发光装置及用于发光装置的胺化合物
文献发布时间：2023-06-19 16:11:11
相关申请的交叉引用
本申请要求向韩国知识产权局于2021年1月28日提交的第 10-2021-0012067号韩国专利申请和于2021年12月7日提交的第 10-2021-0173820号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部内容通过援引据此并入。
技术领域
本公开内容的实施方案的一个或多于一个的方面涉及发光装置以及用于发光装置的胺化合物。
背景技术
近来，发光显示器正在被积极地开发作为图像显示器。发光显示器不同于液晶显示器，并且是所谓的自发光显示器，其中分别从第一电极和第二电极注入的空穴和电子在发射层中复合，使得包含在发射层中的发光材料发射光以实现显示。
在发光装置至显示器的应用中，期望发光装置的降低的驱动电压、增加的发射效率和增加的使用寿命，并且期望对用于能够稳定地实现需求的发光装置的材料的持续开发。
发明内容
本公开内容的实施方案的一个或多于一个的方面涉及发光装置以及用于发光装置的胺化合物，并且例如，具有高效率的发光装置以及包含在发光装置的空穴传输区中的胺化合物。
本公开内容的一个或多于一个的实施方案提供了由式1表示的胺化合物：
式1
在式1中，R
式2-1
在式2-1中，X可以是O或S，R
式2-2
*-(L
在式2-2中，L
式2-3
在式2-3中，Y可以是O或S，L
在实施方案中，式1的R
式2-1-1
在式2-1-1中，X可以是O或S，R
在实施方案中，式1的R
式2-1-2
在式2-1-2中，x可以是O或S，R
在实施方案中，式1的R
式2-1-2
在式2-1-2中，X可以是O或S，R
在实施方案中，式1的R
式2-1-3
在式2-1-3中，X可以是O或S，R
在实施方案中，式1可以由式3-1或式3-2表示。
式3-1
式3-2
在式3-1和式3-2中，R
在实施方案中，式1可以由选自式4-1至式4-3中的任一种表示。
式4-1
式4-2
式4-3
在式4-1至式4-3中，R
在实施方案中，式1可以由选自式5-1至式5-3中的任一种表示。
式5-1
式5-2
式5-3
在式5-1至式5-3中，R
在实施方案中，式2-2和式2-3的L
在实施方案中，所述由式1表示的胺化合物可以是选自化合物组 1至化合物组3中表示的化合物中的任一种。
本公开内容的一个或多于一个的实施方案提供了发光装置，其包括第一电极、提供在所述第一电极上的空穴传输区、提供在所述空穴传输区上的发射层、提供在所述发射层上的电子传输区以及提供在所述电子传输区上的第二电极，其中所述空穴传输区包含根据实施方案的胺化合物。
在实施方案中，所述空穴传输区可以包括设置在所述第一电极上的空穴注入层和设置在所述空穴注入层上的空穴传输层，以及所述空穴传输层或所述空穴注入层可以包含实施方案的所述胺化合物。
在实施方案中，所述空穴传输区可以包括设置在所述第一电极上的空穴传输层和设置在所述空穴传输层上的电子阻挡层，以及所述电子阻挡层可以包含实施方案的所述胺化合物。
附图说明
包括附图以提供对本公开内容的进一步理解，以及将附图并入本说明书中并且构成本说明书的一部分。附图例示出本公开内容的实施方案，并且连同描述一起用于解释本公开内容的原理。在附图中：
图1是示出根据本公开内容的实施方案的显示设备的平面视图；
图2是示出根据本公开内容的实施方案的显示设备的横截面视图；
图3是示意性地示出根据本公开内容的实施方案的发光装置的横截面视图；
图4是示意性地示出根据本公开内容的实施方案的发光装置的横截面视图；
图5是示意性地示出根据本公开内容的实施方案的发光装置的横截面视图；
图6是示意性地示出根据本公开内容的实施方案的发光装置的横截面视图；
图7是示出根据本公开内容的实施方案的显示设备的横截面视图；以及
图8是示出根据本公开内容的实施方案的显示设备的横截面视图。
图9是例示根据本公开内容的实施方案的显示装置的横截面视图。
图10是例示根据本公开内容的实施方案的显示装置的横截面视图。
具体实施方式
本公开内容可以具有一种或多于一种的适合的修改并且可以以不同的形式实施，并且将参考附图更详细地解释实施方案。然而，本公开内容可以以不同的形式实施并且不应被解释为局限于本文阐述的实施方案。相反，包括在本公开内容的主旨和技术范围内的所有修改、等同和替代应包括在本公开内容中。
相同的参考数字通篇是指相同的元件，并且可以不提供其重复性描述。在附图中，为了例示的清楚，可以放大结构的尺寸。应理解，尽管术语第一、第二等可以在本文用于描述各种元件，但这些元件不应受到这些术语限制。这些术语仅用于区分一个元件与另一个元件。因此，在不背离本公开内容的教导的情况下，第一元件可以替代地被称为第二元件。类似地，第二元件可以替代地被称为第一元件。如本文使用，诸如“一(a)”、“一(an)”和“所述(the)”的单数形式旨在还包括复数形式，除非上下文另外明确说明。
在描述中，应进一步理解，术语“包括(includes)”、“包括(including)”、“包含(comprises)”和/或“包含(comprising)”当用于本说明书中时，指明规定的特征、数字、步骤、操作、元件、部件或其组合的存在，但不排除一个或多于一个的其它的特征、数字、步骤、操作、元件、部件或其组合的存在或增添。
在描述中，当层、膜、区、板等被称为在另一个部件“上”或“上方”时，它可以“直接在”另一个部件“上”，或者还可以存在介于中间的层。相反，当层、膜、区、板等被称为在另一个部件“下”或“下方”时，它可以“直接在”另一个部件“下”，或者还可以存在介于中间的层。此外，当元件被称为设置在另一个元件“上”时，它可以设置在另一个元件下。
如本文使用，术语“使用(use)”、“使用(using)”和“使用(used)”可以被认为分别与术语“利用(utilize)”、“利用(utilizing)”和“利用(utilized)”是同义的。如本文使用，诸如“......中的至少一个(种)”、“......中的一个 (种)”和“选自”的表述当在一列要素之前时，修饰整列的要素并且不修饰该列的单个要素。
如本文使用，术语“和/或”包括相关列出项中的一个或多于一个的任意组合和所有组合。此外，“可以”的使用当描述本公开内容的实施方案时是指“本公开内容的一个或多于一个的实施方案”。
在下文，将通过参考附图解释本公开内容的实施方案。
图1是示出显示设备DD的实施方案的平面视图。图2是实施方案的显示设备DD的横截面视图。图2是示出对应于图1的线I-I′的部分的横截面视图。
显示设备DD可以包括显示面板DP和设置在显示面板DP上的光学层PP。显示面板DP包括发光装置ED-1、ED-2和ED-3。显示设备 DD可以包括多个发光装置ED-1、ED-2和/或ED-3。光学层PP可以设置在显示面板DP上并且可以控制或减少外部光被显示面板DP的反射。光学层PP可以包括例如偏振层或滤色器层。在一些实施方案中，不同于附图，在实施方案的显示设备DD中可以不提供光学层PP。
在光学层PP上，可以设置基体衬底BL。基体衬底BL可以是提供其中设置光学层PP的基体表面的构件。基体衬底BL可以是玻璃衬底、金属衬底、塑料衬底等。然而，本公开内容的实施方案不限于此，并且基体衬底BL可以是无机层、有机层或复合材料层。在一些实施方案中，可以不提供基体衬底BL。
根据实施方案的显示设备DD可以进一步包括封堵层。封堵层可以设置在显示装置层DP-ED与基体衬底BL之间。封堵层可以是有机层。封堵层可以包含选自基于丙烯酸的树脂、基于硅酮的树脂和基于环氧的树脂中的至少一种。
显示面板DP可以包括基体层BS、提供在基体层BS上的电路层 DP-CL和显示装置层DP-ED。显示装置层DP-ED可以包括像素限定层PDL，设置在像素限定层PDL的部分之间的发光装置ED-1、ED-2 和ED-3，以及设置在发光装置ED-1、ED-2和ED-3上的封装层TFE。
基体层BS可以是提供其中设置显示装置层DP-ED的基体表面的构件。基体层BS可以是玻璃衬底、金属衬底、塑料衬底等。然而，本公开内容的实施方案不限于此，并且基体层BS可以是无机层、有机层或复合材料层。
在实施方案中，电路层DP-CL设置在基体层BS上，并且电路层 DP-CL可以包括多个晶体管。晶体管中的每一个可以包括控制电极、输入电极和输出电极。例如，电路层DP-CL可以包括开关晶体管和用于驱动显示装置层DP-ED的发光装置ED-1、ED-2和ED-3的驱动晶体管。
发光装置ED-1、ED-2和ED-3中的每一个可以具有稍后将解释的根据图3至图6的实施方案的发光装置ED中的任一个的结构。发光装置ED-1、ED-2和ED-3中的每一个可以包括第一电极EL1，空穴传输区HTR，发射层EML-R、EML-G和EML-B，电子传输区ETR和第二电极EL2。
在图2中，示出了其中发光装置ED-1、ED-2和ED-3的发射层 EML-R、EML-G和EML-B设置在限定在像素限定层PDL中的相应的开口部分OH中，并且空穴传输区HTR、电子传输区ETR和第二电极 EL2在所有发光装置ED-1、ED-2和ED-3中提供为公共层的实施方案。然而，本公开内容的实施方案不限于此。在一些实施方案中，空穴传输区HTR和电子传输区ETR可以图案化并且提供在限定在像素限定层PDL中的分开的开口部分OH中。例如，在实施方案中，发光装置 ED-1、ED-2和ED-3的空穴传输区HTR，发射层EML-R、EML-G和 EML-B以及电子传输区ETR可以通过喷墨印刷法图案化和提供。
封装层TFE可以覆盖发光装置ED-1、ED-2和ED-3。封装层TFE 可以封装显示装置层DP-ED。封装层TFE可以是薄膜封装层。封装层 TFE可以是一个层或多个层的堆叠层。封装层TFE包括至少一个绝缘层。根据实施方案的封装层TFE可以包括至少一个无机层(在下文，封装无机层)。在一些实施方案中，根据实施方案的封装层TFE可以包括至少一个有机层(在下文，封装有机层)和至少一个封装无机层。
封装无机层保护显示装置层DP-ED免于湿气/氧气的影响，并且封装有机层保护显示装置层DP-ED免于外来物质(例如粉尘颗粒)的影响。封装无机层可以包含硅氮化物、硅氮氧化物、硅氧化物、钛氧化物和/或铝氧化物，而不受特别限制。封装有机层可以包含基于丙烯酸的化合物、基于环氧的化合物等。封装有机层可以包含可光聚合的有机材料，而不受特别限制。
封装层TFE可以设置在第二电极EL2上并且可以在填充开口部分 OH的同时设置。
参考图1和图2，显示设备DD可以包括非发光区域NPXA和发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B。发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B 可以是分别发射由发光装置ED-1、ED-2和ED-3产生的光的区域。发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以在平面上彼此分开。
发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B可以是由像素限定层PDL分开的区域。非发光区域NPXA可以是相邻发光区域PXA-R、PXA-G 和PXA-B之间的区域并且可以是对应于像素限定层PDL的区域。在一些实施方案中，发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B中的每一个可以对应于像素。像素限定层PDL可以分隔发光装置ED-1、ED-2和ED-3。发光装置ED-1、ED-2和ED-3的发射层EML-R、EML-G和EML-B 可以设置并且分隔在限定在像素限定层PDL中的开口部分OH中。
根据由发光装置ED-1、ED-2和ED-3产生的光的颜色，发光区域 PXA-R、PXA-G和PXA-B可以分成多个组。在图1和图2中示出的实施方案的显示设备DD中，将分别发射红色光、绿色光和蓝色光的三个发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B例示为实施方案。例如，实施方案的显示设备DD可以包括彼此分开的红色发光区域PXA-R、绿色发光区域PXA-G和蓝色发光区域PXA-B。
在根据实施方案的显示设备DD中，多个发光装置ED-1、ED-2 和ED-3可以旨在发射具有不同波长区的光。例如，在实施方案中，显示设备DD可以包括发射红色光的第一发光装置ED-1、发射绿色光的第二发光装置ED-2和发射蓝色光的第三发光装置ED-3。例如，显示设备DD的红色发光区域PXA-R、绿色发光区域PXA-G和蓝色发光区域PXA-B可以分别对应于第一发光装置ED-1、第二发光装置ED-2和第三发光装置ED-3。
