共轴通孔结构及其制造方法

技术领域

本揭露是有关于一种共轴通孔结构，尤其是一种具有共平面的信号线与接地线的共轴通孔结构。

背景技术

现今的共轴通孔结构大多需通过压合增层制程设置介电层在不同层的接地线与信号线之间，而需耗费较多成本。此外，由于通孔中的内层线路与外层线路的高度不同，因此会产生阻抗不匹配的问题。设置在接地线与信号线之间的介电层也会产生屏蔽缺口，导致电磁屏蔽效果不佳。

有鉴于此，如何提供一种可提升阻抗匹配与电磁屏蔽效果的共轴通孔结构，仍是目前业界亟需研究的目标之一。

发明内容

本揭露之一技术态样为一种共轴通孔结构。

在本揭露一实施例中，共轴通孔结构包含基板、第一导电结构、第二导电结构以及绝缘层。基板具有第一表面。第一导电结构包含位于第一表面上的第一线路与贯穿基板的第一通孔。第二导电结构包含位于基板的第一表面上的第二线路与贯穿基板的第二通孔。第一通孔与第二通孔延伸于第一方向，第一线路与第二线路延伸于第二方向，且第二方向垂直于第一方向。绝缘层位于第一通孔与第二通孔之间，其中第一导电结构与第二导电结构电性绝缘，且第一线路与第二线路共平面。

在本揭露一实施例中，第一导电结构的第一通孔围绕第二导电结构的第二通孔与绝缘层。

在本揭露一实施例中，绝缘层、第一通孔与第二通孔共轴。

在本揭露一实施例中，绝缘层具有突出部，位于绝缘层靠近第一表面的末端。

在本揭露一实施例中，绝缘层的突出部远离第二通孔沿着第二方向突出。

在本揭露一实施例中，第一导电结构的第一通孔、绝缘层的突出部、以及第二导电结构的第二线路在第一方向上重叠。

在本揭露一实施例中，基板还包含相对于第一表面的第二表面，且共轴通孔结构还包含位于第一表面与第二表面之间的介电层，且绝缘层的突出部接触介电层。

本揭露之一技术态样为一种共轴通孔结构的制造方法。

在本揭露一实施例中，共轴通孔结构的制造方法包含形成第一贯孔于基板中；形成第一导电材料于基板的第一表面上以及第一贯孔中；形成自第一表面凹陷的凹槽，且使凹槽与第一贯孔连通；形成绝缘层于第一贯孔及凹槽中；形成第二导电材料于基板的第一表面上以及第一贯孔中；以及图案化第一导电材料与第二导电材料以形成位于第一表面上的第一线路与第二线路，使得剩余的第一导电材料与剩余的第二导电材料借由凹槽中的绝缘层电性绝缘，且第一线路与第二线路共平面。

在本揭露一实施例中，共轴通孔结构还包含相对于第一表面的第二表面，且形成凹槽还包含自第一表面沿着第一方向钻孔。

在本揭露一实施例中，共轴通孔结构还包含位于第一表面与第二表面之间的介电层，且形成凹槽还包含使得介电层自第一导电材料曝露。

在本揭露一实施例中，形成绝缘层于第一贯孔及凹槽中还包含形成绝缘层材料于第一贯孔及凹槽中，使得绝缘层材料接触介电层；以及形成第二贯孔于绝缘层材料中，以形成绝缘层，其中绝缘层具有位于凹槽中的突出部。

在本揭露一实施例中，形成第二导电材料于基板的第一表面上以及第一贯孔中还包含形成第二导电材料于第二贯孔中，且使得第一贯孔中的第一导电材料包围绝缘层与第二贯孔中的第二导电材料。

在本揭露一实施例中，形成第二导电材料于基板的第一表面上以及第一贯孔中还包含使得绝缘层、第一贯孔中的第一导电材料与第二贯孔中的第二导电材料共轴。

在本揭露一实施例中，图案化第一导电材料与第二导电材料以形成第一线路与第二线路还包含使得第一贯孔中的第一导电材料、绝缘层的突出部、以及第二线路在第一方向上重叠。

在上述实施例中，由于本揭露的共轴通孔结构具有共平面的第一线路与第二线路，且第一导电结构与第二导电结构可通过绝缘层电性绝缘，因此本揭露的共轴通孔结构可具有较佳的电磁噪声屏蔽以及阻抗匹配效果，以提升高频信号完整性。此外，本揭露的共轴通孔结构可减少介电层的数量，以缩减共轴通孔结构的厚度。因此，本揭露的共轴通孔结构还可具有降低成本的技术功效。

