、800埃或者其他参数值，这里不再赘述。本申请实施例中，通过将有源层与源/漏金属层同层设置，且有源层对应设置在源/漏金属层的图案化结构之间对应位置处，进而有效的降低了制备过程中对有源层的损伤，并有效的提高了显示面板的综合性能

进一步的，本申请实施例中，为了保证薄膜晶体管具有较高的驱动电流以及其他性能，在设置上述功能膜层时，该第一源极201的长度可与第二源极202的长度相同。具体的，该第一源极201与第二源极202的长度可设置为8um-12um。可选的，该第一源极201的长度与第二源极202的长度设置为9um、11um或者12um，具体的可根据不同产品进行设定，这里不进行限定。

同时，本申请实施例中，在设置漏极203时，该漏极203到第一源极201之间的间隙距离，与漏极203到第二源极202之间的间隙距离设置为相同，具体的，该间隙距离可设置为5um-7um之间。同时，该漏极203的宽度可设置为4um-7um。可选的，该漏极203分别到两侧的第一源极201与第二源极202之间的间隙距离设置为5um、6um或者7um，具体的可根据不同的产品尺寸大小进行设定，这里不再赘述。

进一步的，本申请实施例中，该第一有源层211与第二有源层212对应设置在上述间隙内，由于两侧对应的间隙距离相同，因此，该第一有源层211与第二有源层212的长度也相同。

进一步的，设置在两侧的第一源极201与第二源极202的长度均大于中间的漏极203的长度，可选的，该第一源极201与第二源极202可相对该漏极203对称设置。

本申请实施例中，该显示面板还包括一栅极绝缘层105、栅极106以及钝化层103。

具体的，该栅极绝缘层105设置在源/漏金属层21以及有源层22上，栅极106设置在栅极绝缘层105上，同时，该栅极106以及栅极绝缘层105完全覆盖漏极203以及有源层22，同时，该栅极绝缘层105至少部分覆盖第一源极201与第二源极202。从而保证在蚀刻处理过程中，可通过对应的光罩一次成型得到，并对不同的膜层进行保护。

本申请实施例中，该钝化层103设置在该衬底102上，且该钝化层103完全覆盖栅极106，并覆盖部分第一源极201以及第二源极202。从而通过该钝化层103对不同的膜层进行保护。

进一步的，在与第一源极201与第二源极202上方对应位置处，该钝化层103上还设置有过孔结构，如该过孔结构可分别对应设置在第一源极201与第二源极202靠近其各自边缘的一侧位置处。

进一步的，该显示面板还包括一像素电极104。本申请实施例中，该像素电极104设置在该钝化层103上，且该像素电极104通过对应的过孔结构，与底部的第一源极201以及第二源极202电性连接。当显示面板正常工作时，可通过该薄膜晶体管向像素电极104传输控制信号，并保证该薄膜晶体管器件的正常工作。本申请实施例中，该像素电极104的材料可设置为氧化铟锡材料。或者根据不同的性能选取其他导电材料。同时，本申请实施例中，该像素电极104将第一源极201与第二源极202串联，这样，两侧的第一源极201与第二源极202可分别与中间的漏极形成两个薄膜晶体管，而该两个薄膜晶体管结构可进一步增大器件内的驱动电流，进而提高显示面板的充电率以及综合性能。

如图2所示，图2为本申请实施例中提供的该显示面板中薄膜晶体管对应的布线示意图。结合图1中的结构，本申请实施例中，该漏极203设置在该第一源极201与第二源极202之间，且该漏极203到两侧的第一源极201与第二源极202之间的间隙距离相同。同时，在该第一源极201与第二源极202之间对应膜层上，还绝缘设置有栅极106以及像素电极104。

进一步的，在设置本申请实施例中的上述源/漏金属层以及对应的有源层时，在该图1膜层结构的基础上，还可对该源极与漏极的位置进行更换，如该漏极可包括第一漏极与第二漏极。

此时，该源极可设置在第一漏极与第二漏极之间对应位置处，且有源层对应的设置在第一漏极与源极之间，同时，该有源层对应设置在第二漏极与源极之间，且有源层位于栅极在衬底上的正投影内。从而通过改变该源极与漏极的位置，以满足不同产品的使用需求，并有效的提高其性能。

如图3所示，图3为本申请实施例中提供的一种显示面板的制备方法，其包括如下步骤：

S100：提供一衬底，在所述衬底上沉积源/漏金属层，并对所述源/漏金属层图案化处理；

S101：在所述衬底上沉积有源层，并将所述有源层沉积在所述源/漏金属层之间对应位置处；

S102：在所述源极金属层上沉积栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上沉积栅极，并对所述栅极绝缘层以及所述栅极图案化处理；