然而，本公开内容的实施方案不限于此，并且第一发光装置至第三发光装置ED-1、ED-2和ED-3可以旨在发射基本上相同波长区中的光，或者其中的至少一个可以旨在发射不同波长区中的光。例如，第一发光装置至第三发光装置ED-1、ED-2和ED-3全部可以旨在发射蓝色光。
根据实施方案的显示设备DD中的发光区域PXA-R、PXA-G和 PXA-B可以布置成条纹形状。参考图1，多个红色发光区域PXA-R可以沿第二方向轴DR2彼此布置，多个绿色发光区域PXA-G可以沿第二方向轴DR2彼此布置，并且多个蓝色发光区域PXA-B可以沿第二方向轴DR2彼此布置。在一些实施方案中，可以沿第一方向轴DR1 彼此交替地布置红色发光区域PXA-R、绿色发光区域PXA-G和蓝色发光区域PXA-B。
在图1和图2中，将发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的面积示出为类似的，但本公开内容的实施方案不限于此。发光区域PXA-R、 PXA-G和PXA-B的面积可以选择为根据发射的光的波长区而彼此不同。发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的面积可以是指在由第一方向轴DR1和第二方向轴DR2限定的平面上的面积(例如，在平面视图中的面积)。
发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的布置类型或图案不限于图 1中示出的配置，并且红色发光区域PXA-R、绿色发光区域PXA-G和蓝色发光区域PXA-B的布置顺序可以根据显示设备DD所需的显示品质的性质而以各种适合的组合提供。例如，发光区域PXA-R、PXA-G 和PXA-B的布置图案可以是
在一些实施方案中，发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的面积可以彼此不同。例如，在实施方案中，绿色发光区域PXA-G的面积可以小于蓝色发光区域PXA-B的面积，但本公开内容的实施方案不限于此。
在下文，图3至图6是示意性地示出根据实施方案的发光装置的横截面视图。根据实施方案的发光装置ED可以包括按顺序堆叠的第一电极EL1、空穴传输区HTR、发射层EML和第二电极EL2。
实施方案的发光装置ED可以在设置在第一电极EL1与第二电极 EL2之间的空穴传输区HTR中包含稍后将解释的胺化合物。然而，本公开内容的实施方案不限于此，并且实施方案的发光装置ED可以在除了空穴传输区HTR之外的发射层EML或电子传输区ETR(其对应于设置在第一电极EL1与第二电极EL2之间的多个功能层)中，或者在设置在第二电极EL2上的覆盖层CPL中包含稍后将解释的化合物。
与图3相比，图4示出了实施方案的发光装置ED的横截面视图，其中空穴传输区HTR包括空穴注入层HIL和空穴传输层HTL，并且电子传输区ETR包括电子注入层EIL和电子传输层ETL。与图3相比，图5示出了实施方案的发光装置ED的横截面视图，其中空穴传输区 HTR包括空穴注入层HIL、空穴传输层HTL和电子阻挡层EBL，并且电子传输区ETR包括电子注入层EIL、电子传输层ETL和空穴阻挡层HBL。与图4相比，图6示出了实施方案的发光装置ED的横截面视图，所述发光装置ED包括设置在第二电极EL2上的覆盖层CPL。
第一电极EL1具有导电性。第一电极EL1可以使用金属合金或导电化合物形成。第一电极EL1可以是阳极或阴极。然而，本公开内容的实施方案不限于此。在一些实施方案中，第一电极EL1可以是像素电极。第一电极EL1可以是透射电极、半透反射电极或反射电极。当第一电极EL1是透射电极时，第一电极EL1可以包含透明金属氧化物(例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和/或氧化铟锡锌 (ITZO))。当第一电极EL1是半透反射电极或反射电极时，第一电极 EL1可以包含银(Ag)、镁(Mg)、铜(Cu)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、LiF、钼(Mo)、钛(Ti)、其一种或多于一种的化合物、或者其一种或多于一种的混合物(例如， Ag和Mg的混合物)。在一些实施方案中，第一电极EL1可以具有多个层的结构，所述多个层包括使用以上材料形成的反射层或半透反射层，以及使用ITO、IZO、ZnO或ITZO形成的透射导电层。例如，第一电极EL1可以包括ITO/Ag/ITO的三层结构。然而，本公开内容的实施方案不限于此。第一电极EL1的厚度可以是约
在第一电极EL1上提供空穴传输区HTR。空穴传输区HTR可以包括选自空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、空穴缓冲层和电子阻挡层EBL中的至少一个。空穴传输区HTR的厚度可以是，例如，约
空穴传输区HTR可以具有使用单一材料形成的单个层、使用多种不同材料形成的单个层、或者包括使用多种不同材料形成的多个层的多层结构。
例如，空穴传输区HTR可以具有空穴注入层HIL或空穴传输层HTL的单个层的结构，或者可以具有使用空穴注入材料和空穴传输材料形成的单个层的结构。在一些实施方案中，空穴传输区HTR可以具有使用多种不同材料形成的单个层的结构，或者从第一电极EL1堆叠的空穴注入层HIL/空穴传输层HTL、空穴注入层HIL/空穴传输层HTL/ 空穴缓冲层、空穴注入层HIL/空穴缓冲层、空穴传输层HTL/空穴缓冲层、或空穴注入层HIL/空穴传输层HTL/电子阻挡层EBL的结构，而不受限制。
实施方案的发光装置ED的空穴传输区HTR可以包含根据本公开内容的实施方案的胺化合物。
在描述中，术语“取代或未取代的”是指被选自由氘原子、卤素原子、氰基基团、硝基基团、氨基基团、甲硅烷基基团、氧基基团、硫基基团、亚磺酰基基团、磺酰基基团、羰基基团、硼基团、氧化膦基团、硫化膦基团、烷基基团、烯基基团、烷氧基基团、烃环基团、芳基基团和杂环基团组成的组中的至少一个取代基取代，或者未取代的。例示的取代基中的每一个可以进一步是取代或未取代的。例如，联苯基基团可以被解释为所谓的芳基基团，或者被解释为被苯基基团取代的苯基基团。
在描述中，卤素原子可以是氟原子、氯原子、溴原子或碘原子。
在描述中，烷基基团可以是直链的、支链的或环状的烷基基团。烷基基团的碳数可以是1至50、1至30、1至20、1至10或1至6。烷基基团的实例可以包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基、异丁基、2-乙基丁基、3，3-二甲基丁基、正戊基、异戊基、新戊基、叔戊基、环戊基、1-甲基戊基、3-甲基戊基、2-乙基戊基、 4-甲基-2-戊基、正己基、1-甲基己基、2-乙基己基、2-丁基己基、环己基、4-甲基环己基、4-叔丁基环己基、正庚基、1-甲基庚基、2，2-二甲基庚基、2-乙基庚基、2-丁基庚基、正辛基、叔辛基、2-乙基辛基、2- 丁基辛基、2-己基辛基、3，7-二甲基辛基、环辛基、正壬基、正癸基、金刚烷基、2-乙基癸基、2-丁基癸基、2-己基癸基、2-辛基癸基、正十一烷基、正十二烷基、2-乙基十二烷基、2-丁基十二烷基、2-己基十二烷基、2-辛基十二烷基、正十三烷基、正十四烷基、正十五烷基、正十六烷基、2-乙基十六烷基、2-丁基十六烷基、2-己基十六烷基、2- 辛基十六烷基、正十七烷基、正十八烷基、正十九烷基、正二十烷基、 2-乙基二十烷基、2-丁基二十烷基、2-己基二十烷基、2-辛基二十烷基、正二十一烷基、正二十二烷基、正二十三烷基、正二十四烷基、正二十五烷基、正二十六烷基、正二十七烷基、正二十八烷基、正二十九烷基、正三十烷基等，而不受限制。
在描述中，术语“烯基基团”可以是指在具有2个或多于2个的碳原子的烷基基团的中间或末端处包含一个或多于一个的碳碳双键的烃基团。烯基基团可以是直链或支链。烯基基团的碳数不受特别限制，但可以是2至30、2至20或2至10。烯基基团的实例可以包括乙烯基基团、1-丁烯基基团、1-戊烯基基团、1，3-丁二烯基基团、苯乙烯基基团、苯乙烯基乙烯基基团等，而不受限制。
在描述中，术语“炔基基团”可以是指在具有2个或多于2个的碳原子的烷基基团的中间或末端处包含一个或多于一个的碳碳叁键的烃基团。炔基基团可以是直链或支链。炔基基团的碳数不受特别限制，但可以是2至30、2至20或2至10。炔基基团的实例可以包括乙炔基基团、丙炔基基团等，而不受限制。
在描述中，术语“烃环基团”是指衍生自脂肪族烃环的任选的官能团或取代基，或者衍生自芳香族烃环的任选的官能团或取代基。烃环基团的用于形成环的碳数可以是5至60、5至30或5至20。
在描述中，术语“芳基基团”是指衍生自芳香族烃环的任选的官能团或取代基。芳基基团可以是单环芳基基团或多环芳基基团。芳基基团中的用于形成环的碳数可以是6至30、6至20或6至15。芳基基团的实例可以包括苯基、萘基、芴基、蒽基、菲基、联苯基、三联苯基、四联苯基、五联苯基、六联苯基、苯并菲基、芘基、苯并荧蒽基、
在描述中，芴基基团可以是取代的(例如，在9H位置处)，并且两个取代基可以彼此结合以形成螺结构。取代的芴基基团的实例如下。然而，本公开内容的实施方案不限于此。
在描述中，术语“杂环基团”可以是指衍生自含有硼(B)、氧(O)、氮(N)、磷(P)、硅(Si)和硫(S)中的一个或多于一个作为杂原子的环的任选的官能团或取代基，其中杂原子的数量可以是1至5或1至3，例如，1、2、3、4或5。杂环基团可以是脂肪族杂环基团或芳香族杂环基团。芳香族杂环基团可以是杂芳基基团。脂肪族杂环基团和芳香族杂环基团可以是单环或多环。
在描述中，杂环基团可以包含B、O、N、P、Si和S中的一个或多于一个作为杂原子。当杂环基团包含两个或多于两个的杂原子时，所述两个或多于两个的杂原子可以相同或不同。杂环基团可以是单环杂环基团或多环杂环基团，并且具有包括杂芳基基团的概念。杂环基团的用于形成环的碳数可以是2至30、2至20或2至10。
在描述中，脂肪族杂环基团可以包含B、O、N、P、Si和S中的一个或多于一个作为杂原子。脂肪族杂环基团的用于形成环的碳数可以是2至30、2至20或2至10。脂肪族杂环基团的实例可以包括氧杂环丙烷基团、硫杂环丙烷基团、吡咯烷基团、哌啶基团、四氢呋喃基团、四氢噻吩基团、硫杂环己烷基团、四氢吡喃基团、1，4-二氧杂环己烷基团等，而不受限制。
在描述中，杂芳基基团可以包含B、O、N、P、Si和S中的一个或多于一个作为杂原子。当杂芳基基团包含两个或多于两个的杂原子时，所述两个或多于两个的杂原子可以相同或不同。杂芳基基团可以是单环杂环基团或多环杂环基团。杂芳基基团的用于形成环的碳数可以是2至30、2至20或2至10。杂芳基基团的实例可以包括噻吩基、呋喃基、吡咯基、咪唑基、三唑基、吡啶基、联吡啶基、嘧啶基、三嗪基、吖啶基、哒嗪基、吡嗪基、喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、吩噁嗪基、酞嗪基、吡啶并嘧啶基、吡啶并吡嗪基、吡嗪并吡嗪基、异喹啉基、吲哚基、咔唑基、N-芳基咔唑基、N-杂芳基咔唑基、N-烷基咔唑基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并咔唑基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、噻吩并噻吩基、苯并呋喃基、菲咯啉基、噻唑基、异噁唑基、噁唑基、噁二唑基、噻二唑基、吩噻嗪基、二苯并噻咯基、二苯并呋喃基等，而不受限制。
在描述中，胺基团的碳数不受特别限制，但可以是1至30、1至 20或1至10。胺基团可以包括烷基胺基团、芳基胺基团或杂芳基胺基团。胺基团的实例可以包括甲基胺基团、二甲基胺基团、苯基胺基团、二苯基胺基团、萘基胺基团、9-甲基-蒽基胺基团等，而不受限制。
在描述中，对芳基基团的解释可以适用于亚芳基基团，但亚芳基基团是二价基团。
在描述中，对杂芳基基团的解释可以适用于亚杂芳基基团，但亚杂芳基基团是二价基团。
在一些实施方案中，在描述中，“-＊”和“-*”是指待连接的位置。
根据本公开内容的实施方案的胺化合物由式1表示。
式1
在式1中，R
式2-1
在式2-1中，X可以是O或S。
在式2-1中，R
在式2-1中，选自R
在式2-1中，当R
式2-2
*-(L
在式2-2中，L
在式2-2中，Ar
在式2-2中，“m”可以是0至3的整数，并且当“m”是2或大于2 时，多个L
式2-3
在式2-3中，Y可以是O或S。
在式2-3中，L
在式2-3中，R
在式2-3中，R
在式2-3中，“n”和“p”可以各自独立地是0至3的整数。在一些实施方案中，当“n”是2或大于2时，多个L
在式2-3中，“q”可以是0至4的整数。在一些实施方案中，当“q”是2或大于2时，多个R