附图说明

图1为根据本揭露一实施例的共轴通孔结构的立体图。

图2为沿着图1中线段2-2的剖面图。

图3A至图11A为根据本揭露一实施例的共轴通孔结构的制造方法的中间步骤的俯视图。

图3B至图11B分别为沿着图3A至图11A中线段3B-3B至线段11B-11B的剖面图。

【主要元件符号说明】

100:共轴通孔结构 110:基板

112:第一表面 114:第二表面

116:内部线路 120:第一导电结构

120M:第一导电材料 122:第一线路

124:第一通孔 126:第三线路

130:第二导电结构 130M:第二导电材料

132:第二线路 134:第二通孔

136:第四线路 140:绝缘层

140M:绝缘层材料 142:第一突出部

144:第二突出部 150:介电层

160:光罩 170：绝缘保护层

D1:第一方向 D2:第二方向

OP1:第一贯孔 OP2:第二贯孔

TR1:第一凹槽 TR2:第二凹槽

A:轴心

3B-3B,4B-4B,5B-5B,6B-6B,7B-7B,8B-8B,9B-9B,10B-10B,11B-11B:线段

W1,W2:宽度 I:间距

具体实施方式

以下将以图式揭露本发明的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本发明。也就是说，在本发明部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化图式起见，一些现有习知惯用的结构与元件在图式中将以简单示意的方式绘示之。且为了清楚起见，图式中的层和区域的厚度可能被夸大，并且在图式的描述中相同的元件符号表示相同的元件。

图1为根据本揭露一实施例的共轴通孔结构100的立体图。图2为沿着图1中线段2-2的剖面图。同时参照图1及图2。共轴通孔结构100包含基板110、第一导电结构120、第二导电结构130以绝缘层140。

基板110具有相对的第一表面112与第二表面114。第一导电结构120包含第一线路122及第一通孔124，第二导电结构130包含第二线路132及第二通孔134。第一线路122与第二线路132位于第一表面112上。第一通孔124与第二通孔134贯穿基板110。第一通孔124与第二通孔134延伸于第一方向D1。第一线路122与第二线路132延伸于垂直第一方向D1的第二方向D2。第一导电结构120的第一线路122与第二导电结构130的第二线路132共平面。换句话说，第一线路122与第二线路132位于同一水平面上。

在本实施例中，第一方向D1为图中的垂直方向，亦即第一方向D1为自第一表面112朝向第二表面114的方向。第二方向D2可为任意垂直于第一方向D1的水平方向，合先叙明。在本实施例中，第一线路122与第三线路126可为接地线，第二线路132与第四线路136可为信号线，但本揭露并不以此为限。

如图2所示，第一导电结构120还包含位于第二表面114上的第三线路126，第二导电结构130还包含位于第二表面114上的第四线路136。第一通孔124的两端分别连接第一线路122与第三线路126。第二通孔134的两端分别连接第二线路132与第四线路136。第三线路126与第四线路136延伸于第二方向D2，且第三线路126与第四线路136共平面。换句话说，第三线路126与第四线路136位于同一水平面上。

绝缘层140位于第一通孔124与第二通孔134之间，且绝缘层140延伸于第一方向D1。第一通孔124围绕第二通孔134与绝缘层140，且绝缘层140围绕第二通孔134。如图2所示，绝缘层140、第一通孔124与第二通孔134相对于轴心A共轴。

绝缘层140具有第一突出部142，且第一突出部142位于绝缘层140靠近第一表面112的末端。第一突出部142沿着第二方向D2远离第二通孔134突出。如图2所示，基板110还包含位于第一表面112与第二表面114之间的介电层150。在本实施例中，基板110还包含借由介电层150分隔的多层内部线路116，但本揭露并不以此为限。绝缘层140的第一突出部142接触靠近第一表面112的介电层150。换句话说，第一突出部142穿过第一通孔124而延伸至介电层150。