S103：沉积一钝化层，并在所述钝化层上蚀刻形成过孔结构；

S104：在所述钝化层上沉积一像素电极，其中，所述像素电极通过过孔与所述源/漏金属层电性连接。

具体的，详见图4-图8所示，图4-图8为本申请实施例中提供的该显示面板制备过程对应的膜层结构示意图。详见图4，在制备形成本申请实施例中提供的显示面板时，首先提供一衬底102。并在该衬底102上沉积一第二金属层。本申请实施例中，该第二金属层为源/漏金属层21。源/漏金属层21沉积完成后，对该源/漏金属层21图案化处理。

具体的，该源/漏金属层21进行蚀刻，并形成第一源极201、第二源极202以及漏极203。其中，该第一源极201与第二源极202分别位于该漏极203的两侧，且第一源极201、第二源极202与该漏极203之间均蚀刻形成一间隙距离。

本申请实施例中，该漏极203到两侧的第一源极201与第二源极202之间的间隙距离设置为相同的距离。从而保证该薄膜晶体管在工作时，其工作的稳定性，并保证其具有较高的驱动电流。

详见图5，源/漏金属层21图案化处理完成后，再在该衬底102上沉积一有源层22。具体的，在沉积有源层22时，该有源层22与该源/漏金属层21同层设置，如填充在该第一源极201、第二源极202与漏极203之间的间隙区域内，以及第一源极201与第二源极202两侧的其他区域内。

有源层22沉积完成后，再在该有源层22以及源/漏金属层21上沉积一栅极绝缘层105，并继续再在该栅极绝缘层105上沉积一栅极106。

本申请实施例中，该栅极绝缘层106至少覆盖部分第一源极201、第二源极202，同时，该栅极绝缘层106覆盖该漏极203。本申请实施例中，该栅极绝缘层105可相对该漏极203对称设置。同时，栅极绝缘层106覆盖第二源极202一侧的覆盖面积对应的长度可设置为2um-3um。

详见图6所示，栅极以及栅极绝缘层制备完成后，进行光罩图案化蚀刻处理。其中，在进行蚀刻时，以栅极106为基准，分别对栅极绝缘层以及有源层进行一道次光罩处理。并蚀刻形成所需的结构。

详见图7所示，上述栅极106、栅极绝缘层105以及有源层蚀刻处理完成后，再在该衬底102上沉积一钝化层103。具体的，该钝化层103完全覆盖该栅极106以及第一源极、第二源极。这样，通过该钝化层103对上述膜层进行保护。本申请实施例中，该钝化层103的厚度可大于该源/漏金属层与栅极以及栅极绝缘层的膜层厚度总和。从而保证该钝化层的保护效果。

详见图8，钝化层103制备完成后，在该第一源极201以及第二源极202上方对应的膜层上进行蚀刻，并形成过孔结构。

具体的，在该第一源极201上，在钝化层103上形成第一过孔133，在第二源极202上，在钝化层103上形成第二过孔134。并使第一过孔133与第二过孔134对应的第一源极201与第二源极202的表面裸露。

上述第一过孔133与第二过孔134蚀刻完成后，再在钝化层103上沉积一像素电极104。本申请实施例中，该像素电极104填充于第一过孔133与第二过孔134。这样，该像素电极104通过过孔与有源层电性连接，进而将第一源极201与第二源极202串联，这样，该第一源极201与漏极203相当于一个薄膜晶体管，第二源极202与漏极203相当于另一个薄膜晶体管，从而将两个薄膜晶体管串联，从而有效的增大了该薄膜晶体管的驱动电流以及驱动能力，同时可通过该薄膜晶体管提供控制信号。

进一步的，上述像素电极104以及对应的膜层设置完成后，可继续在该钝化层103以及像素电极104上制备其他膜层。如触控层、封装层等膜层结构，这里不再赘述。

本申请实施例中，在制备形成上述显示面板对应的薄膜晶体管结构时，只采用了四道次的光罩处理。同时，在光罩蚀刻处理过程中，不会对薄膜晶体管内的膜层，如有源层造成损伤，从而有效的对薄膜晶体管进行保护，并减少其制备工艺的复杂性。

进一步的，本申请实施例还提供一种显示装置，该显示装置包括本申请实施例中提供的显示面板，显示面板内的薄膜晶体管的制备工艺简单，且该薄膜晶体管具有较大的驱动电流，从而有效的提高了显示面板的综合性能。

本申请实施例中，除了上述设置的第一源极、第二源极以及漏极三段结构外，还可根据不同产品的需求以及性能，将上述结构设置为多段，并将有源层对应设置在相邻源漏极之间的间隙内，从而有效的简化了其制备工艺，并提高了显示面板的综合性能。

本申请实施例中，该显示面板以及其对应的显示装置可为手机、电脑、电子纸、显示器、笔记本电脑、数码相框等任何可显示或者触控操作的产品或部件，其具体类型不做具体限制。

综上所述，以上对本发明实施例所提供的一种显示面板及显示面板的制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想；虽然本发明以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为基准。