在此，式2-1和式2-3总是不同。
在一些实施方案中，当式2-1的R
根据实施方案的由式1表示的胺化合物包括其中分子中的任选的氢被氘取代的化合物。
在实施方案中，在式1中，R
式2-1-1
在式2-1-1中，X可以是O或S，并且R
在式2-1-1中，R
在实施方案中，在式1中，R
式2-1-2
在式2-1-2中，X可以是O或S，并且R
在式2-1-2中，R
在式2-1-2中，选自R
在实施方案中，在式1中，R
式2-1-3
在式2-1-3中，X可以是O或S，并且R
在式2-1-3中，R
在式2-1-3中，选自R
在实施方案中，式1可以由式3-1或式3-2表示。
式3-1
式3-2
在式3-1和式3-2中，R
在式3-1和式3-2中，R
在式3-2中，Y′可以是O或S，L
在式3-2中，R
在式3-2中，R
在式3-2中，“n′”和“p′”可以各自独立地是0至3的整数。在一些实施方案中，当“n′”是2或大于2时，多个L
在式3-2中，“q′”可以是0至4的整数。在一些实施方案中，当“q′”是2或大于2时，多个R
在式3-1和式3-2中，X、Ar
在实施方案中，式1可以由选自式4-1至式4-3中的任一种表示。
式4-1
式4-2
式4-3
在式4-1至式4-3中，R
在式4-1至式4-3中，R
在式4-1至式4-3中，选自R
在式4-1和式4-3中，L
在式4-1中，Ar
在式4-1中，“m′”可以是0至3的整数。在一些实施方案中，当“m′”是2或大于2时，多个L
在式4-1和式4-2中，Ar
在式4-3中，R
在式4-3中，“n′”和“p′”可以各自独立地是0至3的整数。在一些实施方案中，当“n′”是2或大于2时，多个L
在式4-3中，“q′”可以是0至4的整数。在一些实施方案中，当“q′”是2或大于2时，多个R
在式4-1至式4-3中，X、Y、L
在实施方案中，式1可以由选自式5-1至式5-3中的任一种表示。
式5-1
式5-2
式5-3
在式5-1至式5-3中，R
在式5-1至式5-3中，R
在式5-1中，L
在式5-1中，Ar
在式5-1中，“m′”可以是0至3的整数。在一些实施方案中，当“m′”是2或大于2时，多个L
在式5-1和式5-2中，Ar
在式5-3中，Y′可以是O或S，并且L
在式5-3中，R
在式5-3中，R
在式5-3中，“n′”和“p′”可以各自独立地是0至3的整数。当“n′”是2或大于2时，多个L
在式5-3中，“q′”可以是0至4的整数。在一些实施方案中，当“q′”是2或大于2时，多个R
在式5-1至式5-3中，X、Y、L
在实施方案中，由式1表示的胺化合物可以不包含除了由式1表示的胺基团之外的(例如，额外的)胺基团。例如，由式1表示的胺化合物可以是单胺化合物。
在实施方案中，由式1表示的胺化合物可以不包含含N的杂芳基基团。
在实施方案中，式2-2和式2-3的L
在实施方案中，R
根据实施方案的由式1表示的胺化合物可以是选自在化合物组1 至化合物组3中表示的化合物中的任一种。然而，本公开内容的实施方案不限于此。
化合物组1
化合物组2
化合物组3
再参考图3至图6，将解释根据本公开内容的实施方案的发光装置ED。
如以上描述，空穴传输区HTR包含前述根据本公开内容的实施方案的胺化合物。例如，空穴传输区HTR包含由式1表示的胺化合物。
当空穴传输区HTR具有含有多个层的多层结构时，所述多个层中的任一层可以包含由式1表示的胺化合物。例如，空穴传输区HTR可以包括设置在第一电极EL1上的空穴注入层HIL和设置在空穴注入层 HIL上的空穴传输层HTL，并且空穴传输层HTL可以包含由式1表示的胺化合物。然而，本公开内容的实施方案不限于此，并且例如，空穴注入层HIL可以包含由式1表示的胺化合物。
空穴传输区HTR可以包含一种或两种或多于两种的类型(种类)的由式1表示的胺化合物。例如，空穴传输区HTR可以包含选自化合物组1至化合物组3中表示的化合物中的至少一种。
可以使用各种适合的方法(例如真空沉积法、旋涂法、流延法、朗缪尔-布洛杰特(Langmuir-Blodgett，LB)法、喷墨印刷法、激光印刷法和/或激光诱导热成像(LITI)法)形成空穴传输区HTR。
空穴传输区HTR可以包含由式H-1表示的化合物。
式H-1
在式H-1中，L
在式H-1中，Ar
由式H-1表示的化合物可以是单胺化合物。在一些实施方案中，由式H-1表示的化合物可以是二胺化合物，其中选自Ar
由式H-1表示的化合物可以由选自化合物组H中的化合物中的任一种表示。然而，化合物组H中示出的化合物仅是示例，并且由式 H-1表示的化合物不限于在化合物组H中表示的化合物。
化合物组H
空穴传输区HTR可以包含酞菁化合物(例如铜酞菁)、N
空穴传输区HTR可以包含例如咔唑衍生物(例如N-苯基咔唑和/ 或聚乙烯基咔唑)、基于芴的衍生物、N，N′-双(3-甲基苯基)-N，N′-二苯基-[1，1′-联苯基]-4，4′-二胺(TPD)、基于三苯胺的衍生物(例如4，4′，4″-三 (N-咔唑基)三苯胺(TCTA))、N，N′-二(1-萘-1-基)-N，N′-二苯基-联苯胺 (NPB)、4，4′-亚环己基双[N，N-双(4-甲基苯基)苯胺](TAPC)、4，4′-双 [N，N′-(3-甲苯基)氨基]-3，3′-二甲基联苯(HMTPD)、1，3-双(N-咔唑基)苯(mCP)等。
空穴传输区HTR可以包含9-(4-叔丁基苯基)-3，6-双(三苯基甲硅烷基)-9H-咔唑(CzSi)、9-苯基-9H-3，9′-联咔唑(CCP)、1，3-双(1，8-二甲基 -9H-咔唑-9-基)苯(mDCP)等。
空穴传输区HTR可以在选自空穴注入层HIL、空穴传输层HTL 和电子阻挡层EBL中的至少一个中包含空穴传输区的化合物。
空穴传输区HTR的厚度可以是约
除了以上描述的材料之外，空穴传输区HTR可以进一步包含电荷产生材料以增加传导性。电荷产生材料可以基本上均匀地或非均匀地分散在空穴传输区HTR中。电荷产生材料可以是，例如，p-掺杂剂。 p-掺杂剂可以包括选自醌衍生物、金属氧化物和含氰基基团的化合物中的任一种，而不受限制。例如，p-掺杂剂的非限制性实例可以包括醌衍生物(例如四氰基醌二甲烷(TCNQ)和/或2，3，5，6-四氟-7，7′，8，8′-四氰基醌二甲烷(F4-TCNQ))、金属氧化物(例如氧化钨和/或氧化钼)等，而不受限制。
如以上描述，除了空穴注入层HIL和空穴传输层HTL之外，空穴传输区HTR可以进一步包括空穴缓冲层和电子阻挡层EBL中的至少一个。空穴缓冲层可以补偿由从发射层EML发射的光的波长的共振距离，并且可以由此增加装置的发光效率。作为包含在空穴缓冲层中的材料，可以使用可以包含在空穴传输区HTR中的材料。电子阻挡层 EBL是起阻挡从电子传输区ETR至空穴传输区HTR的电子注入的作用的层。
在空穴传输区HTR上提供发射层EML。发射层EML可以具有，例如，约
在实施方案的发光装置ED中，发射层EML可以包含蒽衍生物、芘衍生物、荧蒽衍生物、
在图3至图6中示出的实施方案的发光装置ED中，发射层EML 可以包含主体和掺杂剂，并且发射层EML可以包含由式E-1表示的化合物。由式E-1表示的化合物可以用作荧光主体材料。
式E-1
在式E-1中，R
在式E-1中，“c”和“d”可以是0至5的整数。
式E-1可以由选自化合物E1至化合物E19中的任一种表示。
在实施方案中，发射层EML可以包含由式E-2a或式E-2b表示的化合物。由式E-2a或式E-2b表示的化合物可以用作磷光主体材料。
式E-2a
在式E-2a中，a可以是0至10的整数，并且La可以是直连键、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的亚芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的亚杂芳基基团。在一些实施方案中，当“a”是2或大于2的整数时，多个La可以各自独立地是取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的亚芳基基团、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的亚杂芳基基团。
在一些实施方案中，在式E-2a中，A
在一些实施方案中，在式E-2a中，选自A
式E-2b
在式E-2b中，Cbz1和Cbz2可以各自独立地是未取代的咔唑基团、或者被具有6个至30个成环碳原子的芳基基团取代的咔唑基团。L
由式E-2a或式E-2b表示的化合物可以由选自化合物组E-2中的化合物中的任一种表示。然而，化合物组E-2中示出的化合物仅是示例，并且由式E-2a或式E-2b表示的化合物不限于化合物组E-2中表示的化合物。
化合物组E-2
发射层EML可以进一步包含本领域中熟知的常用材料作为主体材料。例如，发射层EML可以包含双[2-(二苯基膦基)苯基]醚氧化物 (DPEPO)、4，4′-双(咔唑-9-基)-1，1′-联苯(CBP)、1，3-双(咔唑-9-基)苯 (mCP)、2，8-双(二苯基磷酰基)二苯并[b，d]呋喃(PPF)、4，4′，4″-三(咔唑-9- 基)-三苯胺(TCTA)和1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并[d]咪唑-2-基)苯(TPBi)中的至少一种作为主体材料。然而，本公开内容的实施方案不限于此。例如，三(8-羟基喹啉根合)铝(Alq
发射层EML可以包含由式M-a或式M-b表示的化合物。由式M-a 或式M-b表示的化合物可以用作磷光掺杂剂材料。
式M-a
在式M-a中，Y
由式M-a表示的化合物可以用作红色磷光掺杂剂或绿色磷光掺杂剂。
由式M-a表示的化合物可以由选自化合物M-a1至化合物M-a25 中的任一种表示。然而，化合物M-a1至化合物M-a25是示例，并且由式M-a表示的化合物不限于由化合物M-a1至化合物M-a25表示的化合物。
化合物M-a1和化合物M-a2可以用作红色掺杂剂材料，并且化合物M-a3和化合物M-a4可以用作绿色掺杂剂材料。
式M-b
在式M-b中，Q
由式M-b表示的化合物可以用作蓝色磷光掺杂剂或绿色磷光掺杂剂。
由式M-b表示的化合物可以由选自以下化合物中的任一种表示。然而，以下化合物是示例，并且由式M-b表示的化合物不限于以下表示的化合物。
发射层EML可以包含选自式F-a至式F-c中的任一种。由式F-a 至式F-c表示的化合物可以用作荧光掺杂剂材料。
式F-a
在式F-a中，选自R
在*-NAr
式F-b
在式F-b中，R
在式F-b中，U和V可以各自独立地是0或1。在式F-b中，U 是指在位置U处结合的环的数量，并且V是指在位置V处结合的环的数量。例如，当U或V的数量是1时，由U或V表示的环形成稠合环，并且当U或V是0时，不存在由U或V表示的环。例如，当 U是0并且V是1时，或者当U是1并且V是0时，式F-b的具有芴核的稠合环可以是具有四个环的环化合物。在一些实施方案中，当U 和V两者(例如，同时地)是0时，式F-b的具有芴核的稠合环可以是具有三个环的环化合物。在一些实施方案中，当U和V两者(例如，同时地)是1时，式F-b的具有芴核的稠合环可以是具有五个环的环化合物。
在式F-b中，当U或V是1时，U和V可以各自独立地是取代或未取代的具有5个至30个成环碳原子的烃环、或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂环。
式F-c
在式F-c中，A
在式F-c中，A
在实施方案中，发射层EML可以包含苯乙烯基衍生物(例如，1，4- 双[2-(3-N-乙基咔唑基)乙烯基]苯(BCzVB)、4-(二对甲苯基氨基)-4′-[(二对甲苯基氨基)苯乙烯基]二苯乙烯(DPAVB)和 N-(4-((E)-2-(6-((E)-4-(二苯基氨基)苯乙烯基)萘-2-基)乙烯基)苯基)-N- 苯基苯胺(N-BDAVBi))、苝和/或其衍生物(例如，2，5，8，11-四叔丁基苝 (TBP))、芘和/或其衍生物(例如，1，1′-二芘、1，4-二芘基苯和/或1，4-双 (N，N-二苯基氨基)芘)等作为适合的掺杂剂材料。
发射层EML可以包含适合的磷光掺杂剂材料。例如，磷光掺杂剂可以使用包含铱(Ir)、铂(Pt)、锇(Os)、金(Au)、钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)或铥(Tm)的金属络合物。例如，双(4，6-二氟苯基吡啶根合-N，C2′)吡啶甲酸铱(III)(FIrpic)、双(2，4-二氟苯基吡啶根合)-四(1-吡唑基)硼酸铱(III)(Fir6)或八乙基卟啉铂(PtOEP)可以用作磷光掺杂剂。然而，本公开内容的实施方案不限于此。