应理解到，为了清楚表示第二线路132与第一突出部142的结构关系，在图1中仅绘示出第一通孔124、第二线路132、以及绝缘层140，而省略的第一线路122。

如图2所示，第一导电结构120的第一通孔124、绝缘层140的第一突出部142、以及第二导电结构130的第二线路132在第一方向D1上重叠。第二导电结构130的第二线路132自第二通孔134延伸并跨过第一突出部142。换句话说，第一通孔124与第二线路132借由第一突出部142电性绝缘，且共平面的第一线路122与第二线路132彼此分隔，借此使得第一导电结构120与第二导电结构130电性绝缘。

根据上述可知，由于共轴通孔结构100的第一线路122与第二线路132共平面，且第一导电结构120与第二导电结构130电性绝缘，可省略以往需增加额外的介电层以使位于不同层的第一线路与第二线路电性绝缘的步骤。如此一来，本案的第一通孔124与第二通孔134大致可具有相同的高度，使得共轴通孔结构100的整体结构较为对称，进而提升阻抗匹配的效果。此外，由于本案可省略位于不同层的第一线路与第二线路之间的介电层，因此避免了第二通孔134突出于绝缘层外的状况。如此一来，本案的共轴通孔结构可避免屏蔽结构的缺口导致电磁屏蔽效果不佳的问题。

如图2所示，绝缘层140还具有第二突出部144，且第二突出部144位于绝缘层140靠近第二表面114的末端。第二突出部144沿着第二方向D2远离第二通孔134突出。绝缘层140的第二突出部144接触靠近第二表面114的介电层150。换句话说，第二突出部144穿过第一通孔124而延伸至介电层150。

如图2所示，第一导电结构120的第一通孔124、绝缘层140的第二突出部144、以及第二导电结构130的第四线路136在第一方向D1上重叠。第二导电结构130的第四线路136自第二通孔134延伸并跨过第二突出部144。换句话说，第一通孔124与第四线路136借由第二突出部144电性绝缘，且第三线路126与第四线路136彼此分隔，借此使得第一导电结构120与第二导电结构130电性绝缘。如同前述，第四线路136的延伸方向可为任意垂直于第一方向D1的水平方向，图2仅为示例，本揭露并不以此为限。

应了解到，已叙述过的元件连接关系、材料与功效将不再重复赘述，合先叙明。在以下叙述中，将说明共轴通孔结构的制造方法。

图3A至图10A为根据本揭露一实施例的共轴通孔结构的制造方法的中间步骤的俯视图。图3B至图10B分别为沿着图3A至图10B中线段3B-3B至线段10B-10B的剖面图。如图3A及图3B所示，共轴通孔结构的制造方法开始于形成第一贯孔OP1于基板110中。第一贯孔OP1贯穿基板110的内部线路116与介电层150。举例来说，形成第一贯孔OP1的方式可为激光钻孔。

如图4A及图4B所示，在共轴通孔结构的制造方法中，接着将第一导电材料120M形成于第一表面112上、第二表面114上以及第一贯孔OP1的内壁上。形成第一导电材料120M的方式例如为电镀，第一导电材料120M例如为铜，但本揭露并不以为限，本领域人士当可视情况选择适当的方法与材料。

如图5A及图5B所示，在共轴通孔结构的制造方法中，接着形成第一凹槽TR1。第一凹槽TR1自第一表面112凹陷，且第一凹槽TR1与第一贯孔OP1连通。形成第一凹槽TR1的方式包含自第一表面112沿着第一方向D1钻孔，并使得靠近第一表面112的介电层150自第一导电材料120M曝露。

参照图5B，此步骤还包含形成第二凹槽TR2。第二凹槽TR2自第二表面114凹陷，且第二凹槽TR2与第一贯孔OP1连通。形成第二凹槽TR2的方式包含自第二表面114沿着第一方向D1的反方向钻孔，并使得靠近第二表面114的介电层150自第一导电材料120M曝露。举例来说，形成第一凹槽TR1及第二凹槽TR2的方式可为激光钻孔。

在图5A的俯视视角中，第一凹槽TR1与第一贯孔OP1的距离可根据第二线路132的宽度以及第一线路122与第二线路132之间所需的间距计算而得出。同样地，在仰视视角中(图未示)，第二凹槽TR2与第一贯孔OP1的距离可根据第四线路136的宽度以及第三线路126与第四线路136之间所需的间距计算而得出。