发射层EML可以包含量子点材料。量子点的核可以选自II-VI族化合物、III-VI族化合物、I-III-VI族化合物、III-V族化合物、IV-VI 族化合物、IV族元素、IV族化合物及其组合。
II-VI族化合物可以选自由以下组成的组：二元化合物，所述二元化合物选自由CdSe、CdTe、CdS、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、 HgSe、HgTe、MgSe、MgS及其混合物组成的组；三元化合物，所述三元化合物选自由CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、 HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、 CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS及其混合物组成的组；以及四元化合物，所述四元化合物选自由HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、 HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe及其混合物组成的组。
III-VI族化合物可以包括二元化合物(例如In
I-III-VI族化合物可以选自三元化合物，所述三元化合物选自由 AgInS、AgInS
III-V族化合物可以选自由以下组成的组：二元化合物，所述二元化合物选自由GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb及其混合物组成的组；三元化合物，所述三元化合物选自由GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InAlP、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb 及其混合物组成的组；以及四元化合物，所述四元化合物选自由 GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、 GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb及其混合物组成的组。在一些实施方案中，III-V族化合物可以进一步包含II族金属。例如，可以选择InZnP等作为III-II-V族化合物。
IV-VI族化合物可以选自由以下组成的组：二元化合物，所述二元化合物选自由SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe及其混合物组成的组；三元化合物，所述三元化合物选自由SnSeS、SnSeTe、SnSTe、 PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe及其混合物组成的组；以及四元化合物，所述四元化合物选自由SnPbSSe、SnPbSeTe、 SnPbSTe及其混合物组成的组。IV族元素可以选自由Si、Ge及其混合物组成的组。IV族化合物可以是二元化合物，所述二元化合物选自由SiC、SiGe及其混合物组成的组。
在这种情况下，二元化合物、三元化合物和/或四元化合物可以各自独立地以基本上均匀的浓度存在于颗粒中，或者可以以部分不同的 (例如，非均匀的)浓度分布状态存在于同一颗粒中。在一些实施方案中，其中一个量子点包围另一个量子点的核/壳结构可以是可能的。核和壳的界面可以具有浓度梯度，其中存在于壳中的元素的浓度朝向中心减小。
在一些实施方案中，量子点可以具有以上描述的核-壳结构，所述核-壳结构包括包含纳米晶体的核和包裹核的壳。量子点的壳可以起到用于防止或减少核的化学变性以保持半导体性质的保护层的作用和/ 或用于赋予量子点电泳性质的充电层的作用。壳可以具有单层或多层。核和壳的界面可以具有存在于壳中的元素的浓度朝向中心减小的浓度梯度。量子点的壳的实例可以包括金属或非金属的氧化物、半导体化合物或其组合。
例如，金属或非金属的氧化物可以包括二元化合物(例如SiO
在一些实施方案中，半导体化合物可以包括CdS、CdSe、CdTe、 ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、 HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb等，但本公开内容的实施方案不限于此。
量子点可以具有约45nm或小于45nm、约40nm或小于40nm、或者约30nm或小于30nm的发射波长光谱的半峰全宽(FWHM)。在该范围内，可以改善颜色纯度或颜色再现性。在一些实施方案中，经由此类量子点发射的光在所有方向上发射，并且可以改善光视角性质。
在一些实施方案中，量子点的形状可以是本领域中任何常用的形状，而不受特别限制。例如，形状可以是球形、角锥形、多臂或立方形纳米颗粒，纳米管，纳米线，纳米纤维，纳米板等。
量子点可以根据颗粒尺寸来控制发射的光的颜色，并且因此，量子点可以具有一种或多于一种的适合的发射颜色(例如蓝色、红色和绿色)。
在如图3至图6中示出的实施方案的发光装置ED中，在发射层 EML上提供电子传输区ETR。电子传输区ETR可以包括空穴阻挡层 HBL、电子传输层ETL和电子注入层EIL中的至少一种。然而，本公开内容的实施方案不限于此。
电子传输区ETR可以具有使用单一材料形成的单个层、使用多种不同材料形成的单个层、或者具有使用多种不同材料形成的多个层的多层结构。
例如，电子传输区ETR可以具有电子注入层EIL或电子传输层 ETL的单个层结构，或者使用电子注入材料和电子传输材料形成的单个层结构。此外，电子传输区ETR可以具有使用多种不同材料形成的单个层结构，或者从发射层EML堆叠的电子传输层ETL/电子注入层 EIL、或空穴阻挡层HBL/电子传输层ETL/电子注入层EIL的结构，而不受限制。电子传输区ETR的厚度可以是，例如，约
可以使用一种或多于一种的适合的方法(例如真空沉积法、旋涂法、流延法、朗缪尔-布洛杰特(LB)法、喷墨印刷法、激光印刷法和/或激光诱导热成像(LITI)法)形成电子传输区ETR。
电子传输区ETR可以包含由式ET-1表示的化合物。
式ET-1
在式ET-1中，选自X
在式ET-1中，“a”至“c”可以各自独立地是0至10的整数。在式 ET-1中，L
当电子传输区ETR包括电子传输层ETL时，电子传输区ETR可以包含基于蒽的化合物。然而，本公开内容的实施方案不限于此，并且电子传输区ETR可以包含，例如，三(8-羟基喹啉根合)铝(Alq
电子传输区ETR可以包含选自化合物ET1至化合物ET36中的至少一种。
在一些实施方案中，电子传输区ETR可以包含金属卤化物(例如 LiF、NaCl、CsF、RbCl、RbI、CuI和/或KI)、镧系金属(例如Yb)或金属卤化物和镧系金属的共沉积材料。例如，电子传输区ETR可以包含 KI：Yb、RbI：Yb等作为共沉积材料。在一些实施方案中，电子传输区 ETR可以使用金属氧化物(例如Li
电子传输区ETR可以在选自电子注入层EIL、电子传输层ETL和空穴阻挡层HBL中的至少一个中包含电子传输区的化合物。
当电子传输区ETR包括电子传输层ETL时，电子传输层ETL的厚度可以是约
在电子传输区ETR上提供第二电极EL2。第二电极EL2可以是公共电极。第二电极EL2可以是阴极或阳极，但本公开内容的实施方案不限于此。例如，当第一电极EL1是阳极时，第二电极EL2可以是阴极，或者当第一电极EL1是阴极时，第二电极EL2可以是阳极。
第二电极EL2可以是透射电极、半透反射电极或反射电极。当第二电极EL2是透射电极时，第二电极EL2可以包含透明金属氧化物，例如，ITO、IZO、ZnO、ITZO等。
当第二电极EL2是半透反射电极或反射电极时，第二电极EL2可以包含Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、 LiF、Mo、Ti、Yb、W、其一种或多于一种的化合物、或者其一种或多于一种的混合物(例如，AgYb或MgAg)。在一些实施方案中，第二电极EL2可以具有多层结构，所述多层结构包括使用以上描述的材料形成的反射层或半透反射层，以及使用ITO、IZO、ZnO、ITZO等形成的透明导电层。例如，第二电极EL2可以包含前述金属材料、选自前述金属材料中的两种或多于两种的金属材料的组合或者前述金属材料的氧化物。
在一些实施方案中，第二电极EL2可以与辅助电极连接。当第二电极EL2与辅助电极连接时，第二电极EL2的电阻可以减小。
在一些实施方案中，在实施方案的发光装置ED中，覆盖层CPL 可以进一步设置在第二电极EL2上。覆盖层CPL可以包括多个层或单个层。
在实施方案中，覆盖层CPL可以是有机层或无机层。例如，当覆盖层CPL包含无机材料时，无机材料可以包括碱金属化合物(例如LiF)、碱土金属化合物(例如MgF
例如，当覆盖层CPL包含有机材料时，有机材料可以包括α-NPD、 NPB、TPD、m-MTDATA、Alq
在一些实施方案中，覆盖层CPL的折射率可以是约1.6或大于1.6。例如，相对于约550nm至约660nm的波长范围中的光，覆盖层CPL 的折射率可以是约1.6或大于1.6。
图7和图8分别是对根据实施方案的显示设备的横截面视图。在对参考图7和图8的实施方案的显示设备的解释中，将不再解释与对图1至图6的解释重叠的部分，并且将主要解释不同的特征。
参考图7，根据实施方案的显示设备DD可以包括包含显示装置层DP-ED的显示面板DP、设置在显示面板DP上的光控制层CCL和滤色器层CFL。
在图7中示出的实施方案中，显示面板DP包括基体层BS、提供在基体层BS上的电路层DP-CL和显示装置层DP-ED，并且显示装置层DP-ED可以包括发光装置ED。
发光装置ED可以包括第一电极EL1、设置在第一电极EL1上的空穴传输区HTR、设置在空穴传输区HTR上的发射层EML、设置在发射层EML上的电子传输区ETR和设置在电子传输区ETR上的第二电极EL2。图3至图6的发光装置ED的结构可以适用于图7中示出的发光装置ED的结构。
参考图7，发射层EML可以设置在限定在像素限定层PDL中的开口部分OH中。例如，由像素限定层PDL分隔并且与发光区域PXA-R、 PXA-G和PXA-B中的每一个对应地提供的发射层EML可以旨在发射相同波长区中的光。在实施方案的显示设备DD中，发射层EML可以旨在发射蓝色光。在一些实施方案中，不同于附图，发射层EML可以提供为所有发光区域PXA-R、PXA-G和PXA-B的公共层。
光控制层CCL可以设置在显示面板DP上。光控制层CCL可以包括光转换器。光转换器可以是量子点或磷光体。光转换器可以变换提供的光的波长并且然后发射(例如，发射不同颜色的光)。例如，光控制层CCL可以是包含量子点的层或包含磷光体的层。
光控制层CCL可以包括多个光控制部件CCP1、CCP2和CCP3。光控制部件CCP1、CCP2和CCP3可以彼此分开。
参考图7，分割图案BMP可以设置在分开的光控制部件CCP1、 CCP2和CCP3之间，但本公开内容的实施方案不限于此。在图7中，将分割图案BMP示出为不与光控制部件CCP1、CCP2和CCP3重叠，但光控制部件CCP1、CCP2和CCP3的边缘的至少一部分可以与分割图案BMP重叠。
光控制层CCL可以包括包含将由发光装置ED提供的第一颜色光转换成第二颜色光的第一量子点QD1的第一光控制部件CCP1、包含将第一颜色光转换成第三颜色光的第二量子点QD2的第二光控制部件CCP2和透射第一颜色光的第三光控制部件CCP3。
在实施方案中，第一光控制部件CCP1可以提供红色光(其是第二颜色光)，并且第二光控制部件CCP2可以提供绿色光(其是第三颜色光)。第三光控制部件CCP3可以透射并且提供蓝色光(其是由发光装置 ED提供的第一颜色光)。例如，第一量子点QD1可以是红色量子点，并且第二量子点QD2可以是绿色量子点。对于量子点QD1和QD2，可以适用与以上相同的描述。
在一些实施方案中，光控制层CCL可以进一步包含散射体SP。第一光控制部件CCP1可以包含第一量子点QD1和散射体SP，第二光控制部件CCP2可以包含第二量子点QD2和散射体SP，并且第三光控制部件CCP3可以不包含量子点但包含散射体SP。
散射体SP可以是无机颗粒。例如，散射体SP可以包括选自TiO
光控制层CCL可以包括阻挡层BFL1。阻挡层BFL1可以起到阻挡或减少水分和/或氧气(在下文，将称为“湿气/氧气”)的渗透的作用。阻挡层BFL1可以设置在光控制部件CCP1、CCP2和/或CCP3上以阻挡或减少光控制部件CCP1、CCP2和CCP3暴露于湿气/氧气。在一些实施方案中，阻挡层BFL1可以覆盖光控制部件CCP1、CCP2和CCP3。在一些实施方案中，可以在滤色器层CFL与光控制部件CCP1、CCP2 和CCP3中的一个或多于一个之间提供阻挡层BFL2。
阻挡层BFL1和BFL2可以包括至少一个无机层。例如，阻挡层 BFL1和BFL2可以通过包含无机材料来形成。例如，阻挡层BFL1和 BFL2可以通过包含硅氮化物、铝氮化物、锆氮化物、钛氮化物、铪氮化物、钽氮化物、硅氧化物、铝氧化物、钛氧化物、锡氧化物、铈氧化物、硅氮氧化物和/或用于确保光透射率的金属薄膜来形成。在一些实施方案中，阻挡层BFL1和BFL2可以进一步包括有机层。阻挡层 BFL1和BFL2可以由多个层或单个层构成。
在实施方案的显示设备DD中，滤色器层CFL可以设置在光控制层CCL上。例如，滤色器层CFL可以直接设置在光控制层CCL上。在这种情况下，可以不提供阻挡层BFL2。
滤色器层CFL可以包括光阻挡部件BM和滤色器CF1、CF2和 CF3。滤色器层CFL可以包括透射第二颜色光的第一滤色器CF1、透射第三颜色光的第二滤色器CF2和透射第一颜色光的第三滤色器CF3。例如，第一滤色器CF1可以是红色滤色器，第二滤色器CF2可以是绿色滤色器，并且第三滤色器CF3可以是蓝色滤色器。滤色器CF1、CF2 和CF3中的每一个可以包含聚合物光敏树脂以及颜料或染料。第一滤色器CF1可以包含红色颜料和/或染料，第二滤色器CF2可以包含绿色颜料和/或染料，并且第三滤色器CF3可以包含蓝色颜料和/或染料。在一些实施方案中，本公开内容的实施方案不限于此，并且第三滤色器CF3可以不包含颜料或染料。第三滤色器CF3可以包含聚合物光敏树脂并且不包含颜料或染料。第三滤色器CF3可以是透明的。第三滤色器CF3可以使用透明光敏树脂形成。
在一些实施方案中，第一滤色器CF1和/或第二滤色器CF2可以是黄色滤色器。第一滤色器CF1和第二滤色器CF2可以无差别一体提供。
光阻挡部件BM可以是黑色矩阵。可以通过包含有机光阻挡材料或无机光阻挡材料(包括黑色颜料或黑色染料)来形成光阻挡部件BM。光阻挡部件BM可以防止或减少漏光现象并且划分(例如，充当)相邻滤色器CF1、CF2和CF3之间的边界。在一些实施方案中，光阻挡部件BM可以形成为蓝色滤色器。
第一滤色器至第三滤色器CF1、CF2和CF3中的每一个可以设置成分别对应于红色发光区域PXA-R、绿色发光区域PXA-G和蓝色发光区域PXA-B。
在滤色器层CFL上，可以设置基体衬底BL。基体衬底BL可以提供滤色器层CFL、光控制层CCL等设置在其上的基体表面。基体衬底BL可以是玻璃衬底、金属衬底、塑料衬底等。然而，本公开内容的实施方案不限于此，并且基体衬底BL可以是无机层、有机层或复合材料层。在一些实施方案中，可以不提供基体衬底BL。
图8是示出根据实施方案的显示设备的一部分的横截面视图。在实施方案的显示设备DD-TD中，发光装置ED-BT可以包括多个发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3。发光装置ED-BT可以包括相对设置的第一电极EL1和第二电极EL2，以及在厚度方向上按顺序堆叠并且提供在第一电极EL1与第二电极EL2之间的多个发光结构OL-B1、 OL-B2和OL-B3。发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3中的每一个可以包括发射层EML(图7)、以及发射层EML设置在其间的空穴传输区HTR和电子传输区ETR(图7)。
例如，包括在实施方案的显示设备DD-TD中的发光装置ED-BT 可以是包括多个发射层的串联结构的发光装置。
在图8中示出的实施方案中，由发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3 发射的光可以全部是蓝色光。然而，本公开内容的实施方案不限于此，并且从发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3发射的光的波长区可以彼此不同。例如，包括发射不同波长区中的光的多个发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3的发光装置ED-BT可以旨在发射白色光。
电荷产生层CGL1和CGL2可以设置在相邻发光结构OL-B1、 OL-B2和OL-B3之间。电荷产生层CGL1和CGL2可以包括p-型电荷产生层和/或n-型电荷产生层。
图9是例示根据实施方案的显示装置的横截面视图。图10是例示根据实施方案的显示装置的横截面视图。
参考图9，根据实施方案的显示装置DD-b可以包括各自具有堆叠在其上的两个发光层的发光元件ED-1、ED-2和ED-3。根据图9例示的实施方案的显示装置与根据图2例示的实施方案的显示装置DD的不同之处在于，图9中的显示装置中的发光元件ED-1、ED-2和ED-3各自包括在厚度方向上堆叠的两个发光层。在第一发光元件至第三发光元件ED-1、ED-2和ED-3中的每一个中，两个发光层可以发射相同波长范围的光。
第一发光元件ED-1可以包括第一发红色光的层EML-R1和第二发红色光的层EML-R2。第二发光元件ED-2可以包括第一发绿色光的层EML-G1和第二发绿色光的层EML-G2。此外，第三发光元件ED-3 可以包括第一发蓝色光的层EML-B1和第二发蓝色光的层EML-B2。发光辅助部OG可以设置在第一发红色光的层EML-R1与第二发红色光的层EML-R2之间，第一发绿色光的层EML-G1与第二发绿色光的层EML-G2之间，以及第一发蓝色光的层EML-B1与第二发蓝色光的层EML-B2之间。
发光辅助部OG可以包括单个层或多个层。发光辅助部OG可以包括电荷产生层。更具体地，发光辅助部OG可以包括依次堆叠的电子传输区、电荷产生层和空穴传输区。发光辅助部OG可以提供作为所有第一发光元件至第三发光元件ED-1、ED-2和ED-3中的公共层。然而，本发明构思的实施方案不限于此，并且发光辅助部OG可以通过在限定在像素限定层PDL中的开口部分OH中图案化来提供。
第一发红色光的层EML-R1、第一发绿色光的层EML-G1和第一发蓝色光的层EML-B1可以设置在空穴传输区HTR与发光辅助部OG 之间。第二发红色光的层EML-R2、第二发绿色光的层EML-G2和第二发蓝色光的层EML-B2可以设置在发光辅助部OG与电子传输区 ETR之间。
即，第一发光元件ED-1可以包括依次堆叠的第一电极EL1、空穴传输区HTR、第二发红色光的层EML-R2、发光辅助部OG、第一发红色光的层EML-R1、电子传输区ETR和第二电极EL2。第二发光元件ED-2可以包括依次堆叠的第一电极EL1、空穴传输区HTR、第二发绿色光的层EML-G2、发光辅助部OG、第一发绿色光的层EML-G1、电子传输区ETR和第二电极EL2。第三发光元件ED-3可以包括依次堆叠的第一电极EL1、空穴传输区HTR、第二发蓝色光的层EML-B2、发光辅助部OG、第一发蓝色光的层EML-B1、电子传输区ETR和第二电极EL2。
同时，光学辅助层PL可以设置在显示元件层DP-ED上。光学辅助层PL可以包括偏振层。光学辅助层PL可以设置在显示面板DP上，以控制外部光在显示面板DP处的反射光。与例示的配置不同，根据实施方案，在显示装置中可以省略光学辅助层PL。
与图8和图9不同，图10中的显示装置DD-c例示为包括四个发光结构OL-B1、OL-B2、OL-B3和OL-C1。发光元件ED-CT可以包括彼此面对的第一电极EL1和第二电极EL2、以及在厚度方向上依次堆叠并且提供在第一电极EL1与第二电极EL2之间的第一发光结构至第四发光结构OL-B1、OL-B2、OL-B3和OL-C1。电荷产生层CGL1、 CGL2和CGL3可以设置在第一发光结构至第四发光结构OL-B1、 OL-B2、OL-B3和OL-C1之间。在四个发光结构中，第一发光结构至第三发光结构OL-B1、OL-B2和OL-B3可以发射蓝色光，并且第四发光结构OL-C1可以发射绿色光。然而，本发明构思的实施方案不限于此，并且第一发光结构至第四发光结构OL-B1、OL-B2、OL-B3和 OL-C1可以发射不同波长范围的光。
设置在相邻发光结构OL-B1、OL-B2、OL-B3和OL-C1之间的电荷产生层CGL1、CGL2和CGL3可以包括p-型电荷产生层和/或n-型电荷产生层。
包括在根据实施方案的显示装置DD-c中的发光结构OL-B1、 OL-B2、OL-B3和OL-C1中的至少一个可以包括根据实施方案的以上描述的胺化合物。
在下文，将参考实例实施方案和比较实施方案解释本公开内容。实施方案仅是用以帮助对本公开内容的理解的示例，并且本公开内容的范围不限于此。
合成例
根据本公开内容的实施方案的胺化合物可以例如合成如下。然而，根据本公开内容的实施方案的胺化合物的合成方法不限于实施方案。
1.化合物A2的合成
反应1
中间体IM-1的合成
在Ar气氛下，将4，6-二溴二苯并呋喃(25.00g，76.7mmol)、苯基硼酸(10.29g，1.1当量，84.4mmol)、K
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝323为离子峰，并且鉴定中间体IM-1。
中间体IM-2的合成
在Ar气氛下，将IM-1(15.00g，46.4mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝425为离子峰，并且鉴定中间体IM-2。
化合物A2的合成
在Ar气氛下，将IM-2(10.00g，23.5mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝627为离子峰，并且鉴定化合物A2。
2.化合物A53的合成
反应2
中间体IM-3的合成
在Ar气氛下，将IM-1(15.00g，46.4mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝425为离子峰，并且鉴定中间体IM-3。
化合物A53的合成
在Ar气氛下，将IM-3(10.00g，23.5mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝677为离子峰，并且鉴定化合物A53。
3.化合物B31的合成
反应3
中间体IM-4的合成
在Ar气氛下，将IM-1(15.00g，46.4mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝441为离子峰，并且鉴定中间体IM-4。
化合物B31的合成
在Ar气氛下，将IM-4(10.00g，22.6mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝669为离子峰，并且鉴定化合物B31。
4.化合物B88的合成
反应4
中间体IM-5的合成
在Ar气氛下，将IM-1(15.00g，46.4mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝441为离子峰，并且鉴定中间体IM5。
化合物B88的合成
在Ar气氛下，将IM-5(10.00g，22.6mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝643为离子峰，并且鉴定化合物B88。
5.化合物C19的合成
反应5
中间体IM-6的合成
在Ar气氛下，将4，6-二溴二苯并噻吩(25.00g，73.1mmol)、苯基硼酸(9.80g，1.1当量，80.4mmol)、K
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝339为离子峰，并且鉴定中间体IM-6。
中间体IM-7的合成
在Ar气氛下，将IM-6(15.00g，44.2mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝441为离子峰，并且鉴定中间体IM-7。
化合物C19的合成
在Ar气氛下，将IM-7(10.00g，22.6mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝607为离子峰，并且鉴定化合物C19。
6.化合物C55的合成
反应6
中间体IM-8的合成
在Ar气氛下，将IM-6(15.00g，44.2mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝441为离子峰，并且鉴定中间体IM-8。
化合物C55的合成
在Ar气氛下，将IM-8(10.00g，22.6mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝693为离子峰，并且鉴定化合物C55。