如图6A及图6B所示，在共轴通孔结构的制造方法中，接着将绝缘层材料140M填充至第一贯孔OP1、第一凹槽TR1及第二凹槽TR2中，并使得绝缘层材料140M接触自第一导电材料120M曝露的介电层150。在本实施例中，绝缘层材料140M例如可为填孔油墨，但本揭露并不以此为限。在填充绝缘层材料140M后，研磨绝缘层材料140M自第一表面112与第二表面114露出的部份，使得绝缘层140的上表面与下表面分别与第一导电材料120M齐平。

如图7A及图7B所示，在共轴通孔结构的制造方法中，接着形成第二贯孔OP2于绝缘层材料140M中。在本实施例中，第二贯孔OP2与第一贯孔OP1为同心圆。举例来说，形成第二贯孔OP2的方式为激光钻孔，借此移除一部分的绝缘层材料140M。在形成第二贯孔OP2后，剩余的绝缘层材料140M包含位于第一贯孔OP1中的部份(即绝缘层140)以及分别位于基板110两侧的第一突出部142与第二突出部144。

如图8A及图8B所示，在共轴通孔结构的制造方法中，接着将第二导电材料130M形成于第一表面112上、第二表面114上以及第二贯孔OP2中。形成第一导电材料120M的方式例如可为电镀，第一导电材料120M例如为铜，但本揭露并不以此为限，本领域人士当可视情况选择适当的方法与材料。

第二导电材料130M位于第二贯孔OP2中，且第一贯孔OP1中的第一导电材料120M(即第一通孔124)包围绝缘层140与第二贯孔OP2中的第二导电材料130M(即第二通孔134)，使得绝缘层140、第一贯孔OP1中的第一导电材料120M与第二贯孔OP2中的第二导电材料130M相对于轴心A共轴。

如图9A及图9B所示，在共轴通孔结构的制造方法中，接着形成光罩160于第一表面112与第二表面114上。光罩160包含用以形成第一线路122与第二线路132的图案以及用以形成第三线路126与第四线路136的图案。

如图10A及图10B所示，在共轴通孔结构的制造方法中，接着借由光罩160图案化第一导电材料120M与第二导电材料130M。自光罩160露出的第二导电材料130M及第一导电材料120M接续地被移除直到绝缘层140与介电层150自光罩160露出。

同时参照图10A、图10B、图11A及图11B。在共轴通孔结构的制造方法中，最后将光罩160移除，并形成绝缘保护层170。绝缘保护层170具有开口以连接导电件，例如金属凸块、凸块或焊球(图未示)。

如图11B所示，在上述的步骤之后，即可形成彼此分隔的第一线路122与第二线路132，且第一线路122与第二线路132共平面。第一通孔124与第二线路132借由第一凹槽TR1中的第一突出部142电性绝缘。第一线路122可包含任意线路图案，只要第一线路122与第二线路132电性绝缘即可。

同样地，在上述的步骤之后，即可形成彼此分隔的第三线路126与第四线路136，且第三线路126与第四线路136共平面。第一通孔124与第四线路136借由第二凹槽TR2中的第二突出部144电性绝缘。第三线路126可包含任意线路图案(图未示)，只要第三线路126与第四线路136电性绝缘即可。

参照图11A。在本实例中，第二线路132具有宽度W1，且绝缘层140与第一突出部142连接处具有宽度W2。宽度W2可借由改变第一凹槽TR1与第一贯孔OP1的距离而对应地调整，宽度W2也可取决于第一凹槽TR1的孔径。因此，根据所需的宽度W1，可在形成第一凹槽TR1的步骤中计算出第一凹槽TR1与第一贯孔OP1的适当距离。如此一来，可确保宽度W2足够宽，以借此降低第二线路132的断线风险。第二线路132与相邻的第一线路122之间具有间距I。在特定阻抗的需求限制下，可根据第二线路132的宽度W1与厚度、介电层150的参数决定间距I，借此提升阻抗匹配效果。

综上所述，由于本揭露的共轴通孔结构具有共平面的接地线与信号线(第一线路与第二线路)，且第一导电结构与第二导电结构可通过绝缘层电性绝缘，因此本揭露的共轴通孔结构可具有较佳的电磁噪声屏蔽以及阻抗匹配效果，以提升高频信号完整性。此外，本揭露的共轴通孔结构可减少介电层的数量，以缩减共轴通孔结构的厚度。因此，本揭露的共轴通孔结构还可具有降低成本的技术功效。

虽然本发明已以实施方式揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何熟习此技艺者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视申请专利范围所界定者为准。