7.化合物D40的合成
反应7
中间体IM-9的合成
在Ar气氛下，将IM-6(15.00g，44.2mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝457为离子峰，并且鉴定中间体IM-9。
化合物D40的合成
在Ar气氛下，将IM-9(10.00g，21.9mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝659为离子峰，并且鉴定化合物D40。
8.化合物D54的合成
反应8
中间体IM-10的合成
在Ar气氛下，将IM-6(15.00g，44.2mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝457为离子峰，并且鉴定中间体IM-10。
化合物D54的合成
在Ar气氛下，将IM-10(10.00g，21.9mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝709为离子峰，并且鉴定化合物D54。
9.化合物E19的合成
反应9
中间体IM-11的合成
在Ar气氛下，将4-溴二苯并呋喃(20.00g，80.9mmol)、(3-氨基苯基)硼酸(12.19g，1.1当量，89.0mmol)、K
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝259为离子峰，并且鉴定中间体IM-11。
中间体IM-12的合成
在Ar气氛下，将IM-11(10.00g，38.6mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝501为离子峰，并且鉴定中间体IM-12。
化合物E19的合成
在Ar气氛下，将IM-12(10.00g，19.9mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝703为离子峰，并且鉴定化合物E19。
10.化合物E113的合成
反应10
中间体IM-13的合成
在Ar气氛下，将2-溴二苯并呋喃(20.00g，80.9mmol)、(4-氨基苯基)硼酸(12.19g，1.1当量，89.0mmol)、K
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝259为离子峰，并且鉴定中间体IM-13。
中间体IM-14的合成
在Ar气氛下，将IM-13(10.00g，38.6mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝501为离子峰，并且鉴定中间体IM-14。
化合物E113的合成
在Ar气氛下，将IM-14(10.00g，19.9mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝683为离子峰，并且鉴定化合物E113。
11.化合物F22的合成
反应11
中间体IM-15的合成
在Ar气氛下，将二苯并噻吩-4-基硼酸(10.00g，43.8mmol)、4′- 溴-[1，1′-联苯基]-4-胺(11.96g，1.1当量，48.2mmol)、K
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝351为离子峰，并且鉴定中间体IM-15。
中间体IM-16的合成
在Ar气氛下，将IM-15(10.00g，28.5mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝593为离子峰，并且鉴定中间体IM-16。
化合物F22的合成
在Ar气氛下，将IM-16(10.00g，16.8mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝796为离子峰，并且鉴定化合物F22。
12.化合物F129的合成
反应12
中间体IM-17的合成
在Ar气氛下，将1-溴二苯并噻吩(20.00g，76.0mmol)、(4-氨基苯基)硼酸(11.45g，1.1当量，83.6mmol)、K
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝275为离子峰，并且鉴定中间体IM-17。
中间体IM-18的合成
在Ar气氛下，将IM-17(10.00g，36.3mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝517为离子峰，并且鉴定中间体IM-18。
化合物F129的合成
在Ar气氛下，将IM-18(10.00g，19.3mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝669为离子峰，并且鉴定化合物F129。
13.化合物G28的合成
反应13
中间体IM-19的合成
在Ar气氛下，将IM-1(20.00g，61.9mmol)、(4-氨基苯基)硼酸(9.32 g，1.1当量，68.1mmol)、K
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝351为离子峰，并且鉴定中间体IM-19。
中间体IM-20的合成
在Ar气氛下，将IM-19(10.00g，29.8mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝593为离子峰，并且鉴定中间体IM-20。
化合物G28的合成
在Ar气氛下，将IM-20(10.00g，16.8mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝759为离子峰，并且鉴定化合物G28。
14.化合物G51的合成
反应14
中间体IM-21的合成
在Ar气氛下，将3-溴二苯并呋喃(20.00g，80.9mmol)、(4-氨基苯基)硼酸(12.19g，1.1当量，89.0mmol)、K
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝259为离子峰，并且鉴定中间体IM-21。
中间体IM-22的合成
在Ar气氛下，将IM-21(10.00g，38.6mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝517为离子峰，并且鉴定中间体IM-22。
化合物G51的合成
在Ar气氛下，将IM-22(10.00g，19.3mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝643为离子峰，并且鉴定化合物G51。
15.化合物H1的合成
反应15
中间体IM-23的合成
在Ar气氛下，将4-溴二苯并噻吩(20.00g，76.0mmol)、(4-氨基苯基)硼酸(11.45g，1.1当量，83.6mmol)、K
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝275为离子峰，并且鉴定中间体IM-23。
中间体IM-24的合成
在Ar气氛下，将IM-23(10.00g，36.3mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝533为离子峰，并且鉴定中间体IM-24。
化合物H1的合成
在Ar气氛下，将IM-24(10.00g，18.7mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝735为离子峰，并且鉴定化合物H1。
16.化合物H88的合成
反应16
中间体IM-25的合成
在Ar气氛下，将2-溴二苯并噻吩(20.00g，76.0mmol)、(4-氨基苯基)硼酸(11.45g，1.1当量，83.6mmol)、K
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝275为离子峰，并且鉴定中间体IM-25。
中间体IM-26的合成
在Ar气氛下，将IM-25(10.00g，36.3mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝533为离子峰，并且鉴定中间体IM-26。
化合物H88的合成
在Ar气氛下，将IM-26(10.00g，18.7mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝762为离子峰，并且鉴定化合物H88。
17.化合物I3的合成
反应17
中间体IM-27的合成
在Ar气氛下，将2-溴-1-碘-3-甲氧基苯(50.00g，159.8mmol)、苯基硼酸(21.43g，1.1当量，175.8mmol)、K
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝263为离子峰，并且鉴定中间体IM-27。
中间体IM-28的合成
在Ar气氛下，将IM-27(30.00g，114.0mmol)、(3-氯-2-氟苯基) 硼酸(21.87g，1.1当量，125.4mmol)、K
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝312为离子峰，并且鉴定中间体IM-28。
中间体IM-29的合成
在Ar气氛下，将IM-28(25.00g，79.9mmol)、CH
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝298为离子峰，并且鉴定中间体IM-29。
中间体IM-30的合成
在Ar气氛下，将IM-29(18.00g，60.3mmol)、DMF(302mL)和 K
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝278为离子峰，并且鉴定中间体IM-30。
中间体IM-31的合成
在Ar气氛下，将IM-30(10.00g，35.9mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝461为离子峰，并且鉴定中间体IM-31。
化合物I3的合成
在Ar气氛下，IM-31(8.00g，17.3mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝663为离子峰，并且鉴定化合物I3。
18.化合物I10的合成
反应18
中间体IM-32的合成
在Ar气氛下，将IM-30(10.00g，35.9mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝487为离子峰，并且鉴定中间体IM-32。
化合物I10的合成
在Ar气氛下，将IM-32(8.00g，16.4mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝715为离子峰，并且鉴定化合物I10。
19.化合物J15的合成
反应19
中间体IM-33的合成
在Ar气氛下，将2-溴-4-碘-1-甲氧基苯(50.00g，159.8mmol)、苯基硼酸(21.43g，1.1当量，175.8mmol)、K
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝263为离子峰，并且鉴定中间体IM-33。
中间体IM-34的合成
在Ar气氛下，将IM-33(30.00g，114.0mmol)、(3-氯-2-氟苯基) 硼酸(21.87g，1.1当量，125.4mmol)、K
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝312为离子峰，并且鉴定中间体IM-34。
中间体IM-35的合成
在Ar气氛下，将IM-34(25.00g，79.9mmol)、CH
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝298为离子峰，并且鉴定中间体IM-35。
中间体IM-36的合成
在Ar气氛下，将IM-35(18.00g，60.3mmol)、DMF(302mL)和 K
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝278为离子峰，并且鉴定中间体IM-36。
中间体IM-37的合成
在Ar气氛下，将IM-36(10.00g，35.9mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝511为离子峰，并且鉴定中间体IM-37。
化合物J15的合成
在Ar气氛下，将IM-37(8.00g，15.6mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝763为离子峰，并且鉴定化合物J15。
20.化合物J18的合成
反应20
中间体IM-38的合成
在Ar气氛下，将IM-36(10.00g，35.9mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝385为离子峰，并且鉴定中间体IM-38。
化合物J18的合成
在Ar气氛下，将IM-38(8.00g，20.8mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝663为离子峰，并且鉴定化合物J18。
21.化合物K6的合成
反应21
中间体IM-39的合成
在Ar气氛下，将1-溴-4-碘-2-甲氧基苯(50.00g，159.8mmol)、苯基硼酸(21.43g，1.1当量，175.8mmol)、K
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝263为离子峰，并且鉴定中间体IM-39。
中间体IM-40的合成
在Ar气氛下，将IM-39(30.00g，114.0mmol)、(3-氯-2-氟苯基) 硼酸(21.87g，1.1当量，125.4mmol)、K
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝312为离子峰，并且鉴定中间体IM-40。
中间体IM-41的合成
在Ar气氛下，将IM-40(25.00g，79.9mmol)、CH
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝298为离子峰，并且鉴定中间体IM-41。
中间体IM-42的合成
在Ar气氛下，将IM-41(18.00g，60.3mmol)、DMF(302mL)和 K
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝278为离子峰，并且鉴定中间体IM-42。
中间体IM-43的合成
在Ar气氛下，将IM-42(10.00g，35.9mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝461为离子峰，并且鉴定中间体IM-43。
化合物K6的合成
在Ar气氛下，将IM-43(8.00g，17.3mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝713为离子峰，并且鉴定化合物K6。
22.化合物L1的合成
反应22
中间体IM-44的合成
在Ar气氛下，将[1，1′-联苯基]-2-酚(20.00g，170.2mmol)、2-溴-1- 氯-3-氟苯(49.22g，2当量，235.0mmol)、DMF(588mL)和K
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝359为离子峰，并且鉴定中间体IM-44。
中间体IM-45的合成
在Ar气氛下，将IM-44(25.00g，69.5mmol)、Pd(OAc)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝278为离子峰，并且鉴定中间体IM-45。
化合物L1的合成
在Ar气氛下，将IM-45(8.00g，28.7mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝563为离子峰，并且鉴定化合物L1。
23.化合物M5的合成
反应23
中间体IM-46的合成
在Ar气氛下，将[1，1′-联苯基]-3-酚(20.00g、170.2mmol)、2-溴-1- 氯-3-氟苯(49.22g，2当量，235.0mmol)、DMF(588mL)和K
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝359为离子峰，并且鉴定中间体IM-46。
中间体IM-47的合成
在Ar气氛下，将IM-46(25.00g，69.5mmol)、Pd(OAc)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝278为离子峰，并且鉴定中间体IM-47。
中间体IM-48的合成
在Ar气氛下，将IM-47(10.00g，35.9mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝511为离子峰，并且鉴定中间体IM-48。
化合物M5的合成
在Ar气氛下，将IM-48(8.00g，15.6mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝663为离子峰，并且鉴定化合物M5。
24.化合物M20的合成
反应24
中间体IM-49的合成
在Ar气氛下，将IM-47(10.00g，35.9mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝511为离子峰，并且鉴定中间体IM-49。
化合物M20的合成
在Ar气氛下，将IM-49(8.00g，15.6mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝693为离子峰，并且鉴定化合物M20。
25.化合物N4的合成
反应25
中间体IM-50的合成
在Ar气氛下，将[1，1′-联苯基]-4-酚(20.00g，170.2mmol)、2-溴-1- 氯-3-氟苯(49.22g，2当量，235.0mmol)、DMF(588mL)和K
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝359为离子峰，并且鉴定中间体IM-50。
中间体IM-51的合成
在Ar气氛下，将IM-50(25.00g，69.5mmol)、Pd(oAc)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝278为离子峰，并且鉴定中间体IM-51。
化合物N4的合成
在Ar气氛下，将IM-51(8.00g，28.7mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝663为离子峰，并且鉴定化合物N4。
26.化合物N36的合成
反应26
中间体IM-52的合成
在Ar气氛下，将[1，1′-联苯基]-4-硫醇(20.00g，107.4mmol)、2- 溴-1-氯-3-氟苯(44.98g，2当量，214.7mmol)、DMF(537mL)和K
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝375为离子峰，并且鉴定中间体IM-52。
中间体IM-53的合成
在Ar气氛下，将IM-52(25.00g，66.5mmol)、Pd(OAc)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝294为离子峰，并且鉴定中间体IM-53。
中间体IM-54的合成
在Ar气氛下，将IM-53(10.00g，33.9mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝517为离子峰，并且鉴定中间体IM-54。
化合物N36的合成
在Ar气氛下，将IM-54(8.00g，15.5mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝759为离子峰，并且鉴定化合物N36。
27.化合物A106的合成
反应27
中间体IM-55的合成
在Ar气氛下，将IM-1(15.00g，46.4mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝461为离子峰，并且鉴定中间体IM-55。
化合物A106的合成
在Ar气氛下，将IM-55(10.00g，21.7mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝703为离子峰，并且鉴定化合物A106。
28.化合物A107的合成
反应28
中间体IM-56的合成
在Ar气氛下，将IM-1(15.00g，46.4mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝487为离子峰，并且鉴定中间体IM-56。
化合物A107的合成
在Ar气氛下，将IM-56(10.00g，20.5mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝729为离子峰，并且鉴定化合物A107。
29.化合物A17的合成
反应29
中间体IM-57的合成
在Ar气氛下，将1，4-二溴萘(25.00g，87.4mmol)、(苯基-d
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝288为离子峰，并且鉴定中间体IM-57。
中间体IM-58的合成
在Ar气氛下，将IM-57(15.00g，52.0mmol)、4-氯苯基硼酸(8.95 g，1.1当量，57.3mmol)、K
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝319为离子峰，并且鉴定中间体IM-58。
化合物A17的合成
在Ar气氛下，将IM-2(10.00g，23.5mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝708为离子峰，并且鉴定化合物A17。
30.化合物J19的合成
反应30
中间体IM-59的合成
在Ar气氛下，将IM-36(15.00g，53.8mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝441为离子峰，并且鉴定中间体IM-59。
化合物J19的合成
在Ar气氛下，将IM-59(10.00g，22.6mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝643为离子峰，并且鉴定化合物J19。
31.化合物K11的合成
反应31
中间体IM-60的合成
在Ar气氛下，将IM-42(15.00g，53.8mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝517为离子峰，并且鉴定中间体IM-60。
化合物K11的合成
在Ar气氛下，将IM-60(10.00g，19.3mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝759为离子峰，并且鉴定化合物K11。
32.化合物I52的合成
反应32
中间体IM-61的合成
在Ar气氛下，将IM-30(15.00g，53.8mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝425为离子峰，并且鉴定中间体IM-61。
化合物I52的合成
在Ar气氛下，将IM-61(10.00g，23.5mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝601为离子峰，并且鉴定化合物I52。
33.化合物I59的合成
反应33
中间体IM-62的合成
在Ar气氛下，将IM-30(15.00g，53.8mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝461为离子峰，并且鉴定中间体IM-62。
化合物I59的合成
在Ar气氛下，将IM-62(10.00g，21.7mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝677为离子峰，并且鉴定化合物I59。
34.化合物J56的合成
反应34
中间体IM-63的合成
在Ar气氛下，将IM-36(15.00g，53.8mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝461为离子峰，并且鉴定中间体IM-63。
化合物J56的合成
在Ar气氛下，将IM-63(10.00g，21.7mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝703为离子峰，并且鉴定化合物J56。
35.化合物J64的合成
反应35
中间体IM-64的合成
在Ar气氛下，将IM-36(15.00g，53.8mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝461为离子峰，并且鉴定中间体IM-64。
化合物J64的合成
在Ar气氛下，将IM-64(10.00g，21.7mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝703为离子峰，并且鉴定化合物J64。
36.化合物K53的合成
反应36
中间体IM-65的合成
在Ar气氛下，将IM-42(15.00g，53.8mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝425为离子峰，并且鉴定中间体IM-65。
化合物K53的合成
在Ar气氛下，将IM-65(10.00g，23.5mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝601为离子峰，并且鉴定化合物K53。
37.化合物K62的合成
反应37
中间体IM-66的合成
在Ar气氛下，将IM-42(15.00g，53.8mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝461为离子峰，并且鉴定中间体IM-66。
化合物K62的合成
在Ar气氛下，将IM-66(10.00g，21.7mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝703为离子峰，并且鉴定化合物K62。
38.化合物L60的合成
反应38
中间体IM-67的合成
在Ar气氛下，将IM-45(15.00g，53.8mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝461为离子峰，并且鉴定中间体IM-67。
化合物L60的合成
在Ar气氛下，将IM-67(10.00g，21.7mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝677为离子峰，并且鉴定化合物L60。
39.化合物L63的合成
反应39
化合物L63的合成
在Ar气氛下，将IM-67(10.00g，21.7mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝703为离子峰，并且鉴定化合物L63。
40.化合物M55的合成
反应40
中间体IM-68的合成
在Ar气氛下，将IM-47(15.00g，53.8mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝461为离子峰，并且鉴定中间体IM-68。
化合物M55的合成
在Ar气氛下，将IM-68(10.00g，21.7mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝703为离子峰，并且鉴定化合物M55。
41.化合物N51的合成
反应41
中间体IM-69的合成
在Ar气氛下，将IM-51(15.00g，53.8mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝461为离子峰，并且鉴定中间体IM-69。
化合物N51的合成
在Ar气氛下，将IM-69(10.00g，21.7mmol)、Pd(dba)
通过FAB-MS测量，观察到质量数m/z＝627为离子峰，并且鉴定化合物N51。
制造装置的实例
使用实例化合物和比较化合物作为空穴传输区的材料来制造发光装置。
实例化合物
比较化合物
通过以下方法制造实施例和比较例的发光装置。在玻璃衬底上，将具有约150nm的厚度的ITO图案化，用超纯水洗涤并且用UV臭氧处理，以形成第一电极。然后，将2-TNATA沉积至约60nm的厚度，并且将实例化合物或比较化合物沉积至约30nm的厚度，以形成空穴传输层。此后，使用掺杂有3％TBP的ADN形成发射层至约25nm 的厚度。在发射层上，使用Alq
发光装置的性质的评价
每个发光装置的电压、发射效率和使用寿命被测量并且显示在以下表1和表2中。在10mA/cm
表1
表2
表1示出了关于实施例1-1至实施例1-19以及比较例1-1至比较例1-10的结果。表2示出了关于实施例2-1至实施例2-22以及比较例 2-1至比较例2-10的结果。参考表1和表2，可以证实，当与比较例 1-1至比较例1-10和比较例2-1至比较例2-10相比时，实施例1-1至实施例1-19和实施例2-1至实施例2-22同时(例如，同时地)实现了低电压、高发射效率和长使用寿命。
根据本公开内容的实施方案的胺化合物将取代基引入到二苯并呋喃或二苯并噻吩骨架中，并且显示出改善的耐热性和电荷耐受性，从而实现电压的降低和/或使用寿命和/或发射效率的增加。此外，可以认为，由于具有取代基的二苯并呋喃或二苯并噻吩骨架，分子的对称性被消减(例如，降低)，并且结晶被抑制(例如，无定形固体形式变得有利)，并且因此，可以改善层品质，可以改善空穴传输性质，并且可以改善发射效率。
包含在实施例1-1至实施例1-19中的实例化合物是表1中示出的包含在化合物组1中的化合物，并且包含在示出的实施例2-1至实施例2-22中的实例化合物是表2中的包含在化合物组2或化合物组3中的化合物。具体地，包含在实施例2-1至实施例2-5和实施例2-11至实施例2-18的装置中的实例化合物是包含在化合物组2中的化合物，并且实施例2-6至实施例2-10和实施例2-19至实施例2-22是包含在化合物组3中的化合物。
在包含在化合物组1中的化合物中，R
例如，实施例1-1至实施例1-8、实施例1-17至实施例1-19和实施例2-8至实施例2-11是其中所有多个二苯并杂环戊二烯基团直接键合至氮原子的材料，并且特别地，改善了发射效率。这被认为，分子变得紧凑，分子间相互作用被增强，并且改善了空穴传输能力。
实施例1-9至实施例1-16和实施例2-10至实施例2-12是其中选自多个二苯并杂环戊二烯基团中的一个经由连接基团键合至氮原子的材料，并且特别地，改善了装置使用寿命。据估计，HOMO轨道经由连接基团广泛地延伸至末端二苯并杂环戊二烯环，并且改善了作为自由基或自由基阳离子物质的材料稳定性。
比较例1-1和比较例1-2对应于不具有取代的二苯并杂环戊二烯环的胺，并且根据分子的体积的减小，改善了分子间堆叠，产生空穴传输能力的降低，并且当与实施例相比时，装置发射效率和使用寿命两者均降低(例如，同时地)。
比较例1-3对应于其中四个苯基基团在二苯并杂环戊二烯环的相同苯环部分处取代的胺，并且由于相邻苯基基团之间的空间排斥性，在高温条件下产生材料的分解，并且当与实施例相比时，装置发射效率和使用寿命两者均降低(例如，同时地)。
比较例1-4对应于具有在6位处具有取代基的二苯并噻吩基团的材料，却是在分子中仅具有一个二苯并杂环戊二烯基团的胺，并且当与实施例相比时，装置发射效率和使用寿命两者均降低(例如，同时地)。据信，因为二苯并杂环戊二烯基团的数量少，减少了杂原子对空穴传输能力的改善效果，延缓了空穴向发射层中的注入，并且降低了发射层中的复合概率。
比较例1-5对应于具有4-二苯并噻吩基团作为两个二苯并杂环戊二烯基团的材料，但当与实施例相比时，装置发射效率和使用寿命两者均降低(例如，同时地)。当两个二苯并噻吩基团各自直接键合至4 位处的氮原子时，同一分子中的两个硫原子的d轨道可以接近并且相互作用(例如，参与通过空间的相互作用)。因此，分子之间经由杂原子的分子间相互作用可以降低，并且因此，空穴传输能力可以降低。
在一些实施方案中，如在实施例1-15中，当两个二苯并噻吩基团键合在每个4位处时，并且当它们中的一个经由连接基团键合至氮原子时，并且当两个二苯并噻吩基团的键合位置如在实施例1-7和实施例1-8中不同时，分子中的两个硫原子之间的相互作用可以被减轻，分子间杂原子之间的分子间相互作用可以起作用，并且可以显示出优异的或适合的装置特性。在一些实施方案中，如在实施例1-1、实施例 1-5、实施例1-10和实施例1-13中，当两个二苯并杂环戊二烯基团直接键合至每个4位处的氮原子时，当杂原子中的至少一个是氧原子时，不产生氧原子与硫原子之间以及氧原子与氧原子之间的分子内相互作用，因为氧原子没有d轨道(例如，d轨道未被占据)，并且可以显示出优异的或适合的装置特性。
比较例1-6是具有在位置6处具有取代基的两个二苯并杂环戊二烯骨架的材料，但改善(例如，增加)分子的对称性，并且由于结晶度的增加和无定形性质的降低，层品质劣化。此外，由于氮原子的环境是空间拥挤的，当与实施例相比时，高温条件下的材料稳定性劣化，并且装置发射效率和使用寿命两者均劣化(例如，同时地)。
在实施例1-13中，尽管材料具有在位置6处具有取代基的两个二苯并杂环戊二烯骨架，但当一个经由连接(例如，联接)基团键合至氮原子时，分子的对称性崩塌，氮原子周围的空间拥挤被减轻，改善了材料稳定性，并且显示出优异的或适合的装置特性。
比较例1-7是其中苯基基团在与胺基团键合处相邻的二苯并呋喃苯环部分处取代的材料。在二苯并呋喃环的3位和4位处的取代基之间产生空间电子排斥，氮原子的周围拥挤，高温条件下的材料稳定性降低，并且当与实施例相比时，装置发射效率和使用寿命两者均降低 (例如，同时地)。
比较例1-8是在分子中具有咔唑基团的材料，但载流子平衡崩塌，并且当与实施例相比时，装置发射效率和使用寿命两者均降低(例如，同时地)。
比较例1-9和比较例1-10是在分子中具有甲硅烷基基团和芴基团的材料，但当与实施例相比时，装置发射效率和使用寿命两者均降低 (例如，同时地)。据信，获得这些结果是因为包含在芴骨架中的C-Si 键和sp
比较例2-1至比较例2-3对应于其中杂环键合至二苯并杂环戊二烯环(取代在二苯并杂环戊二烯环上)的胺，但载流子平衡崩塌，并且当与实施例相比时，装置发射效率和使用寿命两者均降低(例如，同时地)。比较例2-4、比较例2-7和比较例2-8对应于在分子中具有芴结构的胺，但当与实施例相比时，装置发射效率和使用寿命两者均降低 (例如，同时地)。据信，获得这些结果是因为包含在芴骨架中的sp
比较例2-5对应于其中氮原子键合在取代的二苯并杂环戊二烯骨架的2位处的胺，并且通过分子的平面性的改善，结晶度增加，产生层劣化和空穴传输能力劣化，并且特别地，当与实施例相比时，装置发射效率降低。
比较例2-6对应于在分子中具有噻吩环的胺，但因为噻吩环的电子耐受性低，所以在驱动期间产生材料的劣化，并且当与实施例相比时，装置发射效率和使用寿命两者均降低(例如，同时地)。
比较例2-9和比较例2-10对应于在末端处具有两个1-萘基基团的胺，但当与实施例相比时，装置发射效率和使用寿命两者均降低(例如，同时地)。据信，由于分子中的两个1-萘基基团的影响，分子间相互作用增加，并且材料的沉积温度增加，并且成层性质降低。
根据本公开内容的实施方案的胺化合物用于空穴传输区中，并且有助于发光装置的驱动电压的降低以及发射效率和使用寿命的增加。
根据本公开内容的实施方案的发光装置具有优异的或适合的发射效率。
根据本公开内容的实施方案的胺化合物可以用作发光装置的空穴传输区的材料，并且可以改善发光装置的发射效率。
如本文使用，术语“基本上”、“约”和类似术语用作近似的术语而不用作程度的术语，并且旨在解释本领域普通技术人员会认知到的测量值或计算值中的固有偏差。如本文使用的“约”或“大约”包括规定值并且意指在如由本领域普通技术人员考虑相关测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的限度)确定的特定值的可接受的偏差范围内。例如，“约”可以意指在一个或多于一个的标准偏差内，或者在规定值的±30％、±20％、±10％、±5％内。
本文列举的任何数值范围旨在包括归入所列举的范围内的相同数值精度的所有子范围。例如，“1.0至10.0”的范围旨在包括所列举的最小值1.0与所列举的最大值10.0之间(并且包括端值)的所有子范围，即，具有等于或大于1.0的最小值和等于或小于10.0的最大值，诸如以2.4至7.6为例。本文列举的任何最大数值限定旨在包括归入其中的所有较低的数值限定，并且本说明书中所列举的任何最小数值限定旨在包括归入其中的所有较高的数值限定。因此，申请人保留修改本说明书(包括权利要求书)以明确列举归入本文明确列举的范围内的任何子范围的权利。
尽管已经描述了本公开内容的实施方案，但应理解，本公开内容不应局限于这些实施方案，而在如所附权利要求及其等同中阐述的本公开内容的主旨和范围内，本领域普通技术人员可以进行各种适合的改变和修改。